JPH07161911A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH07161911A JPH07161911A JP5341045A JP34104593A JPH07161911A JP H07161911 A JPH07161911 A JP H07161911A JP 5341045 A JP5341045 A JP 5341045A JP 34104593 A JP34104593 A JP 34104593A JP H07161911 A JPH07161911 A JP H07161911A
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- JP
- Japan
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- island
- resin
- semiconductor device
- encapsulated semiconductor
- peripheral portion
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度サイクル試験時にアイランドの端部より
パッケージ裏面に向かって樹脂クラックが成長するのを
防止する。 【構成】 アイランド２上にペレット１をマウントし、
ペレット１上のパッド１ａとインナリード３間をボンデ
ィングワイヤ４で接続し、全体を封止樹脂５にて封止し
てなる半導体装置において、アイランド２の各辺の周辺
部を、Ａに示すように、凹凸に加工する。 【効果】 温度サイクル試験時にアイランド端部におい
て発生する応力が、アイランド周辺部に形成された凹凸
の凸部が曲がることによって緩和される。
パッケージ裏面に向かって樹脂クラックが成長するのを
防止する。 【構成】 アイランド２上にペレット１をマウントし、
ペレット１上のパッド１ａとインナリード３間をボンデ
ィングワイヤ４で接続し、全体を封止樹脂５にて封止し
てなる半導体装置において、アイランド２の各辺の周辺
部を、Ａに示すように、凹凸に加工する。 【効果】 温度サイクル試験時にアイランド端部におい
て発生する応力が、アイランド周辺部に形成された凹凸
の凸部が曲がることによって緩和される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特に封止樹脂にクラックの発生するのを抑制す
るようにしたリードフレームの構造に関する。
に関し、特に封止樹脂にクラックの発生するのを抑制す
るようにしたリードフレームの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図４に
示されるように、リードフレームのアイランド２の中央
部に樹脂ペースト等の接着剤を用いてペレット１を搭載
し、ペレット１のパッド、リードフレームのインナリー
ド３間を金線等からなるボンディングワイヤ４にて接続
した後、トランスファモールド法等により全体を封止樹
脂５により封止したものである。
示されるように、リードフレームのアイランド２の中央
部に樹脂ペースト等の接着剤を用いてペレット１を搭載
し、ペレット１のパッド、リードフレームのインナリー
ド３間を金線等からなるボンディングワイヤ４にて接続
した後、トランスファモールド法等により全体を封止樹
脂５により封止したものである。
【０００３】この従来の樹脂封止型半導体装置では、封
止樹脂５の熱膨張率がリードフレームやペレット１のそ
れよりはるかに大きいため、例えば−６５℃〜１５０℃
の温度サイクル試験を数十サイクル行うと、図４に示す
ようにペレット１、アイランド２を囲むパッケージ部分
は変形しないが、インナリード３を囲むパッケージ部分
は変形し、パッケージに反りが発生する。さらに、上記
の温度サイクル試験を数十サイクル続けると、パッケー
ジ部分の変形する部分と変形しない部分の境界面である
アイランド端部に、図４において矢印Ｃで示すように、
応力が集中し、リードフレーム−樹脂界面Ｄに剥離が発
生し、リードフレーム端からパッケージ裏面へ向けてリ
ードフレーム周辺部に沿ってクラック５ａが入るという
問題点があった。
止樹脂５の熱膨張率がリードフレームやペレット１のそ
れよりはるかに大きいため、例えば−６５℃〜１５０℃
の温度サイクル試験を数十サイクル行うと、図４に示す
ようにペレット１、アイランド２を囲むパッケージ部分
は変形しないが、インナリード３を囲むパッケージ部分
は変形し、パッケージに反りが発生する。さらに、上記
の温度サイクル試験を数十サイクル続けると、パッケー
ジ部分の変形する部分と変形しない部分の境界面である
アイランド端部に、図４において矢印Ｃで示すように、
応力が集中し、リードフレーム−樹脂界面Ｄに剥離が発
生し、リードフレーム端からパッケージ裏面へ向けてリ
ードフレーム周辺部に沿ってクラック５ａが入るという
問題点があった。
【０００４】この問題点に対処するものとして、特開昭
６３−５４７５９号公報により図５に示す半導体装置が
提案されている。図５において、図４の部分と共通する
部分には同一の参照番号が付されているので重複する説
明は省略する。この従来例の特徴的なことは、アイラン
ド２の外周縁部およびインナリード３の端部を凸状湾曲
