JPH06151800A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH06151800A JPH06151800A JP4150183A JP15018392A JPH06151800A JP H06151800 A JPH06151800 A JP H06151800A JP 4150183 A JP4150183 A JP 4150183A JP 15018392 A JP15018392 A JP 15018392A JP H06151800 A JPH06151800 A JP H06151800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- film
- type image
- photoelectric conversion
- contact type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】配線のパターン変換による特性の不均一性を無
くし、かつ信頼性の高い密着型イメージセンサを得る。 【構成】光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極を、
膜厚０．３μｍ以下のクロムで形成し、かつ配線マトリ
クスの少なくとも一部を膜厚１μｍ以上のＡｌにより形
成することにより、配線の抵抗値を低くおさえながらパ
ターンの寸法精度を向上させ、ひいては密着型イメージ
センサの特性を向上させる。
くし、かつ信頼性の高い密着型イメージセンサを得る。 【構成】光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極を、
膜厚０．３μｍ以下のクロムで形成し、かつ配線マトリ
クスの少なくとも一部を膜厚１μｍ以上のＡｌにより形
成することにより、配線の抵抗値を低くおさえながらパ
ターンの寸法精度を向上させ、ひいては密着型イメージ
センサの特性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ，ＯＣＲ，
イメージスキャナなどの読み取り部として用いられる長
尺の密着型イメージセンサに関する。
イメージスキャナなどの読み取り部として用いられる長
尺の密着型イメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の密着型イメージセンサについて図
を参照して説明する。図３は従来の密着型イメージセン
サの部分平面図，図４は図３のＡ−Ａ′部分の縦断面図
である。
を参照して説明する。図３は従来の密着型イメージセン
サの部分平面図，図４は図３のＡ−Ａ′部分の縦断面図
である。
【０００３】ガラス基板２０上にクロム膜を０．１μｍ
の膜厚に被着し、パターニングして下層電極２１を形成
する。
の膜厚に被着し、パターニングして下層電極２１を形成
する。
【０００４】グロー放電分解法によりＳｉＮ２２を０．
４μｍ，ａ−Ｓｉ２３を０．５μｍそれぞれ全面に被着
する。次にフォトエッチング法によりａ−Ｓｉ２３を所
定の形状にパターン化する。次にフォトエッチング法に
より配線接続用のコンタクトホールをＳｉＮ２２に形成
する。
４μｍ，ａ−Ｓｉ２３を０．５μｍそれぞれ全面に被着
する。次にフォトエッチング法によりａ−Ｓｉ２３を所
定の形状にパターン化する。次にフォトエッチング法に
より配線接続用のコンタクトホールをＳｉＮ２２に形成
する。
【０００５】スパッタによりアルミニウム（以下Ａｌと
略）２５を１．５μｍ全面に被着し、これをフォトエッ
チング法によりパターン化する。このようにして完成し
た密着型イメージセンサは、光電変換素子３，蓄積容量
４，読出し容量５からなる容量部と薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと略）６及び信号配線，ゲート配線それぞ
れの配線マトリクス１，８により成っており、光電変換
素子３で光電変換された光信号は蓄積容量４に蓄積され
る。次に、ブロック毎にゲート配線７に電圧を加えてＴ
ＦＴ６をＯＮして光信号を蓄積容量４から読出し容量５
に転送し、さらに信号配線マトリクス１を通して、密着
型イメージセンサとワイヤボンディングで接続されてい
るＩＣに読み出され、信号処理を行なう。
略）２５を１．５μｍ全面に被着し、これをフォトエッ
チング法によりパターン化する。このようにして完成し
た密着型イメージセンサは、光電変換素子３，蓄積容量
４，読出し容量５からなる容量部と薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと略）６及び信号配線，ゲート配線それぞ
れの配線マトリクス１，８により成っており、光電変換
素子３で光電変換された光信号は蓄積容量４に蓄積され
る。次に、ブロック毎にゲート配線７に電圧を加えてＴ
ＦＴ６をＯＮして光信号を蓄積容量４から読出し容量５
に転送し、さらに信号配線マトリクス１を通して、密着
型イメージセンサとワイヤボンディングで接続されてい
るＩＣに読み出され、信号処理を行なう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の密着型イメ
ージセンサでは、以下の理由により配線マトリクスの上
部配線材料として、膜厚１μｍ以上のＡｌが用いられ
る。
ージセンサでは、以下の理由により配線マトリクスの上
部配線材料として、膜厚１μｍ以上のＡｌが用いられ
る。
【０００７】（１）密着型イメージセンサはＡ４サイズ
（２１０ｍｍ）あるいはＢ４サイズ（２５７ｍｍ）と長
尺であり、かつデバイスの短辺を小さくするために配線
はできるだけ細く、かつ長さが必要なためできるだけ低
抵抗な材料が望まれる。
（２１０ｍｍ）あるいはＢ４サイズ（２５７ｍｍ）と長
尺であり、かつデバイスの短辺を小さくするために配線
はできるだけ細く、かつ長さが必要なためできるだけ低
抵抗な材料が望まれる。
【０００８】（２）ＩＣと接続するためワイヤボンディ
ング性が良好な材料が望まれる。ところがＡｌをエッチ
ングするに際して、エッチングする材料の膜厚程度のア
ンダーカットによるパターン変換はさけられないが、Ａ
ｌの膜厚が１μｍとすると１μｍ〜２μｍの横方向への
パターン変換が生じる。
ング性が良好な材料が望まれる。ところがＡｌをエッチ
ングするに際して、エッチングする材料の膜厚程度のア
ンダーカットによるパターン変換はさけられないが、Ａ
ｌの膜厚が１μｍとすると１μｍ〜２μｍの横方向への
パターン変換が生じる。
