JPH06151648A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH06151648A JPH06151648A JP4297153A JP29715392A JPH06151648A JP H06151648 A JPH06151648 A JP H06151648A JP 4297153 A JP4297153 A JP 4297153A JP 29715392 A JP29715392 A JP 29715392A JP H06151648 A JPH06151648 A JP H06151648A
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 面実装型半導体装置１において、封止体７と
実装基板８との間に適度なクリアランスを確保する。 【構成】 面実装型半導体装置１において、封止体７の
実装基板８側の下面にスタンドオフ７１を構成する。
実装基板８との間に適度なクリアランスを確保する。 【構成】 面実装型半導体装置１において、封止体７の
実装基板８側の下面にスタンドオフ７１を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、面実装型構造を採用する半導体装置に適用して有効
な技術に関する。
に、面実装型構造を採用する半導体装置に適用して有効
な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】面実装型構造の半導体装置としてＱＦＰ
(Ｑuad Ｆlat Ｐackage)構造を採用する樹脂封止型半導
体装置がある。この種のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置はゲートアレイ、マスタスライス等所謂特
定用途向けのＩＣであって入出力端子数が多い場合、比
較的量産性が要求される場合等に使用される。
(Ｑuad Ｆlat Ｐackage)構造を採用する樹脂封止型半導
体装置がある。この種のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止
型半導体装置はゲートアレイ、マスタスライス等所謂特
定用途向けのＩＣであって入出力端子数が多い場合、比
較的量産性が要求される場合等に使用される。
【０００３】ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装
置は、論理回路システムを搭載した半導体ペレットの外
部端子と内部リードとの間が電気的に接続され、前記半
導体ペレット及び内部リードが樹脂封止体（樹脂パッケ
ージ）で封止される。また、この樹脂封止型半導体装置
は前記内部リードと一体化された外部リードが樹脂封止
体の外周囲に配列される。前記樹脂封止体の平面形状は
半導体ペレットの平面形状の相似形で構成され、外部リ
ードは樹脂封止体の４つの辺（４つの側面）に夫々の辺
に沿って夫々複数本配列される。つまり、ＱＦＰ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置は所謂４方向リード配列
構造で構成される。
置は、論理回路システムを搭載した半導体ペレットの外
部端子と内部リードとの間が電気的に接続され、前記半
導体ペレット及び内部リードが樹脂封止体（樹脂パッケ
ージ）で封止される。また、この樹脂封止型半導体装置
は前記内部リードと一体化された外部リードが樹脂封止
体の外周囲に配列される。前記樹脂封止体の平面形状は
半導体ペレットの平面形状の相似形で構成され、外部リ
ードは樹脂封止体の４つの辺（４つの側面）に夫々の辺
に沿って夫々複数本配列される。つまり、ＱＦＰ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置は所謂４方向リード配列
構造で構成される。
【０００４】前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置はプリント配線基板等の実装基板の実装面に実装
される。この実装は樹脂封止型半導体装置の外部リード
と実装基板の実装面の端子との間を半田で電気的にかつ
機械的に接続することで行われる。実装されたＱＦＰ構
造を採用する樹脂封止型半導体装置は、外部リードによ
って、樹脂封止体の前記実装基板の実装面と対向する下
面と前記実装面との間に適度なクリアランス（隙間）が
設定される。
体装置はプリント配線基板等の実装基板の実装面に実装
される。この実装は樹脂封止型半導体装置の外部リード
と実装基板の実装面の端子との間を半田で電気的にかつ
機械的に接続することで行われる。実装されたＱＦＰ構
造を採用する樹脂封止型半導体装置は、外部リードによ
って、樹脂封止体の前記実装基板の実装面と対向する下
面と前記実装面との間に適度なクリアランス（隙間）が
設定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のＱＦＰ構造を採
