JPH07140082A - 異物とパターンの弁別閾値設定方法 - Google Patents
異物とパターンの弁別閾値設定方法Info
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- JPH07140082A JPH07140082A JP5309913A JP30991393A JPH07140082A JP H07140082 A JPH07140082 A JP H07140082A JP 5309913 A JP5309913 A JP 5309913A JP 30991393 A JP30991393 A JP 30991393A JP H07140082 A JPH07140082 A JP H07140082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異物検査装置に対して、被検査物に形成され
たパターン配線と、付着した異物とを的確に弁別する閾
値を設定する。 【構成】 異物が付着していないテストサンプルと、２
種類以上の直径の標準粒子の両受光電圧ｖS,ｖP を測定
して、その２次元分布図を作成し、標準粒子群の分布領
域とパターン配線の分布領域を区分する境界線を設定
し、これを被検査物の異物とパターン配線とを弁別する
閾値とする。 【効果】 目的が達成される。
たパターン配線と、付着した異物とを的確に弁別する閾
値を設定する。 【構成】 異物が付着していないテストサンプルと、２
種類以上の直径の標準粒子の両受光電圧ｖS,ｖP を測定
して、その２次元分布図を作成し、標準粒子群の分布領
域とパターン配線の分布領域を区分する境界線を設定
し、これを被検査物の異物とパターン配線とを弁別する
閾値とする。 【効果】 目的が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、被検査物に付着した
異物と、これに形成されているパターン配線とを弁別す
る閾値の設定方法に関する。
異物と、これに形成されているパターン配線とを弁別す
る閾値の設定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のＩＣチップや、液晶パネルに使
用されるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板は、シリコン
ウエハまたはガラス基板の表面に蒸着されたシリコン酸
化膜に対してレジスト剤を塗布し、これにマスク板のパ
ターンを転写して製作される。ＩＣチップやＴＦＴ基板
に異物が付着すると性能が劣化するので、異物検査装置
により異物の有無が検査されている。ただし、付着異物
を光学的に検査する場合は、異物とともにパターン配線
も検出されるので、これらを区別する必要がある。パタ
ーン配線付きのウエハに対する光学的な異物検査方法と
して、例えば「特開昭61−104243号、異物検出方法およ
びその装置」が公開されており、この方法はＴＦＴ基板
にも適用できるので、これによりその検査が行われてい
る。以下、この異物検査装置の概要を説明する。
用されるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板は、シリコン
ウエハまたはガラス基板の表面に蒸着されたシリコン酸
化膜に対してレジスト剤を塗布し、これにマスク板のパ
ターンを転写して製作される。ＩＣチップやＴＦＴ基板
に異物が付着すると性能が劣化するので、異物検査装置
により異物の有無が検査されている。ただし、付着異物
を光学的に検査する場合は、異物とともにパターン配線
も検出されるので、これらを区別する必要がある。パタ
ーン配線付きのウエハに対する光学的な異物検査方法と
して、例えば「特開昭61−104243号、異物検出方法およ
びその装置」が公開されており、この方法はＴＦＴ基板
にも適用できるので、これによりその検査が行われてい
る。以下、この異物検査装置の概要を説明する。
【０００３】図３は上記の特許公開にかかる異物検査装
置の基本構成を示し、便宜上、ウエハとＴＦＴ基板を一
括して被検査物１とする。被検査物１の表面に形成され
たパターン配線（ＰＡＴ）をＸＹ方向とし、被検査物１
は図示しない移動機構によりＸまたはＹ方向に移動す
る。これに対して、投光系２，受光系３よりなる検査光
学系と、信号処理部４が設けられる。投光系２において
は、光源21よりＰ偏光のレーザビームＬT(P)が、被検査
物１の表面に対して低角度θP でＸ方向に投射される。
また光源22よりＳ偏光のレーザビームＬT(S)が高角度θ
S でＹ方向に投射され、両ビームＬT(P)，ＬT(S)は、図
示しない集束レンズによりそれぞれ集束され、被検査物
１の表面にスポットＳP が照射される。受光系３は被検
査物１の垂直上方に設けられ、被検査物１の表面に形成
されたパターン配線と、これに付着した異物の反射光Ｌ
R は、受光系３の集光レンズ31により集光され、ビーム
スプリッタ32により２分割される。分割された一方は、
Ｐ偏光の検光板33によりＰ偏光成分が検出されて受光器
34に受光され、受光電圧ｖP が出力される。また分割さ
れた他方は、Ｓ偏光の検光板35によりＳ偏光成分が検出
され、受光器36より受光電圧ｖS が出力される。両受光
電圧ｖP,ｖS は信号処理部４の割り算器41に入力して両
者の比数（ｖP/ｖS)＝ｋが算出され、比数ｋはコンパレ
ータ42により適当な閾値ｍと比較され、パターン配線が
除かれて異物のみが検出されて検出パルスｐa が出力さ
れる。
置の基本構成を示し、便宜上、ウエハとＴＦＴ基板を一
括して被検査物１とする。被検査物１の表面に形成され
たパターン配線（ＰＡＴ）をＸＹ方向とし、被検査物１
は図示しない移動機構によりＸまたはＹ方向に移動す
る。これに対して、投光系２，受光系３よりなる検査光
学系と、信号処理部４が設けられる。投光系２において
は、光源21よりＰ偏光のレーザビームＬT(P)が、被検査
物１の表面に対して低角度θP でＸ方向に投射される。
また光源22よりＳ偏光のレーザビームＬT(S)が高角度θ
S でＹ方向に投射され、両ビームＬT(P)，ＬT(S)は、図
示しない集束レンズによりそれぞれ集束され、被検査物
１の表面にスポットＳP が照射される。受光系３は被検
査物１の垂直上方に設けられ、被検査物１の表面に形成
されたパターン配線と、これに付着した異物の反射光Ｌ
R は、受光系３の集光レンズ31により集光され、ビーム
スプリッタ32により２分割される。分割された一方は、
Ｐ偏光の検光板33によりＰ偏光成分が検出されて受光器
34に受光され、受光電圧ｖP が出力される。また分割さ
れた他方は、Ｓ偏光の検光板35によりＳ偏光成分が検出
され、受光器36より受光電圧ｖS が出力される。両受光
電圧ｖP,ｖS は信号処理部４の割り算器41に入力して両
者の比数（ｖP/ｖS)＝ｋが算出され、比数ｋはコンパレ
ータ42により適当な閾値ｍと比較され、パターン配線が
除かれて異物のみが検出されて検出パルスｐa が出力さ
れる。
【０００４】図４により上記の異物検出の原理を説明す
る。図(a),(b) において、(イ) は被検査物１のパターン
配線、(ロ) は比較的に小さい異物、また(ハ) は比較的に
大きい異物をそれぞれ例示したものである。図(a) は、
被検査物１に対してＰ偏光波を照射した場合で、パター
ン配線(イ)は、その表面が平滑であるのでＰ偏光波は低
角度θP の方向に正反射し、従って垂直上方の集光レン
ズ31にはほとんど入射せず、受光器36の受光電圧ｖP は
図示のように小さい。一方、異物(ロ),(ハ) はＰ偏光波を
散乱し、散乱光Ｑは偏光面がランダムの方向に変化する
ので、そのＰ偏光成分は受光器34に、Ｓ偏光成分は受光
器36にそれぞれ受光され、小さい異物(ロ) の散乱光Ｑは
小さいので両受光電圧ｖP,ｖS は小さく、大きい異物
(ハ) の散乱光Ｑは大きいので大きい受光電圧ｖP,ｖS が
それぞれ出力される。次に図(b) はＳ偏光波を照射した
場合で、パターン配線(イ) によりＳ偏光波は高角度θS
の方向に正反射するので、集光レンズ31には多く集光さ
れ、受光器36の受光電圧ｖS は図示のように大きい。一
方、異物(ロ),(ハ) によりＳ偏光波はやはり散乱光Ｑを散
乱し、小さい異物(ロ) に対して小さく、大きい異物(ハ)
に対して大きい受光電圧ｖP,ｖS がそれぞれ出力され
る。割り算器41により両受光電圧ｖP,ｖS の比数（ｖP/
ｖS)＝ｋを求めると、(c)に示す波形がえられる。パタ
ーン配線(イ) はｖP ＜ｖS であるため、比数ｋは１より
かなり小さいが、異物(ロ),(ハ) はｖP ≒ｖS であるた
め、１に近い値である。これらの各波形に対して適当な
一定の閾値ｍをコンパレータ52に設定し、波高値が閾値
ｍに達しないパターン配線(イ) を除き、これを越える異
物値(ロ),(ハ) を検出して検出パルスｐa が出力されるも
のである。なお上記は基本構成と、これによる異物検出
方法であって、実用装置においては、投光系２の光源22
の個数を増加し、また波長が異なる両ビームＬT(P)，Ｌ
T(S)を使用するなどにより、異物検出性能の改善がなさ
れているが、いずれにしてもＳ偏光波とＰ偏光波を使用
し、上記の原理により異物とパターン配線を弁別するこ
とには変わりはない。
る。図(a),(b) において、(イ) は被検査物１のパターン
配線、(ロ) は比較的に小さい異物、また(ハ) は比較的に
大きい異物をそれぞれ例示したものである。図(a) は、
被検査物１に対してＰ偏光波を照射した場合で、パター
ン配線(イ)は、その表面が平滑であるのでＰ偏光波は低
角度θP の方向に正反射し、従って垂直上方の集光レン
ズ31にはほとんど入射せず、受光器36の受光電圧ｖP は
図示のように小さい。一方、異物(ロ),(ハ) はＰ偏光波を
散乱し、散乱光Ｑは偏光面がランダムの方向に変化する
ので、そのＰ偏光成分は受光器34に、Ｓ偏光成分は受光
器36にそれぞれ受光され、小さい異物(ロ) の散乱光Ｑは
小さいので両受光電圧ｖP,ｖS は小さく、大きい異物
(ハ) の散乱光Ｑは大きいので大きい受光電圧ｖP,ｖS が
それぞれ出力される。次に図(b) はＳ偏光波を照射した
場合で、パターン配線(イ) によりＳ偏光波は高角度θS
の方向に正反射するので、集光レンズ31には多く集光さ
れ、受光器36の受光電圧ｖS は図示のように大きい。一
方、異物(ロ),(ハ) によりＳ偏光波はやはり散乱光Ｑを散
乱し、小さい異物(ロ) に対して小さく、大きい異物(ハ)
に対して大きい受光電圧ｖP,ｖS がそれぞれ出力され
る。割り算器41により両受光電圧ｖP,ｖS の比数（ｖP/
ｖS)＝ｋを求めると、(c)に示す波形がえられる。パタ
ーン配線(イ) はｖP ＜ｖS であるため、比数ｋは１より
かなり小さいが、異物(ロ),(ハ) はｖP ≒ｖS であるた
め、１に近い値である。これらの各波形に対して適当な
一定の閾値ｍをコンパレータ52に設定し、波高値が閾値
ｍに達しないパターン配線(イ) を除き、これを越える異
物値(ロ),(ハ) を検出して検出パルスｐa が出力されるも
のである。なお上記は基本構成と、これによる異物検出
方法であって、実用装置においては、投光系２の光源22
の個数を増加し、また波長が異なる両ビームＬT(P)，Ｌ
T(S)を使用するなどにより、異物検出性能の改善がなさ
れているが、いずれにしてもＳ偏光波とＰ偏光波を使用
し、上記の原理により異物とパターン配線を弁別するこ
とには変わりはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】さて、上記は検出原理
をモデル化した説明であって、実情はこのように単純で
はない。すなわちパターン配線は、その形状寸法が被検
査物１の種類により異なるので反射光ＬR の大きさも種
類により異なり、またそのエッジは、微弱ではあるが、
ランダム偏光面の散乱光Ｑを散乱するので、これらが両
受光電圧ｖP,ｖSに影響して上記の比数ｋが変化する。
一方、異物の大きさは例示したモデルのような大小の２
種類に限られず任意であるので、その散乱光Ｑの大きさ
もマチマチで、受光電圧ｖP,ｖS の大小関係はモデルの
ように単純でない。従って、上記の閾値ｍを一律または
一定値とするときは、異物とパターン配線の弁別が的確
になされない。これに対して、両者を的確に弁別できる
適切な閾値を決めて検査装置に設定することが必要とさ
れている。この発明は以上に鑑みてなされたもので、異
物検査装置に対して異物とパターン配線を的確に弁別す
る閾値の設定方法を提供することを目的とする。
をモデル化した説明であって、実情はこのように単純で
はない。すなわちパターン配線は、その形状寸法が被検
査物１の種類により異なるので反射光ＬR の大きさも種
類により異なり、またそのエッジは、微弱ではあるが、
ランダム偏光面の散乱光Ｑを散乱するので、これらが両
受光電圧ｖP,ｖSに影響して上記の比数ｋが変化する。
一方、異物の大きさは例示したモデルのような大小の２
種類に限られず任意であるので、その散乱光Ｑの大きさ
もマチマチで、受光電圧ｖP,ｖS の大小関係はモデルの
ように単純でない。従って、上記の閾値ｍを一律または
一定値とするときは、異物とパターン配線の弁別が的確
になされない。これに対して、両者を的確に弁別できる
適切な閾値を決めて検査装置に設定することが必要とさ
れている。この発明は以上に鑑みてなされたもので、異
物検査装置に対して異物とパターン配線を的確に弁別す
る閾値の設定方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成した、異物とパターンの弁別閾値設定方法であっ
て、前記の異物検査装置に対して、異物が付着してない
清浄な被検査物のテストサンプルを装着して、そのパタ
ーン配線の両受光電圧ｖS,ｖP を測定し、両受光電圧ｖ
S,ｖP の２次元分布図を作成する。また、異物の大きさ
に相当する、すくなくとも２種類の直径を有するそれぞ
れ複数個の標準粒子について、種類別にそれぞれの両受
光電圧ｖS,ｖP を測定して２次元分布図にプロットす
る。標準粒子群とパターン配線の両者の分布領域を区分
する境界線を設定し、この境界線を被検査物の異物とパ
ターン配線とを弁別する閾値とする。上記において、被
検査物のテストサンプルと標準粒子群に対する、それぞ
れの両受光電圧ｖS,ｖP の各データを、両受光電圧ｖS,
ｖP をアドレスとして２次元メモリに記憶する。記憶さ
れた各データを出力器に出力して２次元分布図を作成
し、その標準粒子群とパターン配線を区分する境界線を
設定する。この境界線に基づいて、２次元メモリの標準
粒子群とパターン配線の両分布領域とに対して、有効デ
ータ "１" と無効データ "０" をそれぞれ設定する。被
検査物の検査によりえられた両受光電圧ｖS,ｖP のアド
レス指定により、２次元メモリより読み出されたデータ
が "０" のときパターン配線として無視し、 "１" のと
き異物と判定して異物パルスを出力するものである。
達成した、異物とパターンの弁別閾値設定方法であっ
て、前記の異物検査装置に対して、異物が付着してない
清浄な被検査物のテストサンプルを装着して、そのパタ
ーン配線の両受光電圧ｖS,ｖP を測定し、両受光電圧ｖ
S,ｖP の２次元分布図を作成する。また、異物の大きさ
に相当する、すくなくとも２種類の直径を有するそれぞ
れ複数個の標準粒子について、種類別にそれぞれの両受
光電圧ｖS,ｖP を測定して２次元分布図にプロットす
る。標準粒子群とパターン配線の両者の分布領域を区分
する境界線を設定し、この境界線を被検査物の異物とパ
ターン配線とを弁別する閾値とする。上記において、被
検査物のテストサンプルと標準粒子群に対する、それぞ
れの両受光電圧ｖS,ｖP の各データを、両受光電圧ｖS,
ｖP をアドレスとして２次元メモリに記憶する。記憶さ
れた各データを出力器に出力して２次元分布図を作成
し、その標準粒子群とパターン配線を区分する境界線を
設定する。この境界線に基づいて、２次元メモリの標準
粒子群とパターン配線の両分布領域とに対して、有効デ
ータ "１" と無効データ "０" をそれぞれ設定する。被
検査物の検査によりえられた両受光電圧ｖS,ｖP のアド
レス指定により、２次元メモリより読み出されたデータ
が "０" のときパターン配線として無視し、 "１" のと
き異物と判定して異物パルスを出力するものである。
【０００７】
【作用】上記の弁別閾値設定方法においては、異物が付
着してない清浄な被検査物のテストサンプルは、そのパ
ターン配線の両受光電圧ｖS,ｖP が測定され、その２次
元分布図が作成される。また、異物の大きさに相当す
る、すくなくとも２種類の直径を有するそれぞれ複数個
の標準粒子について、種類別にそれぞれの両受光電圧ｖ
S,ｖP が測定されて２次元分布図にプロットされる。標
準粒子群とパターン配線の両者の分布領域を区分する境
界線が設定され、これが被検査物の異物とパターン配線
とを弁別する閾値とされる。この閾値は、従来のような
一定値でなくて、異物とパターン配線の両受光電圧ｖS,
ｖP の値により変化して実際に合致するので、両者を的
確に弁別することができる。ただし、このような変化す
る閾値を実現する場合、ハード回路のみにより行うこと
もできるが、この発明ではソフト手法を併用して行うも
ので、これが請求項２に開示されている。すなわち、被
検査物のテストサンプルと標準粒子群に対する、それぞ
れの両受光電圧ｖS,ｖP の各データは、両受光電圧ｖS,
ｖP をアドレスとして２次元メモリに記憶され、この各
データを出力器に出力して２次元分布図が作成され、こ
れを目視して標準粒子群とパターン配線を区分する境界
線が設定される。この境界線に基づいて、２次元メモリ
の標準粒子群とパターン配線の両分布領域とに対して、
有効データ "１" と無効データ "０" がそれぞれ設定さ
れる。被検査物の検査においては、測定された両受光電
圧ｖS,ｖP により２次元メモリのアドレスを指定し、読
み出されたデータが "０" のときはパターン配線として
無視し、これが "１" のとき異物と判定され異物パルス
が出力される。
着してない清浄な被検査物のテストサンプルは、そのパ
ターン配線の両受光電圧ｖS,ｖP が測定され、その２次
元分布図が作成される。また、異物の大きさに相当す
る、すくなくとも２種類の直径を有するそれぞれ複数個
の標準粒子について、種類別にそれぞれの両受光電圧ｖ
S,ｖP が測定されて２次元分布図にプロットされる。標
準粒子群とパターン配線の両者の分布領域を区分する境
界線が設定され、これが被検査物の異物とパターン配線
とを弁別する閾値とされる。この閾値は、従来のような
一定値でなくて、異物とパターン配線の両受光電圧ｖS,
ｖP の値により変化して実際に合致するので、両者を的
確に弁別することができる。ただし、このような変化す
る閾値を実現する場合、ハード回路のみにより行うこと
もできるが、この発明ではソフト手法を併用して行うも
ので、これが請求項２に開示されている。すなわち、被
検査物のテストサンプルと標準粒子群に対する、それぞ
れの両受光電圧ｖS,ｖP の各データは、両受光電圧ｖS,
ｖP をアドレスとして２次元メモリに記憶され、この各
データを出力器に出力して２次元分布図が作成され、こ
れを目視して標準粒子群とパターン配線を区分する境界
線が設定される。この境界線に基づいて、２次元メモリ
の標準粒子群とパターン配線の両分布領域とに対して、
有効データ "１" と無効データ "０" がそれぞれ設定さ
れる。被検査物の検査においては、測定された両受光電
圧ｖS,ｖP により２次元メモリのアドレスを指定し、読
み出されたデータが "０" のときはパターン配線として
無視し、これが "１" のとき異物と判定され異物パルス
が出力される。
【０００８】
【実施例】図１および図２はこの発明の一実施例を示
し、図１は閾値設定部５の構成図、図２は２次元メモリ
（ＲＡＭ）53のメモリ領域図である。図１において、閾
値設定部５は、２個のＡ／Ｄ変換器51a,51b と、マイク
ロプロセッサ（ＭＰＵ）52、２次元メモリ（ＲＡＭ）5
3、および出力器54よりなり、各Ａ／Ｄ変換器51a,51b
は、前記した図３の異物検査装置の受光系３の２個の受
光器34,35 にそれぞれ接続される。
し、図１は閾値設定部５の構成図、図２は２次元メモリ
（ＲＡＭ）53のメモリ領域図である。図１において、閾
値設定部５は、２個のＡ／Ｄ変換器51a,51b と、マイク
ロプロセッサ（ＭＰＵ）52、２次元メモリ（ＲＡＭ）5
3、および出力器54よりなり、各Ａ／Ｄ変換器51a,51b
は、前記した図３の異物検査装置の受光系３の２個の受
光器34,35 にそれぞれ接続される。
【０００９】閾値の設定においては、まずパターン付き
ウエハまたはＴＦＴ基板などの被検査物１の、異物が付
着していないテストサンプルを検査装置に装着し、パタ
ーン配線のＰ偏光成分とＳ偏光成分に対する両受光電圧
ｖP,ｖS を測定する。測定された両受光電圧ｖP,ｖS は
Ａ／Ｄ変換器51a,51b により、例えば２５６階調のデジ
タル電圧ＶP,ＶS とされ、ＲＡＭ53のメモリ領域の電圧
ＶP,ＶS に対するアドレスに記憶される。図２(a) にお
いて、ＲＡＭ53のメモリ領域のアドレスは、横軸を電圧
ＶS 、縦軸を電圧ＶP とし、両電圧は０〜１．０の範囲
にノルマライズされている。テストサンプルのパターン
配線に対する両電圧ＶP,ＶS は、例えば×印のように分
布する。ただしこの分布領域はＩ，IIおよびIII の３領
域に分かれる。領域Ｉは前記の図４で説明したｖP ＜ｖ
S の場合に相当し、一定の比数ｋ1(ＶP ／ＶS)の直線内
である。領域IIも同様で、一定の比数ｋ2 の直線内であ
るが、ただし領域IIは、Ｐ偏光波とＳ偏光波の投射角が
入れ代わり、Ｐ偏光波を高角度で、Ｓ偏光波を低角度で
それぞれ投射した場合で、この場合はＶP ＜ＶS であ
る。また領域III は、前記したパターン配線の形状寸法
の相違と、そのエッジによる散乱光Ｑのために、両電圧
ＶP,ＶS がバラついて図示のように分散している。次
に、直径が１μｍと２μｍの標準粒子を、それぞれ複数
個づつ適当なガラス板に付着させ、これらに対する両電
圧ＶP,ＶS を測定してＲＡＭ53に記憶すると、例えば１
μｍの標準粒子は△印、２μｍは○印のように分布し、
この分布範囲と直線ｋ1 に挟まれた範囲を異物領域IVと
する。ＲＡＭ53のデータをＭＰＵ52により読み出して、
出力器54に２次元分布図を出力する。この分布図の領域
IVと、各領域Ｉ，IIおよびIII との間に、図(b) のよう
に境界線Ｃを引いて異物領域とパターン配線領域に区分
する。次にＲＡＭ53に対して、境界線Ｃを境界としてパ
ターン配線領域の全範囲に無効データ "０" を、また異
物領域IVの全範囲に有効データ "１" をそれぞれ記憶す
る。
ウエハまたはＴＦＴ基板などの被検査物１の、異物が付
着していないテストサンプルを検査装置に装着し、パタ
ーン配線のＰ偏光成分とＳ偏光成分に対する両受光電圧
ｖP,ｖS を測定する。測定された両受光電圧ｖP,ｖS は
Ａ／Ｄ変換器51a,51b により、例えば２５６階調のデジ
タル電圧ＶP,ＶS とされ、ＲＡＭ53のメモリ領域の電圧
ＶP,ＶS に対するアドレスに記憶される。図２(a) にお
いて、ＲＡＭ53のメモリ領域のアドレスは、横軸を電圧
ＶS 、縦軸を電圧ＶP とし、両電圧は０〜１．０の範囲
にノルマライズされている。テストサンプルのパターン
配線に対する両電圧ＶP,ＶS は、例えば×印のように分
布する。ただしこの分布領域はＩ，IIおよびIII の３領
域に分かれる。領域Ｉは前記の図４で説明したｖP ＜ｖ
S の場合に相当し、一定の比数ｋ1(ＶP ／ＶS)の直線内
である。領域IIも同様で、一定の比数ｋ2 の直線内であ
るが、ただし領域IIは、Ｐ偏光波とＳ偏光波の投射角が
入れ代わり、Ｐ偏光波を高角度で、Ｓ偏光波を低角度で
それぞれ投射した場合で、この場合はＶP ＜ＶS であ
る。また領域III は、前記したパターン配線の形状寸法
の相違と、そのエッジによる散乱光Ｑのために、両電圧
ＶP,ＶS がバラついて図示のように分散している。次
に、直径が１μｍと２μｍの標準粒子を、それぞれ複数
個づつ適当なガラス板に付着させ、これらに対する両電
圧ＶP,ＶS を測定してＲＡＭ53に記憶すると、例えば１
μｍの標準粒子は△印、２μｍは○印のように分布し、
この分布範囲と直線ｋ1 に挟まれた範囲を異物領域IVと
する。ＲＡＭ53のデータをＭＰＵ52により読み出して、
出力器54に２次元分布図を出力する。この分布図の領域
IVと、各領域Ｉ，IIおよびIII との間に、図(b) のよう
に境界線Ｃを引いて異物領域とパターン配線領域に区分
する。次にＲＡＭ53に対して、境界線Ｃを境界としてパ
ターン配線領域の全範囲に無効データ "０" を、また異
物領域IVの全範囲に有効データ "１" をそれぞれ記憶す
る。
【００１０】被検査物１の検査においては、両受光電圧
ＶS,ＶP を測定し、これをアドレスとしてＭＰＵ52によ
りＲＡＭ53のデータを読み出し、読み出したデータが "
０"のときはパターン配線であるから無視され、 "１"
のときは異物と判定され異物パルスｐa が出力器54に出
力される。
ＶS,ＶP を測定し、これをアドレスとしてＭＰＵ52によ
りＲＡＭ53のデータを読み出し、読み出したデータが "
０"のときはパターン配線であるから無視され、 "１"
のときは異物と判定され異物パルスｐa が出力器54に出
力される。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による設
定方法により設定された閾値は、異物とパターン配線の
両受光電圧ｖS,ｖP の値により変化して実際に合致し、
両者が的確に弁別されるもので、この閾値を実現するた
めの、ハード回路にソフト手法を併用した実行容易な手
段が開示されており、異物検査技術に寄与する効果には
大きいものがある。
定方法により設定された閾値は、異物とパターン配線の
両受光電圧ｖS,ｖP の値により変化して実際に合致し、
両者が的確に弁別されるもので、この閾値を実現するた
めの、ハード回路にソフト手法を併用した実行容易な手
段が開示されており、異物検査技術に寄与する効果には
大きいものがある。
【図１】この発明の一実施例における閾値設定部５の構
成図である。
成図である。
【図２】図(a) は、２次元メモリ（ＲＡＭ）53のメモリ
領域図、(b) は異物領域とパターン配線領域を区分する
境界線Ｃの設定方法の説明図である。
領域図、(b) は異物領域とパターン配線領域を区分する
境界線Ｃの設定方法の説明図である。
【図３】異物検査装置の基本構成図である。
【図４】異物検査装置における異物検出原理の説明図で
ある。
ある。
１…パターン付きウエハまたはＴＦＴ基板の被検査物、
２…投光系、21,22 …光源、３…受光系、31…集光レン
ズ、32…ビームスプリッタ、33,35 …検光板、34,36 …
受光器、４…信号処理部、41…割り算器、42…コンパレ
ータ、５…閾値設定部、51a,51b …Ａ／Ｄ変換器、52…
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、53…２次元メモリ（Ｒ
ＡＭ）、54…出力器、ＬT(P)…Ｐ偏光のレーザビーム、
ＬT(S)…Ｓ偏光のレーザビーム、θP …低角度、θS …
高角度、ＰＡＴ…パターン配線、ＬR …反射光、ｖP …
Ｐ偏光成分の受光電圧、ｖS …Ｓ偏光成分の受光電圧、
ｋ…比数、Ｑ…散乱光、ｍ…一定の閾値、ｐa …異物パ
ルス、ＶP,ＶS …受光電圧ｖP,ｖS のデジタル値、ｋ1,
ｋ2 …直線、Ｉ，II，III …パターン配線領域、IV…標
準粒子または異物領域、Ｃ…境界線。
２…投光系、21,22 …光源、３…受光系、31…集光レン
ズ、32…ビームスプリッタ、33,35 …検光板、34,36 …
受光器、４…信号処理部、41…割り算器、42…コンパレ
ータ、５…閾値設定部、51a,51b …Ａ／Ｄ変換器、52…
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、53…２次元メモリ（Ｒ
ＡＭ）、54…出力器、ＬT(P)…Ｐ偏光のレーザビーム、
ＬT(S)…Ｓ偏光のレーザビーム、θP …低角度、θS …
高角度、ＰＡＴ…パターン配線、ＬR …反射光、ｖP …
Ｐ偏光成分の受光電圧、ｖS …Ｓ偏光成分の受光電圧、
ｋ…比数、Ｑ…散乱光、ｍ…一定の閾値、ｐa …異物パ
ルス、ＶP,ＶS …受光電圧ｖP,ｖS のデジタル値、ｋ1,
ｋ2 …直線、Ｉ，II，III …パターン配線領域、IV…標
準粒子または異物領域、Ｃ…境界線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7630−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 パターン配線が形成された被検査物の表
面に対して、Ｓ偏光波とＰ偏光波のレーザスポットを照
射し、前記パターン配線と、該表面に付着した異物とに
よる該レーザスポットの反射光を、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分に区別して２個の受光器により受光し、該両受光器
が出力する該Ｓ偏光成分の受光電圧ｖS と、該Ｐ偏光成
分の受光電圧ｖP とを比較し、適当な閾値により前記パ
ターン配線を除き前記異物を検出する異物検査装置にお
いて、前記異物が付着してない清浄な前記被検査物のテ
ストサンプルを前記異物検査装置に装着して、該テスト
サンプルのパターン配線の前記両受光電圧ｖS,ｖP を測
定し、該測定された両受光電圧ｖS,ｖP 、の２次元分布
図を作成し、かつ、前記異物の大きさに相当する、すく
なくとも２種類の直径を有するそれぞれ複数個の標準粒
子について、該種類別にそれぞれの前記両受光電圧ｖS,
ｖP を測定して該２次元分布図にプロットし、該標準粒
子群と前記パターン配線の両者の分布領域を区分する境
界線を設定し、該境界線を前記被検査物の異物とパター
ン配線とを弁別する閾値とすることを特徴とする、異物
とパターンの弁別閾値設定方法。 - 【請求項２】前記被検査物のテストサンプルと前記標準
粒子群に対する、それぞれの前記両受光電圧ｖS,ｖP の
各データを、該両受光電圧ｖS,ｖP をアドレスとして２
次元メモリに記憶し、該記憶された各データを出力器に
出力して前記２次元分布図を作成し、該２次元分布図に
対して前記標準粒子群とパターン配線を区分する境界線
を設定し、該境界線に基づいて、前記２次元メモリの標
準粒子群とパターン配線の両分布領域に対して、有効デ
ータ "１" と無効データ "０" をそれぞれ設定し、前記
被検査物の検査によりえられた両受光電圧ｖS,ｖP のア
ドレス指定により、該２次元メモリより読み出されたデ
ータが "０" のとき前記パターン配線として無視し、 "
１" のとき前記異物と判定して異物パルスを出力するこ
とを特徴とする、請求項１記載の異物とパターンの弁別
閾値設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309913A JPH07140082A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 異物とパターンの弁別閾値設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309913A JPH07140082A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 異物とパターンの弁別閾値設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140082A true JPH07140082A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17998853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5309913A Pending JPH07140082A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 異物とパターンの弁別閾値設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07140082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009122046A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2022537196A (ja) * | 2019-06-19 | 2022-08-24 | シグネチャー ロボット リミテッド | 表面認識 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5309913A patent/JPH07140082A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009122046A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| JP2022537196A (ja) * | 2019-06-19 | 2022-08-24 | シグネチャー ロボット リミテッド | 表面認識 |
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