JPH07140635A - 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法Info
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- JPH07140635A JPH07140635A JP28532793A JP28532793A JPH07140635A JP H07140635 A JPH07140635 A JP H07140635A JP 28532793 A JP28532793 A JP 28532793A JP 28532793 A JP28532793 A JP 28532793A JP H07140635 A JPH07140635 A JP H07140635A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクの製造時のプロセスの低減
を図り、高品質の位相シフトマスクおよびその製造方法
を提供し、かつ、その位相シフトマスクを用いた露光方
法を提供する。 【構成】 位相シフトマスク２００の第２の光透過部４
が、位相差が１８０°となり透過率が５〜４０％を有す
るモリブデンシリサイド酸化窒化物またはモリブデンシ
リサイド酸化物４から構成されている。また、この第２
の光透過部４の製造工程においては、スパッタリング法
を用いて、モリブデンシリサイド酸化窒化膜またはモリ
ブデンシリサイド酸化膜を形成している。これにより、
従来のスパッタリング装置を用いて、第２の光透過部を
形成し、また、位相シフタ部のエッチング工程も１回と
なるために、製造工程における欠陥および誤差も生じる
確率を低下させることが可能となる。
を図り、高品質の位相シフトマスクおよびその製造方法
を提供し、かつ、その位相シフトマスクを用いた露光方
法を提供する。 【構成】 位相シフトマスク２００の第２の光透過部４
が、位相差が１８０°となり透過率が５〜４０％を有す
るモリブデンシリサイド酸化窒化物またはモリブデンシ
リサイド酸化物４から構成されている。また、この第２
の光透過部４の製造工程においては、スパッタリング法
を用いて、モリブデンシリサイド酸化窒化膜またはモリ
ブデンシリサイド酸化膜を形成している。これにより、
従来のスパッタリング装置を用いて、第２の光透過部を
形成し、また、位相シフタ部のエッチング工程も１回と
なるために、製造工程における欠陥および誤差も生じる
確率を低下させることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、位相シフトマスクに
関し、特に、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シ
フトマスクの構造およびその製造方法に関するものであ
る。
関し、特に、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シ
フトマスクの構造およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路における高集積化
および微細化には目ざましいものがある。それに伴い、
半導体基板（以下、単にウェハと称す）上に形成される
回路パターンの微細化も急速に進んできている。
および微細化には目ざましいものがある。それに伴い、
半導体基板（以下、単にウェハと称す）上に形成される
回路パターンの微細化も急速に進んできている。
【０００３】中でも、フォトリソグラフィ技術が、パタ
ーン形成における基本技術として広く認識されるところ
である。よって、今日までに種々の開発、改良がなされ
てきている。しかし、パターンの微細化は止まるところ
をしらず、パターンの解像度向上への要求もさらに強い
ものとなってきている。
ーン形成における基本技術として広く認識されるところ
である。よって、今日までに種々の開発、改良がなされ
てきている。しかし、パターンの微細化は止まるところ
をしらず、パターンの解像度向上への要求もさらに強い
ものとなってきている。
【０００４】一般に、縮小露光方法を用いたフォトリソ
グラフィ技術における解像限界Ｒ（ｎｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 ・λ／（ＮＡ）…（１） と表わされる。ここで、λは使用する光の波長（ｎ
ｍ）、ＮＡはレンズの開口数、ｋ1 はレジストプロセス
に依存する定数である。
グラフィ技術における解像限界Ｒ（ｎｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 ・λ／（ＮＡ）…（１） と表わされる。ここで、λは使用する光の波長（ｎ
ｍ）、ＮＡはレンズの開口数、ｋ1 はレジストプロセス
に依存する定数である。
【０００５】上式からわかるように、解像限界の向上を
図るためには、ｋ1 とλとの値は小さくし、ＮＡの値は
大きくすればよい。つまり、レジストプロセスに依存す
る定数を小さくするとともに、短波長化や高ＮＡ化を進
めればよいのである。
図るためには、ｋ1 とλとの値は小さくし、ＮＡの値は
大きくすればよい。つまり、レジストプロセスに依存す
る定数を小さくするとともに、短波長化や高ＮＡ化を進
めればよいのである。
【０００６】しかし、光源やレンズの改良は技術的に難
しく、また短波長化および高ＮＡ化を進めることによっ
て、光の焦点深度δ（δ＝ｋ2 ・λ／（ＮＡ）2 ）が浅
くなり、かえって解像度の低下を招くといった問題も生
じてくる。
しく、また短波長化および高ＮＡ化を進めることによっ
て、光の焦点深度δ（δ＝ｋ2 ・λ／（ＮＡ）2 ）が浅
くなり、かえって解像度の低下を招くといった問題も生
じてくる。
【０００７】ここで、図３１（ａ），（ｂ），（ｃ）を
参照して、従来のフォトマスクを使用したときのマスク
断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度について
説明する。
参照して、従来のフォトマスクを使用したときのマスク
断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度について
説明する。
【０００８】まず、図３１（ａ）を参照して、マスク断
面の構造について説明する。ガラス基板１上には、クロ
ムなどからなる金属マスクパターン２が形成されてい
る。
面の構造について説明する。ガラス基板１上には、クロ
ムなどからなる金属マスクパターン２が形成されてい
る。
【０００９】次に、図３１（ｂ）を参照して、マスク上
の電場は、マスクパターンに沿った電場となる。しか
し、図３１（ｃ）を参照して、ウェハ上の光強度は、微
細なパターンの転写の場合隣合ったパターン像において
は、マスクを透過した光が、光の回折現象および干渉効
果により光の重なり合う部分において、互いに強め合う
ことになる。この結果、ウェハ上の光強度の差が小さく
なってしまい、解像度が低下するといった問題点があっ
た。
の電場は、マスクパターンに沿った電場となる。しか
し、図３１（ｃ）を参照して、ウェハ上の光強度は、微
細なパターンの転写の場合隣合ったパターン像において
は、マスクを透過した光が、光の回折現象および干渉効
果により光の重なり合う部分において、互いに強め合う
ことになる。この結果、ウェハ上の光強度の差が小さく
なってしまい、解像度が低下するといった問題点があっ
た。
【００１０】これを解決するフォトマスクとして、たと
えば特開昭５７−６２０５２号公報および特開昭５８−
１７３７４４号公報により、位相シフトマスクによる位
相シフト露光法が提案されている。
えば特開昭５７−６２０５２号公報および特開昭５８−
１７３７４４号公報により、位相シフトマスクによる位
相シフト露光法が提案されている。
【００１１】ここで、図３２（ａ），（ｂ），（ｃ）を
参照して、特開昭５８−１７３７４４号公報に開示され
た位相シフトマスクによる位相シフト露光法について説
明する。
参照して、特開昭５８−１７３７４４号公報に開示され
た位相シフトマスクによる位相シフト露光法について説
明する。
【００１２】図３２（ａ）は位相シフトマスクの断面を
示している。図３２（ｂ）は、マスク上の電場を示して
いる。図３２（ｃ）は、ウェハ上の光強度が示されてい
る。
示している。図３２（ｂ）は、マスク上の電場を示して
いる。図３２（ｃ）は、ウェハ上の光強度が示されてい
る。
【００１３】まず、図３２（ａ）を参照して、、ガラス
基板１上に形成されたクロムマスクパターン２の開口部
には、１つおきにシリコン酸化膜などの透明絶縁膜より
なる位相シフタ６を設けることにより位相シフトマスク
を形成している。
基板１上に形成されたクロムマスクパターン２の開口部
には、１つおきにシリコン酸化膜などの透明絶縁膜より
なる位相シフタ６を設けることにより位相シフトマスク
を形成している。
【００１４】次に、図３２（ｂ）を参照して、この位相
シフトマスクを透過した光によるマスク上の電場は、そ
の位相が交互に１８０度反転して構成されている。その
ため、隣合ったパターン像においては、位相シフトマス
クを透過した光は重なり合う光の位相が反転する。
シフトマスクを透過した光によるマスク上の電場は、そ
の位相が交互に１８０度反転して構成されている。その
ため、隣合ったパターン像においては、位相シフトマス
クを透過した光は重なり合う光の位相が反転する。
【００１５】したがって、光の干渉効果により、光の重
なり合う部分において互いに打ち消しあうことになる。
この結果、図３２（ｃ）に示すように、ウェハ上の光強
度の差は十分となり、解像度の向上を図ることが可能と
なる。
なり合う部分において互いに打ち消しあうことになる。
この結果、図３２（ｃ）に示すように、ウェハ上の光強
度の差は十分となり、解像度の向上を図ることが可能と
なる。
【００１６】しかし、上記位相シフトマスクは、ライン
・アンド・スペースなどの周期的なパターンに対しては
非常に有効ではあるが、パターンが複雑な場合には、位
相シフタの配置等が非常に困難となり、任意のパターン
には設定できないという問題点があった。
・アンド・スペースなどの周期的なパターンに対しては
非常に有効ではあるが、パターンが複雑な場合には、位
相シフタの配置等が非常に困難となり、任意のパターン
には設定できないという問題点があった。
【００１７】そこで、さらに上記問題点を解決する位相
シフトマスクとして、たとえば、「ＪＪＡＰ Ｓｅｒｉ
ｅｓ５ Ｐｒｏｃ．ｏｆ １９９１ Ｉｎｔｅｒｎ．Ｍ
ｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐ
ｐ．３−９」および「特開平４−１３６８５４号公報」
において、減衰型の位相シフトマスクが開示されてい
る。以下、特開平４−１３６８５４号公報に開示され
た、減衰型の位相シフトマスクについて説明する。
シフトマスクとして、たとえば、「ＪＪＡＰ Ｓｅｒｉ
ｅｓ５ Ｐｒｏｃ．ｏｆ １９９１ Ｉｎｔｅｒｎ．Ｍ
ｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐ
ｐ．３−９」および「特開平４−１３６８５４号公報」
において、減衰型の位相シフトマスクが開示されてい
る。以下、特開平４−１３６８５４号公報に開示され
た、減衰型の位相シフトマスクについて説明する。
【００１８】図３３を参照して、図３３（ａ）は、上記
減衰型の位相シフトマスクの断面図を示す図である。図
３３（ｂ）はマスク上の電場を示す図である。図３３
（ｃ）はウェハ上の光強度を示す図である。
減衰型の位相シフトマスクの断面図を示す図である。図
３３（ｂ）はマスク上の電場を示す図である。図３３
（ｃ）はウェハ上の光強度を示す図である。
【００１９】まず、図３３（ａ）を参照して、位相シフ
トマスク１００の構造は、露光光を透過する石英基板１
と、この石英基板１の主表面上に形成された、上記主表
面を露出する第１の光透過部１０と、透過する露光光の
位相を前記第１の光透過部１０を透過する露光光の位相
に対して１８０°変換する第２の光透過部２０とを含む
所定の露光パターンを有する位相シフトパターン３０と
を備えている。
トマスク１００の構造は、露光光を透過する石英基板１
と、この石英基板１の主表面上に形成された、上記主表
面を露出する第１の光透過部１０と、透過する露光光の
位相を前記第１の光透過部１０を透過する露光光の位相
に対して１８０°変換する第２の光透過部２０とを含む
所定の露光パターンを有する位相シフトパターン３０と
を備えている。
【００２０】また、上述した第２の光透過部２０は、露
光光に対する透過率は５〜４０％のクロム層２と、透過
光との位相差が１８０度となるシフタ層３との２層構造
となっている。
光光に対する透過率は５〜４０％のクロム層２と、透過
光との位相差が１８０度となるシフタ層３との２層構造
となっている。
【００２１】上記構造よりなる位相シフトマスク１００
を通過する露光光のマスク上の電場は、図３３（ｂ）に
示すようになる。よって、ウェハ上の光強度は、図３３
（ｃ）に示すように露光パターンのエッジで位相が反転
する。
を通過する露光光のマスク上の電場は、図３３（ｂ）に
示すようになる。よって、ウェハ上の光強度は、図３３
（ｃ）に示すように露光パターンのエッジで位相が反転
する。
【００２２】したがって、露光パターンのエッジでの光
強度が図に示すように必ず０となり、露光パターンの光
透過部１０と位相シフタ部２０との電場の差は十分とな
り、高い解像度を得ることが可能となる。
強度が図に示すように必ず０となり、露光パターンの光
透過部１０と位相シフタ部２０との電場の差は十分とな
り、高い解像度を得ることが可能となる。
【００２３】なお、上述した第２の光透過部２０の露光
光に対する透過率を５〜４０％としたのは、リソグラフ
ィーにおいて適正な露光量とするために、図３４に示す
ように、透過率によってレジスト膜の現像後の膜厚を調
整するためである。
光に対する透過率を５〜４０％としたのは、リソグラフ
ィーにおいて適正な露光量とするために、図３４に示す
ように、透過率によってレジスト膜の現像後の膜厚を調
整するためである。
【００２４】次に、上記位相シフトマスク１００の製造
方法について説明する。図３５〜図３９は、図３３に示
す位相シフトマスク１００の断面に従った製造工程を示
す断面構造図である。
方法について説明する。図３５〜図３９は、図３３に示
す位相シフトマスク１００の断面に従った製造工程を示
す断面構造図である。
【００２５】まず、図３５を参照して、ガラス基板１の
上に、露光光に対する透過率が５〜４０％、膜厚５０〜
２００Å程度のクロム膜２を形成する。その後、このク
ロム膜２の上に、透過する露光光の位相が１８０°変換
する膜厚３０００〜４０００Å程のを有するＳｉＯ2 膜
３を形成する。その後、このＳｉＯ2 膜３の上に、電子
ビーム用レジスト膜５を形成する。
上に、露光光に対する透過率が５〜４０％、膜厚５０〜
２００Å程度のクロム膜２を形成する。その後、このク
ロム膜２の上に、透過する露光光の位相が１８０°変換
する膜厚３０００〜４０００Å程のを有するＳｉＯ2 膜
３を形成する。その後、このＳｉＯ2 膜３の上に、電子
ビーム用レジスト膜５を形成する。
【００２６】次に、図３６を参照して、電子ビーム用レ
ジスト膜５の所定箇所に、電子ビームを露光して、現像
することにより、所望のパターンを有するレジスト膜５
を形成する。
ジスト膜５の所定箇所に、電子ビームを露光して、現像
することにより、所望のパターンを有するレジスト膜５
を形成する。
【００２７】次に、図３７を参照して、レジスト膜５を
マスクとして、ＣＨＦ3 系のガスを用いてＳｉＯ2 膜を
エッチングする。その後、図３８を参照して、再びレジ
スト膜５およびＳｉＯ2 膜３をマスクとして、ウェット
エッチングによりクロム膜２のエッチングを行なう。
マスクとして、ＣＨＦ3 系のガスを用いてＳｉＯ2 膜を
エッチングする。その後、図３８を参照して、再びレジ
スト膜５およびＳｉＯ2 膜３をマスクとして、ウェット
エッチングによりクロム膜２のエッチングを行なう。
【００２８】次に、図３９を参照して、レジスト膜５を
除去することにより、位相シフトマスク１００が完成す
る。
除去することにより、位相シフトマスク１００が完成す
る。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、第２の光透過部２０の構成は、透過
率を制御するクロム膜２と位相差を制御するＳｉＯ2 膜
３との２層構造となっている。このために、クロム膜を
形成するための装置およびその工程と、ＳｉＯ2膜を形
成するための装置およびその工程が必要となる。
来技術においては、第２の光透過部２０の構成は、透過
率を制御するクロム膜２と位相差を制御するＳｉＯ2 膜
３との２層構造となっている。このために、クロム膜を
形成するための装置およびその工程と、ＳｉＯ2膜を形
成するための装置およびその工程が必要となる。
【００３０】また、クロム膜とＳｉＯ2 膜のエッチング
時においても、それぞれ別々のエッチング剤を用いてエ
ッチングを行なわなければならず、したがって、プロセ
スが多工程となるために、欠陥の発生する確率やパター
ン寸法の加工誤差を含む確率が高くなるといった問題点
を有している。
時においても、それぞれ別々のエッチング剤を用いてエ
ッチングを行なわなければならず、したがって、プロセ
スが多工程となるために、欠陥の発生する確率やパター
ン寸法の加工誤差を含む確率が高くなるといった問題点
を有している。
【００３１】また、図４０を参照して、位相シフトマス
クのパターンに、残り欠陥（黒欠陥）５０やピンホール
欠陥（白欠陥）５１が生じた場合、これらの欠陥を修正
するために、クロム膜とＳｉＯ2 膜との各膜に適応可能
な修正方法が必要となる。そのために、従来の修正方法
を用いることができないという問題点もあった。
クのパターンに、残り欠陥（黒欠陥）５０やピンホール
欠陥（白欠陥）５１が生じた場合、これらの欠陥を修正
するために、クロム膜とＳｉＯ2 膜との各膜に適応可能
な修正方法が必要となる。そのために、従来の修正方法
を用いることができないという問題点もあった。
【００３２】さらに、図４０を参照して、上述した位相
シフトマスク１００を用いた露光方法によれば、位相シ
フトマスク１００の第２の光透過部２０の膜厚は３０５
０Å〜４２００Å程度と比較的厚いものとなる。したが
って、露光光源からの露光光のうち、図に示すように傾
いた成分を有する露光光は、位相シフトマスク１００の
第２の光透過部２０を透過しても、確実には位相差が１
８０°変換されず、位相差が異なった成分を有する露光
光が生じてしまうという問題点があった。
シフトマスク１００を用いた露光方法によれば、位相シ
フトマスク１００の第２の光透過部２０の膜厚は３０５
０Å〜４２００Å程度と比較的厚いものとなる。したが
って、露光光源からの露光光のうち、図に示すように傾
いた成分を有する露光光は、位相シフトマスク１００の
第２の光透過部２０を透過しても、確実には位相差が１
８０°変換されず、位相差が異なった成分を有する露光
光が生じてしまうという問題点があった。
【００３３】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたもので、位相シフトマスクの製造時のプロセス
の低減を図り、高品質の位相シフトマスクおよびその製
造方法を提供することを目的とする。
なされたもので、位相シフトマスクの製造時のプロセス
の低減を図り、高品質の位相シフトマスクおよびその製
造方法を提供することを目的とする。
【００３４】さらに、この発明は、位相シフトマスクを
用いた露光方法において、半導体装置の製造工程におけ
る露光不良の改善を図り、歩留りの向上を図ることを可
能とした位相シフトマスクを用いた露光方法を提供する
ことを目的とする。
用いた露光方法において、半導体装置の製造工程におけ
る露光不良の改善を図り、歩留りの向上を図ることを可
能とした位相シフトマスクを用いた露光方法を提供する
ことを目的とする。
【００３５】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた位相
シフトマスクの１つの局面においては、露光光を透過す
る基板と、この基板の主表面上に形成された位相シフト
パターンとを備えている。また、上記位相シフトパター
ンを、上記基板が露出する第１の光透過部と、透過する
露光光の位相と透過率とが、上記第１の光透過部を透過
する露光光の位相に対して１８０°変換し、かつ、透過
率が５〜４０％であり、単一の材料からなる第２の光透
過部とを有している。
シフトマスクの１つの局面においては、露光光を透過す
る基板と、この基板の主表面上に形成された位相シフト
パターンとを備えている。また、上記位相シフトパター
ンを、上記基板が露出する第１の光透過部と、透過する
露光光の位相と透過率とが、上記第１の光透過部を透過
する露光光の位相に対して１８０°変換し、かつ、透過
率が５〜４０％であり、単一の材料からなる第２の光透
過部とを有している。
【００３６】さらに好ましくは、上記第２の光透過部
は、金属の酸化物、金属の酸化窒化物、金属シリサイド
の酸化物および金属シリサイドの酸化窒化物からなる群
より選択される１種類の材料から構成されている。
は、金属の酸化物、金属の酸化窒化物、金属シリサイド
の酸化物および金属シリサイドの酸化窒化物からなる群
より選択される１種類の材料から構成されている。
【００３７】さらに好ましくは、上記第２の光透過部
は、クロムの酸化物、クロムの酸化窒化物、クロムの酸
化窒化炭化物、モリブデンシリサイドの酸化物およびモ
リブデンシリサイドの酸化窒化物からなる群より選択さ
れる１種類の材料から構成されている。
は、クロムの酸化物、クロムの酸化窒化物、クロムの酸
化窒化炭化物、モリブデンシリサイドの酸化物およびモ
リブデンシリサイドの酸化窒化物からなる群より選択さ
れる１種類の材料から構成されている。
【００３８】さらに好ましくは、上記第２の光透過部の
透過率は、上記第２の光透過部に含有される酸素または
窒素により制御され、位相差は、膜厚によって制御され
ている。
透過率は、上記第２の光透過部に含有される酸素または
窒素により制御され、位相差は、膜厚によって制御され
ている。
【００３９】次に、この発明に基づいた位相シフトマス
クの製造方法においては、以下の工程を備えている。
クの製造方法においては、以下の工程を備えている。
【００４０】まず、露光光を透過する基板の上に、透過
する露光光の位相を１８０°変換し、かつ５〜４０％の
透過率を有する所定厚さの位相シフタ膜がスパッタリン
グ法を用いて形成される。その後、この位相シフタ膜の
上に、所定のパターンを有するレジスト膜が形成され
る。
する露光光の位相を１８０°変換し、かつ５〜４０％の
透過率を有する所定厚さの位相シフタ膜がスパッタリン
グ法を用いて形成される。その後、この位相シフタ膜の
上に、所定のパターンを有するレジスト膜が形成され
る。
【００４１】次に、このレジスト膜をマスクとして、ド
ライエッチング法により、上記位相シフタ膜のエッチン
グが行なわれ上記基板が露出してなる第１の光透過部と
前記位相シフタ膜からなる第２の光透過部が形成され
る。
ライエッチング法により、上記位相シフタ膜のエッチン
グが行なわれ上記基板が露出してなる第１の光透過部と
前記位相シフタ膜からなる第２の光透過部が形成され
る。
【００４２】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、モリブデンシリサイドのターゲットを用
い、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中で、モリブデ
ンシリサイド酸化物の膜が形成される工程を含んでい
る。
成する工程は、モリブデンシリサイドのターゲットを用
い、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中で、モリブデ
ンシリサイド酸化物の膜が形成される工程を含んでい
る。
【００４３】さらに好ましくは、上記混合ガスの各成分
が占める体積百分率は、アルゴンガスが６５〜９２％の
範囲であり、残りが酸素ガスである。
が占める体積百分率は、アルゴンガスが６５〜９２％の
範囲であり、残りが酸素ガスである。
【００４４】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、モリブデンシリサイドのターゲットを用
い、アルゴンガス、酸素ガスおよび窒素ガスの混合ガス
雰囲気中で、モリブデンシリサイド酸化窒化物の膜が形
成される工程を含んでいる。
成する工程は、モリブデンシリサイドのターゲットを用
い、アルゴンガス、酸素ガスおよび窒素ガスの混合ガス
雰囲気中で、モリブデンシリサイド酸化窒化物の膜が形
成される工程を含んでいる。
【００４５】さらに好ましくは、上記混合ガスの各成分
を占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが６５〜７
９％、酸素ガスが８〜２４％、窒素ガスが３〜２０％で
ある。
を占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが６５〜７
