JPH0666416B2 - 静電保護回路 - Google Patents
静電保護回路Info
- Publication number
- JPH0666416B2 JPH0666416B2 JP61175003A JP17500386A JPH0666416B2 JP H0666416 B2 JPH0666416 B2 JP H0666416B2 JP 61175003 A JP61175003 A JP 61175003A JP 17500386 A JP17500386 A JP 17500386A JP H0666416 B2 JPH0666416 B2 JP H0666416B2
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- JP
- Japan
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- power supply
- electrostatic protection
- transistor
- protection circuit
- emitter
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、外部回路に接続される入出力端子を有し、２
つ以上の定電圧電源で駆動される半導体集積回路の静電
保護回路に関する。
つ以上の定電圧電源で駆動される半導体集積回路の静電
保護回路に関する。
第３図はこの種の半導体集積回路の従来例の回路図であ
る。
る。
この半導体集積回路は、内部回路９と、入出力端子１
と、内部回路９と正の定電圧電源４、地気、負の定電圧
電源５をそれぞれ接続する正電源端子６、接地端子７、
負電源端子８を有しており、さらにベース・エミッタ間
が抵抗で接続され、エミッタが負電源端子８に、コレク
タが入出力端子１にそれぞれ接続されたトランジスタ２
が静電保護回路として設けられている。トランジスタ２
と抵抗３により入出力端子１を最低電位にクランプする
ことにより、内部回路９を静電気から保護している。
と、内部回路９と正の定電圧電源４、地気、負の定電圧
電源５をそれぞれ接続する正電源端子６、接地端子７、
負電源端子８を有しており、さらにベース・エミッタ間
が抵抗で接続され、エミッタが負電源端子８に、コレク
タが入出力端子１にそれぞれ接続されたトランジスタ２
が静電保護回路として設けられている。トランジスタ２
と抵抗３により入出力端子１を最低電位にクランプする
ことにより、内部回路９を静電気から保護している。
上述した従来の静電保護回路は、｛（入出力端子１の電
圧）−（定電圧源５の電圧）｝＜（トランジスタ２のコ
レクタ・エミッタ間降伏電圧BVCER）が成立する場合に
しか使えず、一方、最近の半導体集積回路の高速化、広
帯域化の要求により接合が浅くなり、トランジスタのサ
イズが小さくなり、降伏電圧BVCERが小さくなっきてお
り、（１）式が満足できないために、第３図の静電保護
回路を実現できないことも起ってくる。
圧）−（定電圧源５の電圧）｝＜（トランジスタ２のコ
レクタ・エミッタ間降伏電圧BVCER）が成立する場合に
しか使えず、一方、最近の半導体集積回路の高速化、広
帯域化の要求により接合が浅くなり、トランジスタのサ
イズが小さくなり、降伏電圧BVCERが小さくなっきてお
り、（１）式が満足できないために、第３図の静電保護
回路を実現できないことも起ってくる。
本発明の静電保護回路は、入出力端子にコレクタが接続
され、最低電位以外の定電圧電源にエミッタが接続され
たトランジスタと、該トランジスタのベースに一端が接
続され、エミッタに他端が接続された抵抗を有する。
され、最低電位以外の定電圧電源にエミッタが接続され
たトランジスタと、該トランジスタのベースに一端が接
続され、エミッタに他端が接続された抵抗を有する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の静電保護回路の一実施例を有する半導
体集積回路の回路図である。第２図中と同番号は同じも
のを示している。
体集積回路の回路図である。第２図中と同番号は同じも
のを示している。
本実施例の静電保護回路は、入出力端子１にコレクタが
接地端子７にエミッタが接続された、つまり接地された
トランジスタ２と、トランジスタ２のベースに一端が接
続され、エミッタに他端が接続された抵抗３で構成され
ている。
接地端子７にエミッタが接続された、つまり接地された
トランジスタ２と、トランジスタ２のベースに一端が接
続され、エミッタに他端が接続された抵抗３で構成され
ている。
入出力端子１の電圧V1は、トランジスタ２のエミッタが
接続されている定電圧源の電圧、本実施例の場合、（ト
ランジスタ２のコレクタ・エミッタ間降伏電圧BVCER）
＜｛（入出力端子１の電圧V1）−（定電圧源５の電
圧）｝であっても、V1＜（トランジスタ２のコレクタ・
エミッタ間降伏電圧BVCER）が満足されれば、本実施例
の回路は静電保護の働きをする。
接続されている定電圧源の電圧、本実施例の場合、（ト
ランジスタ２のコレクタ・エミッタ間降伏電圧BVCER）
＜｛（入出力端子１の電圧V1）−（定電圧源５の電
圧）｝であっても、V1＜（トランジスタ２のコレクタ・
エミッタ間降伏電圧BVCER）が満足されれば、本実施例
の回路は静電保護の働きをする。
第２図は第１図の半導体集積回路の断面図である。Ｐ型
基板14の上にトランジスタ２のコレクタＮ領域15が形成
され、この中に入出力端子１と接続されたコレクタコン
タクト用高濃度Ｎ領域10が形成されている。コレクタＮ
領域15に抵抗３、トランジスタ２のベース領域13が設け
られ、この中に、エミッタ用高濃度Ｎ領域12、ベースコ
ンタクト用高濃度Ｐ領域11が形成されている。上記の構
造からコレクタＮ領域15とＰ型基板14はダイオードを形
