JPH07262519A

JPH07262519A - Ｍｒ複合ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07262519A
Application number: JP6325467A
Authority: JP
Inventors: Mohamad T Krounbi; モハマド・トウフィク・クロウンビー; Jyh-Shuey J Lo; ジー＝シュエイ・ジェリー・ロー; Ching H Tsang; チン・ホワ・ツァン; Robert M Valletta; ロバート・エム・ヴァレッタ
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1994-03-09
Filing date: 1994-12-27
Publication date: 1995-10-13
Anticipated expiration: 2015-05-29
Also published as: JP3045941B2; TW247363B; KR950027691A; CN1122496A; MY111561A; CN1058800C; EP0671725A2; US5438747A; KR0150385B1; SG28470A1

Abstract

(57)【要約】【目的】サイドフリンジを最小化し、オフトラック性
能を改善するため、垂直に位置合せされた側壁を有する
ＭＲ複合ヘッドを提供する。【構成】読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２を構成す
る底極片Ｐ１が、短い長さ寸法のペデスタル磁極端を有
する。ギャップ層Ｇの長さの２倍ほどの短い長さを有す
るペデスタル磁極端によって、サイドライティングが最
適に最小化され、オフトラック性能が改善される。書込
みヘッドの底磁極端構造は、頂磁極端構造をマスクとし
て使用するイオン・ビーム・ミリングによって構成され
る。イオン・ビーム・ミリングは、頂磁極端構造の側壁
に対してある角度に向けられ、これによって、底磁極端
構造が、側壁を頂磁極端構造と位置合せされた状態でミ
リングされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、位置合せされた磁極端
を有する薄膜併合磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドと、その製造
方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク駆動装置では、高速で回転
するディスクの表面の上に支持される、「ヘッド」と称
する薄膜磁気変換器によってデータが読み書きされる。
ヘッドは、ディスクの高速回転によって作られる空気の
薄いクッション（「エア・ベアリング」）によって支持
される。

【０００３】薄膜磁気書込みヘッドは、高い面密度をも
たらすので望ましく、薄膜磁気読取りヘッドは、分解能
が高いので望ましい。薄膜磁気ヘッドは、製造が簡単で
もある。さまざまな薄膜製造技法を用いて、セラミック
基板上にヘッドをまとめて製造した後に、個々のヘッド
に刻み分ける（dice）ことができる。

【０００４】薄膜書込みヘッドには、磁性材料の薄膜
（「層」）から形成される底極片Ｐ１および頂極片Ｐ２
が含まれる。これらの極片は、一般に「スロート・ハイ
ト（throat height）」と称する磁極端高さ寸法を有す
る。完成した書込みヘッドでは、スロート・ハイトが、
極片の先端を研摩することによって形成されるエア・ベ
アリング面（「ＡＢＳ」）と、底極片Ｐ１および頂極片
Ｐ２が磁気記録ギャップに収束する０スロート・ハイト
・レベル（「０スロート・レベル」）との間で測定され
る。薄膜磁気書込みヘッドにも、ＡＢＳと０スロート・
レベルの間に置かれる磁極端領域が含まれ、さらに、０
スロート・レベルから後ろに延び、バック・ギャップを
含むバック区域が含まれる。極片のそれぞれは、磁極端
領域に磁極端部分を有し、バック領域にバック部分を有
する。極片は、バック・ギャップで互いに接続される。

【０００５】磁極端は、書込みヘッドの底極片Ｐ１およ
び頂極片Ｐ２の延長である。底極片Ｐ１および頂極片Ｐ
２のそれぞれが、磁極端領域では磁極端に変化する。磁
極端は、絶縁材料の薄い層であるギャップ層（Ｇ）によ
って分離される。頂極片Ｐ２の磁極端は、磁束を磁気媒
体に誘導する最後の要素である。したがって、その幅
は、底極片Ｐ１の磁極端の幅よりも重要である。しか
し、下で詳細に説明するように、磁極端の間での磁束漏
れを最小にするために、磁極端が同一の幅を有すること
が重要である。

【０００６】ディスクの単位表面積あたりに記憶される
データの量（「面密度」）を高めるためには、書込みヘ
ッドが、ディスク表面のより狭いトラックにより多くの
データを書き込むことが必要である。したがって、面密
度の向上は、磁極端の間のギャップ長を減らすことによ
って可能である。ギャップ長を減らすことによって、ト
ラック内のビット密度が高まる。しかし、ギャップ長の
短縮は、磁極端の間の磁束強度（flux intensity）の減
少によって制限される。面密度の向上は、書込みヘッド
がディスクに記録するデータ・トラックの数を増やすこ
とによっても可能である。これに関連するパラメータ表
現が、「トラック毎インチ」または「ＴＰＩ」である。
書込みヘッドのＴＰＩ能力は、データ・トラックの幅を
決定するヘッド寸法を減らすことによって高められる。
通常、この寸法をヘッドの「トラック幅」と称する。

【０００７】ＭＲ読取りヘッドには、回転する磁気ディ
スクからの磁束密度に応答して抵抗値が変化する磁気抵
抗（ＭＲ）要素が使用される。この磁気抵抗要素を通過
する感知電流は、磁気抵抗要素の抵抗の変化に比例して
変化する。磁気抵抗要素の応答は、磁気抵抗要素の抵抗
変化が磁気媒体から感知される磁束密度の変化にどれほ
ど良好に追従するかに基づいている。ディスク駆動装置
では、読取りヘッドからのリードバック信号を処理する
ために、磁気抵抗要素に差動前置増幅器を接続する。磁
気抵抗要素は、底ギャップ（絶縁）層Ｇ１と頂ギャップ
層Ｇ２に挟まれた薄膜層であり、これらは、底シールド
層である第１シールド層Ｓ１と頂シールド層である第２
シールド層Ｓ２に挟まれる。これらのシールド層の間の
距離を、読取りギャップと称する。読取りギャップが狭
ければ狭いほど、ＭＲ読取りヘッドの分解能が高くな
る。

【０００８】最近の技術の進歩によって、ＭＲ複合（me
rged）ヘッドがもたらされた。ＭＲ複合ヘッドでは、Ｍ
Ｒ読取りヘッドと書込みヘッドを組み合わせて使用す
る。これは、ＭＲヘッドの第２シールド層Ｓ２を書込み
ヘッドの底極片Ｐ１として使用することによって達成さ
れる。ＭＲ複合ヘッドは、読取りまたは書込みのいずれ
かに関して高い能力を有する。ＭＲ複合ヘッドでは、Ｍ
Ｒ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２が、書込みヘッド
の底極片Ｐ１としても働き、これによって製造ステップ
が１つ省略されるので、読取りヘッドと書込みヘッドを
別々に製造する場合に対して処理ステップが節約され
る。ＭＲ複合ヘッドのもう１つの長所は、書込み直後の
読取りのために、読取りヘッドと書込みヘッドの諸要素
を単一のサスペンション・システム上で簡単に位置合せ
できることである。

【０００９】しかし、現在のＭＲ複合ヘッド構造では、
記録中にかなり大きいサイドフリンジ磁界が生じる。こ
の磁界は、頂極片Ｐ２から底極片Ｐ１の、Ｐ２によって
画定される領域を越えた部分への磁束漏れによって生じ
る。このサイドフリンジ磁界は、達成可能な最小トラッ
ク幅を制限し、したがって、トラック密度の上限を制限
する。その結果、ＭＲ複合ヘッドの記録要素によって書
き込まれたトラックをＭＲ要素によって読み取る時に
は、ＭＲ要素の「オフトラック」性能が劣悪になる。す
なわち、ＭＲ要素が、読取り中のトラックの中心から横
方向に移動する時、そのＭＲ要素が少し移動しただけ
で、隣接トラックの磁界からの干渉が、読取り中のトラ
ックの磁界と干渉し始める。

【００１０】誘導ヘッドでは、底磁極端要素ＰＴ１およ
び頂磁極端要素ＰＴ２の側壁が、上下の極片を介するイ
オン・ビーム・ミリングによって、実質的に垂直に位置
合せされ、実質的に等しい幅に制限される。しかし、こ
の処理中に頂磁極端要素ＰＴ２によって引き起こされる
シャドーイングのために、底磁極端要素ＰＴ１に向かっ
て多少外向きのテーパーが付く。このテーパーの非対称
性は、幾つかの望ましくない影響をもたらすが、磁極端
の側壁は、磁極端の間のギャップの縁を超えるサイドフ
リンジを防ぐようにおおむね垂直に位置合せされる。

【００１１】ＭＲ複合ヘッドを製造するための本方法で
は、第２シールド層Ｓ２の上にギャップ層を堆積した後
に、ギャップ層の上に頂磁極端要素ＰＴ２を堆積する。
頂磁極端要素ＰＴ２は、フォトレジスト・フレームめっ
きまたはイオン・ビーム・ミリングのいずれかによって
画定できる。頂磁極端要素ＰＴ２の幅は、書き込まれる
トラックの幅を制限するために、５μｍ程度に狭く保た
れる。しかし、このＭＲ読取りヘッドの第２シールド層
Ｓ２は、読取りヘッド内のＭＲ要素をシールドするため
に、５０μｍ程度の非常に広い幅を有する。この幅の相
違が、頂磁極端要素ＰＴ２の幅を超えて横に延びる磁極
端要素の間のサイドフリンジ磁束場をもたらす。これ
は、頂磁極端要素ＰＴ２からの磁束線のための大きな横
チャネルをもたらす第２シールド層Ｓ２の幅によって引
き起こされる。底磁極端要素ＰＴ１を含む第２シールド
層Ｓ２は、頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に位置合せされた
側壁を有することが望ましいはずである。しかし、第２
シールド層Ｓ２は、ＭＲ要素を保護するために幅広であ
る必要があるので、これは不可能である。このため、Ｍ
Ｒ複合ヘッドのオフトラック性能問題を改良できないよ
うに見える。