用する樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットに搭載
される回路システムの論理ゲート数の増加、入出力端子
数の増加、論理ゲート回路の高速化等により、発熱量が
増大する傾向にある。発熱量が増大すれば、回路システ
ムの特性に変化が発生するだけでなく、クラックの発生
等、樹脂封止体が破損する。そこで、ＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体に熱伝導性が高
い金属性の放熱板を装着する、開発が進められている。
用する樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットに搭載
される回路システムの論理ゲート数の増加、入出力端子
数の増加、論理ゲート回路の高速化等により、発熱量が
増大する傾向にある。発熱量が増大すれば、回路システ
ムの特性に変化が発生するだけでなく、クラックの発生
等、樹脂封止体が破損する。そこで、ＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体に熱伝導性が高
い金属性の放熱板を装着する、開発が進められている。
【０００６】しかしながら、ＱＦＰ構造を採用する樹脂
封止型半導体装置は、入出力端子数の増加に伴い、外部
リードがファインピッチ化され、外部リード自体の機械
的強度が劣化する傾向にあるにもかかわらず、逆に、樹
脂封止体は放熱板の装着に伴い、樹脂封止体の全体の重
量が増大する傾向にある。このため、ＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装した場合、
外部リードの機械的強度では樹脂封止体を支えきれず、
適度なクリアランスを確保できないので、樹脂封止体の
下面が実装基板の実装面に接触する。つまり、実装後の
洗浄処理において、実装基板と樹脂封止体との間に残存
するフラックス、半田残渣等の異物が排除できなくなる
ので、樹脂封止型半導体装置の隣接する外部リード間の
短絡、実装基板の端子間や配線間の短絡が誘発される。
封止型半導体装置は、入出力端子数の増加に伴い、外部
リードがファインピッチ化され、外部リード自体の機械
的強度が劣化する傾向にあるにもかかわらず、逆に、樹
脂封止体は放熱板の装着に伴い、樹脂封止体の全体の重
量が増大する傾向にある。このため、ＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装した場合、
外部リードの機械的強度では樹脂封止体を支えきれず、
適度なクリアランスを確保できないので、樹脂封止体の
下面が実装基板の実装面に接触する。つまり、実装後の
洗浄処理において、実装基板と樹脂封止体との間に残存
するフラックス、半田残渣等の異物が排除できなくなる
ので、樹脂封止型半導体装置の隣接する外部リード間の
短絡、実装基板の端子間や配線間の短絡が誘発される。
【０００７】本発明の目的は、面実装型構造を採用する
半導体装置において、実装した際に実装基板の実装面と
封止体との間に適度なクリアランスを確保することが可
能な技術を提供することにある。
半導体装置において、実装した際に実装基板の実装面と
封止体との間に適度なクリアランスを確保することが可
能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、面実装型構造を採用
する半導体装置において、外部リードの機械的強度を補
強することが可能な技術を提供することにある。
する半導体装置において、外部リードの機械的強度を補
強することが可能な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、面実装型構造を採用
する半導体装置において、実装基板の実装後の外部リー
ド間の短絡等を防止することが可能な技術を提供するこ
とにある。
する半導体装置において、実装基板の実装後の外部リー
ド間の短絡等を防止することが可能な技術を提供するこ
とにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１２】半導体ペレットの外部端子に内部リードが
電気的に接続され、前記半導体ペレット及び内部リード
が封止体で封止されるとともに、前記封止体の外部に前
記内部リードに電気的に接続されかつ面実装形状に成型
された外部リードが配列される半導体装置において、実
装の際に実装基板の実装面と対向する、前記封止体の一
表面の一部の領域に、この封止体の前記実装面からの実
装高さを調整するスタンドオフを構成する。
電気的に接続され、前記半導体ペレット及び内部リード
が封止体で封止されるとともに、前記封止体の外部に前
記内部リードに電気的に接続されかつ面実装形状に成型
された外部リードが配列される半導体装置において、実
装の際に実装基板の実装面と対向する、前記封止体の一
表面の一部の領域に、この封止体の前記実装面からの実
装高さを調整するスタンドオフを構成する。
【００１３】
【作用】上述した手段によれば、以下の作用効果が得ら