成している。入出力端子１に印加される静電圧はトラン
ジスタ２のコレクタ・エミッタ間降伏電圧BVCERによっ
てクランプされる。入出力端子１に印加される最低電位
より低い電圧は、前記ダイオードにより最低電位にクラ
ンプされる。したがって、本実施例の静電保護回路は、
半導体集積回路の内部回路を正負の静電気から保護す
る。
基板14の上にトランジスタ２のコレクタＮ領域15が形成
され、この中に入出力端子１と接続されたコレクタコン
タクト用高濃度Ｎ領域10が形成されている。コレクタＮ
領域15に抵抗３、トランジスタ２のベース領域13が設け
られ、この中に、エミッタ用高濃度Ｎ領域12、ベースコ
ンタクト用高濃度Ｐ領域11が形成されている。上記の構
造からコレクタＮ領域15とＰ型基板14はダイオードを形
成している。入出力端子１に印加される静電圧はトラン
ジスタ２のコレクタ・エミッタ間降伏電圧BVCERによっ
てクランプされる。入出力端子１に印加される最低電位
より低い電圧は、前記ダイオードにより最低電位にクラ
ンプされる。したがって、本実施例の静電保護回路は、
半導体集積回路の内部回路を正負の静電気から保護す
る。
以上説明したように本発明は、多電源駆動の半導体集積
回路の入力端子にそのコレクタが接続され、そのエミッ
タが最低電位以外の定電圧源に接続されたトランジスタ
と、そのトランジスタのベースとエミッタの間に接続さ
れた抵抗により、低いコレクタ・エミッタ間降伏電圧を
持つトランジスタを使用しても、静電保護回路を実現す
ることができる効果がある。
回路の入力端子にそのコレクタが接続され、そのエミッ
タが最低電位以外の定電圧源に接続されたトランジスタ
と、そのトランジスタのベースとエミッタの間に接続さ
れた抵抗により、低いコレクタ・エミッタ間降伏電圧を
持つトランジスタを使用しても、静電保護回路を実現す
ることができる効果がある。
第１図は、本発明の静電源保護回路の実施例を有する半
導体集積回路の回路図、第２図は第１図の実施例の断面
図、第３図は従来例の静電保護回路を有する半導体集積
回路の回路図である。 １……半導体集積回路の入出力端子、 ２……静電保護回路のトランジスタ、 ３……静電保護回路の抵抗、 ４……正の定電圧源、 ５……負の定電圧源、 ６……正電源端子、 ７……接地端子、 ８……負電源端子、 ９……半導体集積回路の内部回路。
導体集積回路の回路図、第２図は第１図の実施例の断面
図、第３図は従来例の静電保護回路を有する半導体集積
回路の回路図である。 １……半導体集積回路の入出力端子、 ２……静電保護回路のトランジスタ、 ３……静電保護回路の抵抗、 ４……正の定電圧源、 ５……負の定電圧源、 ６……正電源端子、 ７……接地端子、 ８……負電源端子、 ９……半導体集積回路の内部回路。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の電圧が供給される第１の電源端子と
前記第１の電圧とは異なる第２の電圧が供給される第２
の電源端子とを有する内部回路に接続された入出力端子
と、前記入出力端子にコレクタが接続されベースが抵抗
を介してエミッタに接続されエミッタが前記第２の電源
端子に接続されたトランジスタと、前記第１及び第２の
電圧の何れとも異なる第３の電圧が供給される第３の電
源端子と、前記入出力端子と前記第３の電源端子との間
に接続されたダイオードとを備えた静電保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175003A JPH0666416B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 静電保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175003A JPH0666416B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 静電保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331153A JPS6331153A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH0666416B2 true JPH0666416B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15988516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175003A Expired - Fee Related JPH0666416B2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 静電保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666416B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241621A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Matsushita Electron Corp | 半導体集積回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961223A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61175003A patent/JPH0666416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331153A (ja) | 1988-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |