JPH07204984A - 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法 - Google Patents

循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法

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JPH07204984A JP19420994A JP19420994A JPH07204984A JP H07204984 A JPH07204984 A JP H07204984A JP 19420994 A JP19420994 A JP 19420994A JP 19420994 A JP19420994 A JP 19420994A JP H07204984 A JPH07204984 A JP H07204984A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】急速な過渡応答を有する温度制御を最小限の流
量で行うことができる、ワークステーションとワークス
テーションにおけるワーク媒体の温度のコントローラと
その制御方法の提供。 【構成】コントローラ１０は冷却器１２と、クーラント
温度のセンサ１４及び制御装置１６と、流体クーラント
の供給源と、循環ポンプ３０と、クーラントをワークス
テーション２８まで循環するための流路２６と、バイパ
スバルブと４８、ワークステーション温度のセンサ４０
及び制御装置４２とを有する。流路２６はフローレギュ
レータ３４とヒータ３６とを有する。バイパスバルブ４
８はフローレギュレータ３４とヒータ３６を迂回する。
ワークステーション温度制御装置４２はヒータ３６とバ
イパスバルブ４８の動作を制御して、クーラントの温度
をワークステーション２８に対して望む温度よりも低く
し、過冷却を避けつつ急速な過渡応答を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、温度コントローラ及
びそのための温度制御方法に関し、詳しくは循環される
クーラントを用いて、ワークステーション(workstatio
n) をワーク媒体(work medium) あるいはワークピース
とともに設定温度まで急速に冷却するための温度コント
ローラ及びそのための温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハーに対するフォトレジスト
処理などの分野においては、薬品やシリコンウェハーを
非常に精密に温度制御する必要がある。こうした精密な
温度制御を行うためには、循環クーラントを用いた温度
制御が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したタイプの温度
制御の大部分においては、室温か、あるいは室温近辺の
温度に対しては水などの循環クーラントが使用される。
こうした温度制御では、急速な過渡応答を実現するため
に大きな流量が必要とされる場合が多い。なぜなら、ク
ーラントは、制御の対象となっている材料で実現しよう
とする温度に設定されており、設定点付近での熱伝達は
非常に遅いからである。また、大部分の温度制御におい
ては、様々な温度状態にある複数のワークステーション
を温度制御するためには、複数のサーキュレータが必要
になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明の目的は、急速
な過渡応答を有する温度制御を、最小限の流量によって
実現することである。この発明の別の目的は、多数のワ
ークステーションの温度制御を行うのに、たった一つの
サーキュレータしか使用しない温度制御を実現すること
である。
【０００５】この発明の特徴は、ワークステーション
と、その中に存在する固体あるいは流体のワーク媒体
を、予め設定した温度までワークステーションにおいて
急速に冷却することのできる装置であるということであ
る。すなわち、急速な過渡応答、すなわち、ワークステ
ーションを初期の温度から所望の温度のすぐ近くまで冷
却するために必要な時間が短い装置であるということで
ある。こうした急速な冷却は、ワークステーションの中
に、所定の温度よりも低い温度のクーラントを導入し、
ワークステーション内の温度が所定の所望の温度に近づ
いたら流路内のクーラントを加熱する方法によって実現
される。
【０００６】この発明の別の特徴は、ワークステーショ
ンの温度を調節することによって、ワークステーション
の温度を周囲温度よりも低い温度や、周囲温度に、ある
いは周囲温度よりも高い温度に設定できるようになって
いる装置であるということである。
【０００７】この発明の別の特徴は、たった一つのサー
キュレータで複数のワークステーションへクーラントを
循環できる装置であるということである。一つのサーキ
ュレータで複数のワークステーションを制御できるため
に、信頼性が高くなり、また複数のサーキュレータを用
いた場合にはコストが低減される。
【０００８】この発明の別の特徴は、複数のワークステ
ーションの温度を調節するための装置であるということ
である。従って、各ワークステーションを、周囲温度よ
りも低い温度や、周囲温度に、あるいは周囲温度よりも
高い温度に個別に設定することができる。
【０００９】この発明のさらに別の特徴は、複数のワー
クステーションに対して温度制御を行う方法を提供して
いることである。この方法では、加熱されていないクー
ラントをワークステーションへ一時的に流すことによっ
て急速な過渡応答が得られるようになっている。サーキ
ュレータは一つしか使用されていない。また、クーラン
トの温度はワークステーションの温度よりも若干低い温
度になっており、このクーラントは各ワークステーショ
ンにおいて精密な加熱が行われる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面に基づいてこの発明の実施例
を説明する。この発明の実施例のコントローラが図１に
参照番号１０で示されている。このコントローラ１０
は、まず流体クーラントの供給源と、室温または室温付
近の所定の温度よりも低い温度に流体クーラントを維持
するための手段を有する。この発明では、流体クーラン
トの温度は±0.5 ℃の公差内に維持される。
【００１１】流体クーラントを所定の温度以下に維持す
るための手段は、冷却器 (coolingvehicle)と、関連の
制御装置を有する。熱交換器などの冷却器１２は、ワー
クステーションとワーク媒体またはワークピースとに対
して望む温度よりも低い温度にまで流体クーラントを冷
却する。流体クーラントの温度はメインクーラント温度
センサ１４によって検出される。流体クーラントの温度
を検出したら、メインクーラント温度センサ１４は、ワ
イヤか、または他の伝達媒体からなるセンサリード線１
８を介して、メインクーラント温度制御装置１６へこの
温度を伝える。メインクーラント温度制御装置１６が、
オペレータが与える設定温度情報に従って、制御装置リ
ード線２０を介して冷却器１２へ信号を送る。制御装置
リード線２０はワイヤか、または他の伝達媒体からなっ
ている。こうして、流体クーラントから十分な量の熱を
取り去って、流体クーラントの温度を所望の温度にし、
この温度を維持する。流体クーラントの温度はワークス
テーションとワーク媒体またはワークピースとに対して
望む温度よりも低くなっている。メインクーラント温度
制御装置１６はプログラミングされた温度制御用コンピ
ュータ２２の中に設けられていてもよい。
【００１２】冷却器１２からのクーラントは、パイプま
たはマニホールド２４などの流体クーラント供給源へ入
る。本発明のこの実施例においては、上述したメインク
ーラント温度センサ１４はマニホールド２４の中に設け
られているか、またはマニホールド２４の外部に取り付
けられており、マニホールド２４における流体クーラン
トの温度の検出を行う。
【００１３】冷却器１２及びマニホールド２４からのク
ーラントはクーラント循環装置によってワークステーシ
ョン２８まで運ばれ、そしてワークステーション２８の
中を循環される。クーラント循環装置は流路２６と、戻
り流路３２と、循環ポンプ３０を有する。
【００１４】マニホールド２４からの流体クーラント２
５は流路２６へ流入する。流路２６はフローレギュレー
タ３４を有することが好ましい。フローレギュレータ３
４は流路２６の中を流れる液体クーラントに対して所望
の流量を維持する。特定の実施例において、こうしたフ
ローレギュレータ３４は固定のオリフィスである。流路
２６には電気抵抗ヒータのようなヒータ３６も設けられ
ている。ヒータ３６はワークステーション２８へ流れる
流体クーラントの温度を調節する。ヒータ３６はまた、
必要がある場合には、絶えず流れているクーラント流体
へ連続的に熱を加える。
【００１５】流体クーラントは流路２６からワークステ
ーション２８の中に入り、ワークステーション２８の中
を流れ、ワークステーション２８から流出したあと、流
路２６の中へ入る。そのあと、クーラントは戻り流路３
２を介して循環ポンプ３０及び冷却器１２へ戻る。クー
ラントは、マニホールド２４からも戻り流路３２を介し
て循環ポンプ３０及び冷却器１２へ直接に戻る。
【００１６】流体クーラントがワークステーション２８
を通過するとき、流体クーラントは熱伝達により、ワー
クステーション２８の温度を流体クーラントの温度にま
で調節する。通常、流路２６内のクーラントはワークス
テーション２８よりも温度が低いが、この流路２６内の
クーラントはワークステーション２８よりも温度が高く
てもよい。ワークステーション２８は、その温度を制御
しようとしているワーク媒体またはワークピース３８と
非常に密接に関係している。従って、ワーク媒体または
ワークピースの温度はワークステーションの温度と大体
同じである。
【００１７】ワークステーション２８はワークステーシ
ョン温度センサ４０と協働する。すなわち、ワークステ
ーション温度センサ４０はワークステーション２８の温
度の検出を行う。ワークステーション２８の温度を検出
すると、ワークステーション温度センサ４０は制御装置
であるところのワークステーション温度制御装置４２へ
センサリード線４４を介してこの温度を伝える。センサ
リード線４４は、ワイヤか、または他の伝達媒体からな
っている。ワークステーション２８において維持しよう
とする設定温度は、オペレータによってワークステーシ
ョン温度制御装置４２へ与えられる。ワークステーショ
ン温度制御装置４２をプログラミングされた温度制御用
コンピュータの中に設け、ワークステーションの温度を
調節するときに大きなフレキシビリティと精密さが得ら
れるようにしてもよい。ワークステーション温度制御装
置４２は、ワークステーション温度センサ４０からの温
度表示と、所望する温度との比較を行い、ワークステー
ションの温度を所望の温度に調節するための適切な処置
を行う。
【００１８】ワークステーションの温度を所望の温度に
調節するために、ワークステーション温度制御装置４２
は制御リード線４６を介してヒータ３６へ信号を送って
熱の増減を行う。制御リード線４６はワイヤか、または
他の伝達媒体からなっている。ヒータ３６は、クーラン
トの供給源全体ではなくて、ワークステーション２８へ
の流路２６の中を流れているクーラント部分のみを加熱
する。これによって、ワークステーションの温度を精密
かつ迅速に制御することができる。
【００１９】フローレギュレータ３４とヒータ３６の両
方を迂回するために、流路にはバイパスバルブ４８など
の装置も設けられている。バイパスバルブ４８が開いて
いると、加熱されていないクーラントがワークステーシ
ョン２８へ大きな流量で供給され、ワークステーション
２８が急速に冷却される。バイパスバルブ４８は、制御
リード線５０を介してワークステーション温度制御装置
４２によって制御される。制御リード線５０はワイヤ
か、または他の伝達媒体からなっている。
【００２０】当業者にはわかるであろうが、バイパスバ
ルブ４８とヒータ３６の動作シーケンスは、必要とする
過渡応答の速さや、ワークステーション４２の温度と所
望する温度との間の初期温度差に依存する。一つの極端
な場合、例えば5 ℃などの大きな初期温度差のある場合
には、ワークステーション温度制御装置４２は最初はバ
イパスバルブ４８を開かせる。もう一つの極端な場合で
ある例えば0.5 ℃あるいは1.0 ℃という小さな初期温度
差では、ワークステーション温度制御装置４２はバイパ
スバルブ４８を閉じた状態に保持する。ワークステーシ
ョン温度制御装置４２は温度制御用コンピュータの中に
設けられているため、非常にたくさんの動作シーケンス
をコンピュータの中にプログラミングすることができ、
特定の状況に対してそれに適したシーケンスが選択され
る。
【００２１】例えば、図６はワークステーションの温度
と時間の関係を示すグラフである。ワークステーション
は、例えば22℃という初期温度Ｔ1 から、おそらく20℃
という所望の温度Ｔ2 まで冷却される。所望の温度Ｔ2
は、例えば19℃である流体温度Ｔ3 よりもいくらか高く
なっている。この例においては、ワークステーション温
度制御装置４２はまずバイパスバルブ４８を閉じ、ヒー
タ３６をオフにする。ワークステーションの温度が所定
の温度Ｔ4 まで低下したとき、オペレータが設定したよ
うに、ワークステーション温度制御装置４２はヒータ３
６へ信号を送って、流路２６へ熱を供給し始める。そう
するとグラフのラインＬ1 によって示されているよう
に、ワークステーション２８の温度はワークステーショ
ン２８の温度がポイントＰ1 で表されている所望の温度
Ｔ2 に達するまで、先ほどよりはゆっくりとした速度で
低下する。ワークステーション温度制御装置４２は次に
ヒータ３６を精密に調節して、ワークステーション２８
の温度を所望の温度Ｔ2 に維持する。
【００２２】図７は第２実施例を示している。ここでは
ワークステーションはおそらく25℃などの、もっと高い
温度Ｔ1 からスタートしている。ワークステーション温
度制御装置４２はバイパスバルブ４８を開いて、グラフ
のラインＬ1 によって示されているようにワークステー
ション２８の急速な冷却を行う。ワークステーションの
温度が、例えば19℃という流体クーラントの温度よりも
いくらか高いおそらく20℃という所望の温度Ｔ2 に近づ
くと、ワークステーション温度制御装置４２はバイパス
バルブ４８を閉じて、加熱されていない大きな流量のク
ーラントの流れを遮断する。ワークステーション温度制
御装置４２は次にヒータ３６を精密に調節して、ワーク
ステーション２８の温度を温度Ｔ2 に維持する。
【００２３】この発明では、複数のワークステーション
２８，２８．１，２８．２を、流路２６，２６．１，２
６．２と、ヒータ３６，３６．１，３６．２と、フロー
レギュレータ３４，３４．１，３４．２と、バイパスバ