れる。 （１）前記半導体装置において、外部リードの機械的強
度に関係なく、封止体の一表面の一部の領域に構成され
たスタンドオフによって、実装した際に封止体の一表面
の他部の領域と実装基板の実装面との間に強制的にクリ
アランス（適度な隙間）を確保できる。 （２）前記作用効果（１）により、前記半導体装置の外
部リードと実装基板の実装面の端子との間を半田で電気
的にかつ機械的に接続し、前記実装基板に半導体装置を
実装した後、前記実装基板の実装面を洗浄した際、前記
実装基板の実装面と半導体装置の封止体の一表面の他部
の領域との間のフラックス、半田残渣などの異物をほぼ
確実に排除できるので、半導体装置の近接外部リード間
の短絡、実装基板の実装面の近接配線間の短絡等を防止
できる。 （３）前記作用効果（１）により、スタンドオフを設け
ることで、外部リードに備える機械的強度を軽減できる
ので、外部リードのファインピッチ化を促進でき、又封
止体に放熱板を備え若しくは電源板を備え、外部リード
に変形を与えないで、封止体の重量を増加できる。
れる。 （１）前記半導体装置において、外部リードの機械的強
度に関係なく、封止体の一表面の一部の領域に構成され
たスタンドオフによって、実装した際に封止体の一表面
の他部の領域と実装基板の実装面との間に強制的にクリ
アランス（適度な隙間）を確保できる。 （２）前記作用効果（１）により、前記半導体装置の外
部リードと実装基板の実装面の端子との間を半田で電気
的にかつ機械的に接続し、前記実装基板に半導体装置を
実装した後、前記実装基板の実装面を洗浄した際、前記
実装基板の実装面と半導体装置の封止体の一表面の他部
の領域との間のフラックス、半田残渣などの異物をほぼ
確実に排除できるので、半導体装置の近接外部リード間
の短絡、実装基板の実装面の近接配線間の短絡等を防止
できる。 （３）前記作用効果（１）により、スタンドオフを設け
ることで、外部リードに備える機械的強度を軽減できる
ので、外部リードのファインピッチ化を促進でき、又封
止体に放熱板を備え若しくは電源板を備え、外部リード
に変形を与えないで、封止体の重量を増加できる。
【００１４】以下、本発明の構成について、ＱＦＰ構造
を採用する樹脂封止型半導体装置、ＰＧＡ(Ｐin Ｇrid
Ａrray)を採用する半導体装置の夫々に本発明を適用し
た、実施例とともに説明する。
を採用する樹脂封止型半導体装置、ＰＧＡ(Ｐin Ｇrid
Ａrray)を採用する半導体装置の夫々に本発明を適用し
た、実施例とともに説明する。
【００１５】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１６】
（実 施 例 １）本実施例１は、ＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
１実施例である。
樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した、本発明の第
１実施例である。
【００１７】本発明の実施例１であるＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図１（要部断面図）
で示す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図１（要部断面図）
で示す。
【００１８】図１に示すように、ＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１は、半導体ペレット２の素子形
成面に配置される外部端子２１、リード５の内部リード
５１の一端の夫々が電気的に接続される。この半導体ペ
レット２及び内部リード５１は樹脂封止体７で封止され
る。前記樹脂封止体７は、平面形状が半導体ペレット２
の平面形状の相似形で形成され、方形状（本実施例にお
いてはほぼ正方形）で構成される。この樹脂封止体７の
方形状の４つの各辺（４つの各側面）の夫々には夫々の
辺に沿って各々複数本の外部リード５２が配列される。
つまり、本実施例のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置１は、４方向リード配列構造で構成され、ガル
ウィング形状で成型された面実装型構造で構成される。
前記外部リード５２は内部リード５１の他端に一体に形
成される（電気的にかつ機械的に接続される）。
樹脂封止型半導体装置１は、半導体ペレット２の素子形
成面に配置される外部端子２１、リード５の内部リード
５１の一端の夫々が電気的に接続される。この半導体ペ
レット２及び内部リード５１は樹脂封止体７で封止され
る。前記樹脂封止体７は、平面形状が半導体ペレット２
の平面形状の相似形で形成され、方形状（本実施例にお
いてはほぼ正方形）で構成される。この樹脂封止体７の
方形状の４つの各辺（４つの各側面）の夫々には夫々の
辺に沿って各々複数本の外部リード５２が配列される。
つまり、本実施例のＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置１は、４方向リード配列構造で構成され、ガル