【００１２】ＭＲ複合ヘッドのサイドフリンジ問題に対
する解決策の１つが、第２シールド層Ｓ２の上に狭い磁
極端層ＰＴ１ｂを作り、Ｓ２層により幅広の底の磁極端
要素ＰＴ１ａとして働かせることである。これらの磁極
端の両方が、底極片Ｐ１の磁極端部分であり、磁極端層
ＰＴ１ｂが、磁極端要素ＰＴ１ａの上でペデスタル（pe
destal）を形成する。その後、磁極端層ＰＴ１ｂの上に
ギャップ層を形成し、そのギャップ層の上に頂極片Ｐ２
の頂磁極端要素ＰＴ２を形成する。この磁極端配置は、
（１）フォトレジスト・マスキング技法を使用して磁極
端層ＰＴ１ｂと頂磁極端要素ＰＴ２のそれぞれをフレー
ムめっきするか、（２）頂極片Ｐ２のヨーク区域をマス
キングし、頂磁極端要素ＰＴ２と磁極端層ＰＴ１ｂの両
方ならびにそれらの間のギャップ層を介してイオン・ビ
ーム・ミリングを行うかのいずれかによって構成するこ
とができる。フレームめっき処理では、頂磁極端要素Ｐ
Ｔ２と磁極端層ＰＴ１ｂの側壁を位置合せすることが極
端に困難である。これは、磁極端のそれぞれが、別の工
程でめっきされ、その結果、フォトレジスト・マスクの
位置ずれが生じるからである。イオン・ビーム・ミリン
グの場合、ミリング屑の再堆積が処理中にＰＴ２上に蓄
積し、その下の磁極端層ＰＴ１ｂのシャドーイングを引
き起こす。このシャドーイングは、上で述べた誘導ヘッ
ドを製造する際にも生じる現象であるが、下側の磁極端
層ＰＴ１ｂの外向きテーパー構成をもたらす。シャドー
イングは、下側の磁極端から横に延び、サイドフリンジ
磁界の磁気経路をもたらす。まっすぐ下向きではなくイ
オン・ビームを側壁に対してある角度に向けることによ
って、屑を取り除き、これらの磁極端の側壁を垂直に位
置合せする試みがなされてきた。これによって、屑の一
部が切除される。しかし、累積した屑は非常に厚いの
で、この処理によって垂直の側壁を得ることはできな
い。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、サイ
ドライティング（sidewriting）を最小化するために垂
直に位置合せされた磁極端を有する薄膜磁気ヘッドを提
供することである。

【００１４】本発明のもう１つの目的は、オフトラック
性能が改良された薄膜ＭＲ複合ヘッドを提供することで
ある。

【００１５】本発明のもう１つの目的は、その中の磁気
抵抗要素のシールドとして働き、良好なオフトラック性
能を有する書込みヘッドの磁極端としても働く第２シー
ルド層Ｓ２を有するＭＲ複合ヘッドを提供することであ
る。

【００１６】本発明のもう１つの目的は、第２シールド
層Ｓ２が小さな高さのペデスタルを有し、このペデスタ
ルが磁極端層ＰＴ１ｂとして働き、その下のＳ２層が書
込みヘッドの底極片Ｐ１の磁極端要素ＰＴ１ａとして働
くことを特徴とし、磁極端層ＰＴ１ｂの側壁が頂磁極端
要素ＰＴ２の側壁と垂直に位置合せされることを特徴と
する、ＭＲ複合ヘッドを提供することである。

【００１７】他の目的および長所は、本発明の下記の説
明を鑑みれば明らかになる。

【００１８】

【課題を解決するための手段】従来技術のＭＲ複合ヘッ
ドのサイドフリンジ問題は、ＭＲ複合ヘッド製造の処理
における独自の２ステップの発見によって解決された。
第１の発見は、磁極端層ＰＴ１ｂの長さ（Ｓ２／ＰＴ１
ａ磁極端に関するペデスタル部分）を、以前に考えられ
ていたものより短くすることができるということであ
る。ギャップ層Ｇの長さｇの０．５倍ないし２．５倍の
長さを有するペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを用いると、
ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの側壁が頂磁極端要素ＰＴ
２の側壁と垂直に位置合せされている場合に、サイドフ
リンジ磁界が大幅に減少することが観察された。垂直位
置合せは、２つのステップを含む第２の発見によって達
成された。その第１ステップは、所望の幅を有するギャ
ップ層の上に頂磁極端要素ＰＴ２をフレームめっきする
ことである。この層の厚さは、次の処理ステップによっ
て減らされるので、所望の最終的な厚さより厚くするこ
とができる。たとえば、５μｍの最終厚さを所望する場
合、追加の２μｍを追加し、合計７μｍの厚さとするこ
とができる。フォトレジスト・フレームめっき処理を用
いて、７μｍの厚さを有し、垂直の側壁を有する頂磁極
端要素ＰＴ２を構成することができる。次のステップ
は、頂磁極端要素ＰＴ２をマスクとして使用して、頂磁
極端要素ＰＴ２の側壁に対してある角度で頂磁極端要素
ＰＴ２の下の磁性層にイオン・ビームを向けて、側壁の
各側面のＰＴ２の下の磁性層を切り欠き、ペデスタル磁
極端層ＰＴ１ｂを形成することである。適正な角度を用
いると、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの側壁が頂磁極端
要素ＰＴ２の側壁と垂直に位置合せされるという驚くべ
き結果が得られる。ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの長さ
は非常に短くすることができるので、磁束漏れを適切に
減少させるために、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを、第
２シールド層Ｓ２に直接にミリングすることができる。
これによって、第２シールド層Ｓ２の上にペデスタルを
形成するために、その上に層を堆積する必要がなくな
る。典型的なギャップ長は０．３μｍであるが、これに
よって、約０．６μｍというペデスタル磁極端層ＰＴ１
ｂの長さがもたらされる。ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂ
を得るためのイオン・ビーム・ミリングによる第２シー
ルド層Ｓ２の切欠きは、磁気抵抗要素をシールドする能
力に影響しない。頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に対してあ
る角度にイオン・ビームを向けることによって、このイ
オン・ビームが、カットと同時に再堆積を除去する。５
５°の角度で満足な結果が得られることが判っている。
しかし、さらに良いミリング処理では、順番にまたは同
時にのいずれかで、２つのイオン・ビームを使用する。
３０°に向けられた第１ビームがカットと再堆積の部分
的な除去を実行し、７５°の第２のビームが、残りの再
堆積のすべてを除去して、頂磁極端要素ＰＴ２とペデス
タル磁極端層ＰＴ１ｂの間で垂直に位置合せされた側壁
をもたらすことが判っている。その代わりに、第２シー
ルド層Ｓ２の上に磁性層を置き、第２の発見に関して説
明したステップによってこれを切り欠くことができる。
しかし、これには、異なる材料を所望する場合でない限
り不要な追加の処理ステップが必要になる。その代わり
に、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂをギャップ層の下に画
定する前に、ギャップ層を、イオン・ビームによってミ
リングするか、化学エッチングによって画定することが
できる。重要なことに、この２つの発見を用いて、２μ
ｍ未満のトラック幅を達成できる。これに対して、３μ
ｍ未満のトラック幅を有する誘導ヘッドは存在しない。

【００１９】

【実施例】ここで図面を参照するが、図中で同一の符号
は、同様の図を通じて類似または同様の部品を示す。図
１には、回転する磁気ディスク４２を含む磁気ディスク
駆動装置４０が示されている。磁気ディスク４２は、駆
動装置制御源（図示せず）からの制御信号に応答するモ
ーター４４によって回転される。磁気ディスク４２が回
転する時、スライダ４８に取り付けられた薄膜ＭＲ複合
ヘッド（以下、ＭＲ複合ヘッドと呼称する）４６が、
「エア・ベアリング」と称する空気の薄い層によって、
磁気ディスク４２の表面の上に支持される。ＭＲ複合ヘ
ッド４６には、ＭＲ読取りヘッド５０と書込みヘッド５
２が含まれる。スライダ４８とＭＲ複合ヘッド４６の底
面は、スライダのエア・ベアリング面（以下、ＡＢＳと
呼称する）５４の平面内にある。ＡＢＳ５４は、磁気デ
ィスクが回転している時に、ＭＲ複合ヘッド４６の浮上
高さである距離ｄだけ磁気ディスク４２の表面から離隔
している。スライダ４８は、駆動装置電子回路５８とヘ
ッドの間で読書信号を伝えるための手段を含むヘッド・
サスペンション・アセンブリ５６に接続される。駆動装
置の上記の諸構成要素は、駆動装置ハウジング５９内に
取り付けられる。

【００２０】書込みヘッド５２の磁極端要素を、回転す
る磁気ディスクのトラック６２に対する動作関係で図２
の符号６０に概略的に示す。書込みヘッドによってトラ
ックに記録された情報を表す磁束反転を、符号６４に概
略的に示す。トラックの長さの１インチあたりの磁束反
転の個数が、読取りヘッドの線密度またはビット密度の
尺度である。書込みヘッドのギャップ長を短縮する時、
ビット密度が高まる。もう１つの重要な尺度が、符号６
０の書込みヘッドのＴＰＩである。書込みヘッドの磁極
端要素の幅が狭ければ狭いほど、ＴＰＩが大きくなる。
ビット密度とＴＰＩの積から、書込みヘッドの面密度が
得られる。これは、磁気ディスクの単位面積あたりに書
き込むことのできる情報の量の尺度である。

【００２１】図３は、ＭＲ読取りヘッド５０と書込みヘ
ッド５２を示す、ＭＲ複合ヘッド４６の部分図である。
ＭＲ複合ヘッド４６は、スライダ４８に取り付けられ
る。

【００２２】図３からわかるように、ＭＲ読取りヘッド
５０には、底ギャップ層Ｇ１と頂ギャップ層Ｇ２の間に
挟まれた磁気抵抗要素ＭＲが含まれ、これらのギャップ
層は、第１シールド層Ｓ１と第２シールド層Ｓ２の間に
挟まれている。ＭＲ複合ヘッドでは、以下に詳細に説明
するように、ＭＲ読取りヘッド５０の第２シールド層Ｓ
２が、書込みヘッド５２の底極片Ｐ１としても働く。

【００２３】図５からわかるように、書込みヘッド５２
には、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）と０スロート・レ
ベルの間に置かれる磁極端領域と、０スロート・レベル
からバック・ギャップまで後ろに延びバック・ギャップ
を含むヨーク領域またはバック領域が含まれる。書込み
ヘッド５２には、底極片Ｐ１と頂極片Ｐ２が含まれる。
底極片Ｐ１は、ＭＲ読取りヘッド５０の第２シールド層
Ｓ２を構成する。底極片Ｐ１と頂極片Ｐ２のそれぞれ
が、バック領域に置かれるバック層部分を有し、極片の
バック層部分は、バック・ギャップ（ＢＧ）で磁気的に
結合される。底極片Ｐ１には、ＡＢＳと０スロート・レ
ベルの間の磁極端領域に置かれる磁極端構造が含まれ
る。この磁極端構造には、下側の磁極端要素ＰＴ１ａと
上側のペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂが含まれる。頂極片
Ｐ２には、ＡＢＳと０スロート・レベルの間の磁極端領
域に置かれる磁極端構造が含まれる。この磁極端構造に
は、磁極端要素ＰＴ２が含まれる。磁極端要素ＰＴ１ａ
とペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂは、ＭＲ読取りヘッド５
０の第２シールド層Ｓ２から一体式に形成されるが、こ
れについては後で詳細に説明する。ギャップ層（Ｇ）
は、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂと頂磁極端要素ＰＴ２
の間に挟まれる。この層の所望の厚さ（ギャップ長）
は、約０．３μｍであり、これによって、書込みヘッド
の磁束強度を犠牲にすることなく書込みヘッドの線密度
が最適化される。しかし、許容可能なギャップ長は、
０．１μｍから０．７μｍまでの範囲におよぶ。ギャッ
プ層Ｇは、バック・ギャップＢＧまで延ばすか、その代
わりに０スロート・レベルで打ち切ることができる。

【００２４】第１絶縁層Ｉ₁を、フォトリソグラフィな
どの適当な方法によってギャップ層Ｇの上に堆積する。
第１絶縁層Ｉ₁の上に、フォトレジスト・フレームめっ
きなどの適当な方法によってコイル状導体７０を堆積さ
せる。コイル状導体７０の上に、フォトリソグラフィな
どの適当な方法によって、第２絶縁層Ｉ₂および第３絶
縁層Ｉ₃を堆積する。

【００２５】ＭＲ複合ヘッド４６を「併合」と称するの
は、図５および図６に示されるように、底極片Ｐ１とそ
の磁極端がＭＲ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２を構
成するからである。併合ヘッドの特徴の１つが、余分の
磁性層を堆積する処理ステップが不要になることであ
る。しかし、図６からわかるように、ギャップ層Ｇの両
側面を超える第２シールド層Ｓ２の大きな幅が、頂磁極
端要素ＰＴ２の幅を越えて第２シールド層Ｓ２に向かっ
て磁束を広がらせる。この「サイドフリンジ（side-fri
nging）」磁束が、サイドライティングを引き起こし、
これがオフトラック性能を低下させる可能性がある。こ
の問題は、第２シールド層Ｓ２をギャップ層Ｇの両側、
符号７８および７９の位置で切り欠いて、ペデスタル磁
極端層ＰＴ１ｂを形成するペデスタルを有する第２シー
ルド層Ｓ２をもたらすことによって克服された。ペデス
タル磁極端層ＰＴ１ｂの下には、磁極端要素ＰＴ１ａと
称する区域がある。磁極端要素ＰＴ１ａとペデスタル磁
極端層ＰＴ１ｂは、第２シールド層Ｓ２を構成する底極
片Ｐ１の前方延長である。第２シールド層Ｓ２の幅は、
ＭＲ読取りヘッド５０のＭＲ要素を効果的にシールドす
るのに十分な幅である。この幅は、磁極端要素の幅が２
μｍであるのに対して、５０μｍ程度とすることができ
る。第２シールド層Ｓ２の切欠７８および７９が、垂直
の第１側壁８０および第２側壁８２を有するペデスタル
磁極端層ＰＴ１ｂをもたらすことに留意されたい。同様
に、ギャップ層Ｇは、垂直の第１側壁８４および第２側
壁８６を有する。ギャップ層Ｇの上にある頂磁極端要素
ＰＴ２は、垂直の第１側壁８８および第２側壁９０を有
する。ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの第１側壁８０、ギ
ャップ層Ｇの第１側壁８４および頂磁極端要素ＰＴ２の
第１側壁８８は、第１垂直面１００内で連続しており、
第２側壁８２、８６および９０は、第２垂直面１０２内
で連続している。図６からわかるように、第１垂直面１
００と第２垂直面１０２は、ＡＢＳで互いに等間隔に置
かれて、書込みヘッド５２のトラック幅ｗを形成する。
第１垂直面１００と第２垂直面１０２は、ＡＢＳに対し
て垂直でもある。第１垂直面１００と第２垂直面１０２
は、ＡＢＳから０スロート・レベルまでの全体にわたっ
て等間隔であることが好ましい。しかし、望むならば、
これらをＡＢＳから開く形にすることができる。第１垂
直面１００と第２垂直面１０２内の磁極端要素の側壁の
垂直位置合せは、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂと組み合
わせて、第２シールド層Ｓ２の大きな横幅によって引き
起こされるサイドライティングを最小にするために重要
である。このペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの重要性を、
次の段落で説明する。

【００２６】ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの長さを、以
前に可能であると考えられていた長さよりはるかに短く
することができることが発見された。本発明者は、最適
の長さを有するペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを形成する
ための第２シールド層Ｓ２の最適切欠深さを決定した。
図９ないし図１２に、その分析の結果を示す。図９ない
し図１２のそれぞれでは、（１）底極片（Ｐ１）の切り
欠かれた書込みヘッドの平面内サイドトラック書込み磁
界を示し、（２）μｍ単位のオフトラック位置に対して
正規化されたヘッド磁界をプロットし、（３）ほとんど
のヘッドがディスク媒体の飽和保持力の２．５倍の最大
書込み磁界付近で設計されているので、０．４の正規化
ヘッド振幅で実効フリンジ磁界をとり、（４）ギャップ
の横中心線に沿ってギャップ層Ｇの側壁からオフトラッ
ク位置を測定し、（５）ギャップ長は０．４μｍであ
り、（６）回転するディスクの上でのヘッドの浮上高さ
は０．０７５μｍであり、（７）「最大」と記された破
線は、切欠がなく、したがってペデスタル磁極端層ＰＴ
１ｂがなく、その結果、ギャップ層Ｇが第２シールド層
Ｓ２の真上にある（図１４参照）場合のサイドトラック
書込み磁界であり、（８）「最小」と記された破線は、
無限の長さのペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂのサイドトラ
ック書込み磁界であり、（９）「最大」と「最小」の破
線の間にある実線は、分析の結果である。図９では、図
５に示されたペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの長さが、ギ
ャップ長の３倍すなわち１．２μｍである。０．４の正
規化ヘッド磁界で、サイドトラック書込み磁界が、無限
長のペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの最小サイドトラック
書込み磁界に非常に近いことがわかる。図１０では、ペ
デスタル磁極端層ＰＴ１ｂの長さが、ギャップ長の２倍
すなわち０．８μｍである。０．４正規化ヘッド磁界で
の結果は、まだ無限長の磁極端要素の最小サイドトラッ
ク書込み磁界に非常に近い。図１１では、ペデスタル磁
極端層ＰＴ１ｂの長さが、ギャップ長の１倍すなわち
０．４μｍであるが、それでも、「最大」の破線によっ
て表される磁極端が存在しない場合よりも「最小」の破
線によって表される無限磁極端に近い性能を有する。図
１１には、第２シールド層Ｓ２の切欠が０．４μｍであ
っても、０．４μｍの長さのペデスタル磁極端層ＰＴ１
ｂによって、ペデスタルが全く存在しない書込みヘッド
に対して書込みヘッドのオフトラック性能がかなり改善
されることが示されている。図１２では、ペデスタル磁
極端層ＰＴ１ｂの長さがギャップ長の０．５倍すなわち
０．２μｍである。長さが０．２μｍであっても、ペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂは、０．４の正規化ヘッド磁界
で、ペデスタルが全く存在しないヘッドに対して４０％
の改善をもたらす。