ルブ４８，４８．１，４８．２と、ワークステーション
温度センサ４０，４０．１，４０．２と、ワークステー
ション温度制御装置４２，４２．１，４２．２を用いて
調節することができる。一つの温度制御装置による制御
を行っていることから、ワークステーションが多数の場
合にはコストの節約につながる。それと同時に、ワーク
ステーションの温度と流れに対する制御を反復すること
によって、所望により、各ワークステーションをそれぞ
れ独立に設定された温度に独立に制御することが可能と
なる。
【００２４】ワークステーションの第１の実施例が図２
に示されている。この実施例ではワークステーション２
８は冷却用プレートを有する。流体クーラントは流路２
６からこの冷却用プレートの中を循環される。冷却用プ
レートは上側表面２９．１を有する。上側表面２９．１
の上にはワークピース３８が載っている。この実施例に
おいては、ワークピースは半導体ウェハーであり、この
半導体ウェハーの温度が制御されることになる。
【００２５】ワークステーションの第２の実施例が図３
に示されている。この実施例では、ワークステーション
２８は円筒状のカラーを有する。カラーの内部には円柱
状の通路２９．２が設けられている。通路２９．２の中
をワーク媒体３８．１が延びている。この実施例におい
ては、ワーク媒体３８．１は電気モータ５２のシャフト
３９である。流体クーラントは流路２６から、ワークス
テーション２８へ流入したり、ワークステーション２８
から流出したりする。こうしてワークステーション２８
はシャフト３９の温度を調節し、電気モータ５２からの
熱がワークピース５４へ伝わるのを防いでいる。ワーク
ピース５４はウェハーであり、シャフト３９の端部上の
回転するチャック５６に支持されている。
【００２６】ワークステーションの第３の実施例が図４
に示されている。この実施例では、ワークステーション
２８は液体−液体間の熱交換器からなる。この熱交換器
は内部にパイプ２９．３を有しており、このパイプ２
９．３の中を、冷却される液体のワーク媒体３８．２が
流れている。流体クーラントは流路２６から循環して、
ワークステーション２８の中に流入したり、ワークステ
ーション２８から流出したりし、液体のワーク媒体３
８．２の温度を調節する。
【００２７】ワークステーションの第４の実施例が図５
に示されている。この実施例では、ワークステーション
２８は上側コンパートメント２９．４と下側コンパート
メント２９．５を備えたモジュールからなる。上側コン
パートメント２９．４と下側コンパートメント２９．５
は冷却用プレート２９．６によって分離されている。流
体クーラントは流路２６から循環し、冷却用プレート２
９．６へ流入したり冷却用プレート２９．６から流出し
たりして、上側コンパートメント２９．４の中のプロセ
スと下側コンパートメント２９．５の中でのプロセスが
熱的に相互作用しないようになっている。
【００２８】以上、循環クーラントと急速な過渡応答を
用いた温度制御装置について、またワーク媒体を所定の
温度まで精密に冷却する方法について説明した。この発
明は、発明の精神または本質から逸脱しないで、他の形
によっても実現が可能である。従って、上述した実施例
は単に説明のためのものであり、発明を限定するもので
はない。この発明の範囲に関しては、上述した実施例よ
りは、添付されている特許請求の範囲を参照すべきであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による温度コントローラを示す
図である。
【図２】温度制御の対象となるワークステーションの第
１の実施例の斜視図である。
【図３】温度制御の対象となるワークステーションの第
２の実施例の斜視図である。
【図４】温度制御の対象となるワークステーションの第
３の実施例の斜視図である。
【図５】温度制御の対象となるワークステーションの第
４の実施例の斜視図である。
【図６】ワークステーションの温度を制御するための一
つの時間シーケンスを示すグラフである。
【図７】ワークステーションの温度を制御するための別
の時間シーケンスを示すグラフである。
【符号の説明】
１０ コントローラ １２ 冷却器 １４ メインクーラント温度センサ １６ メインクーラント温度制御装置 ２２ 温度制御用コンピュータ ２４ マニホルド ２５ 流体クーラント ２６，２６．１，２６．２ 流路 ２８，２８．１，２８．２ ワークステーション ２９．１ 上側表面 ２９．４ 上側コンパートメント ２９．５ 下側コンパートメント ２９．６ 冷却用プレート ３０ 循環ポンプ ３２ 戻り流路 ３４，３４．１，３４．２ フローレギュレータ ３６，３６．１，３６．２ ヒータ ３８ ワークピース ３８．１，３８．２ ワーク媒体 ３９ シャフト ４０，４０．１，４０．２ ワークステーション温度セ
ンサ ４２，４２．１，４２．２ ワークステーション温度制
御装置 ４８ バイパスバルブ ５２ 電気モータ ５４ ワークピース ５６ チャック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/68 Ｎ (72)発明者 ウイリアム・ジー・リード アメリカ合衆国 75080 テキサス，リチ ャードソン，セミノール・ドライブ 1402

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワークステーションと、該ワークステー
    ションにおけるワーク媒体の温度を所定の温度に調節す
    るための、循環クーラントを用いた温度コントローラで
    あって、 前記ワークステーションの温度を検出するワークステー
    ション温度検出装置と、 流体クーラントの供給源及びクーラントを前記所定の温
    度以下の温度に維持するための装置と、 前記クーラントを前記供給源から前記ワークステーショ
    ンへまたその中へ供給する流路を有して、前記ワークス
    テーションとその中の前記ワーク媒体の温度を調節する
    クーラント循環装置と、 前記流路の中に設けられていて、前記ワークステーショ
    ンへ供給される前記クーラントをほぼ前記所定の温度ま
    で加熱して前記ワークステーションと前記ワーク媒体を
    前記所定の温度に維持する前記クーラントのためのヒー
    タと、 前記ヒータの加熱を調節する制御装置であって、前記ワ
    ークステーションの温度と前記所定の温度との間に大き
    な差があるときには前記ヒータによる加熱を減らし、前
    記温度の差が小さくなるにつれて、また前記ワークステ
    ーションの温度が前記所定の温度にほぼ近づくにつれ
    て、前記ヒータによる加熱を大きくする加熱制御装置
    と、 からなる温度コントローラ。
  2. 【請求項２】 前記流路の中の前記クーラントの流れを
    調節するための調節装置を有している請求項１記載の温
    度コントローラ。
  3. 【請求項３】 前記調節装置と前記ヒータとを迂回する
    ためのバイパス装置が設けられ、前記加熱制御装置がこ
    のバイパス装置を制御するようになっている請求項２記
    載の温度コントローラ。
  4. 【請求項４】 前記加熱制御装置が温度制御用コンピュ
    ータであり、このコンピュータのプログラムにより前記
    ヒータ及び前記バイパス装置が制御される請求項３記載
    の温度コントローラ。
  5. 【請求項５】 当該温度コントローラが複数のワークス
    テーションとその中のワーク媒体の温度を制御するよう
    になっている請求項１記載の温度コントローラ。
  6. 【請求項６】 ワークステーションと、該ワークステー
    ションにおけるワーク媒体の温度を所定の温度に調節す
    るための、循環クーラントを用いた温度コントローラで
    あって、 ワークステーションと、 前記ワークステーションの温度を検出するワークステー
    ション温度検出装置と、 流体クーラントの供給源及びクーラントを前記所定の温
    度以下の温度に維持するための装置と、 前記クーラントを前記供給源から前記ワークステーショ
    ンへまたその中へ供給する流路を有して、前記ワークス
    テーションとその中の前記ワーク媒体を冷却するクーラ
    ント循環装置と、 前記流路の中に設けられていて、前記ワークステーショ
    ンへ供給される前記クーラントをほぼ前記所定の温度ま
    で加熱して前記ワークステーションと前記ワーク媒体を
    前記所定の温度に維持する前記クーラントのためのヒー
    タと、 前記ヒータの加熱を調節する制御装置であって、前記ワ
    ークステーションの温度と前記所定の温度との間に大き
    な差があるときには前記ヒータによる加熱を減らし、前
    記温度の差が小さくなるにつれて、またワークステーシ
    ョンの温度が前記所定の温度にほぼ近づくにつれて、前
    記ヒータによる加熱を大きくする加熱制御装置と、 からなる温度コントローラ。
  7. 【請求項７】 前記流路の中の前記クーラントの流れを
    調節するための調節装置が設けられている請求項６記載
    の温度コントローラ。
  8. 【請求項８】 前記調節装置と前記ヒータとを迂回する
    ためのバイパス装置が設けられ、前記加熱制御装置がこ
    のバイパス装置を制御するようになっている請求項７記
    載の温度コントローラ。
  9. 【請求項９】 前記加熱制御装置が温度制御用コンピュ
    ータであり、このコンピュータのプログラムにより前記
    ヒータ及び前記バイパス装置が制御される請求項８記載
    の温度コントローラ。
  10. 【請求項１０】 前記ワークステーションが冷却用プレ
    ートを有し、この冷却用プレートが温度を調節されるべ
    きウェハーを支持している請求項６記載の温度コントロ
    ーラ。
  11. 【請求項１１】 前記ワークステーションが円筒形状の
    カラーを有し、このカラーが冷却の行われるシャフトを
    取り囲んでおり、前記シャフトが一端において電気モー
    タへ連結され、前記電気モータから離れた側の端部にチ
    ャックを有し、このチャックがその温度を調節されるべ
    きウェハーを支持している請求項６記載の温度コントロ
    ーラ。
  12. 【請求項１２】 前記ワークステーションが液体−液体
    間の熱交換器を有し、この熱交換器が該熱交換器の中を
    流れる流体の温度を調節するようになっている請求項６
    記載の温度コントローラ。
  13. 【請求項１３】 前記ワークステーションが上側コンパ
    ートメントと、下側コンパートメントと、前記上側コン
    パートメントを前記下側コンパートメントから分離する
    冷却用プレートとを備えたモジュールを有し、このモジ
    ュールが前記上側コンパートメントと下側コンパートメ
    ントの中の材料の温度を調節する請求項６記載の温度コ
    ントローラ。
  14. 【請求項１４】 当該温度コントローラが複数のワーク
    ステーションとその中のワーク媒体の温度を制御するよ
    うになっている請求項６記載の温度コントローラ。
  15. 【請求項１５】 ワークステーションと、該ワークステ
    ーションにおけるワーク媒体の温度を所定の温度に調節
    するための、循環クーラントを用いた温度コントローラ
    であって、 流体クーラントの供給源と、 前記流体クーラントの温度を検出し、前記所定の温度よ
    りも低い温度に維持するための冷却装置、メインクーラ
    ント温度センサ、及びメインクーラント温度制御装置
    と、 前記流体クーラントの供給源から前記流体クーラントを
    受容し、該流体クーラントを前記ワークステーションへ
    供給して、前記ワークステーションとその中のワーク媒
    体を冷却するための、流路、戻り路及び循環ポンプと、 前記ワークステーションの温度を検出して前記ワークス
    テーションの温度を調節するための、ワークステーショ
    ン温度センサ及びワークステーション温度制御装置と、 前記流路の中に設けられて前記ワークステーション温度
    制御装置に応答し、前記ワークステーションへ供給され
    る前記クーラントを前記所定の温度にほぼ等しい温度ま
    で加熱することによって、前記ワークステーションと前
    記ワーク媒体を前記所定の温度に維持するためのクーラ
    ントヒータとを有し、 前記ワークステーション温度制御装置は、前記ワークス
    テーションの温度と前記所定の温度との間に大きな差が
    あるときには前記ヒータによる加熱を減らし、前記温度
    の差が小さくなるにつれて、またワークステーションの
    温度が前記所定の温度にほぼ近づくにつれて、前記ヒー
    タによる加熱を大きくするものであり、 さらに、前記流路の中を流れる前記クーラントの流量を
    所望の値に維持するためのフローレギュレータと、 前記ヒータと前記フローレギュレータの両方を迂回する
    ことによってワークステーションへ大きな流量の加熱さ
    れていないクーラントを流すバイパスバルブであって、
    前記ワークステーション温度制御装置に応答するバイパ
    スバルブ、 とを有する温度コントローラ。
  16. 【請求項１６】 前記メインクーラント温度制御装置と
    前記ワークステーション温度制御装置とが、温度制御用
    コンピュータにより構成されている請求項１５記載の温
    度コントローラ。
  17. 【請求項１７】 当該温度コントローラが複数のワーク
    ステーションとその中のワーク媒体の温度を制御するよ
    うになっている請求項１５記載の温度コントローラ。
  18. 【請求項１８】 ワークステーションと、該ワークステ
    ーションにおけるワーク媒体の温度を所定の温度に調節
    するための、循環クーラントを用いた温度コントローラ
    であって、 ワークステーションと、 流体クーラントの供給源と、 前記流体クーラントの温度を検出し、所定の温度よりも
    低い温度に維持するための冷却装置、メインクーラント
    温度センサ及びメインクーラント温度制御装置と、 前記流体クーラントの供給源から前記流体クーラントを
    受容し、前記流体クーラントを前記ワークステーション
    へ供給して、該ワークステーションとその中の前記ワー
    ク媒体を冷却するための、流路、戻り路及び循環ポンプ
    と、 前記ワークステーションの温度を検出して該ワークステ
    ーションの温度を調節するためのワークステーション温
    度センサ及びワークステーション温度制御装置と、 前記流路の中に設けられて前記ワークステーション温度
    制御装置に応答し、前記ワークステーションへ供給され
