JPH07115102A - 封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、高密度実装を目的とした封止型半導
体パッケージ装置およびその製造方法において、信頼性
を損うことなく、より薄型化できるようにすることを最
も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ１３上の各電極パッド
１３ａにリードフレーム１２の各リードのインナリード
部１２ａを接合する。そして、その上部に、実装のため
の半田１６の融点とほぼ同じ融点をもつ絶縁封止材１４
を取り付ける。一方、各リードのアウタリード部１２ｂ
を実装基板１１上の各基板配線１１ａに半田１６により
仮付けする。しかる後、実装に必要な熱を加えること
で、半田１６によるアウタリード部１２ｂと基板配線１
１ａとの各接合と、溶融された絶縁封止材１４による半
導体チップ１３の封止とを同時に行う構成となってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、たとえば封止型半導
体装置およびその製造方法に関するもので、特に高密度
実装を目的とした小型・薄型の半導体パッケージ装置に
使用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、従来の半導体パッケージ
装置における封止は、主にエポキシ樹脂を用いたトラン
スファ成形によって行われるものが主流となっている。
これは、半導体チップが搭載されたリードフレームの上
下をそれぞれ上型と下型とからなる金型で挟持し、その
金型により形成されるキャビティ内に溶融された樹脂を
充填させる。そして、その樹脂が十分に硬化した後に金
型を取り外すことで、半導体チップを樹脂封止してなる
半導体パッケージ装置が形成される。

【０００３】しかしながら、この方法の場合、半導体パ
ッケージ装置の形態が小型化・薄型化するにともない、
以下のような問題がでてきた。すなわち、樹脂封止型の
半導体パッケージ装置にあっては、絶対的樹脂厚が薄く
小さくなるにつれ、封止後の水分吸収により、リフロー
時の水蒸気爆発によるパッケージクラックを起こしやす
くなる。

【０００４】また、リードフレームのベッド上にマウン
トされた半導体チップを樹脂により封止するものでは、
ベッドの位置の変動によってパッケージの厚さが不均一
となりやすく、絶対的樹脂厚が薄く小さくなるにつれ、
信頼性が安定しない。このように、従来のトランスファ
成形による半導体パッケージ装置の場合、その薄型化に
は限界があり、また信頼性も悪いという欠点があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、薄型化に限界があり、装置としての信頼性
も悪いなどの問題があった。そこで、この発明は、信頼
性を損うことなく、より薄型化が可能な封止型半導体装
置およびその製造方法を提供することを目的としてい
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の封止型半導体装置にあっては、半導体
チップと、この半導体チップが実装される実装基板と、
この実装基板上への前記半導体チップの実装時に溶融さ
れて、前記半導体チップを封止する絶縁性封止材とから
構成されている。

【０００７】また、この発明の封止型半導体装置にあっ
ては、電極を有するリード・オン・チップ構造の半導体
チップと、導通配線部を有し、前記半導体チップがべた
置きにより実装される実装基板と、この実装基板上の導
通配線部および前記半導体チップの電極を接続するリー
ド配線と、前記半導体チップの上部に積層され、当該半
導体チップの前記実装基板上への実装時に溶融されて、
前記電極と前記リード配線との接続部を含んで前記半導
体チップを封止する絶縁性封止材とから構成されてい
る。

【０００８】また、この発明の封止型半導体装置にあっ
ては、電極を有するリード・オン・チップ構造の半導体
チップと、この半導体チップが実装される凹部、および
この凹部の周囲に配された導通配線部を有する実装基板
と、この実装基板上の導通配線部および前記半導体チッ
プの電極を接続するリード配線と、このリード配線が形
成され、前記半導体チップの前記実装基板上への実装時
に溶融されて、前記電極と前記リード配線との接続部を
含んで前記半導体チップを封止する絶縁性封止材とから
構成されている。