【００２７】前述の分析は、ペデスタル磁極端層ＰＴ１
ｂの長さを非常に短くしても、オフトラック性能のかな
りの改善を達成できることを実証するものである。この
長さの許容可能範囲は、ギャップ長の０．５倍から３．
０倍までであり、ギャップ長の２倍が、ペデスタル磁極
端層ＰＴ１ｂの好ましい長さまたは最適長さである。ギ
ャップの長さは、ここで示した０．４μｍ以外の値とす
ることができることを理解されたい。ギャップの長さ
は、許容可能な性能に関して、０．１μｍから０．７μ
ｍまでの範囲でさまざまな値とすることができる。した
がって、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの切欠または長さ
は、所望のギャップ長の０．５倍から３．０倍までとな
るはずである。ＭＲ要素のシールドに関する第２シール
ド層Ｓ２の性能を変更せずに、ＭＲ読取りヘッド５０の
第２シールド層Ｓ２内にペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを
形成できることが、かなり重要である。第２シールド層
Ｓ２は、通常は７μｍから８μｍまでの厚さであり、約
１μｍの切欠は、その性能に影響しない。しかし、望む
ならば、切欠７８および７９を考慮に入れてより厚い第
２シールド層Ｓ２を堆積することができる。重要なこと
は、この切欠によって、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの
ために別の層を堆積するステップが節約されることであ
る。しかし、第２シールド層Ｓ２の上に別の層を堆積し
た後に、第２シールド層Ｓ２と異なる材料からなるペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂを設けるため適当に切欠を作る
ことができることを理解されたい。これは、ペデスタル
磁極端層ＰＴ１ｂが第２シールド層Ｓ２と異なる材料か
らなる場合に望まれるであろう。たとえば、ペデスタル
磁極端層ＰＴ１ｂを、大量の磁束を扱うために、窒化第
２鉄などの高飽和モーメントの材料から構成し、第２シ
ールド層Ｓ２を、パーマロイなどの低飽和モーメントの
材料から構成することができる。第２シールド層Ｓ２と
異なる材料からなるペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの構成
は、後で詳細に説明する。

【００２８】ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの長さの短縮
は、重要な発見であるが、図６に示されるように、ペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ｂの側
壁が、ＡＢＳで互いに垂直に位置合せされることも重要
である。これらの垂直側壁を達成するための構成の方法
は、下の「ＭＲ複合ヘッドを製造する方法」で詳細に説
明するもう１つの発見である。

【００２９】ここで、図５および図６のＭＲ複合ヘッド
４６の性能を、図１４および図１５の従来技術のＭＲ複
合ヘッドと比較することができる。従来技術のＭＲ複合
ヘッドでは、頂磁極端層ＰＴ２が、間にギャップ層Ｇを
挟んで第２シールド層Ｓ２の上に形成される。第２シー
ルド層Ｓ２は、底極片Ｐ１として働き、その前方延長で
は、底磁極端層ＰＴ１として働く。頂磁極端層ＰＴ２を
第２シールド層Ｓ２から分離する唯一の要素が、ギャッ
プ層Ｇである。第２シールド層Ｓ２の横幅が頂磁極端層
ＰＴ２の幅と比較して大きいので、頂磁極端層ＰＴ２か
らその幅を超えて第２シールド層Ｓ２へ、かなりのサイ
ドフリンジ磁束が延びる。これは、かなりのサイドライ
ティングと貧弱なオフトラック性能をもたらす。磁束
は、頂磁極端層ＰＴ２と、底磁極端層ＰＴ１として働く
第２シールド層Ｓ２の間を進み、頂磁極端層ＰＴ２の側
壁によって形成される平面内に完全に収まることが望ま
しい。図５および図６のＭＲ複合ヘッドが達成するの
は、この望ましい性能である。

【００３０】図１３に、従来技術の誘導ヘッドをＡＢＳ
から見た図を示す。この誘導ヘッドには、ギャップ層Ｇ
によって分離された底磁極端層ＰＴ１と頂磁極端層ＰＴ
２が含まれる。誘導ヘッドは、底磁極端層ＰＴ１、ギャ
ップ層Ｇおよび頂磁極端層ＰＴ２を使用して、読取り機
能と書込み機能の両方を実行する。書込み機能の間に
は、図示されないコイルが、底磁極端層ＰＴ１と頂磁極
端層ＰＴ２に磁束を誘導して、書込み動作を実行する。
読取り動作の間には、底磁極端層ＰＴ１および頂磁極端
層ＰＴ２とそれらの対応する極片が、同一のコイルに磁
束を誘導して、読取り動作を実行する。この従来技術の
誘導ヘッドのオフトラック性能は、図１４および図１５
に示された従来技術のＭＲ複合ヘッドのオフトラック性
能より良い。というのは、底磁極端層ＰＴ１および頂磁
極端層ＰＴ２の側壁が垂直により近く位置合せされてい
るからである。しかし、誘導ヘッドの従来技術の構成で
は、必然的に底磁極端層ＰＴ１および頂磁極端層ＰＴ２
が基板に向かって幅広くなる結果となる。頂磁極端層Ｐ
Ｔ２および底磁極端層ＰＴ１の両方が、この順番で、そ
の構成の間に下向きのイオン・ビームによってミリング
される。イオン・ビームを真下に向ける時、ミリングさ
れた屑のかなりの量の再堆積が、ミリングされる磁極端
要素の側壁に累積し、頂磁極端層ＰＴ２が下の底磁極端
層ＰＴ１をシャドーイングし、このため図１３に示され
た外向きのテーパー状の形状がもたらされる。頂磁極端
層ＰＴ２と対比して幅広の底磁極端層ＰＴ１は、多少の
望ましくないサイドライティングを引き起こす。さら
に、両方の磁極端のイオン・ミリング（８μｍないし１
０μｍ）には、長時間を要する。

【００３１】図７および図８は、図５および図６に示さ
れた実施例からわずかに修正された本発明のもう１つの
実施例を示す図である。図７および図８の実施例では、
頂極片Ｐ２が、磁極端要素ＰＴ２ａを形成する前方延長
を有する頂磁性層１１０と、磁極端要素ＰＴ２ｂを形成
する前方延長を有する底磁性層１１２から構成される。
磁極端要素ＰＴ２ｂは、垂直の第１側壁１１４および第
２側壁１１６を有し、磁極端要素ＰＴ２ａは、垂直の第
１側壁１１８および第２側壁１２０を有する。図８から
わかるように、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの第１側壁
８０、ギャップ層Ｇの第１側壁８４、磁極端要素ＰＴ２
ｂの第１側壁１１４および磁極端要素ＰＴ２ａの第１側
壁１１８は、それぞれ第１垂直面１００内にあり、ペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂの第２側壁８２、ギャップ層Ｇ
の第２側壁８６、磁極端要素ＰＴ２ｂの第２側壁１１６
および磁極端要素ＰＴ２ａの第２側壁１２０は、第２垂
直面１０２内にある。磁極端要素ＰＴ２ａは、その下の
磁極端要素と垂直に位置合せされた側壁を有する状態で
図示されているが、磁極端要素ＰＴ２ｂがギャップ層Ｇ
の長さの約３倍の長さを有する場合には、これは必要な
い。というのは、その長さを超えた距離での磁束の流れ
があまり重要でなくなるからである。したがって、磁極
端要素ＰＴ２ａのＡＢＳでの横幅を、ペデスタル磁極端
層ＰＴ１ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ｂの幅よりかなり広
い横幅とすることができる。磁極端要素ＰＴ２ａおよび
磁極端要素ＰＴ２ｂは、磁極端要素ＰＴ２ｂが磁極端要
素ＰＴ２ａと異なる材料であることが所望される時に、
２つの別々の層で構成することができる。たとえば、磁
極端要素ＰＴ２ｂを、窒化第２鉄などの高飽和モーメン
トの材料から構成し、磁極端要素ＰＴ２ａを、パーマロ
イなどの低飽和モーメントの材料から構成することがで
きる。この配置の場合、磁極端要素ＰＴ２ｂは、飽和せ
ずに大量の磁束を担持することができる。

【００３２】下で説明する構成の方法を用いると、ＭＲ
複合ヘッド４６の磁極端要素の幅を、２μｍまで狭める
ことができる。これは、図１３に示された従来技術の誘
導ヘッドの通常の幅である４μｍないし５μｍより小さ
い。図５および図６のペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂおよ
び頂磁極端要素ＰＴ２の幅または図７および図８のペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ｂの幅
が、ＭＲ複合ヘッドの書込みヘッド部分のトラック幅を
確立する。これからＴＰＩを求めることができる。この
ＴＰＩは、書込みヘッドの面密度を得る際の係数の１つ
である。

【００３３】図３および図４は、さまざまな詳細を示す
ために部分切断図の形にした、書込みヘッドのより完全
な実施例を示す図である。図３では、カバー層である底
磁性層１１２の一部が取り除かれ、第２絶縁層Ｉ₂およ
び第３絶縁層Ｉ₃が取り除かれ、コイル状導体７０の一
部が省略されている。コイル状導体７０は、頂極片Ｐ２
と底極片Ｐ１の間でバック・ギャップＢＧの周囲に延び
る。コイル状導体７０の一端は、符号７３でリード線７
２に接続され、この導体の他端（図示せず）は、リード
線７４に接続される。リード線７２および７４を介して
コイル状導体７０に信号電流が送られる時、コイル状導
体７０は、頂極片Ｐ２と底極片Ｐ１に磁束を誘導する。
これが、ＡＢＳの磁極端を前後に横切る磁束を誘導す
る。