ウィング形状で成型された面実装型構造で構成される。
前記外部リード５２は内部リード５１の他端に一体に形
成される（電気的にかつ機械的に接続される）。
【００１９】前記半導体ペレット２は単結晶珪素基板を
主体に構成される。この半導体ペレット２は、樹脂封止
体７に放熱板４を装着するので、素子形成面が図１中下
側表面に配置され、この素子形成面には例えば論理回路
システムが搭載される。半導体ペレット２の外部端子２
１は素子形成面に複数個配置され、この外部端子２１は
回路システムの最上層の結線と同一材料例えばアルミニ
ウム合金又はそれを主層とする積層で構成される。
主体に構成される。この半導体ペレット２は、樹脂封止
体７に放熱板４を装着するので、素子形成面が図１中下
側表面に配置され、この素子形成面には例えば論理回路
システムが搭載される。半導体ペレット２の外部端子２
１は素子形成面に複数個配置され、この外部端子２１は
回路システムの最上層の結線と同一材料例えばアルミニ
ウム合金又はそれを主層とする積層で構成される。
【００２０】前記半導体ペレット２の外部端子２１、内
部リード５１の夫々はワイヤ６を通して電気的に接続さ
れる。ワイヤ６は、例えばＡｕワイヤが使用され、熱圧
着に超音波振動を併用したボンディング法でボンディン
グされる。
部リード５１の夫々はワイヤ６を通して電気的に接続さ
れる。ワイヤ６は、例えばＡｕワイヤが使用され、熱圧
着に超音波振動を併用したボンディング法でボンディン
グされる。
【００２１】前記リード５の内部リード５１、外部リー
ド５２の夫々は例えばＦｅ−Ｎｉ合金（例えば、Ｎｉ含
有量は４２又は５０〔％〕）で形成される。このリード
５は例えば０.１〜０.２〔ｍｍ〕程度の板厚で形成され
る。前記リード５の内部リード５１、外部リード５２の
夫々はエッチング加工又は打抜き加工で形成された１枚
のリードフレームから切断されかつ成型される。
ド５２の夫々は例えばＦｅ−Ｎｉ合金（例えば、Ｎｉ含
有量は４２又は５０〔％〕）で形成される。このリード
５は例えば０.１〜０.２〔ｍｍ〕程度の板厚で形成され
る。前記リード５の内部リード５１、外部リード５２の
夫々はエッチング加工又は打抜き加工で形成された１枚
のリードフレームから切断されかつ成型される。
【００２２】また、前記リード５は、Ｆｅ−Ｎｉ合金に
変えて、Ｃｕ若しくはＣｕ系合金を使用してもよい。
変えて、Ｃｕ若しくはＣｕ系合金を使用してもよい。
【００２３】前記放熱板４は、樹脂封止体７の内部側と
なる図１中下面に接着層３を介在して半導体ペレット２
を固着し、樹脂封止体７の上部側となる図１中上面が樹
脂封止体７の表面から露出する。放熱板４は半導体ペレ
ット２に搭載された論理回路システムの回路動作で発生
する熱を樹脂封止体７の外部に放出する。放熱板４は熱
伝導率が高い例えばＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金
のいずれかで形成される。前記接着層３は例えばＡｇペ
ーストが使用される。
なる図１中下面に接着層３を介在して半導体ペレット２
を固着し、樹脂封止体７の上部側となる図１中上面が樹
脂封止体７の表面から露出する。放熱板４は半導体ペレ
ット２に搭載された論理回路システムの回路動作で発生
する熱を樹脂封止体７の外部に放出する。放熱板４は熱
伝導率が高い例えばＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ系合金
のいずれかで形成される。前記接着層３は例えばＡｇペ
ーストが使用される。
【００２４】前記樹脂封止体７は、トランスファモール
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。熱硬化性エポキシ系樹脂は、通常、フィラー
（酸化珪素粒）、可撓材（例えばシリコーンゴム）等が
添加され、紫外線の吸収、静電気の防止などを目的とし
てカーボン粒も併せて添加される。
ド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用
される。熱硬化性エポキシ系樹脂は、通常、フィラー
（酸化珪素粒）、可撓材（例えばシリコーンゴム）等が
添加され、紫外線の吸収、静電気の防止などを目的とし
てカーボン粒も併せて添加される。
【００２５】前記樹脂封止体７は、ＱＦＰ構造を採用す
る樹脂封止型半導体装置１の組立プロセスにおいて、放
熱板４に半導体ペレット２を固着するペレットボンディ
ング工程、ワイヤ６をボンディングするワイヤボンディ
ング工程の夫々の後に、トランスファモールド工程によ
り形成される。トランスファモールド工程は、上下両金
型で形成されるキャビティ内に熱硬化性エポキシ系樹脂
を充填し、この熱硬化性エポキシ系樹脂を硬化する工程
である。
る樹脂封止型半導体装置１の組立プロセスにおいて、放
熱板４に半導体ペレット２を固着するペレットボンディ
ング工程、ワイヤ６をボンディングするワイヤボンディ
ング工程の夫々の後に、トランスファモールド工程によ
り形成される。トランスファモールド工程は、上下両金