【０００９】さらに、この発明の封止型半導体装置の製
造方法にあっては、半導体チップの上面に設けられた電
極にリード配線の一端を接続し、そのリード配線が接続
された前記半導体チップの上面部に絶縁性封止材を積層
し、一方、前記リード配線の他端を、前記半導体チップ
が実装される実装基板上の導通配線部に仮付けし、しか
る後、熱を加えることで、前記実装基板上の導通配線部
と前記リード配線の他端との接続、および前記絶縁性封
止材による前記半導体チップの封止を行うようになって
いる。

【００１０】

【作用】この発明は、上記した手段により、半導体チッ
プの実装基板上への実装と封止とを同時に行うことがで
きるようになるため、絶対的樹脂厚によらず、安定した
封止が可能となるものである。

【００１１】

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は、本発明の第１の実施例にかかる
封止型半導体パッケージ装置の概略を示すものである。
なお、同図（ａ）は封止型半導体パッケージ装置の平面
図であり、同図（ｂ）は同じくＩＢ−ＩＢ´線に沿う断
面図である。

【００１２】すなわち、この半導体パッケージ装置は、
たとえば実装基板１１上にリードフレーム（リード配
線）１２を介して実装された半導体チップ１３が、その
実装の際に溶融された絶縁封止材１４によって封止され
た構成とされている。

【００１３】上記実装基板１１は、その表面上に、複数
の基板配線（導通配線部）１１ａが形成されている。こ
れら基板配線１１ａは、上記半導体チップ１３の実装部
を囲むようにして配置されている。

【００１４】上記リードフレーム１２は、インナリード
部１２ａとアウタリード部１２ｂとを有する複数のリー
ドからなっている。リードフレーム１２の各リードのイ
ンナリード部１２ａは、上記半導体チップ１３の各電極
パッド１３ａにそれぞれ接続されている。インナリード
部１２ａと電極パッド１３ａとは、それぞれバンプなど
の接続電極１５を介して、メッキ接合または圧着により
接続されている。

【００１５】各リードのアウタリード部１２ｂは、所定
の形状に成形（フォーミング）されて、上記実装基板１
１上の各基板配線１１ａにそれぞれ接続されている。ア
ウタリード部１２ｂと基板配線１１ａとは、たとえば半
田１６を介して、相互が接続されている。

【００１６】上記半導体チップ１３は、その上面部に複
数の電極パッド１３ａが配置され、この上面にて上記リ
ードフレーム１２の各リードのインナリード部１２ａが
ワイヤレスにて接続されるリード・オン・チップ構造と
なっている。

【００１７】上記絶縁封止材１４は、リードフレーム１
２の各リードのインナリード部１２ａと半導体チップ１
３の各電極パッド１３ａとの接続部を含んで、上記半導
体チップ１３を封止するものである。絶縁封止材１４と
しては、たとえばエポキシ樹脂のような有機材料やガラ
ス系などの無機材料からなる熱硬化性樹脂が用いられ
る。

【００１８】図２は、上記した構成の封止型半導体パッ
ケージ装置の製造方法の概略を示すものである。なお。
同図（ａ）は上から見た平面図であり、同図（ｂ）は同
じくIIＢ−IIＢ´線に沿う断面図である。

【００１９】まず、半導体チップ１３の各電極パッド１
３ａにリードフレーム１２の一端、つまり各リードのイ
ンナリード部１２ａが接続電極１５を介してメッキ接合
または圧着により接続される。この場合、半導体チップ
１３は、下面部が実装基板１１と密着するようにべた置
きにより実装される。

【００２０】そして、インナリード部１２ａと電極パッ
ド１３ａとの各接続部を含む、上記半導体チップ１３の
上部に絶縁封止材１４が積層される。一方、上記リード
フレーム１２の他端、つまり各リードのアウタリード部
１２ｂが実装基板１１上の各基板配線１１ａに半田１６
によって仮付けされる。

【００２１】この後、リフロー処理が行われることによ
り、各リードのアウタリード部１２ｂと実装基板１１上
の各基板配線１１ａとが半田１６によって接続されると
ともに、上記絶縁封止材１４が溶融される。

【００２２】この結果、上記半導体チップ１３は、下面
部が上記実装基板１１により保持され、上面部および側
面部が上記絶縁封止材１４により封止されて、前記の図
１に示した、封止型半導体パッケージ装置が製造され
る。

【００２３】すなわち、リード・オン・チップ構造の半
導体部品（ベアチップ）の上面部に絶縁封止材１４を取
り付け、かつ、その部品を実装基板１１上に仮実装した
状態において、実装に必要な熱を加えることにより、実
装基板１１上への半導体チップ１３の実装、つまり半田
１６による上記リードフレーム１２の各リードのアウタ
リード部１２ｂと実装基板１１上の各基板配線１１ａと
の接合が行われる。

【００２４】また、このとき、絶縁封止材１４の融点を
上記半田リフロー時の融点温度に調整しておくことによ
り、絶縁封止材１４が溶融され、この溶融された絶縁封
止材１４によって上記インナリード部１２ａと電極パッ
ド１３ａとの各接続部を含んで半導体チップ１３の封止
が行われる。

【００２５】たとえば、半導体チップ１３の大きさを
「１」とするとき、上記絶縁封止材１４としては、「１
〜１．５」程度の大きさのものが用意される。また、絶
縁封止材１４の融点は、半田１６のリフロー時の融点温
度と同程度が望ましい。

【００２６】実際には、たとえば半田１６のリフロー時
の融点温度を「２６０℃」前後とした場合、絶縁封止材
１４の融点はそれよりも低い値、つまり２６０℃で十分
に溶融するエポキシ樹脂などの有機材料が用いられる。
因みに、エポキシ樹脂の融点は約１５０℃〜２００℃で
ある。

【００２７】そして、このリフロー処理は、その絶縁封
止材１４の溶融の状況などに応じて数時間程度行われ
る。半田１６のリフロー時の融点温度よりも融点の高い
材料、たとえば３００℃以上の融点をもつガラス系の無
機材料を絶縁封止材１４として用いる場合には、その形
状やリフロー処理の時間を工夫することなどで対応でき
る。

【００２８】このように、実装のための半田１６のメル
ティングポイントと絶縁封止材１４のメルティングポイ
ントとを略一致させておくことで、一度のリフロー処理
により、半導体チップ１３の実装と封止とを同時に行う
ことができる。

【００２９】なお、図３に示すように、半導体チップ１
３の放熱性を高めるために、実装基板１１と半導体チッ
プ１３との間に放熱板（基板配線１１ａを代用すること
も可能）２１を設けることも可能である。

【００３０】このような構成の半導体パッケージ装置に
よれば、半導体チップ１３の下面側を絶縁封止材１４に
よって覆う必要がないため、その分、薄型化が図れるも
のである。

【００３１】また、金型などを用いることなる簡単に製
造することができるとともに、少量の絶縁封止材１４で
封止できるようになるため、安価に構成できる。しか
も、リフロー時にはすでに仮実装状態にあるため、封止
の際に半導体チップ１３の位置が変動するのを防止でき
る。

【００３２】さらには、半導体チップ１３の実装と封止
とを同時に行うことができることにより、封止後の水分
吸収がなく、したがって実装の際のリフロー処理によっ
てパッケージクラックが発生することもない。

【００３３】なお、上記実施例において、絶縁封止材１
４の半導体チップ１３上への取り付けは、半導体チップ
１３の実装基板１１上への仮実装の前でも後でも良い
が、絶縁封止材１４の存在によりアウタリード部１２ｂ
が見えずらくなる場合には、基板配線１１ａとの位置合
わせが面倒となるため、後から行う方が良い。

【００３４】上記したように、半導体チップの実装基板
上への実装と封止とを同時に行うことができるようにし
ている。すなわち、リード・オン・チップ構造の半導体
部品の上面部に取り付けられた絶縁封止材を、実装時に
溶融させて半導体チップの封止を行うようにしている。
これにより、封止後の水分吸収が原因で起こるリフロー
時のパッケージクラックやリードフレームのベッドの位
置の変動などを生じることなく、少量の封止材により、
安定した封止が可能となる。したがって、装置としての
信頼性を損うことなく、容易に薄型化が図れるものであ
る。

【００３５】なお、上記実施例においては、リードフレ
ームを用いてなる場合を例に説明したが、これに限ら
ず、たとえばプリント配線などを用いてなる各種の封止
型半導体パッケージ装置に適用できる。

【００３６】図４は、この発明の第２の実施例にかか
り、プリント配線を用いてなる封止型半導体パッケージ
装置の概略を示すものである。なお、同図（ａ）はプリ
ント配線を用いてなる封止型半導体パッケージ装置の平
面図であり、同図（ｂ）は同じくIV−IV´線に沿う断面
図である。

【００３７】すなわち、この半導体パッケージ装置は、
たとえば実装基板３１上に形成された凹部３１ｂ内に、
プリント配線（リード配線）３２を介して半導体チップ
３３が実装され、その半導体チップ３３の周辺が実装の
際に溶融された絶縁封止材３４によって封止された構成
とされている。

【００３８】この場合、上記プリント配線３２は、たと
えば絶縁封止材３４の下面に印刷により形成されてい
る。このような構成の半導体パッケージ装置は、たとえ
ば図５に示すように、絶縁封止材３４に印刷されたプリ
ント配線３２の一端（インナリード部側）３２ａが、半
導体チップ３３の電極パッド３３ａにそれぞれ接続電極
３５を介して接続される。

【００３９】そして、半導体チップ３３上に絶縁封止材
３４が積層された状態で、上記半導体チップ３３が実装
基板３１の凹部３１ｂに挿入されて、上記プリント配線
３２の他端（アウタリード部側）３２ｂと実装基板３１
上の基板配線（導通配線部）３１ａとが、半田３６など
によって仮付けされる。

【００４０】この後、リフロー処理が行われることによ
り、前記の図２に示した封止型半導体パッケージ装置と
同様に、プリント配線３２の他端３２ｂと実装基板３１
上の基板配線３１ａとがそれぞれ半田３６によって接続
されるとともに、上記絶縁封止材３４が溶融される。

【００４１】この結果、プリント配線３２の一端３２ａ
と電極パッド３３ａとの各接続部を含んで、上記半導体
チップ３３が上記絶縁封止材３４により封止されて、前
記の図４に示した封止型半導体パッケージ装置が製造さ
れる。

【００４２】この第２の実施例の場合においても、実装
のための半田３６のメルティングポイントと絶縁封止材
３４のメルティングポイントとを略一致させておくこと
で、一度のリフロー処理により、半導体チップ３３の実
装と封止とを同時に行うことができる。

【００４３】したがって、前記した第１の実施例と同様
の効果が期待できるとともに、半導体チップ３３が実装
基板３１の凹部３１ｂ内に挿入されることで、第１の実
施例よりも薄型化できる。

【００４４】なお、この第２の実施例の場合にも、前記
の第１の実施例と同様に、半導体チップ３３の放熱性を
高めるために、実装基板３１と半導体チップ３３との間
に放熱板（基板配線を代用することも可能）を設けるこ
とも可能である（図示せず）。

【００４５】また、本発明は、たとえばＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）テープを用いてなる封止型半導体パ
ッケージ装置にも適用できる。図６は、この発明の第３
の実施例にかかり、ＴＡＢテープを用いてなる封止型半
導体パッケージ装置の概略を示すものである。なお、同
図（ａ）はＴＡＢテープを用いてなる封止型半導体パッ
ケージ装置の平面図であり、同図（ｂ）は同じくVI−VI
´線に沿う断面図である。