【００３４】ＭＲ複合ヘッドを製造する方法本発明のＭＲ複合ヘッドは、既知の薄膜フォトリソグラ
フィ・ステップとイオン・ビーム・ミリング・ステップ
の独自の組合せを使用して構成される。フォトリソグラ
フィには、フォトレジスト・フレームめっき処理を使用
する磁性層の堆積と、フォトレジストおよび現像処理に
よる絶縁層の堆積が含まれる。イオン・ビーム・ミリン
グは、チャンバ内で実行される。このようなチャンバの
内部部品の例を、図１６に示す。被加工物（図示せず）
は、ターンテーブル１３０上に置かれ、一定回転数で回
転される。回転中に、１つまたは複数のイオン・ビーム
１３２および１３４が、被加工物に向けられる。これら
のイオン・ビームは、アルゴン・イオンであることが好
ましい。一次供給源のイオン・ビーム１３２は、図では
垂直下向きであり、二次供給源のイオン・ビーム１３４
は、図では垂直からある角度に向けられている。後で詳
細に説明するように、本発明のイオン・ビーム・ミリン
グは、垂直からある角度にのみ向けられたビームによっ
て達成される。ターンテーブル１３０上の被加工物（図
示せず）に関してイオン・ビームのオン、オフを切り替
えるために、シャッタ１３６をピボット式に取り付け
る。

【００３５】ＭＲ複合ヘッド４６のＭＲ読取りヘッド５
０部分の構成は、当技術分野で周知である。第１シール
ド層Ｓ１、底ギャップ層Ｇ１、ＭＲ要素、頂ギャップ層
Ｇ２および第２シールド層Ｓ２を、薄膜フォトリソグラ
フィ処理ステップによって堆積する。図５からわかるよ
うに、読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２は、ＡＢＳか
らバック・ギャップまで、バック・ギャップを含むよう
に堆積され、その結果、第２シールド層Ｓ２が、ＡＢＳ
と０スロート・レベルの間の磁極端部分と、０スロート
・レベルとバック・ギャップの間のバック部分を有する
ようになる。書込みヘッド５２の底極片Ｐ１が、この第
２シールド層Ｓ２を構成する。この組合せによって、Ｍ
Ｒ複合ヘッドが画定される。

【００３６】本発明の第２の発見は、２つの部分からな
る。第１に、頂極片Ｐ２の磁極端構造が、底極片Ｐ１の
磁極端構造にペデスタルをイオン・ビーム・ミリングす
るためのマスクとして利用される。第２に、イオン・ビ
ームが、単一の角度付きビームまたは１対の角度付きビ
ームのいずれかで、頂磁極端構造の側壁に対してある角
度に向けられる。角度付きビームの対が好ましく、これ
は、順番にまたは同時にのいずれかで向けることができ
る。どの実施例の機器も、頂磁極端構造に追加の厚さを
堆積する。この追加の厚さは、底磁極端構造にペデスタ
ルを形成するためのイオン・ビーム・ミリングによって
減らされる。

【００３７】本発明の図５および図６の実施例を構成す
るためにイオン・ビームを向けるためのさまざまな実施
例を、図１７ないし図２３に示す。この実施例では、頂
磁極端要素ＰＴ２が、底磁極端構造を構成するためのマ
スクとして使用される。本発明の図７および図８の実施
例の構成に、同一の方法が使用されるはずである。この
実施例では、磁極端要素ＰＴ２ｂだけまたは磁極端要素
ＰＴ２ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ａを、底磁極端構造を
形成するためのマスクとして使用することができる。

【００３８】図１７、図１８および図１９に、底磁極端
構造を形成するために順次使用される２つの異なる角度
のイオン・ビームの使用を示す。図１７には、イオン・
ビーム・ミリング中の厚さの減少を見込んで余分の厚さ
を有する状態で構成された頂磁極端要素ＰＴ２が示され
ている。頂磁極端要素ＰＴ２の層の最初の厚さは、２μ
ｍ程度の余分の厚さを含めて７μｍ程度とすることがで
きる。頂磁極端要素ＰＴ２は、第１側壁８８および第２
側壁９０と共に形成されるが、頂磁極端要素ＰＴ２を形
成するための処理は、後で詳細に説明する。図１７で
は、イオン・ビームが、頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に対
して３０°の角度に向けられている。イオン・ビーム
は、図では頂磁極端要素ＰＴ２の第２側壁９０だけに向
けられているが、上で説明したように、ターンテーブル
１３０による被加工物の回転のために、頂磁極端要素Ｐ
Ｔ２の第１側壁８８と第２側壁９０の両方に向けられ
る。ギャップ層Ｇが、Ｐ１／Ｓ２層の上に堆積され、頂
磁極端要素ＰＴ２が、ギャップ層Ｇの上に堆積される。
上で述べたように、イオン・ビームを垂直下向きに向け
る時、かなりの量のカットされた材料（屑）が、ミリン
グされる要素の側壁に再堆積する。図１７に示されるよ
うに、ビームを頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に対して３０
°の角度にすることによって、かなりのカットが発生す
るが、このビームは、カット動作中にある程度の屑の除
去も実行する。３０°が好ましい角度であるが、この角
度は、２角度実施例の場合には２０°から４０°の範囲
とすることができる。図１７には、カット動作の開始が
示され、図１８には、カット動作の最終結果が示されて
いる。このカット動作の間に、頂磁極端要素ＰＴ２は、
第２シールド層Ｓ２にペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂをカ
ットするためのマスクとして働く。図１９に示されるよ
うに、３０°イオン・ビームの後に７５°イオン・ビー
ムを用いて、３０°動作から残された再堆積を除去す
る。再堆積の除去には７５°イオン・ビームが好ましい
が、これは、頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に対して６５°
から８５°までの範囲とすることができる。カット動作
中に、頂磁極端要素ＰＴ２の厚さが、２μｍなど、追加
された追加厚さ（図１７参照）だけ減らされていること
に留意されたい。驚くべき結果は、このミリングの後
に、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの側壁が、頂磁極端要
素ＰＴ２の側壁と位置合せされていることである。ペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂは、第２シールド層Ｓ２に符号
７８および７９で切欠を設けることによって形成され
た。ギャップ層Ｇは、３０°および７５°のビームによ
ってイオン・ミリングするか、その代わりに、イオン・
ビーム・ミリングの前にその幅まで化学エッチングする
ことができる。

【００３９】図２０および図２１は、３０°ビームと７
５°ビームを同時に向けてカット動作と除去動作を行う
点を除いて、図１７、図１８および図１９の実施例に類
似した、イオン・ビーム・ミリングの実施例を示す図で
ある。

【００４０】図２２および図２３は、ペデスタル磁極端
層ＰＴ１ｂを画定するためのカットと除去の両方に単一
のイオン・ビームを使用する、イオン・ビーム・ミリン
グの実施例を示す図である。前に説明した２角度ビーム
手法は、単一ビームより好ましい。しかし、この単一ビ
ームを用いて満足な結果を得ることができる。単一ビー
ムの好ましい角度は５５°であるが、この角度は、許容
可能範囲として４５°から６５°まで変更することがで
きる。

【００４１】図２４ないし図２８は、本発明の図５およ
び図６の実施例の磁極端要素を構成する際の追加の詳細
を示す図である。図２４では、フォトレジスト・フレー
ムを利用して、頂極片Ｐ２とその頂磁極端要素ＰＴ２を
めっきしている。このめっき動作によって、フレームの
外側もめっきされ、これをＰ２フィールドと称する。図
２５では、フォトレジスト・フレームが取り除かれてお
り、両側にＰ２フィールドを有する頂磁極端要素ＰＴ２
が残されている。図２５では、ギャップ層ＧがＰ１／Ｓ
２層の上に堆積され、頂磁極端要素ＰＴ２がギャップ層
Ｇの上に堆積されたことがわかる。フレームめっき処理
の場合、頂磁極端要素ＰＴ２は、本来備わったものとし
て垂直方向の第１側壁８８および第２側壁９０を有する
状態で構成される。図２６では、Ｐ２フィールドが取り
除かれ、頂磁極端要素ＰＴ２を露出する開口または窓１
４０を有するフォトレジスト・マスクが、頂極片Ｐ２の
上に置かれている。このレジスト窓は、図２７により明
瞭に示されている。その後、上で述べたように、このレ
ジスト窓を介して１つまたは複数のイオン・ビームを向
け、図２８に示されるように、Ｐ１／Ｓ２層に切欠を設
けてペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂをもたらす。

【００４２】図２９ないし図３３は、本発明の図７およ
び図８の実施例の磁極端構造を作るための処理ステップ
を示す図である。これらのステップは、図３０に示され
るように２つの磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰＴ２ｂをも
たらすために頂極片Ｐ２が２層を用いて構成される点を
除いて、図２４ないし図２８に関して説明したステップ
と同一である。イオン・ビーム・ミリングの後に、図３
３に示されるように、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂが形
成され、頂磁極端構造に、磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰ
Ｔ２ｂが含まれる。上で述べたように、磁極端要素ＰＴ
２ｂは、磁極端要素ＰＴ２ａと異なる材料とすることが
できる。図３４は、イオン・ビーム・ミリングの前に第
２シールド層Ｓ２の上に磁性層が置かれる場合の追加の
実施例を示す図である。この場合、底磁極端構造に、２
つのペデスタル磁極端要素すなわち、ペデスタル磁極端
層ＰＴ１ｂおよびＰＴ１ｃが含まれるはずである。やは
り、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｃは、ペデスタル磁極端
層ＰＴ１ｂと異なる材料とすることができる。磁極端要
素ＰＴ２ｂおよびペデスタル磁極端層ＰＴ１ｃは、窒化
第２鉄などの高飽和モーメントの材料（４πｍ_s）から
構成でき、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂおよび磁極端要
素ＰＴ２ａの材料は、パーマロイなどの低飽和モーメン
トの材料とすることができる。高飽和材料を用いると、
ギャップ層Ｇに最も近い磁極端を通じて大量の磁束を飽
和せずに通せるようになる。