型で形成されるキャビティ内に熱硬化性エポキシ系樹脂
を充填し、この熱硬化性エポキシ系樹脂を硬化する工程
である。
【００２６】このＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１は、樹脂封止体７の下面、つまり後述する実装
基板８の実装面と対向する図１中下側の一部の領域にス
タンドオフ（実装高さ調整用突起）７１が構成される。
本実施例において、スタンドオフ７１は、樹脂封止体７
の下面（平面形状は方形状で構成される）であって、４
つの角の夫々の近傍に各々配置され、合計４個配置され
る。このスタンドオフ７１は、樹脂封止体７の下面のほ
んの一部の領域に構成され、樹脂封止体７の下面の大半
を実装時に実装基板８の実装面から離し、樹脂封止体７
と実装基板８との間に適度なクリアランスを確保するこ
とができる。
体装置１は、樹脂封止体７の下面、つまり後述する実装
基板８の実装面と対向する図１中下側の一部の領域にス
タンドオフ（実装高さ調整用突起）７１が構成される。
本実施例において、スタンドオフ７１は、樹脂封止体７
の下面（平面形状は方形状で構成される）であって、４
つの角の夫々の近傍に各々配置され、合計４個配置され
る。このスタンドオフ７１は、樹脂封止体７の下面のほ
んの一部の領域に構成され、樹脂封止体７の下面の大半
を実装時に実装基板８の実装面から離し、樹脂封止体７
と実装基板８との間に適度なクリアランスを確保するこ
とができる。
【００２７】前記スタンドオフ７１は本実施例において
は樹脂封止体７と一体に構成される（一体に成型され
る）。つまり、スタンドオフ７１は、トランスファモー
ルド工程において、金型のキャビティ内部の形状に若干
の修正を加えるだけで、組立プロセスの変更がなく（組
立プロセスの増加がないので、実質的にはスタンドオフ
７１を形成する工程分、組立プロセス数を減少した状態
で）形成できる。
は樹脂封止体７と一体に構成される（一体に成型され
る）。つまり、スタンドオフ７１は、トランスファモー
ルド工程において、金型のキャビティ内部の形状に若干
の修正を加えるだけで、組立プロセスの変更がなく（組
立プロセスの増加がないので、実質的にはスタンドオフ
７１を形成する工程分、組立プロセス数を減少した状態
で）形成できる。
【００２８】なお、前記スタンドオフ７１は、前記樹脂
封止体７の下面であって、４つの辺の夫々の中央部分に
各々配置してもよい。また、スタンドオフ７１は、４個
に限らず、３個、５個若しくはそれ以上の個数を配置し
てもよい。また、スタンドオフ７１は、原則的に樹脂封
止体７を安定に支持することが必要なので、２個の配置
でもよいが、この場合、スタンドオフ７１は、図１中、
紙面に垂直方向に安定な支持を目的として適度な長さを
備える。
封止体７の下面であって、４つの辺の夫々の中央部分に
各々配置してもよい。また、スタンドオフ７１は、４個
に限らず、３個、５個若しくはそれ以上の個数を配置し
てもよい。また、スタンドオフ７１は、原則的に樹脂封
止体７を安定に支持することが必要なので、２個の配置
でもよいが、この場合、スタンドオフ７１は、図１中、
紙面に垂直方向に安定な支持を目的として適度な長さを
備える。
【００２９】前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導
体装置１は、プリント配線基板等の実装基板８に実装さ
れる。この実装は、樹脂封止型半導体装置１の外部リー
ド５２と実装基板８の実装面に配置された端子（図示し
ない）との間を半田で電気的かつ機械的に接続すること
により行われる。
体装置１は、プリント配線基板等の実装基板８に実装さ
れる。この実装は、樹脂封止型半導体装置１の外部リー
ド５２と実装基板８の実装面に配置された端子（図示し
ない）との間を半田で電気的かつ機械的に接続すること
により行われる。
【００３０】このように、半導体ペレット２の外部端子
２１に内部リード５１が電気的に接続され、前記半導体
ペレット２及び内部リード５１が樹脂封止体７で封止さ
れるとともに、前記樹脂封止体７の外部に前記内部リー
ド５１に電気的に接続されかつ面実装形状に成型された
外部リード５２が配列されるＱＦＰ構造を採用する樹脂
封止型半導体装置１において、実装の際に実装基板８の
実装面と対向する、前記樹脂封止体７の一表面の一部の
領域に、この樹脂封止体７の前記実装面からの実装高さ
を調整するスタンドオフ７１を構成する。
２１に内部リード５１が電気的に接続され、前記半導体
ペレット２及び内部リード５１が樹脂封止体７で封止さ
れるとともに、前記樹脂封止体７の外部に前記内部リー
ド５１に電気的に接続されかつ面実装形状に成型された
外部リード５２が配列されるＱＦＰ構造を採用する樹脂
封止型半導体装置１において、実装の際に実装基板８の
実装面と対向する、前記樹脂封止体７の一表面の一部の
領域に、この樹脂封止体７の前記実装面からの実装高さ
を調整するスタンドオフ７１を構成する。
【００３１】この構成により、以下の作用効果が得られ