面６に加工した点にある。このような形状に加工したこ
とにより、アイランド端部における応力集中が緩和され
クラックの発生が抑制される。この凸状湾曲面６は、リ
ードフレームの端部に溶融あるいはエッチング加工を施
すことにより形成したものである。
６３−５４７５９号公報により図５に示す半導体装置が
提案されている。図５において、図４の部分と共通する
部分には同一の参照番号が付されているので重複する説
明は省略する。この従来例の特徴的なことは、アイラン
ド２の外周縁部およびインナリード３の端部を凸状湾曲
面６に加工した点にある。このような形状に加工したこ
とにより、アイランド端部における応力集中が緩和され
クラックの発生が抑制される。この凸状湾曲面６は、リ
ードフレームの端部に溶融あるいはエッチング加工を施
すことにより形成したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体装置の多
機能化、大容量化の傾向に添ってペレットサイズは徐々
に大型化されつつある。これに伴って、パッケージ形状
も大型化されてきているが、一方で応用機器における軽
薄短小化の傾向によりパッケージの薄型化が強く要求さ
れるようになってきており、その結果、上述の樹脂封止
型半導体装置のクラック発生問題は一層深刻なものとな
ってきている。上記特開昭６３−５４７５９号公報に記
載に記載された従来例は、比較的小型なパッケージに対
しては効果はあるものの、近年の大ペレット化による大
型・薄型化パッケージに対する対策としては不十分であ
り、特に、パッケージサイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以上
でパッケージ厚が１．４ｍｍ厚であるような半導体装置
においては、より効果的な対策が求められきた。
機能化、大容量化の傾向に添ってペレットサイズは徐々
に大型化されつつある。これに伴って、パッケージ形状
も大型化されてきているが、一方で応用機器における軽
薄短小化の傾向によりパッケージの薄型化が強く要求さ
れるようになってきており、その結果、上述の樹脂封止
型半導体装置のクラック発生問題は一層深刻なものとな
ってきている。上記特開昭６３−５４７５９号公報に記
載に記載された従来例は、比較的小型なパッケージに対
しては効果はあるものの、近年の大ペレット化による大
型・薄型化パッケージに対する対策としては不十分であ
り、特に、パッケージサイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以上
でパッケージ厚が１．４ｍｍ厚であるような半導体装置
においては、より効果的な対策が求められきた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記問
題点を解決するために、アイランドと、該アイランド上
に搭載された半導体ペレットと、インナリード部とアウ
タリード部とを有する複数のリードと、前記半導体ペレ
ット上のパッドと前記リードのインナリード部とを接続
するボンディングワイヤと、前記アイランド、前記半導
体ペレット、前記リードのインナリード部および前記ボ
ンディングワイヤを封止する樹脂体とを備えるものであ
って、前記アイランドの外周部は部分的に該アイランド
の主面の垂直方向に曲がりやすい形状に加工されている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置が提供される。
そして、好ましくは、上記アイランドの主面の垂直方向
に曲がりやすい形状は、アイランドの周辺部を凹凸に
加工する、アイランドの周辺に沿ってスリットを入れ
る、アイランドの周辺に沿って複数の透孔を設ける、
等の手段により形成されるものである。
題点を解決するために、アイランドと、該アイランド上
に搭載された半導体ペレットと、インナリード部とアウ
タリード部とを有する複数のリードと、前記半導体ペレ
ット上のパッドと前記リードのインナリード部とを接続
するボンディングワイヤと、前記アイランド、前記半導
体ペレット、前記リードのインナリード部および前記ボ
ンディングワイヤを封止する樹脂体とを備えるものであ
って、前記アイランドの外周部は部分的に該アイランド
の主面の垂直方向に曲がりやすい形状に加工されている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置が提供される。
そして、好ましくは、上記アイランドの主面の垂直方向
に曲がりやすい形状は、アイランドの周辺部を凹凸に
加工する、アイランドの周辺に沿ってスリットを入れ
る、アイランドの周辺に沿って複数の透孔を設ける、
等の手段により形成されるものである。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１
の実施例の樹脂封止工程終了後でリード成形工程前の状
態を示す平面図と、そのＸ−Ｘ′線での断面図である。
この実施例は、ＱＦ（Quad Flat）タイプのパッケージ
に関するものである。同図に示されるように、リードフ
レームのアイランド２は、４本の吊りピン２ａにより保
持されており、その四辺の周辺部は、Ａに示すように、
凹凸に加工されている。この凹凸は、アイランドの周辺
に沿って奥行ｄ、幅Ｗの凹部２ｂをピッチＰで設けたこ