    る前記クーラントを前記所定の温度にほぼ等しい温度ま
    で加熱することによって、前記ワークステーションと前
    記ワーク媒体を前記所定の温度に維持するためのクーラ
    ントヒータとを有し、 前記ワークステーション温度制御装置は、前記ワークス
    テーションの温度と前記所定の温度との間に大きな差が
    あるときには前記ヒータによる加熱を減らし、前記温度
    の差が小さくなるにつれて、また前記ワークステーショ
    ンの温度が前記所定の温度にほぼ近づくにつれて、前記
    ヒータによる加熱を大きくするものであり、 さらに、前記流路の中を流れる前記クーラントの流量を
    所望の値に維持するためのフローレギュレータと、 前記ヒータと前記フローレギュレータの両方を迂回する
    ことによってワークステーションへ大きな流量の加熱さ
    れていないクーラントを流すバイパスバルブであって、
    前記ワークステーション温度制御装置に応答するバイパ
    スバルブ、 とを有する温度コントローラ。
  19. 【請求項１９】 前記ワークステーションが冷却用プレ
    ートを有し、この冷却用プレートがその温度を調節され
    るべきウェハーを支持する請求項１８記載の温度コント
    ローラ。
  20. 【請求項２０】 前記ワークステーションが円筒形状の
    カラーを有し、このカラーが冷却の行われるシャフトを
    取り囲んでおり、前記シャフトが一端において電気モー
    タへ連結され、前記電気モータから離れた方の端部にチ
    ャックを有し、このチャックがその温度を調節されるべ
    きウェハーを支持する請求項１８記載の温度コントロー
    ラ。
  21. 【請求項２１】 前記ワークステーションが液体−液体
    間の熱交換器を有し、この熱交換器が該熱交換器の中を
    流れる流体の温度を調節するようになっている請求項１
    ８記載の温度コントローラ。
  22. 【請求項２２】 前記ワークステーションが上側コンパ
    ートメントと、下側コンパートメントと、前記上側コン
    パートメントを前記下側コンパートメントから分離する
    冷却用プレートとを備えたモジュールを有し、このモジ
    ュールが前記上側コンパートメントと下側コンパートメ
    ントの中の材料の温度を調節する請求項１８記載の温度
    コントローラ。
  23. 【請求項２３】 前記メインクーラント温度制御装置と
    前記ワークステーション温度制御装置とが温度制御用コ
    ンピュータにより構成されている請求項１８記載の温度
    コントローラ。
  24. 【請求項２４】 当該温度制御装置が複数のワークステ
    ーションとその中のワーク媒体の温度を制御するように
    なっている請求項１８記載の温度コントローラ。
  25. 【請求項２５】 ワークステーションと該ワークステー
    ションにおけるワーク媒体を所定の温度まで精密に冷却
    するための、循環クーラントを用いた温度制御方法であ
    って、 前記所定の温度よりも低い温度の流体クーラントを用い
    て、前記ワークステーションの温度が前記所定の温度に
    近づくまで、前記ワークステーションの温度を急速に下
    げる段階と、 前記所定の温度が得られるまで、前記ワークステーショ
    ンへ流れる前記クーラントを加熱することによって冷却
    の速度を下げる段階と、を有する温度制御方法。
  26. 【請求項２６】 複数の前記ワークステーションの温度
    が制御される請求項２５記載の温度制御方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160528A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Fenwall Controls Of Japan Ltd 温度制御方法
JP2003535299A (ja) * 2000-05-30 2003-11-25 アイジーシー ポリコールド システムズ インコーポレイテッド 制御された冷却および昇温速度と長期加熱機能とを有する極低温冷凍システム
JP2007300142A (ja) * 2003-03-11 2007-11-15 Asml Netherlands Bv 温度調節付きロード・ロック、ロード・ロックを備えたリソグラフィ装置、およびロード・ロックを用いて基板を製造する方法
US7576831B2 (en) 2003-03-11 2009-08-18 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for maintaining a machine part
US7878755B2 (en) 2003-03-11 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Load lock and method for transferring objects
JP2013026561A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Tokyo Electron Ltd 温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法

Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3188363B2 (ja) * 1994-01-21 2001-07-16 エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法
US5856194A (en) 1996-09-19 1999-01-05 Abbott Laboratories Method for determination of item of interest in a sample
US6026896A (en) * 1997-04-10 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor processing facilities
US6415858B1 (en) * 1997-12-31 2002-07-09 Temptronic Corporation Temperature control system for a workpiece chuck
JP3507026B2 (ja) 2000-10-31 2004-03-15 株式会社ニシヤマ ワーク温度制御装置
US7069984B2 (en) * 2001-02-08 2006-07-04 Oriol Inc. Multi-channel temperature control system for semiconductor processing facilities
US7225864B2 (en) * 2001-02-08 2007-06-05 Oriol Inc. Multi-channel temperature control system for semiconductor processing facilities
JP2002270485A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置および温調システム
JP2003007356A (ja) 2001-06-25 2003-01-10 Matsushita Refrig Co Ltd 蓄電池の温度調節装置とそれを搭載した移動車
US7061763B2 (en) * 2002-01-29 2006-06-13 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Cabinet cooling
US7114555B2 (en) 2002-05-31 2006-10-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controlled cooling of a data center
US7027887B2 (en) * 2002-07-03 2006-04-11 Theries, Llc Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US8210120B2 (en) * 2003-01-10 2012-07-03 Microsemi Corporation Systems and methods for building tamper resistant coatings
EP1457830A3 (en) * 2003-03-11 2005-07-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock
CN1301534C (zh) * 2003-07-15 2007-02-21 旺宏电子股份有限公司 半导体炉管温度及气体流量异常事件的预防方法
JP3841073B2 (ja) * 2003-07-28 2006-11-01 松下電器産業株式会社 スクリーン印刷装置
US7236363B2 (en) * 2003-09-22 2007-06-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Liquid cooled system module
US20050150635A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Luebke Paul W. Modular cooling loop system
JP4910163B2 (ja) * 2005-09-30 2012-04-04 Ｓｍｃ株式会社 恒温液循環装置及び該装置における温度制御方法
JP4482764B2 (ja) * 2005-09-30 2010-06-16 Ｓｍｃ株式会社 外部配管保護機能をもつ恒温液循環装置
US20100163221A1 (en) * 2005-11-30 2010-07-01 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Local control of heat flow to more accurately regulate machine temperatures
DE102006002938B3 (de) * 2006-01-21 2007-04-05 JUCHHEIM Laborgeräte GmbH Thermostat-Einrichtung zur Temperierung eines fluiden Wärmeträgermediums
JP2008155110A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Espec Corp 熱媒体供給装置及び温度調節機器
JP5121322B2 (ja) * 2007-06-15 2013-01-16 株式会社東京精密 プローバおよびプローバのウエハチャックの温度制御方法
US7929305B1 (en) * 2009-07-16 2011-04-19 Hamilton Sundstrand Corporation Power electronics cooling system with flow orifice control
US8410393B2 (en) 2010-05-24 2013-04-02 Lam Research Corporation Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
EP2577156A4 (en) * 2010-06-01 2014-07-02 Pressco Ip Llc DISTRIBUTED COOLING OF APPROPRIATE RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES
CN101975489B (zh) * 2010-11-03 2012-01-18 合肥工业大学 全天候宽温带精密温度控制系统
US8755948B2 (en) 2010-11-15 2014-06-17 International Business Machines Corporation Controlling fluid coolant flow in cooling systems of computing devices
CN102540750B (zh) * 2010-12-30 2015-02-11 上海微电子装备有限公司 一种光刻设备环境控制系统
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
CN102218412B (zh) * 2011-05-31 2013-05-01 北京七星华创电子股份有限公司 清洗药液的复合温度控制方法
US9039346B2 (en) 2011-10-17 2015-05-26 General Electric Company Rotor support thermal control system
CN103072039A (zh) * 2011-10-25 2013-05-01 朱宏斌 机械类冷却循环系统
CN102654489A (zh) * 2012-05-02 2012-09-05 辽宁科技大学 一种模拟移动床色谱中、低温控温装置
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8970114B2 (en) 2013-02-01 2015-03-03 Lam Research Corporation Temperature controlled window of a plasma processing chamber component
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
CN103268058B (zh) * 2013-05-10 2015-04-29 中国科学院微电子研究所 一种用于euv真空环境中的电子学装置
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
JP6365154B2 (ja) * 2014-09-11 2018-08-01 株式会社ジェイテクト 工作機械
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) * 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
CN106808309A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 湖南衡泰机械科技有限公司 一种铣床保温结构
CN105436986A (zh) * 2015-12-30 2016-03-30 青海模具制造科技有限公司 一种设有冷却液装置及冷却液加热装置的数控机床
JP6636359B2 (ja) * 2016-03-02 2020-01-29 株式会社ディスコ 定温水供給装置
CN105833923B (zh) * 2016-05-10 2017-11-14 湖州唯立仪表厂 一种高精度高低温恒温试验装置
KR101742300B1 (ko) 2016-05-13 2017-05-31 김승일 온도 조절 기능을 가진 cnc 선반
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
DE112018004425T5 (de) 2017-10-06 2020-05-20 Dana Canada Corporation Aktives Aufheizsystem und Aufheizverfahren
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11227780B2 (en) * 2018-09-20 2022-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for operating the same
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI690384B (zh) * 2019-05-20 2020-04-11 正鴻科技有限公司 對工具機主軸提供升降溫效果之輔助裝置
GB201915900D0 (en) * 2019-11-01 2019-12-18 Fives Landis Ltd Temperature controls in machine tools
US12471260B2 (en) 2023-05-23 2025-11-11 The Esab Group, Inc. IGBT temperature dampening systems and methods

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60167745A (ja) * 1984-02-08 1985-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 工作機械主軸ヘツドの温度制御装置
JPS63283842A (ja) * 1987-05-14 1988-11-21 Kamui Sangyo Kk 液体循環装置
JPH0238805A (ja) * 1988-07-27 1990-02-08 Rikagaku Kenkyusho 光学的３次元座標入力装置の構成
JPH0335060A (ja) * 1989-06-30 1991-02-15 Yuasa Battery Co Ltd 高分子固体電解質
JPH0362920A (ja) * 1989-08-01 1991-03-19 Canon Inc 露光装置
JPH05143169A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Hitachi Ltd 水冷却装置の始動制御方法
JPH05253790A (ja) * 1992-03-13 1993-10-05 Toshiba Mach Co Ltd 工作機械の超精密温度制御システム及びその制御方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE967751C (de) * 1954-11-12 1957-12-12 Heinrich Feichtinger Dr Ing Thermostat
US3236292A (en) 1962-11-15 1966-02-22 Hupp Corp High temperature heating apparatus
US3227207A (en) 1963-03-04 1966-01-04 Alan L Litman Thermal environmental control apparatus
US3229754A (en) 1963-03-14 1966-01-18 Phillips Petroleum Co Heating and cooling temperature control system
US3360032A (en) 1965-09-20 1967-12-26 Globe Union Inc Temperature controlling system
US3370454A (en) * 1965-11-24 1968-02-27 Tenney Engineering Inc Constant temperature bath for calibrating immersion type instruments
GB1293132A (en) 1968-11-12 1972-10-18 Gulton Europ Ltd Improvements in or relating to temperature controllers
US3645697A (en) 1969-07-18 1972-02-29 Phillips Petroleum Co Controlling apparatus of a reactor
US3593253A (en) * 1969-07-28 1971-07-13 Ernest N Taylor Thermostat actuator blade assembly
CS180312B1 (en) 1975-10-24 1977-12-30 Michal Kostura Equipment for automatic temperature control of metallic casting moulds
US4386650A (en) * 1976-02-05 1983-06-07 Rockwell International Corporation Temperature control system
DE2808473C2 (de) 1978-02-28 1982-12-30 Hellige Gmbh, 7800 Freiburg Medizinisch-diagnostische Vorrichtung zur Bestimmung von Blutungszeit und Blutungsverhalten
US4621678A (en) 1982-09-13 1986-11-11 Cosden Technology, Inc. Heat exchanger apparatus for extruding thermoplastic compositions
JPS5961027A (ja) * 1982-09-29 1984-04-07 Toshiba Corp 半導体基板加熱装置
DE3412157A1 (de) * 1984-03-31 1985-10-03 Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich Verfahren und thermostat zur einstellung einer konstanten temperatur fuer ein fluid mit geringem massenstrom
JPS6127444A (ja) * 1984-07-17 1986-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 即湯化装置
FR2580060B1 (ja) * 1985-04-05 1989-06-09 Nec Corp
JPS6274112A (ja) * 1985-09-28 1987-04-04 Toshiba Corp 温度制御装置
JPS62237248A (ja) * 1986-04-04 1987-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd バイパス水路付給湯機
US4784213A (en) * 1986-04-08 1988-11-15 Temptronic Corporation Mixing valve air source
US4956043A (en) * 1987-05-25 1990-09-11 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus
US5084671A (en) * 1987-09-02 1992-01-28 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
US4789025A (en) 1987-11-25 1988-12-06 Carrier Corporation Control apparatus for refrigerated cargo container
JPH0731208B2 (ja) * 1988-07-09 1995-04-10 株式会社日立製作所 自動分析装置の反応温度制御装置
EP0363098B1 (en) * 1988-10-03 1995-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Temperature controlling device
JP2921176B2 (ja) * 1991-06-21 1999-07-19 松下電器産業株式会社 給湯機
JPH0593545A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Inax Corp 給湯機の制御方法
JPH05106912A (ja) * 1991-10-15 1993-04-27 Harman Co Ltd 給湯制御装置
US5226472A (en) 1991-11-15 1993-07-13 Lab-Line Instruments, Inc. Modulated temperature control for environmental chamber
JP2852152B2 (ja) 1992-02-06 1999-01-27 甲府日本電気株式会社 電子装置の冷却装置
JP3188363B2 (ja) * 1994-01-21 2001-07-16 エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60167745A (ja) * 1984-02-08 1985-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 工作機械主軸ヘツドの温度制御装置
JPS63283842A (ja) * 1987-05-14 1988-11-21 Kamui Sangyo Kk 液体循環装置
JPH0238805A (ja) * 1988-07-27 1990-02-08 Rikagaku Kenkyusho 光学的３次元座標入力装置の構成
JPH0335060A (ja) * 1989-06-30 1991-02-15 Yuasa Battery Co Ltd 高分子固体電解質
JPH0362920A (ja) * 1989-08-01 1991-03-19 Canon Inc 露光装置
JPH05143169A (ja) * 1991-11-22 1993-06-11 Hitachi Ltd 水冷却装置の始動制御方法
JPH05253790A (ja) * 1992-03-13 1993-10-05 Toshiba Mach Co Ltd 工作機械の超精密温度制御システム及びその制御方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160528A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Fenwall Controls Of Japan Ltd 温度制御方法
JP2003535299A (ja) * 2000-05-30 2003-11-25 アイジーシー ポリコールド システムズ インコーポレイテッド 制御された冷却および昇温速度と長期加熱機能とを有する極低温冷凍システム
JP2007300142A (ja) * 2003-03-11 2007-11-15 Asml Netherlands Bv 温度調節付きロード・ロック、ロード・ロックを備えたリソグラフィ装置、およびロード・ロックを用いて基板を製造する方法
US7394520B2 (en) 2003-03-11 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock
US7576831B2 (en) 2003-03-11 2009-08-18 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for maintaining a machine part
US7878755B2 (en) 2003-03-11 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Load lock and method for transferring objects
JP2013026561A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Tokyo Electron Ltd 温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6854514B2 (en) 2005-02-15
JP3188363B2 (ja) 2001-07-16
DE69434326T2 (de) 2006-03-09
KR100244739B1 (ko) 2000-03-02
US6308776B1 (en) 2001-10-30
CN1119731A (zh) 1996-04-03
US20010047864A1 (en) 2001-12-06
JP3623696B2 (ja) 2005-02-23
DE69424270D1 (de) 2000-06-08
EP0967537A2 (en) 1999-12-29
DE69434326D1 (de) 2005-05-12
DE69424270T2 (de) 2001-01-04
EP0664501B1 (en) 2000-05-03
KR950024289A (ko) 1995-08-21
TW257842B (ja) 1995-09-21
EP0664501A1 (en) 1995-07-26
EP0967537B1 (en) 2005-04-06
EP0967537A3 (en) 2000-05-24
JP2000107981A (ja) 2000-04-18

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