９％、酸素ガスが８〜２４％、窒素ガスが３〜２０％で
ある。
【００４６】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴンと
酸素との混合ガス雰囲気中で、クロム酸化物の膜が形成
される工程を含んでいる。
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴンと
酸素との混合ガス雰囲気中で、クロム酸化物の膜が形成
される工程を含んでいる。
【００４７】さらに好ましくは、上記混合ガスの各成分
が占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが３６〜９
７％の範囲であり、残りが酸素ガスである。
が占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが３６〜９
７％の範囲であり、残りが酸素ガスである。
【００４８】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴン，
酸素および窒素の混合ガス雰囲気中で、クロムの酸化窒
化物の膜が形成される工程を含んでいる。
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴン，
酸素および窒素の混合ガス雰囲気中で、クロムの酸化窒
化物の膜が形成される工程を含んでいる。
【００４９】さらに好ましくは、上記混合ガスの各成分
の占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが４８〜９
０％、酸素が１〜３９％、窒素が６〜１４％である。
の占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが４８〜９
０％、酸素が１〜３９％、窒素が６〜１４％である。
【００５０】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴンと
一酸化窒素との混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒化物
の膜が形成される工程を含んでいる。
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴンと
一酸化窒素との混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒化物
の膜が形成される工程を含んでいる。
【００５１】さらに好ましくは、上記混合ガスの各成分
の占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが８２〜８
７％の範囲であり、残りが一酸化窒素である。
の占める体積百分率の範囲は、アルゴンガスが８２〜８
７％の範囲であり、残りが一酸化窒素である。
【００５２】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴン，
酸素およびメタンの混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒
化炭化物の膜が形成される工程を含んでいる。
成する工程は、クロムのターゲットを用い、アルゴン，
酸素およびメタンの混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒
化炭化物の膜が形成される工程を含んでいる。
【００５３】さらに好ましくは、上記混合ガスの各成分
の占める体積百分率の範囲が、アルゴンガスが７８〜８
８％、酸素が２％〜１３％、メタンが８〜１０％であ
る。
の占める体積百分率の範囲が、アルゴンガスが７８〜８
８％、酸素が２％〜１３％、メタンが８〜１０％であ
る。
【００５４】さらに好ましくは、上記位相シフトマスク
を形成する工程には帯電防止膜が形成される工程を含ん
でいる。
を形成する工程には帯電防止膜が形成される工程を含ん
でいる。
【００５５】さらに好ましくは、上記帯電防止膜を形成
する工程は、上記位相シフタ膜を形成する工程と上記レ
ジスト膜を形成する工程との間にスパッタリング法によ
りモリブデン膜が形成される。
する工程は、上記位相シフタ膜を形成する工程と上記レ
ジスト膜を形成する工程との間にスパッタリング法によ
りモリブデン膜が形成される。
【００５６】さらに好ましくは、上記帯電防止膜を形成
する工程は、上記位相シフタ膜を形成する工程と上記レ
ジスト膜を形成する工程との間にスパッタリング法によ
り、クロム膜が形成される。
する工程は、上記位相シフタ膜を形成する工程と上記レ
ジスト膜を形成する工程との間にスパッタリング法によ
り、クロム膜が形成される。
【００５７】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜のエ
ッチングを行なう工程は、フッ化炭素と酸素との混合ガ
スを用いてドライエッチング法により行なわれる。
ッチングを行なう工程は、フッ化炭素と酸素との混合ガ
スを用いてドライエッチング法により行なわれる。
【００５８】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜のエ
ッチングを行なう工程は、塩化メチレンと酸素との混合
ガス、塩素と酸素との混合ガスおよび塩素ガスからなる
群より選択される１種類のガスを用いてドライエッチン
グ法により行なわれる。
ッチングを行なう工程は、塩化メチレンと酸素との混合
ガス、塩素と酸素との混合ガスおよび塩素ガスからなる
群より選択される１種類のガスを用いてドライエッチン
グ法により行なわれる。
【００５９】さらに好ましくは、上記位相シフタ膜を形
成する工程は、位相シフタ膜をスパッタリング法を用い
て形成した後に、２００℃以上の加熱処理を行なう工程
を含んでいる。
成する工程は、位相シフタ膜をスパッタリング法を用い
て形成した後に、２００℃以上の加熱処理を行なう工程
を含んでいる。
【００６０】次に、この発明に基づいた位相シフトマス
クを用いた露光方法においては、以下の工程を備えてい
る。
クを用いた露光方法においては、以下の工程を備えてい
る。
【００６１】まず、パターン形成層の上にレジスト膜が
塗布される。その後、上記レジスト膜を、露光光を透過
する基板の上に形成された上記基板が露出する第１の光
透過部と、透過する露光光の位相と透過率とが、上記第
１の光透過部を透過する露光光の位相に対して１８０°
変換し、かつ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料
からなる第２の光透過部とを有する位相シフトパターン
を備えた位相シフトマスクを用いて露光する工程とを備
えている。
塗布される。その後、上記レジスト膜を、露光光を透過
する基板の上に形成された上記基板が露出する第１の光
透過部と、透過する露光光の位相と透過率とが、上記第
１の光透過部を透過する露光光の位相に対して１８０°
変換し、かつ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料
からなる第２の光透過部とを有する位相シフトパターン
を備えた位相シフトマスクを用いて露光する工程とを備
えている。
【００６２】
【作用】以上、この発明に基づいた位相シフトマスクお
よびその製造方法によれば、第２の光透過部が単一材料
の膜のみから構成されている。
よびその製造方法によれば、第２の光透過部が単一材料
の膜のみから構成されている。
【００６３】また、位相シフタの製造工程においては、
露光光を透過する基板の上に、スパッタリング法を用い
て所定の単一材料の膜を形成し、その後、所定のエッチ
ングを行なうことにより、第２の光透過部の形成が行な
われる。
露光光を透過する基板の上に、スパッタリング法を用い
て所定の単一材料の膜を形成し、その後、所定のエッチ
ングを行なうことにより、第２の光透過部の形成が行な
われる。
【００６４】これにより、従来のスパッタリング装置を
用いて位相シフタ部を形成することが可能であり、ま
た、エッチング工程においても、単一のエッチング剤を
用いることで、位相シフタ部をエッチングすることが可
能となる。
用いて位相シフタ部を形成することが可能であり、ま
た、エッチング工程においても、単一のエッチング剤を
用いることで、位相シフタ部をエッチングすることが可
能となる。
【００６５】その結果、従来に比べて、その製造工程が
位相シフタ膜の形成工程および位相シフタ膜のエッチン
グ工程がそれぞれ１回で済み、欠陥の発生する確率およ
びパターン寸法の加工誤差が生じる確率を低下させるこ
とが可能となり、高品質の位相シフトマスクを提供する
ことが可能となる。
位相シフタ膜の形成工程および位相シフタ膜のエッチン
グ工程がそれぞれ１回で済み、欠陥の発生する確率およ
びパターン寸法の加工誤差が生じる確率を低下させるこ
とが可能となり、高品質の位相シフトマスクを提供する
ことが可能となる。
【００６６】また、欠陥部分の修正も、第２の光透過部
が単一材料の膜であるために、従来の方法を用いて容易
に行なうことができる。
が単一材料の膜であるために、従来の方法を用いて容易
に行なうことができる。
【００６７】次に、この発明に基づいた位相シフトマス
クを用いた露光方法によれば、第１の光透過部が単一材
料の膜からなる位相シフトマスクを用いている。これに
より、第２の光透過部の膜厚は１５００Å〜２０００Å
程度と薄く形成することができ、露光光に含まれる斜め
成分の露光光に対しても、１８０°の位相差を与えるこ
とが可能となる。したがって、位相シフトマスクの第２
の光透過部を透過した後の露光光の位相差が均一とな
り、露光不良の発生を防止することが可能となる。その
結果、半導体装置の製造工程における歩留りの向上を図
ることが可能となる。
クを用いた露光方法によれば、第１の光透過部が単一材
料の膜からなる位相シフトマスクを用いている。これに
より、第２の光透過部の膜厚は１５００Å〜２０００Å
程度と薄く形成することができ、露光光に含まれる斜め
成分の露光光に対しても、１８０°の位相差を与えるこ
とが可能となる。したがって、位相シフトマスクの第２
の光透過部を透過した後の露光光の位相差が均一とな
り、露光不良の発生を防止することが可能となる。その
結果、半導体装置の製造工程における歩留りの向上を図
ることが可能となる。
【００６８】
【実施例】以下、この発明に基づいた第１の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００６９】まず、図１を参照して、この実施例におけ
る位相シフトマスクの構造について説明する。この位相
シフトマスク２００は、露光光を透過する石英基板１
と、この石英基板１の主表面上に形成された位相シフト
パターン３０とを備えている。この位相シフトパターン
３０は、前記石英基板１が露出する第１の光透過部１０
と、透過する露光光の位相と透過率とが、上記第１の光
透過部１０を透過する露光光の位相に対して１８０°変
換し、かつ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料か
らなる第２の光透過部４とから構成されている。
る位相シフトマスクの構造について説明する。この位相
シフトマスク２００は、露光光を透過する石英基板１
と、この石英基板１の主表面上に形成された位相シフト
パターン３０とを備えている。この位相シフトパターン
３０は、前記石英基板１が露出する第１の光透過部１０
と、透過する露光光の位相と透過率とが、上記第１の光
透過部１０を透過する露光光の位相に対して１８０°変
換し、かつ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料か
らなる第２の光透過部４とから構成されている。
【００７０】次に、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照
して、上記構造よりなる位相シフトマスク２００を通過
する露光光のマスク上の電場およびウェハ上の光強度に
ついて説明する。
して、上記構造よりなる位相シフトマスク２００を通過
する露光光のマスク上の電場およびウェハ上の光強度に
ついて説明する。
【００７１】図２（ａ）を参照して、上述した位相シフ
トマスク２００の断面図である。図２（ｂ）を参照し
て、マスク上の電場は、露光パターンのエッジで位相が
反転しているために、露光パターンのエッジ部での電場
が必ず０となる。よって、図２（ｃ）を参照して、露光
パターンの光透過部１０と位相シフタ部４とのウェハ上
における電場の差が十分となり高い解像度を得ることが
可能となる。
トマスク２００の断面図である。図２（ｂ）を参照し
て、マスク上の電場は、露光パターンのエッジで位相が
反転しているために、露光パターンのエッジ部での電場
が必ず０となる。よって、図２（ｃ）を参照して、露光
パターンの光透過部１０と位相シフタ部４とのウェハ上
における電場の差が十分となり高い解像度を得ることが
可能となる。
【００７２】ここで、第２の光透過部４の透過率を５〜
４０％としたのは、従来技術と同様に、透過率によって
レジスト膜の現像後の膜厚を調整し、リソグラフィにお
いて、適正な露光量とするためである。
４０％としたのは、従来技術と同様に、透過率によって
レジスト膜の現像後の膜厚を調整し、リソグラフィにお
いて、適正な露光量とするためである。
【００７３】次に、第２の実施例として上記位相シフト
マスク２００の製造方法について、位相シフタ膜として
モリブデンシリサイド酸化膜またはモリブデンシリサイ
ド酸化窒化膜を用いた場合について説明する。
マスク２００の製造方法について、位相シフタ膜として
モリブデンシリサイド酸化膜またはモリブデンシリサイ
ド酸化窒化膜を用いた場合について説明する。
【００７４】図３〜図６は、図１に示す位相シフトマス
ク２００の断面に従った製造工程を示す断面構造図であ
る。
ク２００の断面に従った製造工程を示す断面構造図であ
る。
【００７５】まず、図３を参照して、石英基板１の上
に、スパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイド
酸化膜またはモリブデンシリサイド酸化窒化膜よりなる
位相シフタ膜４を形成する。
に、スパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイド
酸化膜またはモリブデンシリサイド酸化窒化膜よりなる
位相シフタ膜４を形成する。
【００７６】その後、この位相シフタ膜４の透過率を安
定させるために、クリーンオーブンなどを用いて２００
℃以上の加熱処理を行なう。
定させるために、クリーンオーブンなどを用いて２００
℃以上の加熱処理を行なう。
【００７７】これにより、従来位相シフタ膜の成膜のレ
ジスト塗布プロセスなどの加熱処理（約１８０℃）によ
る透過率の変動（０．５〜１．０％）を防止することが
できる。
ジスト塗布プロセスなどの加熱処理（約１８０℃）によ
る透過率の変動（０．５〜１．０％）を防止することが
できる。
【００７８】次に、この位相シフタ膜４の上に、電子ビ
ーム用レジスト膜５（日本ゼオン製ＺＥＰ−８１０Ｓ
（登録商標））などを膜厚約５０００Å形成する。その
後、モリブデンシリサイド酸化膜またはモリブデンシリ
サイド酸化窒化膜は導電性を有しないため、電子ビーム
による露光時の帯電を防止するために、帯電防止膜６
（昭和電工製 エスペーサ１００（登録商標））などを
約１００Å形成する。
ーム用レジスト膜５（日本ゼオン製ＺＥＰ−８１０Ｓ
（登録商標））などを膜厚約５０００Å形成する。その
後、モリブデンシリサイド酸化膜またはモリブデンシリ
サイド酸化窒化膜は導電性を有しないため、電子ビーム
による露光時の帯電を防止するために、帯電防止膜６
（昭和電工製 エスペーサ１００（登録商標））などを
約１００Å形成する。
【００７９】次に、図４を参照して、電子ビーム用レジ
スト膜５に、電子ビームを露光し帯電防止膜６を水洗で
除去する。その後、レジスト膜５を現像することによ
り、所定のレジストパターンを有するレジスト膜５を形
成する。
スト膜５に、電子ビームを露光し帯電防止膜６を水洗で
除去する。その後、レジスト膜５を現像することによ
り、所定のレジストパターンを有するレジスト膜５を形
成する。
【００８０】次に、図５を参照して、上記レジスト膜５
をマスクとして、位相シフタ膜４のエッチングを行な
う。このときのエッチング装置は、平行平板型のＲＦイ
オンエッチング装置を用い、電極基板間距離を６０ｍ
ｍ、作動圧力０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣＦ4 ＋Ｏ2 を
用いてそれぞれの流量を９５ｓｃｃｍおよび５ｓｃｃｍ
により、エッチング時間約１１分によりエッチングを行
なう。
をマスクとして、位相シフタ膜４のエッチングを行な
う。このときのエッチング装置は、平行平板型のＲＦイ
オンエッチング装置を用い、電極基板間距離を６０ｍ
ｍ、作動圧力０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣＦ4 ＋Ｏ2 を
用いてそれぞれの流量を９５ｓｃｃｍおよび５ｓｃｃｍ
により、エッチング時間約１１分によりエッチングを行
なう。
【００８１】次に、図６を参照して、レジスト膜５を除
去する。以上により、この実施例における位相シフトマ
スクが完成する。
去する。以上により、この実施例における位相シフトマ
スクが完成する。
【００８２】次に、上述したスパッタリング法を用いた
位相シフタ膜の形成について、以下詳述する。位相シフ
タ膜に要求される条件としては、まず露光光に対する透
過率が５〜４０％の範囲内であること、および露光光の
位相を１８０°変換させることが要求される。
位相シフタ膜の形成について、以下詳述する。位相シフ
タ膜に要求される条件としては、まず露光光に対する透
過率が５〜４０％の範囲内であること、および露光光の
位相を１８０°変換させることが要求される。
【００８３】よって，これらの条件を満たす膜として、
本実施例においては上述したように、モリブデンシリサ
イド酸化物およびモリブデンシリサイド酸化窒化物から
なる膜を用いた。
本実施例においては上述したように、モリブデンシリサ
イド酸化物およびモリブデンシリサイド酸化窒化物から
なる膜を用いた。
【００８４】まず、図７を参照して、上記膜を形成する
ためのスパッタリング装置について説明する。
ためのスパッタリング装置について説明する。
【００８５】図７に示すスパッタリング装置は、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング装置５００の構成を示す概略
図である。
グネトロンスパッタリング装置５００の構成を示す概略
図である。
【００８６】このＤＣマグネトロンスパッタリング装置
５００は、真空槽５０６の内部に、ターゲット５０７
と、マグネット５０８とからなるマグネトロンカソード
５０９が設けられている。
５００は、真空槽５０６の内部に、ターゲット５０７
と、マグネット５０８とからなるマグネトロンカソード
５０９が設けられている。
【００８７】また、ターゲット５０７に、所定の距離を
隔てて対向してアノード５１０が配置され、このアノー
ド５１０のターゲット５０７の対向面上に、たとえば、
２．３ｍｍ厚さ、１２７ｍｍ角の石英基板１が配置され
ている。
隔てて対向してアノード５１０が配置され、このアノー
ド５１０のターゲット５０７の対向面上に、たとえば、
２．３ｍｍ厚さ、１２７ｍｍ角の石英基板１が配置され
ている。
【００８８】さらに、排気管５１２およびガス導入管５
１３が真空槽５０６の所定の位置に設けられている。膜
の形成時においては、ターゲットとして、モリブデンシ
リサイドを用い、成膜時の上記石英基板１の温度は、図
示しないヒータおよび温度制御装置により、６０℃〜１
５０℃に保持されている。
１３が真空槽５０６の所定の位置に設けられている。膜
の形成時においては、ターゲットとして、モリブデンシ
リサイドを用い、成膜時の上記石英基板１の温度は、図
示しないヒータおよび温度制御装置により、６０℃〜１
５０℃に保持されている。
【００８９】このような状態において、ガス導入管５１
３からスパッタガスとしてのアルゴンと、反応ガスとし
ての酸素および窒素との混合ガスを所定の割合で導入
し、真空層５０６内の圧力を所定の値に保持し、両電極
間に直流電圧をかける。
３からスパッタガスとしてのアルゴンと、反応ガスとし
ての酸素および窒素との混合ガスを所定の割合で導入
し、真空層５０６内の圧力を所定の値に保持し、両電極
間に直流電圧をかける。
【００９０】本実施例においては、この位相シフタ膜の
成膜において、種々のケースのモリブデンシリサイド酸
化物およびモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる位
相シフタ膜を形成した。
成膜において、種々のケースのモリブデンシリサイド酸
化物およびモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる位
相シフタ膜を形成した。
【００９１】表１は、上記スパッタ条件の下で、混合ガ
スの流量比を種々設定した場合の各ケースにおける真空
層５０６内の圧力、堆積速度および膜質を示すものであ
り、ケースＭ−１〜Ｍ−７、Ｍ−１４〜Ｍ−１５はモリ
ブデンシリサイド酸化窒化物の位相シフタ膜であり、ケ
ースＭ−８〜Ｍ−１３、Ｍ−１６〜Ｍ−１７はモリブデ
ンシリサイド酸化物の位相シフタ膜である。
スの流量比を種々設定した場合の各ケースにおける真空
層５０６内の圧力、堆積速度および膜質を示すものであ
り、ケースＭ−１〜Ｍ−７、Ｍ−１４〜Ｍ−１５はモリ
ブデンシリサイド酸化窒化物の位相シフタ膜であり、ケ
ースＭ−８〜Ｍ−１３、Ｍ−１６〜Ｍ−１７はモリブデ
ンシリサイド酸化物の位相シフタ膜である。
【００９２】また、表２〜表４は、露光光として用いら
れるｋｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６
５ｎｍ）およびｇ線（λ＝４３６ｎｍ）に対する各ケー
スにおける透過率、光学定数（ｎ−ｉ・ｋ）のｎ値とｋ
値および位相を１８０°変換させるための膜厚ｄS を示
すグラフである。
れるｋｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６
５ｎｍ）およびｇ線（λ＝４３６ｎｍ）に対する各ケー
スにおける透過率、光学定数（ｎ−ｉ・ｋ）のｎ値とｋ
値および位相を１８０°変換させるための膜厚ｄS を示
すグラフである。
【００９３】上記表２〜表４中において、膜厚ｄS は、
露光光の波長λ、および光学定数のｎ値から、 ｄS ＝λ／２（ｎ−１）…（２） の関係式で求めることかできる。
露光光の波長λ、および光学定数のｎ値から、 ｄS ＝λ／２（ｎ−１）…（２） の関係式で求めることかできる。
【００９４】
【表１】
【００９５】
【表２】
【００９６】
【表３】
【００９７】
【表４】
【００９８】次に、図８ないし図１０は、表２ないし表
４に示された各ケースのデータをグラフに表したもので
あり、それぞれ横軸に光学定数のｎ値、左縦軸に光学定
数のｋ値、右縦軸に膜厚ｄS が表わされている。
４に示された各ケースのデータをグラフに表したもので
あり、それぞれ横軸に光学定数のｎ値、左縦軸に光学定
数のｋ値、右縦軸に膜厚ｄS が表わされている。
【００９９】また、図８〜図１０中には、透過率Ｔを示
すグラフを同時に記載している。まず、図８を参照し
て、露光光がｋｒＦレーザの場合、位相シフタ膜として
要求される透過率Ｔが５％〜４０％の範囲内にあるの
は、Ｍ−１、Ｍ−８、Ｍ−１０〜Ｍ−１３、Ｍ−１７で
あることがわかる。
すグラフを同時に記載している。まず、図８を参照し
て、露光光がｋｒＦレーザの場合、位相シフタ膜として
要求される透過率Ｔが５％〜４０％の範囲内にあるの
は、Ｍ−１、Ｍ−８、Ｍ−１０〜Ｍ−１３、Ｍ−１７で
あることがわかる。
【０１００】次に、図９を参照して、露光光がｉ線の場
合、位相シフトマスクとして要求される透過率Ｔが５％
〜４０％の範囲内にあるのは、Ｍ−１〜Ｍ−３、Ｍ−
８、Ｍ−１１〜Ｍ−１７であることがわかる。
合、位相シフトマスクとして要求される透過率Ｔが５％
〜４０％の範囲内にあるのは、Ｍ−１〜Ｍ−３、Ｍ−
８、Ｍ−１１〜Ｍ−１７であることがわかる。
【０１０１】次に、図１０を参照して、露光光がｇ線の
場合、位相シフタ膜として要求される透過率Ｔが５％〜
４０％の範囲内にあるのは、Ｍ−１〜Ｍ−３、Ｍ−７、
Ｍ−１１〜Ｍ−１７であることがわかる。
場合、位相シフタ膜として要求される透過率Ｔが５％〜
４０％の範囲内にあるのは、Ｍ−１〜Ｍ−３、Ｍ−７、
Ｍ−１１〜Ｍ−１７であることがわかる。
【０１０２】以上の結果、位相シフタ膜として用いるこ
とのできるのは、Ｍ−１〜Ｍ−３、Ｍ−７、Ｍ−８、Ｍ
−１１〜Ｍ−１７であることがわかる。
とのできるのは、Ｍ−１〜Ｍ−３、Ｍ−７、Ｍ−８、Ｍ
−１１〜Ｍ−１７であることがわかる。
【０１０３】次に、上記各ケースを、ガス流量比の関係
に基づいてグラフにしたものが図１１である。
に基づいてグラフにしたものが図１１である。
【０１０４】図１１に示すグラフは、ケースＭ−１〜ケ
ースＭ−１７におけるアルゴン、酸素および窒素の割合
をグラフにしたものである。
ースＭ−１７におけるアルゴン、酸素および窒素の割合
をグラフにしたものである。
【０１０５】三角形の底辺がアルゴンの流量比（％）、
三角形の左側斜辺が酸素の流量比（％）、三角形の右側
斜辺が窒素の流量比（％）を示し、各ケースの混合ガス
のポイントをプロットしたものである。また、図８〜図
１０の上記結果から、位相シフタ膜として用いることが
できるのは、○印、位相シフタ膜として用いることがで
きないものを×印で表している。
三角形の左側斜辺が酸素の流量比（％）、三角形の右側
斜辺が窒素の流量比（％）を示し、各ケースの混合ガス
のポイントをプロットしたものである。また、図８〜図
１０の上記結果から、位相シフタ膜として用いることが
できるのは、○印、位相シフタ膜として用いることがで
きないものを×印で表している。
【０１０６】この図１１のグラフからもわかるように、
位相シフタ膜として用いることができる場合の混合ガス
の各成分が占める体積百分率は、モリブデンシリサイド
酸化物の膜の場合は、 アルゴンが７６％〜９２％ 酸素が１８％〜２４％ であることがわかる。
位相シフタ膜として用いることができる場合の混合ガス
の各成分が占める体積百分率は、モリブデンシリサイド
酸化物の膜の場合は、 アルゴンが７６％〜９２％ 酸素が１８％〜２４％ であることがわかる。
【０１０７】また、モリブデンシリサイド酸化窒化物の
膜の場合は、 アルゴンが６５％〜７９％ 酸素が８％〜２４％ 窒素が３％〜２０％ であることがわかる。
膜の場合は、 アルゴンが６５％〜７９％ 酸素が８％〜２４％ 窒素が３％〜２０％ であることがわかる。
【０１０８】ここで酸素の上限を３５％としたのは、こ
れ以上、特に酸素の占める割合を５０％以上にすると、
スパッタリング装置の電極に酸化物が堆積して、スパッ
タができなくなるためであり、装置側の制約から規定し
たものである。
れ以上、特に酸素の占める割合を５０％以上にすると、
スパッタリング装置の電極に酸化物が堆積して、スパッ
タができなくなるためであり、装置側の制約から規定し
たものである。
【０１０９】以上、この実施例に基づいた位相シフトマ
スクおよびその製造方法によれば、第２の光透過部が４
〜５０％の透過率を有するモリブデンシリサイド酸化物
またはモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる膜のみ
から構成されている。
スクおよびその製造方法によれば、第２の光透過部が４
〜５０％の透過率を有するモリブデンシリサイド酸化物
またはモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる膜のみ
から構成されている。
【０１１０】また、その製造工程においては、上述した
モリブデンシリサイド酸化物またはモリブデンシリサイ
ド酸化窒化物からなる膜をスパッタリング法を用いて所
定の膜厚に形成し、その後、所定のエッチングを行なう
ことにより、第２の光透過部を形成している。
モリブデンシリサイド酸化物またはモリブデンシリサイ
ド酸化窒化物からなる膜をスパッタリング法を用いて所
定の膜厚に形成し、その後、所定のエッチングを行なう
ことにより、第２の光透過部を形成している。
【０１１１】その結果、従来のスパッタリング装置を用
いて、位相シフタ膜としての膜を形成し、またエッチン
グ工程も１回となるために、欠陥が発生する確率および
加工寸法の誤差の生じる確率を低下することが可能とな
る。
いて、位相シフタ膜としての膜を形成し、またエッチン
グ工程も１回となるために、欠陥が発生する確率および
加工寸法の誤差の生じる確率を低下することが可能とな
る。
【０１１２】次に、第３の実施例として上記位相シフト
マスク２００の製造方法について、位相シフタ膜とし
て、クロム酸化膜またはクロム酸化窒化膜またはクロム
酸化窒化炭化膜を用いた場合について説明する。
マスク２００の製造方法について、位相シフタ膜とし
て、クロム酸化膜またはクロム酸化窒化膜またはクロム
酸化窒化炭化膜を用いた場合について説明する。
【０１１３】図１２〜図１５は、図１に示す位相シフト
マスク２００の断面に従った製造工程を示す断面構造図
である。
マスク２００の断面に従った製造工程を示す断面構造図
である。
【０１１４】まず、図１２を参照して、石英基板１の上
に、スパッタリング法を用いて、クロム酸化膜またはク
ロム酸化窒化膜またはクロム酸化窒化炭化物よりなる位
相シフタ膜４を形成する。
に、スパッタリング法を用いて、クロム酸化膜またはク
ロム酸化窒化膜またはクロム酸化窒化炭化物よりなる位
相シフタ膜４を形成する。
【０１１５】次に、この位相シフタ膜４の透過率を安定
させるために、クリーンオーブンなどを用いて約２００
℃以上の加熱処理を行なう。
させるために、クリーンオーブンなどを用いて約２００
℃以上の加熱処理を行なう。
【０１１６】これにより、従来位相シフタ膜の成膜後の
レジスト塗布プロセスにおける加熱処理（約１８０℃）
による透過率の変動（０．５〜１．０％）を防止するこ
とができる。
レジスト塗布プロセスにおける加熱処理（約１８０℃）
による透過率の変動（０．５〜１．０％）を防止するこ
とができる。
【０１１７】次に、この位相シフタ膜４の上に、レジス
ト膜５を膜厚約５０００Å形成する。
ト膜５を膜厚約５０００Å形成する。
【０１１８】次に、図１３を参照して、レジスト膜５
に、ｉ線を露光し、レジスト膜５を現像することによ
り、所定のレジストパターンを有するレジスト膜５を形
成する。
に、ｉ線を露光し、レジスト膜５を現像することによ
り、所定のレジストパターンを有するレジスト膜５を形
成する。
【０１１９】次に、図１４を参照して、上記レジスト膜
５をマスクとして、位相シフタ膜４のエッチングを行な
う。このときのエッチング装置は、平行平板型のＲＦイ
オンエッチング装置を用い、電極基板間距離を１００ｍ
ｍ、作動圧力０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣＨ2 Ｃｌ2 ＋
Ｏ2 を用いてそれぞれの流量を２５ｓｃｃｍおよび７５
ｓｃｃｍにより、エッチング時間約４分によってエッチ
ングを行なう。以上により、この実施例における位相シ
フトマスクが完成する。
５をマスクとして、位相シフタ膜４のエッチングを行な
う。このときのエッチング装置は、平行平板型のＲＦイ
オンエッチング装置を用い、電極基板間距離を１００ｍ
ｍ、作動圧力０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣＨ2 Ｃｌ2 ＋
Ｏ2 を用いてそれぞれの流量を２５ｓｃｃｍおよび７５
ｓｃｃｍにより、エッチング時間約４分によってエッチ
ングを行なう。以上により、この実施例における位相シ
フトマスクが完成する。
【０１２０】次に、上述したスパッタリング法を用いた
位相シフトマスクの形成について以下詳述する。位相シ
フタ膜に要求される条件としては、上述したように、ま
ず露光光に対する透過率が５〜４０％の範囲内であるこ
と、および露光光の位相を１８０°変換させることが要
求される。
位相シフトマスクの形成について以下詳述する。位相シ
フタ膜に要求される条件としては、上述したように、ま
ず露光光に対する透過率が５〜４０％の範囲内であるこ
と、および露光光の位相を１８０°変換させることが要
求される。
【０１２１】したがって、これらの条件を満たす膜とし
て、本実施例においては、上述したように、クロム酸化
物およびクロム酸化窒化物またはクロム酸化窒化炭化物
からなる膜を用いた。
て、本実施例においては、上述したように、クロム酸化
物およびクロム酸化窒化物またはクロム酸化窒化炭化物
からなる膜を用いた。
【０１２２】なお、上述する位相シフタ膜を形成するた
めのスパッタリング装置の構造については、図７に示す
スパッタリング装置と同様であるために、ここでの説明
は省略する。
めのスパッタリング装置の構造については、図７に示す
スパッタリング装置と同様であるために、ここでの説明
は省略する。
【０１２３】本実施例においては、この位相シフタ膜の
成膜において、種々のケースのクロムの酸化膜およびク
ロム酸化窒化物およびクロム酸化窒化炭化物からなる位
相シフトマスクを形成した。
成膜において、種々のケースのクロムの酸化膜およびク
ロム酸化窒化物およびクロム酸化窒化炭化物からなる位
相シフトマスクを形成した。
【０１２４】表５は、上記スパッタ条件の下で、混合ガ
スの流量比を種々設定した場合の各ケースにおける真空
層５０６内の圧力、堆積速度および膜質を示すものであ
り、ケースＣ−１〜Ｃ−１３はクロム酸化物の位相シフ
タ膜であり、ケースＣ−１４〜Ｃ−２６は、クロム酸化
窒化物の位相シフタ膜であり、ケースＣ−２７〜Ｃ−３
０は、クロム酸化窒化炭化物の位相シフタ膜である。
スの流量比を種々設定した場合の各ケースにおける真空
層５０６内の圧力、堆積速度および膜質を示すものであ
り、ケースＣ−１〜Ｃ−１３はクロム酸化物の位相シフ
タ膜であり、ケースＣ−１４〜Ｃ−２６は、クロム酸化
窒化物の位相シフタ膜であり、ケースＣ−２７〜Ｃ−３
０は、クロム酸化窒化炭化物の位相シフタ膜である。
【０１２５】また、表６〜表８は、露光光として用いら
れるｋｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６
５ｎｍ）およびｇ線（λ＝４３６ｎｍ）に対する各ケー
スにおける透過率、光学定数（ｎ−ｉ・ｋ）のｎ値とｋ
値および位相を１８０°変換させるための膜厚ｄS を示
すグラフである。
れるｋｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６
５ｎｍ）およびｇ線（λ＝４３６ｎｍ）に対する各ケー
スにおける透過率、光学定数（ｎ−ｉ・ｋ）のｎ値とｋ
値および位相を１８０°変換させるための膜厚ｄS を示
すグラフである。
【０１２６】上記表６〜表８中において、膜厚ｄS は、
露光光の波長λ、および光学定数のｎ値から、 ｄS ＝λ／２（ｎ−１）…（２） の関係式で求めることができる。
露光光の波長λ、および光学定数のｎ値から、 ｄS ＝λ／２（ｎ−１）…（２） の関係式で求めることができる。
【０１２７】
【表５】
【０１２８】
【表６】
【０１２９】
【表７】
【０１３０】
【表８】
【０１３１】次に、図１６および図１７は、表７ないし
表８に示された各ケースのデータをグラフに表したもの
であり、それぞれ横軸に光学定数のｎ値、左縦軸に、光
学定数のｋ値、右縦軸に膜厚ｄS が表されている。
表８に示された各ケースのデータをグラフに表したもの
であり、それぞれ横軸に光学定数のｎ値、左縦軸に、光
学定数のｋ値、右縦軸に膜厚ｄS が表されている。
【０１３２】また、図１６と図１７中には、透過率Ｔを
示すグラフを同時に記載している。まず、図１６を参照
して、露光光がｉ線の場合、位相シフトマスクとして要
求される透過率Ｔが、５％〜４０％の範囲内にあるの
は、Ｃ−１〜Ｃ−１６、Ｃ−１８，Ｃ−２５，Ｃ−２
７，Ｃ−２８，Ｃ−３０であることがわかる。
示すグラフを同時に記載している。まず、図１６を参照
して、露光光がｉ線の場合、位相シフトマスクとして要
求される透過率Ｔが、５％〜４０％の範囲内にあるの
は、Ｃ−１〜Ｃ−１６、Ｃ−１８，Ｃ−２５，Ｃ−２
７，Ｃ−２８，Ｃ−３０であることがわかる。
【０１３３】次に、図１７を参照して、露光光がｇ線の
場合、位相シフトマスクとして要求される透過率Ｔが、
５％〜４０％の範囲内にあるのは、ケースＣ−２〜Ｃ−
１３，Ｃ−１６〜Ｃ−１８，Ｃ−２２，Ｃ−２４，Ｃ−
２８〜Ｃ−３０であることがわかる。
場合、位相シフトマスクとして要求される透過率Ｔが、
５％〜４０％の範囲内にあるのは、ケースＣ−２〜Ｃ−
１３，Ｃ−１６〜Ｃ−１８，Ｃ−２２，Ｃ−２４，Ｃ−
２８〜Ｃ−３０であることがわかる。
【０１３４】以上の結果、位相シフタ膜として用いるこ
とのできるのは、上述のケースＣ−１〜Ｃ−１８，Ｃ−
２２，Ｃ−２４，Ｃ−２５，ケースＣ−２７〜Ｃ−３０
であることがわかる。
とのできるのは、上述のケースＣ−１〜Ｃ−１８，Ｃ−
２２，Ｃ−２４，Ｃ−２５，ケースＣ−２７〜Ｃ−３０
であることがわかる。
【０１３５】次に、上記各ケースを、混合ガスがＡｒ＋
Ｏ2 ，Ａｒ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 ，Ａｒ＋ＮＯ，Ａｒ＋Ｏ2 ＋Ｃ
Ｈ4 のガス流量比の関係に基づいてグラフに表したもの
が、図１８ないし図２０である。
Ｏ2 ，Ａｒ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 ，Ａｒ＋ＮＯ，Ａｒ＋Ｏ2 ＋Ｃ
Ｈ4 のガス流量比の関係に基づいてグラフに表したもの
が、図１８ないし図２０である。
【０１３６】図１８に示すグラフは、ケースケースＣ−
１〜Ｃ−１８におけるアルゴン、酸素および窒素の割合
をグラフにしたものである。
１〜Ｃ−１８におけるアルゴン、酸素および窒素の割合
をグラフにしたものである。
【０１３７】三角形の底辺がアルゴンの流量比（％）、
三角形の左側斜辺が酸素の流量比（％）、三角形の右側
斜辺が窒素の流量比（％）を示し、各ケースの混合ガス
のポイントをプロットしたものである。
三角形の左側斜辺が酸素の流量比（％）、三角形の右側
斜辺が窒素の流量比（％）を示し、各ケースの混合ガス
のポイントをプロットしたものである。
【０１３８】また、図１６および図１７の結果から、位
相シフタ膜として用いることができるものは○印、位相
シフタ膜として用いられないものを×印で表している。
相シフタ膜として用いることができるものは○印、位相
シフタ膜として用いられないものを×印で表している。
【０１３９】図１８のグラフからもわかるように、位相
シフタ膜として用いることができる場合の混合ガスの各
成分が占める体積百分率は、クロム酸化物の膜の場合
は、 アルゴンが３６％〜９７％ 酸素が３％〜６４％ であることがわかる。
シフタ膜として用いることができる場合の混合ガスの各
成分が占める体積百分率は、クロム酸化物の膜の場合
は、 アルゴンが３６％〜９７％ 酸素が３％〜６４％ であることがわかる。
【０１４０】また、クロム酸化窒化物の膜の場合は、 アルゴンが４８％〜９０％ 酸素が１％〜３９％ 窒素が６％〜１４％ であることがわかる。
【０１４１】ここで、酸素の上限を３９％としたのは、
これ以上、特に酸素の占める割合を５０％以上にする
と、スパッタリング装置の電極に酸化物が堆積して、ス
パッタができなくなるためであり、装置側の制約から規
定したものである。
これ以上、特に酸素の占める割合を５０％以上にする
と、スパッタリング装置の電極に酸化物が堆積して、ス
パッタができなくなるためであり、装置側の制約から規
定したものである。
【０１４２】次に、図１９に示すグラフは、ケースＣ−
１９〜Ｃ−２６における、アルゴンおよびＮＯの割合を
グラフにしたものである。図１６および図１７の結果か
ら、位相シフトマスクとして用いることができるものは
○印、位相シフタ膜として用いられないものを×印で表
している。
１９〜Ｃ−２６における、アルゴンおよびＮＯの割合を
グラフにしたものである。図１６および図１７の結果か
ら、位相シフトマスクとして用いることができるものは
○印、位相シフタ膜として用いられないものを×印で表
している。
【０１４３】また、図２０に示すグラフは、ケースＣ−
２７〜ケースＣ−３０における、アルゴン、酸素および
メタンの割合をグラフに示したものである。
２７〜ケースＣ−３０における、アルゴン、酸素および
メタンの割合をグラフに示したものである。
【０１４４】三角形の底辺がアルゴンの流量比（％）、
三角形の左側斜辺が酸素の流量比（％）、三角形の右側
斜辺がメタンの流量比（％）を示し、各ケースの混合ガ
スのポイントをプロットしたものである。
三角形の左側斜辺が酸素の流量比（％）、三角形の右側
斜辺がメタンの流量比（％）を示し、各ケースの混合ガ
スのポイントをプロットしたものである。
【０１４５】また、図１６と図１７の結果から、位相シ
フタ膜として用いることができるものは○印、位相シフ
タ膜として用いられないものを×印で表している。
フタ膜として用いることができるものは○印、位相シフ
タ膜として用いられないものを×印で表している。
【０１４６】図１９および図２０のグラフからもわかる
ように、位相シフタ膜として用いることができる場合の
混合ガスの各成分が占める体積百分率は、クロム酸化窒
化物の膜の場合は、 アルゴンが８２％〜８７％ 一酸化窒素が１３％〜１８％ であることがわかる。
ように、位相シフタ膜として用いることができる場合の
混合ガスの各成分が占める体積百分率は、クロム酸化窒
化物の膜の場合は、 アルゴンが８２％〜８７％ 一酸化窒素が１３％〜１８％ であることがわかる。
【０１４７】また、クロム酸化窒化炭化物の膜の場合
は、 アルゴンが７８％〜８８％ 酸素が２％〜１３％ メタンが８％〜１０％ であることがわかる。
は、 アルゴンが７８％〜８８％ 酸素が２％〜１３％ メタンが８％〜１０％ であることがわかる。
【０１４８】以上、この実施例に基づいた位相シフトマ
スクおよびその製造方法によれば、第２の光透過部が４
〜５０％の透過率を有するクロム酸化物またはクロム酸
化窒化物またはクロム酸化窒化炭化物からなる膜のみか
ら構成されている。
スクおよびその製造方法によれば、第２の光透過部が４
〜５０％の透過率を有するクロム酸化物またはクロム酸
化窒化物またはクロム酸化窒化炭化物からなる膜のみか
ら構成されている。
【０１４９】また、その製造工程においては、上述した
クロム酸化物またはクロム酸化窒化物またはクロム酸化
窒化炭化物からなる膜をスパッタリング法を用いて、所
定の膜厚に形成し、その後、所定のエッチングを行なう
ことにより、第２の光透過部を形成している。
クロム酸化物またはクロム酸化窒化物またはクロム酸化
窒化炭化物からなる膜をスパッタリング法を用いて、所
定の膜厚に形成し、その後、所定のエッチングを行なう
ことにより、第２の光透過部を形成している。
【０１５０】これにより、従来のスパッタリング装置を
用いて、位相シフタ膜としての膜を形成し、またエッチ
ング工程も１回となるために、欠陥が発生する確率およ
び加工寸法の誤差の生じる確率を低下することが可能と
なる。
用いて、位相シフタ膜としての膜を形成し、またエッチ
ング工程も１回となるために、欠陥が発生する確率およ
び加工寸法の誤差の生じる確率を低下することが可能と
なる。
【０１５１】なお、上記第２および第３の各実施例にお
いて第２の光透過部としてモリブデンシリサイドの酸化
物、モリブデンシリサイド酸化窒化物、クロム酸化物、
クロム酸化窒化物、またはクロム酸化窒化炭化物からな
る膜としているがこれに限られることなく、金属の酸化
物、金属の窒化物、金属シリサイドの酸化物および金属
シリサイドの酸化窒化物などを用いてもかまわない。
いて第２の光透過部としてモリブデンシリサイドの酸化
物、モリブデンシリサイド酸化窒化物、クロム酸化物、
クロム酸化窒化物、またはクロム酸化窒化炭化物からな
る膜としているがこれに限られることなく、金属の酸化
物、金属の窒化物、金属シリサイドの酸化物および金属
シリサイドの酸化窒化物などを用いてもかまわない。
【０１５２】次に、この発明に基づいた第４の実施例に
ついて説明する。この実施例は、位相シフトマスクの製
造工程において、位相シフタ膜の上に電子ビームまたは
レーザ光による露光時の帯電防止のための金属膜を形成
するようにしたものである。
ついて説明する。この実施例は、位相シフトマスクの製
造工程において、位相シフタ膜の上に電子ビームまたは
レーザ光による露光時の帯電防止のための金属膜を形成
するようにしたものである。
【０１５３】以下、図２１〜図２５を参照して、位相シ
フタ膜製造工程について説明する。図２１〜図２５は、
図１に示す位相シフトマスクの断面構造に対応する断面
構造図である。
フタ膜製造工程について説明する。図２１〜図２５は、
図１に示す位相シフトマスクの断面構造に対応する断面
構造図である。
【０１５４】まず、図を参照して、石英基板１の上に、
第２の実施例または第３の実施例と同様にモリブデンシ
リサイドの酸化膜、モリブデンシリサイドの酸化窒化
物、クロム酸化物、クロム酸化窒化物、またはクロム酸
化窒化炭化物からなる位相シフタ膜４を形成する。
第２の実施例または第３の実施例と同様にモリブデンシ
リサイドの酸化膜、モリブデンシリサイドの酸化窒化
物、クロム酸化物、クロム酸化窒化物、またはクロム酸
化窒化炭化物からなる位相シフタ膜４を形成する。
【０１５５】その後、この位相シフタ膜４の上に、膜厚
約１００〜５００Å程度の帯電防止膜６を形成する。こ
の帯電防止膜６の膜質としては、位相シフタ膜の膜質
が、Ｍｏ系の場合はモリブデン膜を形成する。また、位
相シフタ膜４の膜質がＣｒ系の場合はクロム膜を形成す
る。
約１００〜５００Å程度の帯電防止膜６を形成する。こ
の帯電防止膜６の膜質としては、位相シフタ膜の膜質
が、Ｍｏ系の場合はモリブデン膜を形成する。また、位
相シフタ膜４の膜質がＣｒ系の場合はクロム膜を形成す
る。
【０１５６】これは、上述した方法によって形成され
る、モリブデンシリサイドの酸化物、モリブデンシリサ
イドの酸化窒化物、クロム酸化物、クロム酸化窒化物、
クロム酸化窒化炭化物からなる位相シフタ膜４が導電性
を有しないためである。
る、モリブデンシリサイドの酸化物、モリブデンシリサ
イドの酸化窒化物、クロム酸化物、クロム酸化窒化物、
クロム酸化窒化炭化物からなる位相シフタ膜４が導電性
を有しないためである。
【０１５７】なお、クロム酸化物において、第３の実施
例の中で述べたケースＣ−１〜Ｃ−３により形成される
クロム酸化膜は導電性を有するため、この場合は、上記
帯電防止膜を形成する必要はない。
例の中で述べたケースＣ−１〜Ｃ−３により形成される
クロム酸化膜は導電性を有するため、この場合は、上記
帯電防止膜を形成する必要はない。
【０１５８】その後、この帯電防止膜６の上に、電子線
用レジスト膜を膜厚約５０００Å形成する。
用レジスト膜を膜厚約５０００Å形成する。
【０１５９】次に、図２２を参照して、電子ビーム用レ
ジスト膜５の所定の箇所に、電子ビームを露光して、現
像することにより、所望のレジストパターンを有するレ
ジスト膜５を形成する。
ジスト膜５の所定の箇所に、電子ビームを露光して、現
像することにより、所望のレジストパターンを有するレ
ジスト膜５を形成する。
【０１６０】次に、図２３を参照して、帯電防止膜６が
Ｍｏ系の場合は電子ビーム用レジスト膜５をマスクとし
て、帯電防止膜６および位相シフタ膜４をＣＦ4 ＋Ｏ2
ガスを用いて、ドライエッチングにより連続的にエッチ
ングする。
Ｍｏ系の場合は電子ビーム用レジスト膜５をマスクとし
て、帯電防止膜６および位相シフタ膜４をＣＦ4 ＋Ｏ2
ガスを用いて、ドライエッチングにより連続的にエッチ
ングする。
【０１６１】次に、図２４を参照して、Ｏ2 プラズマ等
を用いて、レジスト膜５を除去する。その後、図２５を
参照して、エッチング液（硝酸第２セリウムアンモニウ
ム／過塩素酸混合液）等を用いて、停電防止膜６をエッ
チングし除去する。
を用いて、レジスト膜５を除去する。その後、図２５を
参照して、エッチング液（硝酸第２セリウムアンモニウ
ム／過塩素酸混合液）等を用いて、停電防止膜６をエッ
チングし除去する。
【０１６２】これにより、位相シフトマスクが完成す
る。一方、再び図２３を参照して、帯電防止膜６がＣｒ
系の場合は、電子ビーム用レジスト膜５をマスクとし
て、帯電防止膜６および位相シフタ膜４を、ＣＨ2 Ｃｌ
2 ＋Ｏ2 ガスまたはＣｌ2 ＋Ｏ2 ガスまたはＣｌ2 ガス
を用いて、ドライエッチングにより連続的にエッチング
する。
る。一方、再び図２３を参照して、帯電防止膜６がＣｒ
系の場合は、電子ビーム用レジスト膜５をマスクとし
て、帯電防止膜６および位相シフタ膜４を、ＣＨ2 Ｃｌ
2 ＋Ｏ2 ガスまたはＣｌ2 ＋Ｏ2 ガスまたはＣｌ2 ガス
を用いて、ドライエッチングにより連続的にエッチング
する。
【０１６３】次に、図２４を参照して、Ｏ2 プラズマ等
を用いて、レジスト膜５を除去する。その後、図２５を
参照して、硫酸などを用いて帯電防止膜６をエッチング
し、除去する。
を用いて、レジスト膜５を除去する。その後、図２５を
参照して、硫酸などを用いて帯電防止膜６をエッチング
し、除去する。
【０１６４】これにより、位相シフトマスクが完成す
る。なお、上記位相シフトマスクのエッチングにおい
て、位相シフトマスクがＭｏ系の場合は、モリブデン膜
からなる帯電防止膜を形成し、位相シフトマスクがＣｒ
系の場合はクロム膜からなる帯電防止膜を形成すること
としているが、これに限られることなく、位相シフトマ
スクがＣｒ系に対し、帯電防止膜としてＭｏ膜を用いて
もかまわないし、また、Ｍｏ系の位相シフタ膜に対し
て、Ｃｒ系の帯電防止膜を用いるようにしても同様の作
用効果を得ることができる。
る。なお、上記位相シフトマスクのエッチングにおい
て、位相シフトマスクがＭｏ系の場合は、モリブデン膜
からなる帯電防止膜を形成し、位相シフトマスクがＣｒ
系の場合はクロム膜からなる帯電防止膜を形成すること
としているが、これに限られることなく、位相シフトマ
スクがＣｒ系に対し、帯電防止膜としてＭｏ膜を用いて
もかまわないし、また、Ｍｏ系の位相シフタ膜に対し
て、Ｃｒ系の帯電防止膜を用いるようにしても同様の作
用効果を得ることができる。
【０１６５】以上説明したように、位相シフトマスクの
製造工程時に、モリブデン膜を設けることにより、電子
線露光時の帯電防止を図ることが可能となり、また光学
式位置検出器の光反射膜としての役目をも果たすことが
可能となる。
製造工程時に、モリブデン膜を設けることにより、電子
線露光時の帯電防止を図ることが可能となり、また光学
式位置検出器の光反射膜としての役目をも果たすことが
可能となる。
【０１６６】なお、上記第４の実施例においては、帯電
防止膜としてモリブデン膜またはクロム膜を用いたが、
同様の効果が得られる金属膜、たとえばＷ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ａｌなどやそれらの合金からなる膜でもかま
わない。
防止膜としてモリブデン膜またはクロム膜を用いたが、
同様の効果が得られる金属膜、たとえばＷ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ａｌなどやそれらの合金からなる膜でもかま
わない。
【０１６７】次に、上記第１の実施例〜第３の実施例に
おいて形成された位相シフトマスクにおいて、図２６に
示すように、残り欠陥（黒欠陥）５０やピンホール欠陥
（白欠陥）５１が生じた場合の欠陥検査方法および欠陥
修正方法について説明する。
おいて形成された位相シフトマスクにおいて、図２６に
示すように、残り欠陥（黒欠陥）５０やピンホール欠陥
（白欠陥）５１が生じた場合の欠陥検査方法および欠陥
修正方法について説明する。
【０１６８】まず、製作した位相シフトマスクについ
て、光透過型欠陥検査装置（ＫＬＡ社製 ２３９ＨＲ
型）を用いて、チップ比較方式の欠陥検査を行なう。
て、光透過型欠陥検査装置（ＫＬＡ社製 ２３９ＨＲ
型）を用いて、チップ比較方式の欠陥検査を行なう。
【０１６９】この欠陥検査装置は、水銀ランプを光源と
する光で検査を行なう。検査の結果、パターンがエッチ
ングされるべきところに位相シフタ膜が残る残り欠陥
と、位相シフタ膜が残るべきところがピンホールや欠け
の形状でなくなってしまうピンホール欠陥を検出する。
する光で検査を行なう。検査の結果、パターンがエッチ
ングされるべきところに位相シフタ膜が残る残り欠陥
と、位相シフタ膜が残るべきところがピンホールや欠け
の形状でなくなってしまうピンホール欠陥を検出する。
【０１７０】次に、これらの欠陥を修正する。残り欠陥
については、従来のフォトマスクで用いられている、Ｙ
ＡＧレーザによるレーザブロー修正装置を用いて行な
う。
については、従来のフォトマスクで用いられている、Ｙ
ＡＧレーザによるレーザブロー修正装置を用いて行な
う。
【０１７１】また、他の方法として、ＦＩＢによるスパ
ッタエッチのガス導入によるアシストエッチによっても
除去することができる。
ッタエッチのガス導入によるアシストエッチによっても
除去することができる。
【０１７２】次に、ピンホール欠陥については、従来の
フォトマスクに用いられている、ＦＩＢアシストデポジ
ション方法によるカーボン系膜５２のデポジションによ
り、ピンホール欠陥部分を埋め込む修正を行なう。
フォトマスクに用いられている、ＦＩＢアシストデポジ
ション方法によるカーボン系膜５２のデポジションによ
り、ピンホール欠陥部分を埋め込む修正を行なう。
【０１７３】このようにして、修正された位相シフトマ
スクを洗浄した場合においても、カーボン系膜５２が剥
がれることなく、良好な位相シフトマスクを得ることが
できる。
スクを洗浄した場合においても、カーボン系膜５２が剥
がれることなく、良好な位相シフトマスクを得ることが
できる。
【０１７４】次に、上述した位相シフトマスクを用いた
露光方法について説明する。この位相シフトマスクを用
いた場合、位相シフタ膜の膜厚は、表２〜表４，表６〜
表８の膜厚寸法（ｄｓ）に示されるように、約１５００
Å〜２０００Å程度の膜厚で形成されている。このた
め、従来の位相シフタ膜の膜厚よりも約半分程度で形成
されているために、図２７に示すように、露光光に含ま
れる斜め成分の露光光に対しても、１８０°の位相差を
与えることが可能となる。
露光方法について説明する。この位相シフトマスクを用
いた場合、位相シフタ膜の膜厚は、表２〜表４，表６〜
表８の膜厚寸法（ｄｓ）に示されるように、約１５００
Å〜２０００Å程度の膜厚で形成されている。このた
め、従来の位相シフタ膜の膜厚よりも約半分程度で形成
されているために、図２７に示すように、露光光に含ま
れる斜め成分の露光光に対しても、１８０°の位相差を
与えることが可能となる。
【０１７５】その結果、図２８に示すように、たとえば
０．４μｍのコンタクトホールを開口しようとした場
合、１．２μｍの焦点ずれを許容することが可能とな
る。また、従来用いられているフォトマスクの場合、図
２９に示すように、同じ０．４μｍのコンタクトホール
を開口する場合は、０．６μｍの焦点ずれしか許容する
ことはできなかった。
０．４μｍのコンタクトホールを開口しようとした場
合、１．２μｍの焦点ずれを許容することが可能とな
る。また、従来用いられているフォトマスクの場合、図
２９に示すように、同じ０．４μｍのコンタクトホール
を開口する場合は、０．６μｍの焦点ずれしか許容する
ことはできなかった。
【０１７６】さらに、コーヒーレンシが０．３〜０．７
好ましくは０．５〜０．６の露光装置においては、図３
０に示すように、焦点深度を従来のフォトマスクに比べ
て大きく向上させることが可能となる。
好ましくは０．５〜０．６の露光装置においては、図３
０に示すように、焦点深度を従来のフォトマスクに比べ
て大きく向上させることが可能となる。
【０１７７】なお、図２８〜図２９は、５：１の縮小投
影露光装置を用いた場合についての結果を示している
が、縮小倍率が４：１，２．５：１の縮小投影露光装置
や１：１の投影露光装置を用いても同様の作用効果を得
ることができる。また、投影露光装置に限らず、密着露
光、プロキシミティ露光を用いても同様の効果を得るこ
とができる。さらに上記露光方法は、ｇ線，ｉ線，ｋｒ
Ｆレーザ等のいずれを用いても同様の作用効果を得るこ
とができる。
影露光装置を用いた場合についての結果を示している
が、縮小倍率が４：１，２．５：１の縮小投影露光装置
や１：１の投影露光装置を用いても同様の作用効果を得
ることができる。また、投影露光装置に限らず、密着露
光、プロキシミティ露光を用いても同様の効果を得るこ
とができる。さらに上記露光方法は、ｇ線，ｉ線，ｋｒ
Ｆレーザ等のいずれを用いても同様の作用効果を得るこ
とができる。
【０１７８】以上、この実施例における位相シフトマス
クを用いた露光方法によれば、露光不良の発生を防止す
ることが可能となるために、半導体装置の製造工程にお
ける歩留りの向上を図ることが可能となる。この露光方
法は、４Ｍ，１６Ｍ，６４Ｍ，２５６ＭのＤＲＡＭ、Ｓ
ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＡＳＩＣ、マイコン、Ｇａ
Ａｓなどの半導体装置の製造工程において有効に用いる
ことができ、さらには単体の半導体デバイスや、液晶デ
ィスプレイの製造工程においても十分用いることが可能
となる。
クを用いた露光方法によれば、露光不良の発生を防止す
ることが可能となるために、半導体装置の製造工程にお
ける歩留りの向上を図ることが可能となる。この露光方
法は、４Ｍ，１６Ｍ，６４Ｍ，２５６ＭのＤＲＡＭ、Ｓ
ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＡＳＩＣ、マイコン、Ｇａ
Ａｓなどの半導体装置の製造工程において有効に用いる
ことができ、さらには単体の半導体デバイスや、液晶デ
ィスプレイの製造工程においても十分用いることが可能
となる。
【０１７９】
【発明の効果】この発明に基づいた位相シフトマスクお
よびその製造方法によれば、第２の光透過部が単一材料
の膜のみから構成されている。
よびその製造方法によれば、第２の光透過部が単一材料
の膜のみから構成されている。
【０１８０】また、位相シフタの製造工程において、露
光光を透過する基板の上に、スパッタリング法を用い
て、所定の位相シフタ膜を形成し、その後、所定のエッ
チングを行なうことにより第２の光透過部を形成してい
る。
光光を透過する基板の上に、スパッタリング法を用い
て、所定の位相シフタ膜を形成し、その後、所定のエッ
チングを行なうことにより第２の光透過部を形成してい
る。
【０１８１】これにより、従来のスパッタリング装置を
用いて、１回の工程で位相シフタ膜を形成することが可
能となり、またエッチング工程も１回となるために、欠
陥の発生する確率および加工寸法の誤差の生じる確率が
低下するために、高品質の位相シフトマスクを提供する
ことが可能となる。
用いて、１回の工程で位相シフタ膜を形成することが可
能となり、またエッチング工程も１回となるために、欠
陥の発生する確率および加工寸法の誤差の生じる確率が
低下するために、高品質の位相シフトマスクを提供する
ことが可能となる。
【０１８２】さらに、この発明に基づいた位相シフトマ
スクを用いた露光方法によれば、第２の光透過部が単一
材料の膜からなる位相シフトマスクを用いている。これ
により、第２の光透過部の膜厚は１５００Å〜２０００
Å程度と薄く形成されているために、露光光に含まれる
斜め成分の露光光に対しても１８０°の位相差を与える
ことが可能となる。したがって、位相シフトマスクの第
２の光透過部を透過する露光光の位相差が均一となり、
露光不良の発生を防止することが可能となる。その結
果、半導体装置の製造工程における歩留りの向上を図る
ことが可能となる。
スクを用いた露光方法によれば、第２の光透過部が単一
材料の膜からなる位相シフトマスクを用いている。これ
により、第２の光透過部の膜厚は１５００Å〜２０００
Å程度と薄く形成されているために、露光光に含まれる
斜め成分の露光光に対しても１８０°の位相差を与える
ことが可能となる。したがって、位相シフトマスクの第
２の光透過部を透過する露光光の位相差が均一となり、
露光不良の発生を防止することが可能となる。その結
果、半導体装置の製造工程における歩留りの向上を図る
ことが可能となる。
【図１】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクの断面構造図である。
シフトマスクの断面構造図である。
【図２】この発明に基づいた位相シフトマスクを用いた
場合のマスク上の電場およびウェハ上の電場を示す模式
図である。
場合のマスク上の電場およびウェハ上の電場を示す模式
図である。
【図３】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図で
ある。
シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図で
ある。
【図４】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図で
ある。
シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図で
ある。
【図５】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図で
ある。
シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図で
ある。
【図６】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図で
ある。
シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図で
ある。
【図７】ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図８】ｋｒＦレーザにおけるｎ値とｋ値および膜厚の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図９】ｉ線におけるｎ値とｋ値および膜厚の関係を示
す図である。
す図である。
【図１０】ｇ線におけるｎ値とｋ値および膜厚の関係を
示す図である。
示す図である。
【図１１】第１の実施例における位相シフタ膜形成時の
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした図であ
る。
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした図であ
る。
【図１２】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図
である。
【図１３】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図
である。
【図１４】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図
である。
【図１５】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図
である。
【図１６】ｉ線におけるｎ値とｋ値および膜厚の関係を
示す図である。
示す図である。
【図１７】ｇ線におけるｎ値とｋ値および膜厚の関係を
示す図である。
示す図である。
【図１８】第２の実施例における位相シフタ膜形成時の
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした第１図で
ある。
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした第１図で
ある。
【図１９】第２の実施例における位相シフタ膜形成時の
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした第２図で
ある。
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした第２図で
ある。
【図２０】第２の実施例における位相シフタ膜形成時の
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした第３図で
ある。
混合ガスの流量比をケースごとにプロットした第３図で
ある。
【図２１】この発明に基づいた第３の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図
である。
【図２２】この発明に基づいた第３の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図
である。
【図２３】この発明に基づいた第３の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図
である。
【図２４】この発明に基づいた第３の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図
である。
【図２５】この発明に基づいた第３の実施例における位
相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面図
である。
【図２６】この発明に基づいた位相シフトマスクの欠陥
修正方法を示す断面図である。
修正方法を示す断面図である。
【図２７】この発明に基づいた位相シフトマスクを用い
た露光方法の状態を示す模式図である。
た露光方法の状態を示す模式図である。
【図２８】この発明に基づいた位相シフトマスクを用い
た露光方法における焦点ずれとコンタクトホールサイズ
との関係を示す図である。
た露光方法における焦点ずれとコンタクトホールサイズ
との関係を示す図である。
【図２９】従来技術におけるフォトマスクを用いた露光
方法における焦点ずれとコンタクトホールサイズとの関
係を示す図である。
方法における焦点ずれとコンタクトホールサイズとの関
係を示す図である。
【図３０】この発明に基づいた位相シフトマスクを用い
た露光方法と従来技術における位相シフトマスクを用い
た露光方法とのコーヒーレンシと焦点深度との関係を比
較する図である。
た露光方法と従来技術における位相シフトマスクを用い
た露光方法とのコーヒーレンシと焦点深度との関係を比
較する図である。
【図３１】従来技術のフォトマスクを用いた場合のマス
ク後の電場およびウェハ上の光強度を示す模式図であ
る。
ク後の電場およびウェハ上の光強度を示す模式図であ
る。
【図３２】従来技術における位相シフトマスクを用いた
場合のマスク後の電場およびウェハ上の光強度を示す模
式図である。
場合のマスク後の電場およびウェハ上の光強度を示す模
式図である。
【図３３】従来技術における位相シフトマスクを用いた
場合のマスク上の電場およびウェハ上の電場を示す模式
図である。
場合のマスク上の電場およびウェハ上の電場を示す模式
図である。
【図３４】露光光の透過率とレジスト膜の膜厚の関係を
示す図である。
示す図である。
【図３５】従来技術における位相シフトマスクの製造方
法の第１製造工程を示す断面図である。
法の第１製造工程を示す断面図である。
【図３６】従来技術における位相シフトマスクの製造方
法の第２製造工程を示す断面図である。
法の第２製造工程を示す断面図である。
【図３７】従来技術における位相シフトマスクの製造方
法の第３製造工程を示す断面図である。
法の第３製造工程を示す断面図である。
【図３８】従来技術における位相シフトマスクの製造方
法の第４製造工程を示す断面図である。
法の第４製造工程を示す断面図である。
【図３９】従来技術における位相シフトマスクの製造方
法の第５製造工程を示す断面図である。
法の第５製造工程を示す断面図である。
【図４０】従来技術における位相シフトマスクの問題点
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４１】従来技術における位相シフトマスクを用いた
露光方法の問題点を示す図である。
露光方法の問題点を示す図である。
１ 石英基板 ４ 第２の光透過部 １０ 第１の光透過部 ３０ 位相シフトパターン ２００ 位相シフトマスク なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ (72)発明者 吉岡 信行 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究 所内 (72)発明者 宮崎 順二 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究 所内 (72)発明者 渡壁 弥一郎 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究 所内
Claims (23)
- 【請求項１】 露光光を透過する基板と、 この基板の主表面上に形成された位相シフトパターン
と、を備え、 前記位相シフトパターンは、 前記基板が露出する第１の光透過部と、 透過する露光光の位相と透過率とが、前記第１の光透過
部を透過する露光光の位相に対して１８０°変換し、か
つ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料からなる第
２の光透過部と、を有する位相シフトマスク。 - 【請求項２】 前記第２の光透過部は、金属の酸化物、
金属の酸化窒化物、金属シリサイドの酸化物および金属
シリサイドの酸化窒化物からなる群より選択される、１
種類の材料からなる請求項１に記載の位相シフトマス
ク。 - 【請求項３】 前記第２の光透過部は、クロムの酸化
物、クロムの酸化窒化物、クロムの酸化窒化炭化物、モ
リブデンシリサイドの酸化物およびモリブデンシリサイ
ドの酸化窒化物からなる群より選択される、１種類の材
料からなる請求項１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項４】 露光光を透過する基板の主表面上に、透
過する露光光の位相を１８０°変換し、かつ５〜４０％
の透過率を有する所定厚さの位相シフタ膜をスパッタリ
ング法を用いて形成する工程と、 この位相シフタ膜の上に、所定のパターンを有するレジ
スト膜を形成する工程と、 このレジスト膜をマスクとして、ドライエッチング法に
より前記位相シフタ膜のエッチングを行ない、前記基板
が露出してなる第１の光透過部と前記位相シフタ膜から
なる第２の光透過部とを形成する工程と、を備えた位相
シフトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 モリブデンシリサイドのターゲットを用い、アルゴンと
酸素との混合ガス雰囲気中で、モリブデンシリサイド酸
化物の膜を形成する工程を含む請求項４に記載の位相シ
フトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記混合ガスの各成分が占める体積百分
率の範囲は、アルゴンが７６〜９２％の範囲であり、残
りが酸素である請求項５に記載の位相シフトマスクの製
造方法。 - 【請求項７】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 モリブデンシリサイドのターゲットを用い、アルゴン，
酸素および窒素の混合ガス雰囲気中で、モリブデンシリ
サイド酸化窒化物の膜を形成する工程を含む請求項４に
記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項８】 前記混合ガスの各成分を占める体積百分
率の範囲は、アルゴンが６５〜７９％、酸素が８〜２４
％、窒素が３〜２０％である請求項７に記載の位相シフ
トマスクの製造方法。 - 【請求項９】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 クロムのターゲットを用い、アルゴンと酸素との混合ガ
ス雰囲気中で、クロム酸化物の膜を形成する工程を含む
請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１０】 前記混合ガスの各成分が占める体積百
分率の範囲は、アルゴンが３６〜９７％の範囲であり、
残りが酸素である請求項９に記載の位相シフトマスクの
製造方法。 - 【請求項１１】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 クロムのターゲットを用い、アルゴン，酸素および窒素
の混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒化物の膜を形成す
る工程を含む請求項４に記載の位相シフトマスクの製造
方法。 - 【請求項１２】 前記混合ガスの各成分が占める体積百
分率の範囲は、アルゴンが４８〜９０％、酸素が１〜３
９％、窒素が６〜１４％である請求項１１に記載の位相
シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１３】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 クロムのターゲットを用い、アルゴンと一酸化窒素との
混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒化物の膜を形成する
工程を含む請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項１４】 前記混合ガスの各成分が占める体積百
分率の範囲は、アルゴンが８２〜８７％の範囲であり、
残りが一酸化窒素である請求項１３に記載の位相シフト
マスクの製造方法。 - 【請求項１５】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 クロムのターゲットを用い、アルゴン，酸素およびメタ
ンの混合ガス雰囲気中で、クロム酸化窒化炭化物の膜を
形成する工程を含む請求項４に記載の位相シフトマスク
の製造方法。 - 【請求項１６】 前記混合ガスの各成分が占める体積百
分率の範囲が、アルゴンが７８％〜８８％，酸素が２％
〜１３％，メタンが８％〜１０％である請求項１５に記
載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１７】 前記位相シフトマスクを製造する工程
は、 帯電防止膜を形成する工程を含む請求項４に記載の位相
シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１８】 前記帯電防止膜を形成する工程は、 スパッタリング法により前記位相シフタ膜を形成する工
程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、モリブデ
ン膜を形成する工程を含む請求項１７に記載の位相シフ
トマスクの製造方法。 - 【請求項１９】 前記帯電防止膜を形成する工程は、 スパッタリング法により前記位相シフタ膜を形成する工
程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、クロム膜
を形成する工程を含む請求項１７に記載の位相シフトマ
スクの製造方法。 - 【請求項２０】 前記位相シフタ膜のエッチングを行な
う工程は、 フッ化炭素と酸素との混合ガスを用いてドライエッチン
グ法により行なう請求項５ないし請求項８のいずれか１
項に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２１】 前記位相シフタ膜のエッチングを行な
う工程は、 塩化メチレンと酸素との混合ガス、塩素と酸素との混合
ガスおよび塩素ガスからなる群より選択される１種類の
ガスを用いてドライエッチング法により行なう請求項９
ないし請求項１６のいずれか１項に記載の位相シフトマ
スクの製造方法。 - 【請求項２２】 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 前記位相シフタ膜をスパッタリング法を用いて形成した
後に、２００℃以上の熱処理を行なう工程を含む請求項
４に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２３】 パターン形成層の上にレジスト膜を塗
布する工程と、 前記レジスト膜を、露光光を透過する基板の上に形成さ
れた、前記基板が露出する第１の光透過部と、透過する
露光光の位相と透過率とが前記第１の光透過部を透過す
る露光光の位相に対して１８０°変換し、かつ、透過率
が５〜４０％であり、単一の材料からなる第２の光透過
部とを有する位相シフトパターンを有する位相シフトマ
スクを用いて露光する工程と、を備えた位相シフトマス
クを用いた露光方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28532793A JP3064769B2 (ja) | 1992-11-21 | 1993-11-15 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| DE4339481A DE4339481C2 (de) | 1992-11-21 | 1993-11-19 | Absorptionsphasenmaske, Herstellungsverfahren dafür und Verwendung derselben |
| US08/155,370 US5474864A (en) | 1992-11-21 | 1993-11-22 | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| KR1019930024919A KR0130740B1 (ko) | 1992-11-21 | 1993-11-22 | 위상 시프트 마스크와 그 제조방법 및 위상 시프트 마스크를 사용한 노광법 |
| US08/480,371 US5629114A (en) | 1992-11-21 | 1995-06-07 | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask comprising a semitransparent region |
| US08/547,520 US5674647A (en) | 1992-11-21 | 1995-10-24 | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| US08/772,226 US5691090A (en) | 1992-11-21 | 1996-12-20 | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| US08/864,005 US5830607A (en) | 1992-11-21 | 1997-05-27 | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-335523 | 1992-11-21 | ||
| JP33552392 | 1992-11-21 | ||
| JP9144593 | 1993-04-19 | ||
| JP5-91445 | 1993-04-19 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140635A true JPH07140635A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3064769B2 JP3064769B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=27306746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28532793A Expired - Lifetime JP3064769B2 (ja) | 1992-11-21 | 1993-11-15 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5474864A (ja) |
| JP (1) | JP3064769B2 (ja) |
| KR (1) | KR0130740B1 (ja) |
| DE (1) | DE4339481C2 (ja) |
Cited By (88)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07181664A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
| US5605776A (en) * | 1995-03-24 | 1997-02-25 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shifting photomask blank, phase-shifting photomask, and method of manufacturing them |
| WO1997015866A1 (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and method of manufacturing the same |
| US5700606A (en) * | 1995-05-31 | 1997-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photomask and a manufacturing method thereof |
| US5723236A (en) * | 1995-05-31 | 1998-03-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photomasks and a manufacturing method thereof |
| JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| US6451489B1 (en) | 1999-09-21 | 2002-09-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift photomask |
| US6503668B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture |
| US6503669B2 (en) | 2000-02-16 | 2003-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| US6641958B2 (en) | 2000-07-13 | 2003-11-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and methods of manufacture |
| US6685848B1 (en) | 1998-10-29 | 2004-02-03 | Ulvac Coating Corporation | Method and apparatus for dry-etching half-tone phase-shift films half-tone phase-shift photomasks and method for the preparation thereof and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof |
| US6723477B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-04-20 | Hoya Corporation | Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask |
| JP2005331554A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| EP1650600A2 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof |
| US7037625B2 (en) | 2001-06-26 | 2006-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank and method of manufacture |
| JP2006195200A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
| JP2006317665A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法 |
| US7179545B2 (en) | 2002-10-08 | 2007-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, and method of manufacture |
| US7179567B2 (en) | 2001-08-06 | 2007-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture |
| US7195846B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-03-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Methods of manufacturing photomask blank and photomask |
| JP2007241137A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2007279214A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
| JP2007292824A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク |
| US7329474B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-02-12 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and method of manufacture |
| US7344806B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing phase shift mask blank, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask |
| US7351505B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Phase shift mask blank, phase shift mask, and pattern transfer method |
| US7419749B2 (en) | 2004-02-24 | 2008-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and their preparation |
| US7425390B2 (en) | 2004-02-19 | 2008-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of halftone phase shift mask blank |
| JP2008310090A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク |
| US7556892B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method |
| US7598004B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Film-depositing target and preparation of phase shift mask blank |
| US7632609B2 (en) | 2005-10-24 | 2009-12-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fabrication method of photomask-blank |
| JP2010066783A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| US7691546B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| EP2209048A2 (en) | 2009-01-15 | 2010-07-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing a photomask, photomask blank and dry etching method |
| JP2010164777A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| JP2010164779A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| US7767367B2 (en) | 2006-03-10 | 2010-08-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| US7767368B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-08-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of fabricating photomask blank |
| US7767366B2 (en) | 2006-03-10 | 2010-08-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| EP2237108A2 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for inspecting photomask blank or intermediate thereof, method for determining dosage of high-energy radiation, and method for manufacturing photmask blank |
| EP2237109A2 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof |
| JP2011095787A (ja) * | 1999-11-09 | 2011-05-12 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| EP2418542A2 (en) | 2010-08-04 | 2012-02-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binary photomask blank and binary photomask making method |
| EP2428841A2 (en) | 2010-09-10 | 2012-03-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and manufacturing method thereof, photomask, light pattern exposure method, and design method of transition metal/silicon base material film |
| EP2444517A1 (en) | 2010-10-22 | 2012-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sputtering target material, silicon-containing film forming method, and photomask blank |
| EP2568335A2 (en) | 2011-09-07 | 2013-03-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and making method |
| WO2013047195A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Hoya株式会社 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
| EP2594994A2 (en) | 2011-11-21 | 2013-05-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method, photomask, and photomask blank |
| EP2657764A2 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and manufacturing method thereof |
| EP2664959A1 (en) | 2012-05-16 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Half-tone phase shift mask blank and method for manufacturing half-tone phase shift mask |
| EP2664962A1 (en) | 2012-05-16 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| US8753786B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method, halftone phase shift mask, and halftone phase shift mask blank |
| WO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP2014197217A (ja) * | 2014-06-06 | 2014-10-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスク、光パターン照射方法、並びにハーフトーン位相シフト膜の設計方法 |
| EP2821853A1 (en) | 2013-07-03 | 2015-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing photomask blank and photomask blank |
| US8968972B2 (en) | 2010-11-22 | 2015-03-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, process for production of photomask, and chromium-containing material film |
| EP2871520A2 (en) | 2013-11-06 | 2015-05-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, halftone phase shift photomask and pattern exposure method |
| JP2015125353A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| EP2975459A2 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binary photomask blank, preparation thereof, and preparation of binary photomask |
| EP2983044A2 (en) | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| EP2998794A2 (en) | 2014-09-12 | 2016-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| EP2998793A2 (en) | 2014-09-12 | 2016-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| KR20160068674A (ko) | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 스패터링 장치, 스패터링 방법 및 포토마스크 블랭크 |
| KR20160117319A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
| KR20160117243A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 |
| KR20160117247A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법 |
| KR20160117250A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크, 하프톤 위상 시프트 마스크 및 패턴 노광 방법 |
| KR20160117320A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
| EP3112934A2 (en) | 2015-07-01 | 2017-01-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Inorganic material film, photomask blank, and method for manufacturing photomask |
| KR20170034327A (ko) | 2015-09-18 | 2017-03-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 포토마스크 |
| EP3196698A1 (en) | 2016-01-22 | 2017-07-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| EP3287845A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-02-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus |
| KR20180035147A (ko) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 |
| KR20180035146A (ko) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 |
| EP3339954A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| EP3339953A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| EP3361314A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing photomask blank, photomask blank, method for preparing photomask, photomask, and metallic chromium target |
| KR20180092856A (ko) | 2017-02-09 | 2018-08-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 크롬 금속 타겟 |
| EP3373067A1 (en) | 2017-03-10 | 2018-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| EP3373068A1 (en) | 2017-03-10 | 2018-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank |
| EP3629084A1 (en) | 2018-09-26 | 2020-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift-type photomask blank and phase shift-type photomask |
| KR20200115242A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크스, 그의 제조 방법 및 위상 시프트 마스크 |
| KR20200115241A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크 |
| EP3798727A2 (en) | 2019-09-27 | 2021-03-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift-type photomask blank, method of manufacturing thereof, and halftone phase shift-type photomask |
| CN112981316A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 上海传芯半导体有限公司 | 相移反位膜掩模基版的制作方法 |
| EP3971645A1 (en) | 2020-09-17 | 2022-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, method for producing phase shift mask, and phase shift mask |
| EP3992712A1 (en) | 2020-10-30 | 2022-05-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, manufacturing method of phase shift mask, and phase shift mask |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474807A (en) * | 1992-09-30 | 1995-12-12 | Hoya Corporation | Method for applying or removing coatings at a confined peripheral region of a substrate |
| JP3354305B2 (ja) | 1993-09-24 | 2002-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトマスクおよび位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
| JP2878143B2 (ja) * | 1994-02-22 | 1999-04-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法 |
| US5952128A (en) * | 1995-08-15 | 1999-09-14 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shifting photomask blank and method of manufacturing the same as well as phase-shifting photomask |
| US5635315A (en) * | 1995-06-21 | 1997-06-03 | Hoya Corporation | Phase shift mask and phase shift mask blank |
| DE69523165T2 (de) * | 1995-07-19 | 2002-05-29 | Hoya Corp., Tokio/Tokyo | Phasenschiebermasken-rohling und verfahren zu seiner herstellung |
| KR0170686B1 (ko) * | 1995-09-13 | 1999-03-20 | 김광호 | 하프톤 위상반전마스크의 제조방법 |
| US5942356A (en) * | 1996-03-30 | 1999-08-24 | Hoya Corporation | Phase shift mask and phase shift mask blank |
| GB9710514D0 (en) * | 1996-09-21 | 1997-07-16 | Philips Electronics Nv | Electronic devices and their manufacture |
| US5783337A (en) * | 1997-05-15 | 1998-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Process to fabricate a double layer attenuated phase shift mask (APSM) with chrome border |
| JP2000098582A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク及びそれらの製造方法、並びに該ブランクスの製造装置 |
| US6277526B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Method for repairing MoSi attenuated phase shift masks |
| JP4163331B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2008-10-08 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法、および、位相シフトマスクの製造方法 |
| US6235435B1 (en) | 1999-09-14 | 2001-05-22 | International Business Machines Corporation | Dichroic photo mask and methods for making and inspecting same |
| KR20010028191A (ko) | 1999-09-18 | 2001-04-06 | 윤종용 | ＣｒＡＩＯＮ을 위상 쉬프터 물질로서 사용한 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법 |
| US6562522B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Photomasking |
| KR100356794B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 마스크 형성방법 |
| JP2001235849A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP4686006B2 (ja) | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
| KR100382609B1 (ko) * | 2000-08-28 | 2003-05-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| US6524755B2 (en) | 2000-09-07 | 2003-02-25 | Gray Scale Technologies, Inc. | Phase-shift masks and methods of fabrication |
| US7521000B2 (en) * | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| SG143940A1 (en) * | 2003-12-19 | 2008-07-29 | Agency Science Tech & Res | Process for depositing composite coating on a surface |
| CN100442475C (zh) * | 2003-12-30 | 2008-12-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于制造半导体晶片的半色调掩模的制造方法和结构 |
| US6969568B2 (en) * | 2004-01-28 | 2005-11-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for etching a quartz layer in a photoresistless semiconductor mask |
| US20050260504A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-11-24 | Hans Becker | Mask blank having a protection layer |
| US7879510B2 (en) * | 2005-01-08 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Method for quartz photomask plasma etching |
| US7829243B2 (en) * | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| US8293430B2 (en) * | 2005-01-27 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication |
| US7790334B2 (en) * | 2005-01-27 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc. | Method for photomask plasma etching using a protected mask |
| US7432184B2 (en) * | 2005-08-26 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Integrated PVD system using designated PVD chambers |
| US20070048451A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate movement and process chamber scheduling |
| US8615663B2 (en) * | 2006-04-17 | 2013-12-24 | Broadcom Corporation | System and method for secure remote biometric authentication |
| US7786019B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control |
| JP5352451B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-11-27 | アルバック成膜株式会社 | グレートーンマスクの製造方法 |
| JP2009236819A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Topcon Corp | 光学装置、フォトマスク検査装置および露光装置 |
| JP2012212180A (ja) * | 2012-07-24 | 2012-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 欠陥の低減方法 |
| JP6332109B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-05-30 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法 |
| JP6532919B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-06-19 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5762052A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Original plate to be projected for use in transmission |
| US4359490A (en) * | 1981-07-13 | 1982-11-16 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method for LPCVD co-deposition of metal and silicon to form metal silicide |
| DE3374452D1 (en) * | 1982-04-05 | 1987-12-17 | Ibm | Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method |
| JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
| JPS61116358A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS61173250A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS61273546A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
| JPS61273545A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPS6252550A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPH0734109B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1995-04-12 | 三菱電機株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| JP3105234B2 (ja) * | 1990-09-28 | 2000-10-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2694707B2 (ja) * | 1991-06-24 | 1997-12-24 | 日本電信電話株式会社 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| EP0507487B1 (en) * | 1991-04-05 | 1996-12-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical projection exposure method and system using the same |
| JP2800468B2 (ja) * | 1991-06-25 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
| US5286581A (en) * | 1991-08-19 | 1994-02-15 | Motorola, Inc. | Phase-shift mask and method for making |
| JP3160332B2 (ja) * | 1991-11-01 | 2001-04-25 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスク |
| JPH05181257A (ja) * | 1992-01-06 | 1993-07-23 | Sharp Corp | 光露光用マスク |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP28532793A patent/JP3064769B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-19 DE DE4339481A patent/DE4339481C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-22 KR KR1019930024919A patent/KR0130740B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-22 US US08/155,370 patent/US5474864A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-07 US US08/480,371 patent/US5629114A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-20 US US08/772,226 patent/US5691090A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (202)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07181664A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク |
| US5605776A (en) * | 1995-03-24 | 1997-02-25 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shifting photomask blank, phase-shifting photomask, and method of manufacturing them |
| US5700606A (en) * | 1995-05-31 | 1997-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photomask and a manufacturing method thereof |
| US5723236A (en) * | 1995-05-31 | 1998-03-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photomasks and a manufacturing method thereof |
| WO1997015866A1 (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and method of manufacturing the same |
| US7063922B2 (en) | 1998-10-29 | 2006-06-20 | Ulvac Coating Corporation | Method and apparatus for dry-etching half-tone phase-shift films, half-tone phase-shift photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof |
| US7001698B2 (en) | 1998-10-29 | 2006-02-21 | Ulvac Coating Corporation | Method and apparatus for dry-etching half-tone phase-shift films, half-tone phase-shift photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof |
| US6685848B1 (en) | 1998-10-29 | 2004-02-03 | Ulvac Coating Corporation | Method and apparatus for dry-etching half-tone phase-shift films half-tone phase-shift photomasks and method for the preparation thereof and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof |
| US6451489B1 (en) | 1999-09-21 | 2002-09-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift photomask |
| KR100573857B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2006-04-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트형 포토마스크 |
| US6569577B1 (en) | 1999-11-09 | 2003-05-27 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shift photo mask blank, phase-shift photo mask and method for fabricating semiconductor devices |
| JP2011095787A (ja) * | 1999-11-09 | 2011-05-12 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
| US6503668B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture |
| US6503669B2 (en) | 2000-02-16 | 2003-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| US6641958B2 (en) | 2000-07-13 | 2003-11-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and methods of manufacture |
| US6723477B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-04-20 | Hoya Corporation | Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask |
| US7037625B2 (en) | 2001-06-26 | 2006-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank and method of manufacture |
| US7179567B2 (en) | 2001-08-06 | 2007-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture |
| US7179545B2 (en) | 2002-10-08 | 2007-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, and method of manufacture |
| US7195846B2 (en) | 2002-12-03 | 2007-03-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Methods of manufacturing photomask blank and photomask |
| KR101042468B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2011-06-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 및 이들의 제조 방법 |
| US7736824B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-06-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and method of manufacture |
| US7329474B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-02-12 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and method of manufacture |
| US7344806B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing phase shift mask blank, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask |
| US7351505B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Phase shift mask blank, phase shift mask, and pattern transfer method |
| US7425390B2 (en) | 2004-02-19 | 2008-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of halftone phase shift mask blank |
| US7419749B2 (en) | 2004-02-24 | 2008-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and their preparation |
| US7598004B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Film-depositing target and preparation of phase shift mask blank |
| US7556892B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method |
| JP2005331554A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| US7514185B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-04-07 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Preparation of photomask blank and photomask |
| EP2302452A2 (en) | 2004-09-10 | 2011-03-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| US8007964B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-08-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| EP2302453A2 (en) | 2004-09-10 | 2011-03-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| US7691546B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| EP2246737A1 (en) | 2004-09-10 | 2010-11-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| EP1936437A2 (en) | 2004-10-22 | 2008-06-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof |
| EP1650600A2 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof |
| JP2006195200A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
| JP2006317665A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法 |
| US7622227B2 (en) | 2005-05-12 | 2009-11-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Phase-shift photomask-blank, phase-shift photomask and fabrication method thereof |
| US7632609B2 (en) | 2005-10-24 | 2009-12-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fabrication method of photomask-blank |
| US7767367B2 (en) | 2006-03-10 | 2010-08-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| US7989124B2 (en) | 2006-03-10 | 2011-08-02 | Toppan Printing Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| EP2328022A1 (en) | 2006-03-10 | 2011-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| EP2328023A1 (en) | 2006-03-10 | 2011-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| US7767366B2 (en) | 2006-03-10 | 2010-08-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| EP2328025A1 (en) | 2006-03-10 | 2011-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| US8003284B2 (en) | 2006-03-10 | 2011-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| US8012654B2 (en) | 2006-03-10 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| JP2007241137A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| EP2328024A1 (en) | 2006-03-10 | 2011-06-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask making method |
| EP2312392A2 (en) | 2006-03-10 | 2011-04-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and photomask |
| JP2007279214A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
| JP2007292824A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク |
| US7790339B2 (en) | 2006-04-21 | 2010-09-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| US7767368B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-08-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of fabricating photomask blank |
| JP2008310090A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2010164779A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| EP2209048A2 (en) | 2009-01-15 | 2010-07-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing a photomask, photomask blank and dry etching method |
| US9164374B2 (en) | 2009-01-15 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask making method, photomask blank and dry etching method |
| US8304146B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask making method, photomask blank and dry etching method |
| JP2010164777A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| US8417018B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-04-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof |
| EP2237108A2 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for inspecting photomask blank or intermediate thereof, method for determining dosage of high-energy radiation, and method for manufacturing photmask blank |
| US8168351B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-05-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for inspecting photomask blank or intermediate thereof, method for determining dosage of high-energy radiation, and method for manufacturing photomask blank |
| EP2237109A2 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof |
| JP2010066783A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| US8980503B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-03-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binary photomask blank and binary photomask making method |
| KR20120057496A (ko) | 2010-08-04 | 2012-06-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 바이너리 포토마스크 블랭크 및 바이너리 포토마스크의 제조 방법 |
| EP2418542A2 (en) | 2010-08-04 | 2012-02-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binary photomask blank and binary photomask making method |
| EP3736631A1 (en) | 2010-09-10 | 2020-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and light pattern exposure method |
| KR20190000349A (ko) | 2010-09-10 | 2019-01-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 포토마스크, 광 패턴 조사 방법, 및 전이 금속 규소계 재료막의 설계 방법 |
| US8475978B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-07-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and making method, photomask, light pattern exposure method, and design method of transition metal/silicon base material film |
| KR20170023901A (ko) | 2010-09-10 | 2017-03-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 포토마스크, 광 패턴 조사 방법, 및 전이 금속 규소계 재료막의 설계 방법 |
| EP2428841A2 (en) | 2010-09-10 | 2012-03-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and manufacturing method thereof, photomask, light pattern exposure method, and design method of transition metal/silicon base material film |
| US8647795B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-02-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sputtering target material, silicon-containing film forming method, and photomask blank |
| EP2444517A1 (en) | 2010-10-22 | 2012-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sputtering target material, silicon-containing film forming method, and photomask blank |
| US8968972B2 (en) | 2010-11-22 | 2015-03-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, process for production of photomask, and chromium-containing material film |
| US9488907B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-11-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, process for production of photomask, and chromium-containing material film |
| US8841048B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and making method |
| EP2568335A2 (en) | 2011-09-07 | 2013-03-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask, and making method |
| JPWO2013047195A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-03-26 | Hoya株式会社 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
| CN103828022A (zh) * | 2011-09-30 | 2014-05-28 | Hoya株式会社 | 模具坯、母模具、复制模具和模具坯的制造方法 |
| WO2013047195A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Hoya株式会社 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
| EP3051347A2 (en) | 2011-11-21 | 2016-08-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method |
| US8753786B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method, halftone phase shift mask, and halftone phase shift mask blank |
| US8753787B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method, photomask, and photomask blank |
| EP3048484A1 (en) | 2011-11-21 | 2016-07-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method |
| EP2594994A2 (en) | 2011-11-21 | 2013-05-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light pattern exposure method, photomask, and photomask blank |
| US9063427B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and manufacturing method thereof |
| KR20130121040A (ko) | 2012-04-26 | 2013-11-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| EP2657764A2 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and manufacturing method thereof |
| EP2664962A1 (en) | 2012-05-16 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| KR20130128337A (ko) | 2012-05-16 | 2013-11-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
| US9689066B2 (en) | 2012-05-16 | 2017-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, and pattern transfer method |
| EP2664959A1 (en) | 2012-05-16 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Half-tone phase shift mask blank and method for manufacturing half-tone phase shift mask |
| US9158192B2 (en) | 2012-05-16 | 2015-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Half-tone phase shift mask blank and method for manufacturing half-tone phase shift mask |
| KR20150102004A (ko) * | 2012-12-27 | 2015-09-04 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법 |
| WO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JPWO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| EP2821853A1 (en) | 2013-07-03 | 2015-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing photomask blank and photomask blank |
| US10120274B2 (en) | 2013-07-03 | 2018-11-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing photomask blank and photomask blank |
| US9581892B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-02-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing photomask blank and photomask blank |
| EP2871520A2 (en) | 2013-11-06 | 2015-05-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, halftone phase shift photomask and pattern exposure method |
| US9366951B2 (en) | 2013-11-06 | 2016-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, halftone phase shift photomask and pattern exposure method |
| KR20150052785A (ko) | 2013-11-06 | 2015-05-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 및 패턴 노광 방법 |
| JP2015125353A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| JP2014197217A (ja) * | 2014-06-06 | 2014-10-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスク、光パターン照射方法、並びにハーフトーン位相シフト膜の設計方法 |
| KR20160008970A (ko) | 2014-07-15 | 2016-01-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 바이너리 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 바이너리 포토마스크의 제조 방법 |
| KR20180037172A (ko) | 2014-07-15 | 2018-04-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 바이너리 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 바이너리 포토마스크의 제조 방법 |
| US9651858B2 (en) | 2014-07-15 | 2017-05-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binary photomask blank, preparation thereof, and preparation of binary photomask |
| EP2975459A2 (en) | 2014-07-15 | 2016-01-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Binary photomask blank, preparation thereof, and preparation of binary photomask |
| EP2983044A2 (en) | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| KR20180051464A (ko) | 2014-08-04 | 2018-05-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| US9645485B2 (en) | 2014-08-04 | 2017-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| EP3660587A1 (en) | 2014-09-12 | 2020-06-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing a photomask blank |
| EP2998794A2 (en) | 2014-09-12 | 2016-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| US9798230B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-10-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| EP2998793A2 (en) | 2014-09-12 | 2016-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| US9618838B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| KR20160068674A (ko) | 2014-12-05 | 2016-06-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 스패터링 장치, 스패터링 방법 및 포토마스크 블랭크 |
| US9778559B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-10-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift photomask blank |
| EP3086180A1 (en) | 2015-03-31 | 2016-10-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern exposure method |
| KR20160117243A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 |
| US10078260B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-09-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and blank preparing method |
| KR20160117320A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
| KR20160117247A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법 |
| US10545401B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and blank preparing method |
| US10372030B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| US9778560B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-10-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift photomask blank |
| KR20160117319A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
| EP3086174A1 (en) | 2015-03-31 | 2016-10-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift photomask blank |
| KR20160117250A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크, 하프톤 위상 시프트 마스크 및 패턴 노광 방법 |
| TWI663467B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-06-21 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 半色調相位移空白光罩、半色調相位移光罩及圖型曝光方法 |
| EP3079011A2 (en) | 2015-03-31 | 2016-10-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, phase shift mask, and blank preparing method |
| US9927695B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-03-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern exposure method |
| EP3079012A2 (en) | 2015-03-31 | 2016-10-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| US9851633B2 (en) | 2015-07-01 | 2017-12-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Inorganic material film, photomask blank, and method for manufacturing photomask |
| EP3112934A2 (en) | 2015-07-01 | 2017-01-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Inorganic material film, photomask blank, and method for manufacturing photomask |
| KR20170004867A (ko) | 2015-07-01 | 2017-01-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무기 재료막, 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법 |
| US9952501B2 (en) | 2015-09-18 | 2018-04-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, making method, and photomask |
| EP3165963A1 (en) | 2015-09-18 | 2017-05-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, making method, and photomask |
| KR20170034327A (ko) | 2015-09-18 | 2017-03-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 포토마스크 |
| EP3196698A1 (en) | 2016-01-22 | 2017-07-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| US10146122B2 (en) | 2016-01-22 | 2018-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| KR20200107914A (ko) | 2016-01-22 | 2020-09-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| KR20170088299A (ko) | 2016-01-22 | 2017-08-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| US10459333B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-10-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank and making method |
| US10809611B2 (en) | 2016-08-23 | 2020-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus |
| EP3627223A1 (en) | 2016-08-23 | 2020-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus |
| US10466582B2 (en) | 2016-08-23 | 2019-11-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus |
| EP3287845A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-02-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus |
| KR20180022584A (ko) | 2016-08-23 | 2018-03-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크, 하프톤 위상 시프트 마스크 및 포토마스크 블랭크용 박막 형성 장치 |
| KR20210041549A (ko) | 2016-08-23 | 2021-04-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법, 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크, 하프톤 위상 시프트 마스크 및 포토마스크 블랭크용 박막 형성 장치 |
| EP3312673A1 (en) | 2016-09-28 | 2018-04-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask |
| KR20180035147A (ko) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 |
| KR20180035146A (ko) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 |
| US10670957B2 (en) | 2016-09-28 | 2020-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask |
| EP3309612A1 (en) | 2016-09-28 | 2018-04-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| US10989999B2 (en) | 2016-09-28 | 2021-04-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| US10466583B2 (en) | 2016-09-28 | 2019-11-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask |
| US10859904B2 (en) | 2016-09-28 | 2020-12-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask |
| US10564537B2 (en) | 2016-12-26 | 2020-02-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| EP4050414A1 (en) | 2016-12-26 | 2022-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| EP3339954A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| US10656516B2 (en) | 2016-12-26 | 2020-05-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| EP3339953A1 (en) | 2016-12-26 | 2018-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, and preparation method thereof |
| KR20180075400A (ko) | 2016-12-26 | 2018-07-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| KR20180075399A (ko) | 2016-12-26 | 2018-07-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| KR20180092856A (ko) | 2017-02-09 | 2018-08-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 크롬 금속 타겟 |
| EP3361314A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing photomask blank, photomask blank, method for preparing photomask, photomask, and metallic chromium target |
| US10782608B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-09-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing photomask blank, photomask blank, method for preparing photomask, photomask, and metallic chromium target |
| KR20180103718A (ko) | 2017-03-10 | 2018-09-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 |
| US10747098B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-08-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank |
| EP3373067A1 (en) | 2017-03-10 | 2018-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| EP3373068A1 (en) | 2017-03-10 | 2018-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask blank |
| KR20210042878A (ko) | 2017-03-10 | 2021-04-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크 |
| KR20180103719A (ko) | 2017-03-10 | 2018-09-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 |
| US10712654B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-07-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank |
| KR20200035353A (ko) | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 위상 시프트형 포토마스크 |
| EP3629084A1 (en) | 2018-09-26 | 2020-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift-type photomask blank and phase shift-type photomask |
| US11307490B2 (en) | 2019-03-29 | 2022-04-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank and phase shift mask |
| TWI824129B (zh) * | 2019-03-29 | 2023-12-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 相位移空白遮罩、其製造方法及相位移遮罩 |
| US11644742B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask |
| EP3719575A1 (en) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank and phase shift mask |
| EP3719574A1 (en) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask |
| KR20200115241A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크 |
| KR20200115242A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크스, 그의 제조 방법 및 위상 시프트 마스크 |
| US11333965B2 (en) | 2019-03-29 | 2022-05-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask |
| US11644743B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift-type photomask blank, method of manufacturing thereof, and halftone phase shift-type photomask |
| KR20210037561A (ko) | 2019-09-27 | 2021-04-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 |
| EP3798727A2 (en) | 2019-09-27 | 2021-03-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift-type photomask blank, method of manufacturing thereof, and halftone phase shift-type photomask |
| KR20220037358A (ko) | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 위상 시프트 마스크 |
| US11422456B2 (en) | 2020-09-17 | 2022-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, method for producing phase shift mask, and phase shift mask |
| EP3971645A1 (en) | 2020-09-17 | 2022-03-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, method for producing phase shift mask, and phase shift mask |
| TWI808486B (zh) * | 2020-09-17 | 2023-07-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩 |
| EP3992712A1 (en) | 2020-10-30 | 2022-05-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, manufacturing method of phase shift mask, and phase shift mask |
| KR20220058436A (ko) | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 위상 시프트 마스크 |
| US12197121B2 (en) | 2020-10-30 | 2025-01-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift mask blank, manufacturing method of phase shift mask, and phase shift mask |
| CN112981316A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 上海传芯半导体有限公司 | 相移反位膜掩模基版的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3064769B2 (ja) | 2000-07-12 |
| US5691090A (en) | 1997-11-25 |
| US5629114A (en) | 1997-05-13 |
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