【００４６】すなわち、この半導体パッケージ装置は、
たとえば実装基板４１上にＴＡＢテープ４２を介して半
導体チップ４３がべた置きにより実装され、その半導体
チップ４３の周辺が実装の際に溶融された絶縁封止材４
４によって封止された構成とされている。

【００４７】この場合、上記ＴＡＢテープ４２はキャリ
アテープとも呼ばれ、たとえばポリイミドからなる絶縁
フィルム４２Ａ上に銅箔をラミネートし、この銅箔をエ
ッチングしてなる配線パターン（リード）が形成されて
いる。

【００４８】このような構成の半導体パッケージ装置
は、たとえば図７に示すように、ＴＡＢテープ４２の各
リードのインナリード部４２ａが、半導体チップ４３の
各電極パッド４３ａにそれぞれ接続電極４５を介して接
続される。

【００４９】そして、インナリード部４２ａと電極パッ
ド４３ａとの各接続部を含む、上記半導体チップ４３の
上部に絶縁封止材４４が積層される。一方、上記ＴＡＢ
テープ４２のアウタリード部４２ｂと実装基板４１上の
基板配線（導通配線部）４１ａとが、半田４６などによ
って仮付けされる。

【００５０】この後、リフロー処理が行われることによ
り、前記の図２，図５に示した封止型半導体パッケージ
装置と同様に、ＴＡＢテープ４２のアウタリード部４２
ｂと実装基板４１上の基板配線４１ａとがそれぞれ半田
４６によって接続されるとともに、上記絶縁封止材４４
が溶融される。

【００５１】この結果、ＴＡＢテープ４２のインナリー
ド部４２ａと電極パッド４３ａとの各接続部を含んで、
上記半導体チップ４３が上記絶縁封止材４４により封止
されて、前記の図６に示した封止型半導体パッケージ装
置が製造される。

【００５２】この第３の実施例の場合においても、実装
のための半田４６のメルティングポイントと絶縁封止材
４４のメルティングポイントとを略一致させておくこと
で、一度のリフロー処理により、半導体チップ４３の実
装と封止とを同時に行うことができる。

【００５３】したがって、前記した第１，第２の実施例
と同様の効果が期待できる。なお、この第３の実施例の
場合にも、前記の第１，第２の実施例と同様に、半導体
チップ４３の放熱性を高めるために、実装基板４１と半
導体チップ４３との間に放熱板（基板配線を代用するこ
とも可能）を設けることも可能である（図示せず）。

【００５４】また、上記したいずれの実施例において
も、熱硬化性樹脂に限らず、たとえば熱可塑性樹脂を絶
縁封止材として用いることも可能である。その他、この
発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能
なことは勿論である。

【００５５】

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、信頼性を損うことなく、より薄型化が可能な封止型
半導体装置およびその製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例にかかる封止型半導体
パッケージ装置の概略を示す構成図。

【図２】同じく、封止型半導体パッケージ装置の製造方
法の概略を説明するために示す構成図。

【図３】同じく、放熱板を設けた場合を例に示す封止型
半導体パッケージ装置の概略構成図。

【図４】この発明の第２の実施例にかかる封止型半導体
パッケージ装置の概略を示す構成図。

【図５】同じく、封止型半導体パッケージ装置の製造方
法の概略を説明するために示す構成図。

【図６】この発明の第３の実施例にかかる封止型半導体
パッケージ装置の概略を示す構成図。

【図７】同じく、封止型半導体パッケージ装置の製造方
法の概略を説明するために示す構成図。

【符号の説明】

１１，３１，４１…実装基板、１１ａ，３１ａ，４１ａ
…基板配線（導通配線部）、１２…リードフレーム（リ
ード配線）、１３，３３，４３…半導体チップ、１３
ａ，３３ａ，４３ａ…電極パッド、１４，３４，４４…
絶縁封止材、２１…放熱板（放熱体）、３１ｂ…凹部、
３２…プリント配線、４２…ＴＡＢテープ。

Claims (33)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップと、 この半導体チップが実装される実装基板と、 この実装基板上への前記半導体チップの実装時に溶融さ
   れて、前記半導体チップを封止する絶縁性封止材とを具
   備したことを特徴とする封止型半導体装置。
2. 【請求項２】 前記半導体チップは、その上面に複数の
   電極が設けられ、電極のそれぞれにリード配線の一端が
   接続されてなるリード・オン・チップ構造を有すること
   を特徴とする請求項１に記載の封止型半導体装置。
3. 【請求項３】 前記リード・オン・チップ構造を有する
   半導体チップは、前記実装基板上にべた置きにより実装
   されることを特徴とする請求項２に記載の封止型半導体
   装置。
4. 【請求項４】 前記リード・オン・チップ構造を有する
   半導体チップは、前記実装基板上に放熱体を介して実装
   されることを特徴とする請求項２に記載の封止型半導体
   装置。
5. 【請求項５】 前記半導体チップの電極に接続された前
   記リード配線は、前記絶縁性封止材に印刷により形成さ
   れていることを特徴とする請求項２に記載の封止型半導
   体装置。
6. 【請求項６】 前記半導体チップの電極に接続された前
   記リード配線は、絶縁フィルム上に形成されていること
   を特徴とする請求項２に記載の封止型半導体装置。
7. 【請求項７】 前記実装基板は、その表面に導通配線部
   が形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の封
   止型半導体装置。
8. 【請求項８】 前記実装基板は、その表面に段差が形成
   されてなることを特徴とする請求項１に記載の封止型半
   導体装置。
9. 【請求項９】 前記実装基板上に形成された段差の凹部
   内に前記半導体チップが実装されることを特徴とする請
   求項８に記載の封止型半導体装置。
10. 【請求項１０】 前記絶縁性封止材は、熱硬化性樹脂か
    らなることを特徴とする請求項１に記載の封止型半導体
    装置。
11. 【請求項１１】 前記絶縁性封止材を構成する熱硬化性
    樹脂は、実装時の融点温度と同程度の融点を有すること
    を特徴とする請求項１０に記載の封止型半導体装置。
12. 【請求項１２】 電極を有するリード・オン・チップ構
    造の半導体チップと、 導通配線部を有し、前記半導体チップがべた置きにより
    実装される実装基板と、 この実装基板上の導通配線部および前記半導体チップの
    電極を接続するリード配線と、 前記半導体チップの上部に積層され、当該半導体チップ
    の前記実装基板上への実装時に溶融されて、前記電極と
    前記リード配線との接続部を含んで前記半導体チップを
    封止する絶縁性封止材とを具備したことを特徴とする封
    止型半導体装置。
13. 【請求項１３】 前記半導体チップは、前記実装基板上
    に放熱体を介して実装されることを特徴とする請求項１
    ２に記載の封止型半導体装置。
14. 【請求項１４】 前記絶縁性封止材は、熱硬化性樹脂か
    らなることを特徴とする請求項１２に記載の封止型半導
    体装置。
15. 【請求項１５】 前記絶縁性封止材を構成する熱硬化性
    樹脂は、実装時の融点温度と同程度の融点を有すること
    を特徴とする請求項１４に記載の封止型半導体装置。
16. 【請求項１６】 前記リード配線は、前記半導体チップ
    の電極と接続されるインナリード部および前記実装基板
    上の導通配線部と接続されるアウタリード部を有するリ
    ードからなることを特徴とする請求項１２に記載の封止
    型半導体装置。
17. 【請求項１７】 前記リード配線は、前記絶縁フィルム
    上に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載
    の封止型半導体装置。
18. 【請求項１８】 前記絶縁フィルム上に形成されたリー
    ド配線は、前記半導体チップの電極と接続されるインナ
    リード部および前記実装基板上の導通配線部と接続され
    るアウタリード部を有するリードからなることを特徴と
    する請求項１７に記載の封止型半導体装置。
19. 【請求項１９】 電極を有するリード・オン・チップ構
    造の半導体チップと、 この半導体チップが実装される凹部、およびこの凹部の
    周囲に配された導通配線部を有する実装基板と、 この実装基板上の導通配線部および前記半導体チップの
    電極を接続するリード配線と、 このリード配線が形成され、前記半導体チップの前記実
    装基板上への実装時に溶融されて、前記電極と前記リー
    ド配線との接続部を含んで前記半導体チップを封止する
    絶縁性封止材とを具備したことを特徴とする封止型半導
    体装置。
20. 【請求項２０】 前記絶縁性封止材は、熱硬化性樹脂か
    らなることを特徴とする請求項１９に記載の封止型半導
    体装置。
21. 【請求項２１】 前記絶縁性封止材を構成する熱硬化性
    樹脂は、実装時の融点温度と同程度の融点を有すること
    を特徴とする請求項２０に記載の封止型半導体装置。
22. 【請求項２２】 前記絶縁性封止材に形成されたリード
    配線は、前記半導体チップの電極と接続されるインナリ
    ード部および前記実装基板上の導通配線部と接続される
    アウタリード部を有するリードからなることを特徴とす
    る請求項１９に記載の封止型半導体装置。
23. 【請求項２３】 半導体チップの上面に設けられた電極
    にリード配線の一端を接続し、 そのリード配線が接続された前記半導体チップの上面部
    に絶縁性封止材を積層し、 一方、前記リード配線の他端を、前記半導体チップが実
    装される実装基板上の導通配線部に仮付けし、 しかる後、熱を加えることで、前記実装基板上の導通配
    線部と前記リード配線の他端との接続、および前記絶縁
    性封止材による前記半導体チップの封止を行うことを特
    徴とする封止型半導体装置の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記半導体チップは、その上面に複数
    の電極が設けられてなるリード・オン・チップ構造を有
    することを特徴とする請求項２３に記載の封止型半導体
    装置の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記リード・オン・チップ構造を有す
    る半導体チップは、前記実装基板上にべた置きにより実
    装されることを特徴とする請求項２４に記載の封止型半
    導体装置の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記リード・オン・チップ構造を有す
    る半導体チップは、前記実装基板上に放熱体を介して実
    装されることを特徴とする請求項２４に記載の封止型半
    導体装置の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記リード配線は、前記半導体チップ
    の電極と接続されるインナリード部および前記実装基板
    上の導通配線部と接続されるアウタリード部を有するリ
    ードからなることを特徴とする請求項２３に記載の封止
    型半導体装置の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記リード配線は、前記絶縁性封止材
    に形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の
    封止型半導体装置の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記リード配線は、前記絶縁フィルム
    上に形成されていることを特徴とする請求項２３に記載
    の封止型半導体装置の製造方法。
30. 【請求項３０】 前記実装基板は、その表面に段差が形
    成されてなることを特徴とする請求項２３に記載の封止
    型半導体装置の製造方法。
31. 【請求項３１】 前記実装基板上に形成された段差の凹
    部内に前記半導体チップが実装されることを特徴とする
    請求項３０に記載の封止型半導体装置の製造方法。
32. 【請求項３２】 前記絶縁性封止材は、熱硬化性樹脂か
    らなることを特徴とする請求項２３に記載の封止型半導
    体装置の製造方法。
33. 【請求項３３】 前記絶縁性封止材を構成する熱硬化性
    樹脂は、実装時の融点温度と同程度の融点を有すること
    を特徴とする請求項３２に記載の封止型半導体装置の製
    造方法。