る。（１）前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体
装置１において、外部リード５２の機械的強度に関係な
く、樹脂封止体７の一表面の一部の領域に構成されたス
タンドオフ７１によって、実装した際に樹脂封止体７の
一表面の他部の領域と実装基板８の実装面との間に強制
的にクリアランス（適度な隙間）を確保できる。（２）
前記作用効果（１）により、前記ＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１の外部リード５２と実装基板８
の実装面の端子との間を半田で電気的にかつ機械的に接
続し、前記実装基板８に樹脂封止型半導体装置１を実装
した後、前記実装基板８の実装面を洗浄した際、前記実
装基板８の実装面と樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止
体７の一表面の他部の領域との間のフラックス、半田残
渣などの異物をほぼ確実に排除できるので、樹脂封止型
半導体装置１の近接外部リード５２間の短絡、実装基板
８の実装面の近接配線間の短絡等を防止できる。（３）
前記作用効果（１）により、スタンドオフ７１を設ける
ことで、外部リード５２に備える機械的強度を軽減でき
るので、外部リード５２のファインピッチ化を促進で
き、又樹脂封止体７に放熱板４を備え（若しくは電源
板）を備え、外部リード５２に変形を与えないで、樹脂
封止体７の重量を増加できる。
る。（１）前記ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体
装置１において、外部リード５２の機械的強度に関係な
く、樹脂封止体７の一表面の一部の領域に構成されたス
タンドオフ７１によって、実装した際に樹脂封止体７の
一表面の他部の領域と実装基板８の実装面との間に強制
的にクリアランス（適度な隙間）を確保できる。（２）
前記作用効果（１）により、前記ＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置１の外部リード５２と実装基板８
の実装面の端子との間を半田で電気的にかつ機械的に接
続し、前記実装基板８に樹脂封止型半導体装置１を実装
した後、前記実装基板８の実装面を洗浄した際、前記実
装基板８の実装面と樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止
体７の一表面の他部の領域との間のフラックス、半田残
渣などの異物をほぼ確実に排除できるので、樹脂封止型
半導体装置１の近接外部リード５２間の短絡、実装基板
８の実装面の近接配線間の短絡等を防止できる。（３）
前記作用効果（１）により、スタンドオフ７１を設ける
ことで、外部リード５２に備える機械的強度を軽減でき
るので、外部リード５２のファインピッチ化を促進で
き、又樹脂封止体７に放熱板４を備え（若しくは電源
板）を備え、外部リード５２に変形を与えないで、樹脂
封止体７の重量を増加できる。
【００３２】（実 施 例 ２）本実施例２は、前述のＱ
ＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、ス
タンドオフの変形例を説明する、本発明の第２実施例で
ある。
ＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、ス
タンドオフの変形例を説明する、本発明の第２実施例で
ある。
【００３３】本発明の実施例２であるＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図２（側面図）で示
す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図２（側面図）で示
す。
【００３４】本実施例２のＱＦＰ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１は、図２に示すように、樹脂封止体７
の下面の一部の領域に、この樹脂封止体７と異なる材質
で形成されたスタンドオフ９が構成される。このスタン
ドオフ９は、例えば樹脂封止体７と実装基板８との間に
両者の熱膨張係数差に基づき発生する応力を緩和するこ
とを目的として、樹脂封止体７に比べて軟質な材料例え
ばシリコーン樹脂やゴムで形成する。また、このスタン
ドオフ９は、例えば熱放熱板として兼用することを目的
として、金属系材料で形成する。
止型半導体装置１は、図２に示すように、樹脂封止体７
の下面の一部の領域に、この樹脂封止体７と異なる材質
で形成されたスタンドオフ９が構成される。このスタン
ドオフ９は、例えば樹脂封止体７と実装基板８との間に
両者の熱膨張係数差に基づき発生する応力を緩和するこ
とを目的として、樹脂封止体７に比べて軟質な材料例え
ばシリコーン樹脂やゴムで形成する。また、このスタン
ドオフ９は、例えば熱放熱板として兼用することを目的
として、金属系材料で形成する。
【００３５】本実施例２であるＱＦＰ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置１によれば、基本的に前記実施例１