【０００９】ここで光電変換素子３とＴＦＴ６は電極間
のギャップにより電気的特性が決まるためパターン変換
が発生すると特性が設計値からずれてしまう。また、一
般にパターン変換を均一に制御することは困難なため、
基板内あるいは基板間のパターン変換の不均一さによる
密着型イメージセンサの特性の不均一が生じるという欠
点があった。
のギャップにより電気的特性が決まるためパターン変換
が発生すると特性が設計値からずれてしまう。また、一
般にパターン変換を均一に制御することは困難なため、
基板内あるいは基板間のパターン変換の不均一さによる
密着型イメージセンサの特性の不均一が生じるという欠
点があった。
【００１０】またＡｌはａ−Ｓｉと反応性が高く、Ａｌ
とａ−Ｓｉとの反応による特性の劣化がおき、密着型イ
メージセンサの信頼性の低下が生じるという問題点があ
った。
とａ−Ｓｉとの反応による特性の劣化がおき、密着型イ
メージセンサの信頼性の低下が生じるという問題点があ
った。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の密着型イメージ
センサは、一次元に配列された複数個の光電変換素子
と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜ト
ランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメージ
センサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前記
薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されてお
り、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がア
ルミニウムにより形成されている。
センサは、一次元に配列された複数個の光電変換素子
と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜ト
ランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメージ
センサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前記
薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されてお
り、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がア
ルミニウムにより形成されている。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の密着型イメージセンサの
縦断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の密着型イメージセンサの
縦断面図である。
【００１３】ガラス基板３０上にクロム（Ｃｒ）からな
る下層電極３１を形成し、ａ−Ｓｉ３３，ＳｉＮ３２を
フォトエッチング法によりパターン化するまでは従来例
と同様である。
る下層電極３１を形成し、ａ−Ｓｉ３３，ＳｉＮ３２を
フォトエッチング法によりパターン化するまでは従来例
と同様である。
【００１４】次にクロム３４（以下Ｃｒと略）をスパッ
タにより０．２μｍ全面に被着し、フォトエッチング法
により、光電変換素子３，ＴＦＴ６の電極及び容量の電
極３４を形成する。
タにより０．２μｍ全面に被着し、フォトエッチング法
により、光電変換素子３，ＴＦＴ６の電極及び容量の電
極３４を形成する。
【００１５】次にＡｌ３５をスパッタにより１．５μｍ
全面に被着し、フォトエッチング法により信号配線マト
リクス１及びゲート配線マトリクス８の上部電極３５を
形成する。
全面に被着し、フォトエッチング法により信号配線マト
リクス１及びゲート配線マトリクス８の上部電極３５を
形成する。
【００１６】次に本発明のもう一つの実施例を図面を参
照して説明する。図２は本発明の第２の実施例の密着型
イメージセンサの縦断面図である。
照して説明する。図２は本発明の第２の実施例の密着型
イメージセンサの縦断面図である。
【００１７】本実施例では信号配線マトリクス１及びゲ
ート配線マトリクス８がＣｒ３４とＡｌ３５の２層構造
となっている。この他は先の実施例と同じである。この
ように配線を２層構造にすることにより本発明本来の効
果の他に断線不良を低減することができる。
ート配線マトリクス８がＣｒ３４とＡｌ３５の２層構造
となっている。この他は先の実施例と同じである。この
ように配線を２層構造にすることにより本発明本来の効
果の他に断線不良を低減することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の密着型イメ
ージセンサは光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極
は膜厚０．２μｍのクロムにより形成されているためパ
ターン寸法精度が良好であり、特性の均一性が良い。ま
た、クロムはａ−Ｓｉとの反応性が低いため、密着型イ
メージセンサとしての信頼性が向上するという効果を有
する。
ージセンサは光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極
は膜厚０．２μｍのクロムにより形成されているためパ
ターン寸法精度が良好であり、特性の均一性が良い。ま
た、クロムはａ−Ｓｉとの反応性が低いため、密着型イ
メージセンサとしての信頼性が向上するという効果を有
する。
【００１９】また、低抵抗化が必要な配線マトリクスは
クロムに比べて抵抗率が約１／１０と低いＡｌを用いて
いるため、特性上十分な低抵抗値が得られるという効果
がある。
クロムに比べて抵抗率が約１／１０と低いＡｌを用いて
いるため、特性上十分な低抵抗値が得られるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の密着型イメージセンサの縦断面図。
【図２】本発明の密着型イメージセンサの縦断面図。
【図３】従来の密着型イメージセンサの平面図。
【図４】従来の密着型イメージセンサの縦断面図。