【００４３】このＭＲ複合ヘッドを製作する方法には、
第２シールド層Ｓ２が、ＡＢＳと０スロート・レベルの
間の磁極端部分と、０スロート・レベルとバック・ギャ
ップの間のバック部分とを有するように、バック・ギャ
ップを含めてＡＢＳからバック・ギャップまで、読取り
ヘッドの第２シールド層Ｓ２を堆積するステップ（図５
および図６参照）と、ＡＢＳから０スロート・レベルま
で第２シールド層Ｓ２の上にギャップ層Ｇを堆積するス
テップ（図５および図６参照）と、ギャップ層Ｇの上に
頂磁極端要素ＰＴ２を有する頂極片Ｐ２を形成するため
に、ギャップ層Ｇと第２シールド層Ｓ２の上に磁性層を
堆積するステップ（図２４および図２５参照）と、少な
くとも１つのイオン・ビームを、頂磁極端要素ＰＴ２の
両側で符号７８および７９にＳ２層に切欠を設けるため
のマスクとして頂磁極端要素ＰＴ２を使用して、頂磁極
端要素ＰＴ２の第１側壁８８および第２側壁９０に対し
てある角度でＡＢＳに実質的に平行な向きで第２シール
ド層Ｓ２の磁極端部分に向けるステップとが含まれて、
切欠がペデスタルを有する第２シールド層Ｓ２を残し、
ペデスタルがペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂであり、ペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂを除く、ＡＢＳと０スロート・
レベルの間の第２シールド層Ｓ２が磁極端要素ＰＴ１ａ
であり（図１７ないし図１９参照）、ペデスタル磁極端
層ＰＴ１ｂの第１側壁８０および頂磁極端要素ＰＴ２の
第１側壁８８が第１垂直面１００内で位置合せされ、ペ
デスタル磁極端層ＰＴ１ｂの第２側壁８２および頂磁極
端要素ＰＴ２の第２側壁９０が第２垂直面１０２内で位
置合せされ、第１垂直面１００と第２垂直面１０２がＭ
Ｒ複合ヘッドのトラック幅ｗを画定するようにＡＢＳで
互いに離隔される（図６参照）ことが、簡単に明らかに
なる。少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステッ
プには、第１および第２のイオン・ビームを含めること
ができ、第１イオン・ビームは、０゜＜θ＜６０゜の範
囲内の角度θとし、第２イオン・ビームは、６０゜≦θ
≦８５゜の範囲内の角度θとすることができる。ギャッ
プ層Ｇを堆積するステップには、０．１μｍから０．７
μｍまでの範囲の長さｇを画定する厚さを有し、ＡＢＳ
でのペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの長さが０．５ｇから
３．０ｇまでの範囲である、ギャップ層を設けるステッ
プを含めることができる。少なくとも１つのイオン・ビ
ームを向けるステップに、各切欠が約０．７μｍの深さ
になるように符号７８および７９で第２シールド層Ｓ２
を切り欠き、これによって、約０．７μｍの長さを有す
るペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを設けるステップを含め
ることができる。少なくとも１つのイオン・ビームを向
けるステップに、頂磁極端要素ＰＴ２の層厚さを約２μ
ｍ減少させるステップが含まれる。

【００４４】前述の発見を用いると、ＭＲ複合ヘッド
が、併合ＭＲ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２に関し
て底磁極端要素がペデスタルである、ギャップ層に隣接
する垂直に位置合せされた磁極端を有することが可能に
なることが簡単に明らかになる。この側壁の垂直位置合
せによって、磁極端の間のサイドライティングの最小化
が最適化される。

【００４５】明らかに、当業者であれば、本発明の他の
実施例および修正を簡単に思い浮かべるであろう。した
がって、本発明は、請求の範囲によってのみ制限される
べきであり、これには、上記明細書および添付図面と共
に眺めた時のそのような実施例および修正が含まれる。

【００４６】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。

【００４７】（１）底極片Ｐ１と頂極片Ｐ２とを有する
書込みヘッドを含み、前記底極片Ｐ１が底磁極端要素Ｐ
Ｔ１ａと頂磁極端要素ＰＴ１ｂとを有し、前記頂極片Ｐ
２が磁極端要素ＰＴ２を有することを特徴とし、前記底
極片とその磁極端要素ＰＴ１ａとを含む第２シールド層
Ｓ２を有するＭＲ読取りヘッドを含み、前記頂磁極端要
素ＰＴ１ｂが、第２シールド層Ｓ２に関してペデスタル
を形成することを特徴とし、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂ
および前記磁極端要素ＰＴ２のそれぞれが、第１および
第２の側壁を有し、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰ
Ｔ２のそれぞれの第１側壁が、共通して第１垂直面内に
あり、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記磁極端要素
ＰＴ２のそれぞれの第２側壁が、共通して第２垂直面内
にあることを特徴とし、前記第１および第２の垂直面
が、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）において、書込みヘ
ッド・トラック幅を表す距離ｗだけ互いに離隔して置か
れることを特徴とする、ＭＲ複合ヘッド。（２）ハウジングと、ハウジング内に取り付けられた、
磁気ディスクを回転するための手段と、磁気ディスクが
回転するための手段によって回転する時に、磁気ディス
クに関して変換関係にＭＲ複合ヘッドを支持するため
の、スライダを含む、ハウジング内に取り付けられた支
持手段とを含む、上記（１）に記載のＭＲ複合ヘッドを
含む磁気ディスク駆動装置。（３）前記第２シールド層Ｓ２が、前記底磁極端要素Ｐ
Ｔ１ａに加えて、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂを含むこと
を特徴とする、上記（１）に記載のＭＲ複合ヘッド。（４）前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記磁極端要素
ＰＴ２の間に置かれたギャップ層Ｇを含み、該ギャップ
層Ｇが、第１および第２の側壁を有し、前記ギャップ層
Ｇの第１側壁が、前記第１垂直面内に置かれ、前記ギャ
ップ層Ｇの第２側壁が、前記第２垂直面内に置かれるこ
とを特徴とする、上記（１）に記載のＭＲ複合ヘッド。（５）前記磁極端要素ＰＴ２が単一層であることを特徴
とする、上記（１）に記載のＭＲ複合ヘッド。（６）前記磁極端要素ＰＴ２が磁極端要素ＰＴ２ａおよ
びＰＴ２ｂを含み、前記磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰＴ
２ｂのそれぞれが、別々の層であることを特徴とする、
上記（１）に記載のＭＲ複合ヘッド。（７）前記ＭＲ読取りヘッドが、前記第２シールド層Ｓ
２に加えて第１シールド層Ｓ１と、該第１シールド層Ｓ
１と前記第２シールド層Ｓ２との間に挟まれた第１ギャ
ップ層Ｇ１および第２ギャップ層Ｇ２と、前記第１ギャ
ップ層Ｇ１と前記第２ギャップ層Ｇ２との間に挟まれた
ＭＲ素子とを含むことを特徴とする、上記（１）に記載
のＭＲ複合ヘッド。（８）前記第１垂直面と前記第２垂直面との間の距離が
５μｍ未満であることを特徴とする、上記（１）に記載
のＭＲ複合ヘッド。（９）前記ＡＢＳでのギャップＧの長さがｇであり、前
記ＡＢＳでの前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、０．
５ｇから３．０ｇまでの範囲内にあることを特徴とす
る、上記（１）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１０）前記第２シールド層Ｓ２が、前記底磁極端要素
ＰＴ１ａに加えて前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂを含むこと
を特徴とする、上記（９）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１１）ハウジングと、ハウジング内に取り付けられ
た、磁気ディスクを回転するための手段と、磁気ディス
クが回転するための手段によって回転する時に、磁気デ
ィスクに関して変換関係にＭＲ複合ヘッドを支持するた
めの、スライダを含む、ハウジング内に取り付けられた
支持手段とを含む、上記（１０）に記載のＭＲ複合ヘッ
ドを含む磁気ディスク駆動装置。（１２）前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記磁極端要
素ＰＴ２の間に置かれたギャップ層Ｇを含み、該ギャッ
プ層Ｇが、第１および第２の側壁を有し、前記ギャップ
層Ｇの第１側壁が、前記第１垂直面内に置かれ、前記ギ
ャップ層Ｇの第２側壁が、前記第２垂直面内に置かれ
る、上記（１０）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１３）前記ＭＲ読取りヘッドが、前記第２シールド層
Ｓ２に加えて第１シールド層Ｓ１と、該第１シールド層
Ｓ１と前記第２シールド層Ｓ２との間に挟まれた第１ギ
ャップ層Ｇ１および第２ギャップ層Ｇ２と、前記第１ギ
ャップ層Ｇ１と前記第２ギャップ層Ｇ２との間に挟まれ
たＭＲ素子とを含むことを特徴とする、上記（１２）に
記載のＭＲ複合ヘッド。（１４）前記ギャップＧの長さｇが、０．１μｍから
０．７μｍまでの範囲内にあり、前記ＡＢＳでの磁極端
要素の長さが、実質的に２．０ｇであることを特徴とす
る、上記（１３）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１５）前記磁極端要素ＰＴ２が、単一層であることを
特徴とする、上記（１４）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１６）前記磁極端要素ＰＴ２が、磁極端要素ＰＴ２ａ
およびＰＴ２ｂを含み、前記磁極端要素ＰＴ２ａおよび
ＰＴ２ｂのそれぞれが、別々の層であることを特徴とす
る、上記（１４）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１７）底極片Ｐ１と頂極片Ｐ２とを有する書込みヘッ
ドを含み、前記底極片Ｐ１が、底磁極端要素ＰＴ１ａと
頂磁極端要素ＰＴ１ｂとを有し、前記頂極片Ｐ２が、磁
極端要素ＰＴ２を有し、前記底磁極端要素ＰＴ１ａが、
前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂの幅よりも広い幅を有するこ
とを特徴とし、前記底磁極端要素ＰＴ１ａを含む前記底
極片を含む第２シールド層Ｓ２を有するＭＲ読取りヘッ
ドを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂが、前記第２シー
ルド層Ｓ２に関してペデスタルであることを特徴とし、
前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂが、頂薄膜面、第１側壁、第
２側壁および前壁を有し、前壁が、エア・ベアリング面
（ＡＢＳ）の一部を形成し、頂薄膜面が、前壁、第１側
壁および第２側壁によって囲まれることを特徴とし、前
記磁極端要素ＰＴ２が、頂薄膜面、底薄膜面、前壁、第
１側壁および第２側壁を有し、前壁が、ＡＢＳの一部を
形成し、頂薄膜面および底薄膜面が、前壁、第１側壁お
よび第２側壁によって囲まれることを特徴とし、前記頂
磁極端要素ＰＴ１ｂの頂薄膜面と前記磁極端要素ＰＴ２
の底薄膜面との間に挟まれ、頂薄膜面、底薄膜面、前壁
を有し、前壁が前記ＡＢＳの一部を形成し、頂薄膜面お
よび底薄膜面が前壁、第１側壁および第２側壁によって
囲まれる、ギャップ層Ｇを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ
１ｂ、前記ギャップ層Ｇおよび前記磁極端要素ＰＴ２の
それぞれの第１側壁が、第１垂直面内で連続しており、
前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂ、前記ギャップ層Ｇおよび前
記磁極端要素ＰＴ２のそれぞれの第２側壁が、第２垂直
面内で連続していることを特徴とし、前記第１垂直面お
よび前記第２垂直面のそれぞれが、前記ＡＢＳに対して
垂直であり、前記ＡＢＳの位置で、前記書込みヘッドの
トラック幅である距離ｗだけ互いに離れていることを特
徴とするＭＲ複合ヘッド。（１８）前記底磁極端要素ＰＴ１ａおよび前記頂磁極端
要素ＰＴ１ｂのそれぞれが、別々の磁性層であり、前記
磁極端要素ＰＴ２が、頂磁極端要素ＰＴ２ａと底磁極端
要素ＰＴ２ｂとを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよ
び前記底磁極端要素ＰＴ２ｂの材料が、前記底磁極端要
素ＰＴ１ａおよび前記頂磁極端要素ＰＴ２ａの材料より
高いモーメントの飽和を有することを特徴とする、上記
（１７）に記載のＭＲ複合ヘッド。（１９）前記ＡＢＳでのギャップＧの長さがｇであり、
前記ＡＢＳでの前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、実
質的に２．０ｇであることを特徴とする、上記（１７）
に記載のＭＲ複合ヘッド。（２０）前記ギャップＧの長さｇが、０．１μｍから
０．７μｍまでの範囲内にあることを特徴とする、上記
（１９）に記載のＭＲ複合ヘッド。（２１）前記第２シールド層Ｓ２が、前記底磁極端要素
ＰＴ１ａに加えて、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂを含むこ
とを特徴とする、上記（２０）に記載のＭＲ複合ヘッ
ド。（２２）前記ＭＲ読取りヘッドが、前記第２シールド層
Ｓ２に加えて第１シールド層Ｓ１と、該第１シールド層
Ｓ１と前記第２シールド層Ｓ２との間に挟まれた第１ギ
ャップ層Ｇ１および第２ギャップ層Ｇ２と、前記第１ギ
ャップ層Ｇ１と前記第２ギャップ層Ｇ２との間に挟まれ
たＭＲ素子とを含むことを特徴とする、上記（２１）に
記載のＭＲ複合ヘッド。（２３）ハウジングと、ハウジング内に取り付けられ
た、磁気ディスクを回転するための手段と、磁気ディス
クが回転するための手段によって回転する時に、磁気デ
ィスクに関して変換関係にＭＲ複合ヘッドを支持するた
めの、スライダを含む、ハウジング内に取り付けられた
支持手段とを含む、上記（２２）に記載のＭＲ複合ヘッ
ドを含む磁気ディスク駆動装置。（２４）前記磁極端要素ＰＴ２が磁極端要素ＰＴ２ａお
よびＰＴ２ｂを含み、前記磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰ
Ｔ２ｂのそれぞれが、別々の層であることを特徴とす
る、上記（２２）に記載のＭＲ複合ヘッド。（２５）磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２のそれぞれが
第１側壁と第２側壁とを有する、磁極端要素ＰＴ１ａ、
ＰＴ１ｂおよびＰＴ２と、前記磁極端要素ＰＴ１ａを含
む第２シールド層Ｓ２を含むＭＲ読取りヘッドとを含
み、前記磁極端要素ＰＴ１ｂが、前記第２シールド層Ｓ
２に関してペデスタルであることを特徴とし、前記磁極
端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２のそれぞれの第１側壁が、
第１垂直面内に位置合せされ、前記磁極端要素ＰＴ１ｂ
およびＰＴ２のそれぞれの第２側壁が、第２垂直面内に
位置合せされることを特徴とし、前記第１および第２の
垂直面が、ＡＢＳで、ＭＲ複合ヘッドのトラック幅を画
定する距離ｗだけ互いに離隔して置かれることを特徴と
するＭＲ複合ヘッド。（２６）前記第２シールド層Ｓ２が、前記磁極端要素Ｐ
Ｔ１ａに加えて、前記磁極端要素ＰＴ１ｂを含み、前記
磁極端要素ＰＴ２が、単一層であることを特徴とする、
上記（２５）に記載のＭＲ複合ヘッド。（２７）前記ＡＢＳでのギャップＧの長さがｇであり、
該ギャップＧの長さｇが、０．１μｍから０．７μｍま