と同様な効果が得られる。
脂封止型半導体装置１によれば、基本的に前記実施例１
と同様な効果が得られる。
【００３６】（実 施 例 ３）本実施例３は、前述のＱ
ＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、ス
タンドオフの変形例を説明する、本発明の第３実施例で
ある。
ＦＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置において、ス
タンドオフの変形例を説明する、本発明の第３実施例で
ある。
【００３７】本発明の実施例３であるＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の構成を図３（斜視図）で示
す。
する樹脂封止型半導体装置の構成を図３（斜視図）で示
す。
【００３８】本実施例３のＱＦＰ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置１は、図３に示すように、樹脂封止体７
の４つの角部に夫々タブ吊りリードを延長し成型するこ
とで形成されたスタンドオフ５３が構成される。
止型半導体装置１は、図３に示すように、樹脂封止体７
の４つの角部に夫々タブ吊りリードを延長し成型するこ
とで形成されたスタンドオフ５３が構成される。
【００３９】本実施例３であるＱＦＰ構造を採用する樹
脂封止型半導体装置１によれば、基本的に前記実施例１
と同様な効果が得られる。
脂封止型半導体装置１によれば、基本的に前記実施例１
と同様な効果が得られる。
【００４０】（実 施 例 ４）本実施例４は、ＰＧＡ構
造を採用する半導体装置に本発明を適用した、本発明の
第４実施例である。
造を採用する半導体装置に本発明を適用した、本発明の
第４実施例である。
【００４１】本発明の実施例４であるＰＧＡ構造を採用
する半導体装置の構成を図４（側面図）で示す。
する半導体装置の構成を図４（側面図）で示す。
【００４２】本実施例４のＰＧＡ構造を採用する半導体
装置１０は、図４に示すように、ベース基板１１及び封
止キャップ１２で形成される図示しないキャビティ内に
半導体ペレット２を封止する。前記ベース基板１１は基
本的には樹脂基板、セラミックス基板のいずれであって
もよい。前記ベース基板１１の下面であってその周辺領
域には外部リードとしての外部ピン１５が複数本配列さ
れる。
装置１０は、図４に示すように、ベース基板１１及び封
止キャップ１２で形成される図示しないキャビティ内に
半導体ペレット２を封止する。前記ベース基板１１は基
本的には樹脂基板、セラミックス基板のいずれであって
もよい。前記ベース基板１１の下面であってその周辺領
域には外部リードとしての外部ピン１５が複数本配列さ
れる。
【００４３】このように構成されるＰＧＡ構造を採用す
る半導体装置１０は、外部ピン１５に本来形成されたス
タンドオフ１５１の他に、ベース基板１１の下面の中央
領域にスタンドオフ１７が構成される。この後者のスタ
ンドオフ１７は、実装基板８にＰＧＡ構造を採用する半
導体装置１を安定に支持できる。
る半導体装置１０は、外部ピン１５に本来形成されたス
タンドオフ１５１の他に、ベース基板１１の下面の中央
領域にスタンドオフ１７が構成される。この後者のスタ
ンドオフ１７は、実装基板８にＰＧＡ構造を採用する半
導体装置１を安定に支持できる。
【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００４５】例えば、本発明は、ＺＩＰ(Ｚig-zag Ｉn-
line Ｐackage)、ＤＩＰ(Ｄuale Ｉn-line Ｐackage)等
のピン挿入型構造を採用する樹脂封止型半導体装置にも
適用できる。
line Ｐackage)、ＤＩＰ(Ｄuale Ｉn-line Ｐackage)等
のピン挿入型構造を採用する樹脂封止型半導体装置にも
適用できる。
【００４６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００４７】面実装型構造を採用する半導体装置におい
て、実装した際に実装基板の実装面と封止体との間に適
度なクリアランスを確保できる。
て、実装した際に実装基板の実装面と封止体との間に適
度なクリアランスを確保できる。
【００４８】面実装型構造を採用する半導体装置におい
て、外部リードの機械的強度を補強できる。
て、外部リードの機械的強度を補強できる。
【００４９】面実装型構造を採用する半導体装置におい
て、実装基板の実装後の外部リード間の短絡等を防止で
きる。
て、実装基板の実装後の外部リード間の短絡等を防止で
きる。
【図１】 本発明の実施例１である樹脂封止型半導体装
置の断面図。
置の断面図。
【図２】 本発明の実施例２である樹脂封止型半導体装
置の側面図。
置の側面図。
【図３】 本発明の実施例３である樹脂封止型半導体装
置の斜視図。
置の斜視図。
【図４】 本発明の実施例４である半導体装置の側面
図。
図。