１ 信号配線マトリクス ２ 光電変換素子共通電極 ３ 光電変換素子 ４ 蓄積容量 ５ 読出容量 ６ ＴＦＴ ７ ＴＦＴゲート配線 ８ ゲート配線マトリクス ２０，３０ ガラス基板 ２１，３１ 下層電極（Ｃｒ） ２２，３２ ＳｉＮ ２３，３３ ａ−Ｓｉ ３４ Ｃｒ ２５，３５ Ａｌ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｚ 8721−5Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 一次元に配列された複数個の光電変換素
子と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜
トランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメー
ジセンサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前
記薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されてお
り、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がア
ルミニウムにより形成されていることを特徴とする密着
型イメージセンサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の密着型イメージセンサに
おいて、前記光電変換素子及び前記薄膜トランジスタの
電極を形成するクロムの膜厚が０．３μｍ以下であり、
前記配線マトリクスを形成するアルミニウムの膜厚が１
μｍ以上であることを特徴とする密着型イメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150183A JPH06151800A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150183A JPH06151800A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151800A true JPH06151800A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=15491327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4150183A Pending JPH06151800A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1093062A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 光検出器 |
| JP2000114534A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP4150183A patent/JPH06151800A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1093062A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 光検出器 |
| JP2000114534A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5334860A (en) | Panel having thin film element formed thereon | |
| JPH0750710B2 (ja) | 多層配線構造 | |
| JP2625585B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 | |
| JPH0561966A (ja) | 指紋センサ | |
| US4857751A (en) | Photoelectric conversion apparatus with separating electrodes | |
| JPH06208137A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 | |
| US4979007A (en) | Photoelectric conversion device | |
| JPH06151800A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| US4698495A (en) | Amorphous silicon photo-sensor for a contact type image sensor | |
| JPH07118761B2 (ja) | 原稿読み取り装置 | |
| JPH10163463A (ja) | Ｔｆｔアレイ基板とその製法 | |
| JPH0562471B2 (ja) | ||
| US5253092A (en) | Lateral MIM device and method of production | |
| US5396353A (en) | Opto-electrical apparatus employing lateral MIM device pairs | |
| JPH05216067A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
| US5119217A (en) | Active matrix substrate for liquid crystal device | |
| JPS58192090A (ja) | マトリツクスアレ− | |
| JPS60230117A (ja) | 記憶容量内蔵型液晶表示装置 | |
| JPH022676A (ja) | イメージセンサ | |
| KR100206554B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| US5424856A (en) | Color image reading apparatus | |
| JP3146509B2 (ja) | ２次元密着型イメージセンサ | |
| JP3117171B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2745616B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPH0695152A (ja) | 液晶駆動用半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981006 |