とにより形成されたものである。アイランド２の四辺の
外側には複数のインナリード３が放射状に配置されてい
る［簡単のために、図１（ａ）では、左右辺のインナリ
ードのみを示し上下辺のインナリードの図示は省略され
ている］。このリードフレームは、パンチ法あるいはエ
ッチング法により形成されるが、上記公報に記載された
リードフレームと異なり、従来の製造工程に何らの変更
も加えることなしに形成することができる。
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１
の実施例の樹脂封止工程終了後でリード成形工程前の状
態を示す平面図と、そのＸ−Ｘ′線での断面図である。
この実施例は、ＱＦ（Quad Flat）タイプのパッケージ
に関するものである。同図に示されるように、リードフ
レームのアイランド２は、４本の吊りピン２ａにより保
持されており、その四辺の周辺部は、Ａに示すように、
凹凸に加工されている。この凹凸は、アイランドの周辺
に沿って奥行ｄ、幅Ｗの凹部２ｂをピッチＰで設けたこ
とにより形成されたものである。アイランド２の四辺の
外側には複数のインナリード３が放射状に配置されてい
る［簡単のために、図１（ａ）では、左右辺のインナリ
ードのみを示し上下辺のインナリードの図示は省略され
ている］。このリードフレームは、パンチ法あるいはエ
ッチング法により形成されるが、上記公報に記載された
リードフレームと異なり、従来の製造工程に何らの変更
も加えることなしに形成することができる。
【０００８】アイランド２の中央部分にペレット１を樹
脂ペースト等を用いてマウントし、続いて、リードフレ
ームのインナリード３とペレット１のパッド１ａとをＡ
ｕ線等のボンディングワイヤ４を用いて接続する（図示
されていないがペレット１の上下辺にもパッドが形成さ
れており各パッドは図示されていないインナリードと接
続される）。次に、トランスファモールド法によりエポ
キシ系樹脂からなる封止樹脂５によりペレット１を封入
して図示の半導体装置を得る。その後、リードフレーム
の切断・成形を行う。
脂ペースト等を用いてマウントし、続いて、リードフレ
ームのインナリード３とペレット１のパッド１ａとをＡ
ｕ線等のボンディングワイヤ４を用いて接続する（図示
されていないがペレット１の上下辺にもパッドが形成さ
れており各パッドは図示されていないインナリードと接
続される）。次に、トランスファモールド法によりエポ
キシ系樹脂からなる封止樹脂５によりペレット１を封入
して図示の半導体装置を得る。その後、リードフレーム
の切断・成形を行う。
【０００９】このように形成された半導体装置では、リ
ードフレームのアイランド２の周辺部の各辺に沿って凹
凸パターンＡを設けているので、例えば−６５℃〜１５
０℃の温度サイクル試験を行った場合に、アイランドの
周辺部においてリードフレームと封止樹脂との接触面積
が増大したことにより剥離が発生しにくくなり、そして
パッケージが反る時に発生する応力は前記アイランド２
の周辺部の凸部で受けるようになり、パッケージの反り
に追随してアイランド周辺部の凸部が変形することによ
り、応力の集中は緩和される。これらの相乗作用によ
り、アイランド２の周辺部に沿ってリードフレーム端か
ら裏面へ向けてクラックが入ることを防止することがで
きる。
ードフレームのアイランド２の周辺部の各辺に沿って凹
凸パターンＡを設けているので、例えば−６５℃〜１５
０℃の温度サイクル試験を行った場合に、アイランドの
周辺部においてリードフレームと封止樹脂との接触面積
が増大したことにより剥離が発生しにくくなり、そして
パッケージが反る時に発生する応力は前記アイランド２
の周辺部の凸部で受けるようになり、パッケージの反り
に追随してアイランド周辺部の凸部が変形することによ
り、応力の集中は緩和される。これらの相乗作用によ
り、アイランド２の周辺部に沿ってリードフレーム端か
ら裏面へ向けてクラックが入ることを防止することがで
きる。
【００１０】この凸凹のパターンとしては、凹部２ｂの
サイズを幅Ｗ：１５０μｍ〜３００μｍ、奥行ｄ：１５
０μｍ〜２００μｍ程度とし、そのピッチＰを２００μ
ｍ〜４００μｍ程度とするのが適当であり、効果が大き
い。また、凸凹パターンはアイランド２の周辺部の各辺
全てに設けることが望ましい。
サイズを幅Ｗ：１５０μｍ〜３００μｍ、奥行ｄ：１５
０μｍ〜２００μｍ程度とし、そのピッチＰを２００μ
ｍ〜４００μｍ程度とするのが適当であり、効果が大き
い。また、凸凹パターンはアイランド２の周辺部の各辺
全てに設けることが望ましい。
【００１１】［第２の実施例］図２（ａ）は、本発明の
第２の実施例のリード成形前の状態をを示す平面図であ
り、図２（ｂ）はそのＹ−Ｙ′線の断面図である。同図
において、図１に示す第１の実施例の部分に対応する部
分には同一の参照番号を付し重複する説明は省略する。
この実施例においては、アイランド２の四辺の周辺部に
スリット２ｃが辺に沿って設けられている。この実施例
においては、スリット２ｃに封止樹脂が食い込むことに
より樹脂剥離が発生しにくくなっており、そしてＢで示
すスリットパターンの外側部においてパッケージが反る
時に発生する応力を受け、パッケージの反りに追随して
Ｂ部が変形することにより、アイランド端部における応
力集中が緩和される。これらの相乗効果により、アイラ
ンド周辺部に沿ってアイランド端から裏面へ向けてクラ
ックが入ることが防止される。スリットは、各辺におい
て、周辺部より、距離Ｓ：１５０μｍ〜２００μｍ程度
内部のところに、幅Ｗ：１５０μｍ〜２００μｍ程度、
長さＬ：１ｍｍ〜２ｍｍ程度のサイズに複数本設けるの
が適当である。
第２の実施例のリード成形前の状態をを示す平面図であ
り、図２（ｂ）はそのＹ−Ｙ′線の断面図である。同図
において、図１に示す第１の実施例の部分に対応する部
分には同一の参照番号を付し重複する説明は省略する。
この実施例においては、アイランド２の四辺の周辺部に
スリット２ｃが辺に沿って設けられている。この実施例
においては、スリット２ｃに封止樹脂が食い込むことに
より樹脂剥離が発生しにくくなっており、そしてＢで示
すスリットパターンの外側部においてパッケージが反る
時に発生する応力を受け、パッケージの反りに追随して
Ｂ部が変形することにより、アイランド端部における応
力集中が緩和される。これらの相乗効果により、アイラ
ンド周辺部に沿ってアイランド端から裏面へ向けてクラ
ックが入ることが防止される。スリットは、各辺におい
て、周辺部より、距離Ｓ：１５０μｍ〜２００μｍ程度
内部のところに、幅Ｗ：１５０μｍ〜２００μｍ程度、
長さＬ：１ｍｍ〜２ｍｍ程度のサイズに複数本設けるの
が適当である。
【００１２】［第３の実施例］図３は、本発明の第３の
実施例のリード成形前の状態をを示す平面図である。同
図において、図１に示す第１の実施例の部分に対応する
部分には同一の参照番号を付し重複する説明は省略す
る。また、図３において図を見やすくするためボンディ
ングワイヤの図示が省略されている。この実施例におい
ては、アイランド２の四辺の周辺部に角孔２ｄが辺に沿
って設けられている。この実施例においては、角孔２ｄ
に封止樹脂が食い込むことにより樹脂剥離が発生しにく
くなっており、そしてアイランド２の角孔列の外側部分
にてパッケージが反る時に発生する応力を受け、パッケ
ージの反りに追随してこの部分が変形することにより、
アイランド端部における応力集中が緩和される。これら
の相乗効果により、アイランド周辺部に沿ってアイラン
ド端から裏面へ向けてクラックが入ることが防止され
る。
実施例のリード成形前の状態をを示す平面図である。同
図において、図１に示す第１の実施例の部分に対応する
部分には同一の参照番号を付し重複する説明は省略す
る。また、図３において図を見やすくするためボンディ
ングワイヤの図示が省略されている。この実施例におい
ては、アイランド２の四辺の周辺部に角孔２ｄが辺に沿
って設けられている。この実施例においては、角孔２ｄ
に封止樹脂が食い込むことにより樹脂剥離が発生しにく
くなっており、そしてアイランド２の角孔列の外側部分
にてパッケージが反る時に発生する応力を受け、パッケ
ージの反りに追随してこの部分が変形することにより、
アイランド端部における応力集中が緩和される。これら
の相乗効果により、アイランド周辺部に沿ってアイラン
ド端から裏面へ向けてクラックが入ることが防止され
る。
【００１３】角孔２ｄは、各辺において、周辺部より１
５０μｍ〜２００μｍ内部のところに、一辺の長さを１
５０μｍ〜３００μｍ程度として、２００μｍ〜４００
μｍ程度のピッチで設けるのが適当である。本実施例の
変更例として、角孔を丸孔とすることができる。この場
合、直径を１５０〜３００μｍ程度とし、２００〜４０
０μｍ程度のピッチで形成するのが適当である。
５０μｍ〜２００μｍ内部のところに、一辺の長さを１
５０μｍ〜３００μｍ程度として、２００μｍ〜４００
μｍ程度のピッチで設けるのが適当である。本実施例の
変更例として、角孔を丸孔とすることができる。この場
合、直径を１５０〜３００μｍ程度とし、２００〜４０
０μｍ程度のピッチで形成するのが適当である。
【００１４】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。本発明は、ＱＦタイプの
大型のパッケージに有利に適用されるがこれに限定され
るものではなく、ＤＩＰ型やＳＯＪ型等の他のタイプの
パッケージのものにも適用しうるものである。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。本発明は、ＱＦタイプの
大型のパッケージに有利に適用されるがこれに限定され
るものではなく、ＤＩＰ型やＳＯＪ型等の他のタイプの
パッケージのものにも適用しうるものである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームのアイランドの周辺部
の各辺に沿って凸凹のパターンまたはスリットや透孔等
を設けることによりその周辺部が曲がりやすくなるよう
にしたものであるので、温度サイクル試験で発生するパ
ッケージの反りによる応力を緩和することができ、ま
た、アイランド周辺部に形成された凹凸等によって封止
樹脂とリードフレームとの密着性が高まり剥離が発生し
にくくなっている。そのため、リードフレーム周辺部に
沿ってリードフレーム端から裏面へ向けてクラックが入
ることを防止することができる。そして、本発明によれ
ば、上記効果を従来の製造工程に何らの変更も加えるこ
となしに得ることができる。
型半導体装置は、リードフレームのアイランドの周辺部
の各辺に沿って凸凹のパターンまたはスリットや透孔等
を設けることによりその周辺部が曲がりやすくなるよう
にしたものであるので、温度サイクル試験で発生するパ
ッケージの反りによる応力を緩和することができ、ま
た、アイランド周辺部に形成された凹凸等によって封止
樹脂とリードフレームとの密着性が高まり剥離が発生し
にくくなっている。そのため、リードフレーム周辺部に
沿ってリードフレーム端から裏面へ向けてクラックが入
ることを防止することができる。そして、本発明によれ
ば、上記効果を従来の製造工程に何らの変更も加えるこ
となしに得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図と断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図と断面図。
【図３】本発明の第３の実施例の平面図。
【図４】第１の従来例の断面図。
【図５】第２の従来例の断面図。
１ ペレット １ａ パッド ２ アイランド ２ａ 吊りピン ２ｂ 凹部 ２ｃ スリット ２ｄ 角孔 ３ インナリード ４ ボンディングワイヤ ５ 封止樹脂 ５ａ クラック ６ 凸状湾曲面
Claims (10)
- 【請求項１】 アイランドと、該アイランド上に搭載さ
れた半導体ペレットと、インナリード部とアウタリード
部とを有する複数のリードと、前記半導体ペレット上の
パッドと前記リードのインナリード部とを接続するボン
ディングワイヤと、前記アイランド、前記半導体ペレッ
ト、前記リードのインナリード部および前記ボンディン
グワイヤを封止する樹脂体とを備える樹脂封止型半導体
装置において、前記アイランドの外周部は部分的に該ア
イランドの主面の垂直方向に曲がりやすい形状に加工さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記垂直方向に曲がりやすい形状が前記
アイランドの周辺部に設けられた微細な凹凸によって形
成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項３】 前記凹凸の各凹部が長方形の形状をなし
ていることを特徴とする請求項２記載の樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項４】 前記凹部は、奥行が１５０〜２００μ
ｍ、幅が１５０〜３００μｍであり、かつ、２００〜４
００μｍのピッチで形成されていることを特徴とする請
求項３記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 前記垂直方向に曲がりやすい形状が前記
アイランドの周辺部に微細なスリットを設けることによ
って形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹
脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 前記スリットが前記アイランドの各辺に
それぞれ複数個形成されていることを特徴とする請求項
５記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 前記スリットが前記アイランドの周辺部
より１５０〜２００μｍ内側に、幅１５０〜２００μ
ｍ、長さ１〜２ｍｍの形状に形成されていることを特徴
とする請求項５記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項８】 前記垂直方向に曲がりやすい形状が前記
アイランドの周辺部に沿って設けられた複数の微細な透
孔によって形成されていることを特徴とする請求項１記
載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項９】 前記透孔が、角孔または丸孔であること
を特徴とする請求項８記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１０】 前記透孔が前記アイランドの周辺部よ
り１５０〜２００μｍ内側に、一辺の長さまたは直径が
１５０〜３００μｍで、２００〜４００μｍのピッチで
形成されていることを特徴とする請求項９記載の樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5341045A JP2570611B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5341045A JP2570611B2 (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161911A true JPH07161911A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2570611B2 JP2570611B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=18342730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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