１，１０…半導体装置、２…半導体ペレット、２１…外
部端子、４…放熱板、５…リード、５１，５２，５３…
リード、７…封止体、７１，９，５３，１７…スタンド
オフ、８…実装基板。
部端子、４…放熱板、５…リード、５１，５２，５３…
リード、７…封止体、７１，９，５３，１７…スタンド
オフ、８…実装基板。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ペレットの外部端子に内部リード
が電気的に接続され、前記半導体ペレット及び内部リー
ドが封止体で封止されるとともに、前記封止体の外部に
前記内部リードに電気的に接続されかつ面実装形状に成
型された外部リードが配列される半導体装置において、
実装の際に実装基板の実装面と対向する、前記封止体の
一表面の一部の領域に、この封止体の前記実装面からの
実装高さを調整するスタンドオフを構成したことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記請求項１に記載されるスタンドオフ
は、前記封止体と同一材料でかつ一体に成型されたこと
を特徴とする、又前記封止体と別の材料で構成されかつ
前記封止体の一表面の一部の領域に接着されたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297153A JPH06151648A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297153A JPH06151648A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151648A true JPH06151648A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17842886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4297153A Withdrawn JPH06151648A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151648A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088352A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Denso Corp | 電子回路装置の製造方法および電子回路装置 |
| WO2010038717A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | パナソニック電工株式会社 | 機能デバイスの製造方法、および、機能デバイスを備えた半導体装置の製造方法 |
| JP2010192848A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Yamaha Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| WO2024070331A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Koa株式会社 | 電子部品 |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4297153A patent/JPH06151648A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088352A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Denso Corp | 電子回路装置の製造方法および電子回路装置 |
| WO2010038717A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | パナソニック電工株式会社 | 機能デバイスの製造方法、および、機能デバイスを備えた半導体装置の製造方法 |
| JP2010087280A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 機能性デバイスの製造方法および、それにより製造された機能性デバイスを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2010192848A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Yamaha Corp | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| WO2024070331A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Koa株式会社 | 電子部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |