JPH0695395B2 - 平板状情報記録担体の基板作成方法 - Google Patents
平板状情報記録担体の基板作成方法Info
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- JPH0695395B2 JPH0695395B2 JP60199747A JP19974785A JPH0695395B2 JP H0695395 B2 JPH0695395 B2 JP H0695395B2 JP 60199747 A JP60199747 A JP 60199747A JP 19974785 A JP19974785 A JP 19974785A JP H0695395 B2 JPH0695395 B2 JP H0695395B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/355—Temporary coating
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、平板状情報記録担体の基板に溝またはピット
列を作成する方法に関するものである。
列を作成する方法に関するものである。
従来の技術 基板表面に微細なパターンを形成するエッチング技術
は、半導体集積回路，プリント基板，透明電導膜，さら
に光ディスクなどの情報記録媒体の製造には欠くことの
できない技術となっている。特に最近では、パターンの
微細化，プロセスの自動化などの要求から、エッチング
プロセスのドライ化が注目を集めている。既にVLSIの製
造にはドライエッチングプロセスが実用化されている
が、これよりさらに微細なサブミクロンのパターン形成
を行なう光ディスク基板の作成にも、この技術が取り入
れられている。
は、半導体集積回路，プリント基板，透明電導膜，さら
に光ディスクなどの情報記録媒体の製造には欠くことの
できない技術となっている。特に最近では、パターンの
微細化，プロセスの自動化などの要求から、エッチング
プロセスのドライ化が注目を集めている。既にVLSIの製
造にはドライエッチングプロセスが実用化されている
が、これよりさらに微細なサブミクロンのパターン形成
を行なう光ディスク基板の作成にも、この技術が取り入
れられている。
以下、第２図を参照しながら、光ディスク基板上のパタ
ーン形成をドライエッチングにより行なう方法を説明す
る。
ーン形成をドライエッチングにより行なう方法を説明す
る。
まず、高精度に研磨されたガラス基板１の表面に、フォ
トレジスト２を均一に塗布する（第２図(a)）。そし
て、ガラス基板１を回転させながら、所望のピット列や
溝の構造に対応して変調を受けたレーザー光３をフォト
レジスト２に照射する（第２図(b)）。これを現像する
ことにより、フォトレジスト２の露光された領域が除去
されて、表面に同心円状または螺旋状の凹凸パターンが
現われる（第２図(c)）。
トレジスト２を均一に塗布する（第２図(a)）。そし
て、ガラス基板１を回転させながら、所望のピット列や
溝の構造に対応して変調を受けたレーザー光３をフォト
レジスト２に照射する（第２図(b)）。これを現像する
ことにより、フォトレジスト２の露光された領域が除去
されて、表面に同心円状または螺旋状の凹凸パターンが
現われる（第２図(c)）。
次に、この凹凸パターン付きガラス基板に対し、気体プ
ラズマ４を作用させてガラス基板１のエッチングを行な
う。エッチング用のガスとしては、CHF3などが用いられ
る。この時、放電により生ずるプラズマ４はガラス基板
１の表面に垂直入射してガラスをスパッタリングすると
同時に、ガラスの主成分であるSiO2などと選択的に反応
してこれを分解する作用をもつ。
ラズマ４を作用させてガラス基板１のエッチングを行な
う。エッチング用のガスとしては、CHF3などが用いられ
る。この時、放電により生ずるプラズマ４はガラス基板
１の表面に垂直入射してガラスをスパッタリングすると
同時に、ガラスの主成分であるSiO2などと選択的に反応
してこれを分解する作用をもつ。
所定の深さまでエッチングを進行させた後（第２図
(d)）、残留したフォトレジスト２をO2ガスを用いたプ
ラズマアッシングにより除去すれば、表面に所定の同心
円状または螺旋状の溝やピット列が刻まれた光ディスク
用ガラス基板が得られる（第２図(e)）。
(d)）、残留したフォトレジスト２をO2ガスを用いたプ
ラズマアッシングにより除去すれば、表面に所定の同心
円状または螺旋状の溝やピット列が刻まれた光ディスク
用ガラス基板が得られる（第２図(e)）。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、ガラス基板上に所定の溝ま
たはピット列を形成するためのマスクとしてフォトレジ
ストを用いているため、現像という湿式のプロセスが必
要となる。このため、ガラス基板表面に不純物が付着
し、形成されるパターンに対する欠陥となるなどの問題
があった。
たはピット列を形成するためのマスクとしてフォトレジ
ストを用いているため、現像という湿式のプロセスが必
要となる。このため、ガラス基板表面に不純物が付着
し、形成されるパターンに対する欠陥となるなどの問題
があった。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、所定の溝または
ピット列を形成するためのマスクとして、加熱により結
晶状態の変化する材料を用いたものである。
ピット列を形成するためのマスクとして、加熱により結
晶状態の変化する材料を用いたものである。
作用 この手段による作用は以下のようになる。
ドライエッチングプロセスにおいて、材料がエッチング
される速度は材料の種類はもちろん、同一組成の材料で
あってもその結晶性の状態によっても変化する。従っ
て、基板上に、加熱により結晶状態の変化する材料を付
着し、これにレーザー光を照射するなどの方法で、所定
の部位を加熱してその部位の結晶状態を変化させておけ
ば、この基板をエッチングすることによって、基板表面
に付着した材料のうち加熱した領域のエッチング速度が
異なり、凹凸パターンが形成できる。エッチングが進行
してガラス表面が露出した後もエッチングを続ければ、
この凹凸パターンがガラス表面に転写される。
される速度は材料の種類はもちろん、同一組成の材料で
あってもその結晶性の状態によっても変化する。従っ
て、基板上に、加熱により結晶状態の変化する材料を付
着し、これにレーザー光を照射するなどの方法で、所定
の部位を加熱してその部位の結晶状態を変化させておけ
ば、この基板をエッチングすることによって、基板表面
に付着した材料のうち加熱した領域のエッチング速度が
異なり、凹凸パターンが形成できる。エッチングが進行
してガラス表面が露出した後もエッチングを続ければ、
この凹凸パターンがガラス表面に転写される。
本実施例では、レーザー光による露光後に現像をする必
要が無いため、前述の従来の方法のような問題点を生じ
ない。
要が無いため、前述の従来の方法のような問題点を生じ
ない。
実 施 例 本発明の実施例について、第１図を参照しながら説明す
る。
る。
まず、高精度に研磨されたガラス基板１の表面に、Te酸
化物膜５を蒸着する（第１図(a)）。このときTe酸化物
膜５はアモルファス状態となっている。
化物膜５を蒸着する（第１図(a)）。このときTe酸化物
膜５はアモルファス状態となっている。
このガラス基板１を回転させながら、所望のピット列や
溝の構造に対応して変調を受けたレーザー光３をTe酸化
物膜５に照射することにより、照射された領域が加熱さ
れてアモルファス状態であった膜が結晶化される（第１
図(b)）。
溝の構造に対応して変調を受けたレーザー光３をTe酸化
物膜５に照射することにより、照射された領域が加熱さ
れてアモルファス状態であった膜が結晶化される（第１
図(b)）。
次に、このガラス基板１に対し、Arガスを用いてエッチ
ングを行なうと、Te酸化物膜５のうちアモルファス状態
の領域が結晶化状態の領域より速くエッチングされ、表
面に凹凸パターンが現われる（第１図(c)）。ひき続き
エッチングを行なうと、Te酸化物膜５のアモルファス状
態の領域は全てエッチングで除去され、ガラス表面が露
出する。この時点から、エッチングガスをCHF3に切り換
えて引き続きエッチングを行なうと、CHF3ガスが解離し
て生じたプラズマはガラスの主成分であるSiO2と反応
し、ガラス表面を選択的にエッチングする。そして、残
ったTe酸化膜も全てエッチングにより除去されれば、表
面に所定の同心円状または螺旋状の溝やピット列が刻ま
れた光ディスク用ガラス基板が得られる（第１図
(e)）。
ングを行なうと、Te酸化物膜５のうちアモルファス状態
の領域が結晶化状態の領域より速くエッチングされ、表
面に凹凸パターンが現われる（第１図(c)）。ひき続き
エッチングを行なうと、Te酸化物膜５のアモルファス状
態の領域は全てエッチングで除去され、ガラス表面が露
出する。この時点から、エッチングガスをCHF3に切り換
えて引き続きエッチングを行なうと、CHF3ガスが解離し
て生じたプラズマはガラスの主成分であるSiO2と反応
し、ガラス表面を選択的にエッチングする。そして、残
ったTe酸化膜も全てエッチングにより除去されれば、表
面に所定の同心円状または螺旋状の溝やピット列が刻ま
れた光ディスク用ガラス基板が得られる（第１図
(e)）。
なお、本実施例では、Te酸化物は蒸着当初アモルファス
状態であって、レーザー照射された部位が結晶化される
のであるが、蒸着材料を適切に選べば、これと逆に、レ
ーザー照射前に膜全体が結晶状態であって照射された部
位をアモルファス状態に転移させることもできる。この
場合には照射された領域が速くエッチングされ、本実施
例と逆の凹凸パターンが得られる。
状態であって、レーザー照射された部位が結晶化される
のであるが、蒸着材料を適切に選べば、これと逆に、レ
ーザー照射前に膜全体が結晶状態であって照射された部
位をアモルファス状態に転移させることもできる。この
場合には照射された領域が速くエッチングされ、本実施
例と逆の凹凸パターンが得られる。
また、ガラス基板表面に付着させる材料としては、本実
施例のTe酸化物の他に、Se,Sn,Sb,Pb,Bi,Asなどのカル
コゲナイト系の元素を主成分とする材料を用いることも
できる。
施例のTe酸化物の他に、Se,Sn,Sb,Pb,Bi,Asなどのカル
コゲナイト系の元素を主成分とする材料を用いることも
できる。
また、ガラス基板１としては、ソーダガラスの他、石英
ガラス等を用いることによりエッチング速度の改善を図
ることができる。さらにガラス基板１に刻まれた溝を一
度金属板に転写した後これをアクリル等の基板に転写し
て、これを光ディスク基板として用いることもできる。
この場合、同一の溝構造を有する光ディスク基板を多数
枚複製することができる。
ガラス等を用いることによりエッチング速度の改善を図
ることができる。さらにガラス基板１に刻まれた溝を一
度金属板に転写した後これをアクリル等の基板に転写し
て、これを光ディスク基板として用いることもできる。
この場合、同一の溝構造を有する光ディスク基板を多数
枚複製することができる。
また、エッチング用のガスとしては、本実施例のCHF3,
及びArの他、CF4,C2F6,C3F8,NF3,CCl4などを用いること
もできる。
及びArの他、CF4,C2F6,C3F8,NF3,CCl4などを用いること
もできる。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、ガラス基板のドライエ
ッチングにおいて、加熱により結晶状態の変化する材料
をマスクとして用いることにより、湿式プロセスを必要
としないドライエッチングプロセスが可能となり、高精
度の凹凸パターンを基板に形成できるため欠陥の少ない
光ディスク用基板を作成することができる。
ッチングにおいて、加熱により結晶状態の変化する材料
をマスクとして用いることにより、湿式プロセスを必要
としないドライエッチングプロセスが可能となり、高精
度の凹凸パターンを基板に形成できるため欠陥の少ない
光ディスク用基板を作成することができる。
第１図は本発明の一実施例における光ディスク基板の作
成方法を示した工程図、第２図は従来例の光ディスク基
板の作成方法を示した工程図である。 １……ガラス基板、２……フォトレジスト、３……レー
ザー光、４……気体プラズマ、５……Te酸化物膜。
成方法を示した工程図、第２図は従来例の光ディスク基
板の作成方法を示した工程図である。 １……ガラス基板、２……フォトレジスト、３……レー
ザー光、４……気体プラズマ、５……Te酸化物膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小深田 美恵子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−77105（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−134603（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】平板状基板に対し温度変化に対応して結晶
状態の変化をおこす材料を付着させる工程と、前記材料
の同心円状または螺旋状の領域を加熱する工程と、前記
材料を具備する前記平板状基板に対しプラズマ状態の気
体を作用させる工程とを含み、前記平板状基板に前記加
熱した領域に対応する凹凸パターンを形成することを特
徴とする平板状情報記録担体の基板作成方法。 - 【請求項２】平板状基板のうち少なくとも凹凸パターン
を形成する部位がSiO2を主成分とする材料であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平板状情報記録
担体の基板作成方法。 - 【請求項３】平版状基板のうち、少なくとも凹凸パター
ンを形成する部位がSiO2およびNa2Oを主成分とする材料
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平
板状情報記録担体の基板作成方法。 - 【請求項４】加熱により結晶状態の変化する材料とし
て、Te,Se,Sn,Sb,Pb,Bi,Asのうち少なくとも一つを含む
材料を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の平板状情報記録担体の基板作成方法。 - 【請求項５】加熱により結晶状態の変化する材料とし
て、Te酸化物を主成分とする材料を用いることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の平板状情報記録担体の
基板作成方法。 - 【請求項６】プラズマ状態の気体として、Ar,CHF3,CF4,
C2F6,C3F8,NF3,CCl4のうち少なくとも一つを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平板状情報記
録担体の基板作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199747A JPH0695395B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199747A JPH0695395B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260145A JPS6260145A (ja) | 1987-03-16 |
| JPH0695395B2 true JPH0695395B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=16412957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199747A Expired - Lifetime JPH0695395B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695395B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102332276A (zh) * | 2003-12-01 | 2012-01-25 | 索尼株式会社 | 光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘 |
| WO2006045332A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-04 | Singulus Mastering B.V. | Mastering process with phase-change materials |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030019B2 (ja) * | 1977-12-01 | 1985-07-13 | パイオニア株式会社 | 光学的信号記録担体の製造方法 |
| JPS54134603A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Production of information recording medium |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP60199747A patent/JPH0695395B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260145A (ja) | 1987-03-16 |
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