での範囲内にあり、前記ＡＢＳでの前記磁極端要素ＰＴ
１ｂの長さが、０．５ｇから３．０ｇまでの範囲内にあ
ることを特徴とする、上記（２６）に記載のＭＲ複合ヘ
ッド。（２８）エア・ベアリング面（ＡＢＳ）と０スロート・
レベルとの間に延びる未画定の磁極端部分を有し、前記
ＡＢＳからバック・ギャップまで延び、該バック・ギャ
ップを含む底極片Ｐ１と、ＭＲヘッドの第２シールド層
Ｓ２とを形成するため少なくとも１つの磁性層を堆積す
るステップと、前記ＡＢＳと前記０スロート・レベルと
の間に延び、第１および第２の垂直側壁を有する画定さ
れた磁極端要素ＰＴ２と共に形成される頂極片Ｐ２を、
前記バック・ギャップを含めて前記ＡＢＳから前記バッ
ク・ギャップまで、前記底極片Ｐ１の上に形成するため
もう１つの磁性層を堆積するステップと、前記底極片Ｐ
１に関してペデスタルであり、前記磁極端要素ＰＴ２の
前記第１および第２の垂直側壁に対してそれぞれ位置合
せされる第１および第２の垂直側壁を有する磁極端要素
ＰＴ１ｂと、磁極端要素ＰＴ１ａとに、底極片Ｐ１を形
成するため、前記磁極端要素ＰＴ２の各側面上で前記底
極片Ｐ１を垂直に切り欠くため、画定された前記磁極端
要素ＰＴ２をマスクとして使用して、画定された前記磁
極端要素ＰＴ２の側壁に対して角度θで、前記底極片Ｐ
１の未画定の磁極端部分に少なくとも１つのイオン・ビ
ームを向けるステップとを含む、エア・ベアリング面
（ＡＢＳ）によって部分的に囲まれる頂部および底部を
有するＭＲ複合ヘッドを製造する方法。（２９）前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分に少なく
とも１つのイオン・ビームを向けるステップの前に、前
記頂極片Ｐ２の上にフォトレジスト・マスクを堆積する
ステップと、画定された前記磁極端要素ＰＴ２が、前記
底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分に少なくとも１つのイ
オン・ビームを向けるステップのためのマスクとして働
くことができるように、画定された前記磁極端要素ＰＴ
２とその各側面上の区域を露出する開口を前記フォトレ
ジスト・マスク内に設けるステップとを含む、上記（２
８）に記載の方法。（３０）前記もう１つの磁性層を堆積するステップの前
に、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分をカバーする
ため前記少なくとも１つの磁性層の上にギャップ層Ｇを
堆積するステップを含み、前記少なくとも１つのイオン
・ビームを向けるステップが、前記底極片Ｐ１の未画定
の磁極端部分にイオン・ビームを向ける前に、ギャップ
層Ｇにイオン・ビームを向けるステップを含むことを特
徴とし、前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、前記ギャップ層Ｇに磁極端要素ＰＴ１ｂお
よびＰＴ２の第１および第２の垂直側壁とそれぞれ位置
合せされる第１および第２の垂直側壁を設けることを特
徴とする上記（２８）に記載の方法。（３１）前記もう１つの磁性層を堆積するステップの前
に、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分をカバーする
ため前記少なくとも１つの磁性層の上にギャップ層Ｇを
堆積するステップを含み、前記ギャップ層Ｇを堆積する
ステップが、ＡＢＳで０．１μｍから０．７μｍまでの
範囲内の厚さｇを有するギャップ層をもたらすことを特
徴とし、前記ＡＢＳでの前記磁極端要素ＰＴ１ｂの長さ
が、実質的に２．０ｇであることを特徴とする上記（２
８）に記載の方法。（３２）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、単一の角度θで単一のイオン・ビームを向
けることからなることを特徴とする、上記（２８）に記
載の方法。（３３）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、第１および第２のイオン・ビームを向ける
ステップを含み、第１イオン・ビームが、０゜＜θ＜６
０゜の範囲内の角度θであり、第２イオン・ビームが、
６０゜＜θ＜８５゜の範囲内の角度θであることを特徴
とする、上記（２８）に記載の方法。（３４）前記第１イオン・ビームが、２０゜＜θ＜４０
゜の範囲内の角度θであることを特徴とする、上記（３
３）に記載の方法。（３５）前記第１イオン・ビームが、実質的に３０゜の
角度θであり、前記第２イオン・ビームが、実質的に７
５゜の角度θであることを特徴とする、上記（３４）に
記載の方法。（３６）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、磁極端層ＰＴ２の厚さを減少させ、前記磁
極端要素ＰＴ２を堆積するステップが、前記少なくとも
１つのイオン・ビームを向けるステップによって引き起
こされる前記磁極端要素ＰＴ２の厚さの減少である追加
厚さを有する磁極端層ＰＴ２を堆積するステップを含む
ことを特徴とする、上記（２８）に記載の方法。（３７）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップの前に、画定された前記磁極端要素ＰＴ２とそ
の各側面上の区域とを露出させる窓を前記ＡＢＳと０ス
ロート・レベルとの間のマスク内に残して、前記頂極片
Ｐ２層の上で実質的に０スロート・レベルとバック・ギ
ャップとの間にマスクを堆積するステップを含む、上記
（３６）に記載の方法。（３８）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、単一の角度θで単一のイオン・ビームを向
けることからなり、前記角度θが、０゜＜θ＜６０゜の
範囲内であることを特徴とする、上記（３７）に記載の
方法。（３９）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、第１および第２のイオン・ビームを向ける
ステップを含み、第１イオン・ビームが、２０゜＜θ＜
４０゜の範囲内の角度θであり、第２イオン・ビーム
が、６５゜＜θ＜８５゜の範囲内の角度θであることを
特徴とする、上記（３７）に記載の方法。（４０）前記第１イオン・ビームが、実質的に３０゜の
角度θであり、前記第２イオン・ビームが、実質的に７
５゜の角度θであることを特徴とする、上記（３９）に
記載の方法。（４１）前記もう１つの磁性層を堆積するステップの前
に、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分をカバーする
ため前記少なくとも１つの磁性層の上にギャップ層Ｇを
堆積するステップを含み、該ギャップ層Ｇを堆積するス
テップが、ギャップＧに前記ＡＢＳでの長さｇをもたら
す層厚さをもたらすことを特徴とし、前記ＡＢＳでの磁
極端要素ＰＴ１ｂの長さが、実質的に２．０ｇであるこ
とを特徴とする上記（４０）に記載の方法。（４２）前記第１および第２のイオン・ビームが、同時
に向けられることを特徴とする、上記（４１）に記載の
方法。（４３）前記第１および第２のイオン・ビームが、順次
向けられることを特徴とする、上記（４１）に記載の方
法。（４４）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、イオン・ビーム・ミリング・チャンバ内
に、その上に諸層を堆積された前記底極片Ｐ１を置くス
テップと、前記底極片Ｐ１およびその上に堆積された諸
層にイオン・ビームを向けている間に、前記底極片Ｐ１
およびその上に堆積された諸層を一定回転数で回転する
ステップとを含むことを特徴とする、上記（４３）に記
載の方法。（４５）前記ギャップ層Ｇを堆積するステップが、前記
ギャップ層Ｇに０．１μｍから０．７μｍまでの範囲内
の長さｇをもたらすステップを含み、前記別の磁性層を
堆積するステップが、約７μｍの層厚さを有する前記磁
極端要素ＰＴ２を堆積するステップを含み、前記少なく
とも１つのイオン・ビームを向けるステップが、各切欠
が約０．７μｍの深さになり、前記ペデスタルが約０．
７μｍの高さを有するように、前記底極片Ｐ１に切欠を
設けるステップを含み、前記少なくとも１つのイオン・
ビームを向けるステップが、前記磁極端要素ＰＴ２の厚
さを約２μｍ減少させることを特徴とする、上記（４
４）に記載の方法。（４６）ＭＲ読取りヘッドと書込みヘッドとを含むＭＲ
複合ヘッドを製造する方法において、該ＭＲ読取りヘッ
ドが、第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２、該
第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２の間に挟ま
れた第１および第２のギャップ層Ｇ１およびＧ２、なら
びに、該第１および第２のギャップ層Ｇ１およびＧ２の
間に挟まれたＭＲ素子を有し、前記書込みヘッドが、エ
ア・ベアリング面（ＡＢＳ）からバック・ギャップまで
延び、該バック・ギャップを含む底極片Ｐ１と頂極片Ｐ
２とを含み、該底極片Ｐ１が、第２シールド層Ｓ２を構
成し、前記底極片Ｐ１が、前記ＡＢＳと０スロート・レ
ベルとの間に延びる磁極端要素ＰＴ１ａおよびＰＴ１ｂ
を有し、前記頂極片Ｐ２が、前記ＡＢＳと前記０スロー
ト・レベルとの間に延びる磁極端要素ＰＴ２を有し、前
記磁極端要素ＰＴ１ｂが、前記第２シールド層Ｓ２、前
記底極片Ｐ１および前記磁極端要素ＰＴ１ａに関してペ
デスタルであり、前記第２シールド層Ｓ２が、前記磁極
端要素ＰＴ１ａおよびＰＴ１ｂを含み、ギャップ層Ｇ
が、前記磁極端要素ＰＴ１ａおよびＰＴ２の間に挟ま
れ、前記磁極端要素ＰＴ２、前記ギャップ層Ｇおよび前
記磁極端要素ＰＴ１ｂのそれぞれが、第１および第２の
垂直側壁を有し、前記磁極端要素ＰＴ２、前記ギャップ
層Ｇおよび前記磁極端要素ＰＴ１ｂの第１垂直側壁が、
第１垂直面内で連続しており、前記磁極端要素ＰＴ２、
前記ギャップ層Ｇおよび前記磁極端要素ＰＴ１ｂの第２
垂直側壁が、第２垂直面内で連続しており、前記第１お
よび第２の垂直面が、前記ＡＢＳに対して垂直であり、
ＭＲ複合ヘッドのトラック幅を画定する距離ｗだけＡＢ
Ｓで互いに離隔しており、（１）前記ＭＲ読取りヘッド
の前記第２シールド層Ｓ２と、（２）前記ＡＢＳと０ス
ロート・レベルとの間の未画定の磁極端部分と、前記０
スロート・レベルとバック・ギャップとの間のバック部
分とを有する前記底極片Ｐ１とを形成するために、前記
バック・ギャップを含み前記ＡＢＳから前記バック・ギ
ャップまで、第１磁性層を堆積するステップと、前記Ａ
ＢＳから前記０スロート・レベルまで、前記第１磁性層
の上にギャップ層Ｇを堆積するステップと、前記第１お
よび第２の垂直側壁を有する画定された前記磁極端要素
ＰＴ２を有する前記頂極片Ｐ２を形成するため、前記第
１磁性層の上で前記ギャップ層Ｇの上に第２磁性層を堆
積するステップと、前記磁極端要素ＰＴ２の各側面上で
前記第１磁性層に切欠を設けるためのマスクとして前記
磁極端要素ＰＴ２を使用して、前記底極片Ｐ１の未画定
の磁極端部分のある区域内の前記第１磁性層で、前記Ａ
ＢＳに実質的に平行で前記磁極端要素ＰＴ２の第１およ
び第２の側壁に対して角度θの方向に、少なくとも１つ
のイオン・ビームを向けるステップとを含み、前記切欠
によって、垂直のペデスタルを有する前記第１磁性層が
残され、前記垂直ペデスタルが、前記磁極端要素ＰＴ１
ｂであり、前記磁極端要素ＰＴ１ｂに第１および第２の
垂直側壁をもたらし、前記ＡＢＳと前記０スロート・レ
ベルとの間の、前記ペデスタルを除く磁性層が、前記磁
極端要素ＰＴ１ａを含み、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよ
びＰＴ２の第１垂直側壁が、第１垂直面内で位置合せさ
れ、前記磁極端ＰＴ１ｂおよびＰＴ２の第２側壁が、第
２垂直面内で位置合せされ、前記第１および第２の垂直
面が、前記ＡＢＳに対して垂直であり、ＭＲ複合ヘッド
のトラック幅ｗを画定するため前記ＡＢＳで互いに離隔
されることを特徴とする前記方法。（４７）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、未画定の磁極端部分にイオン・ビームを向
ける前に前記ギャップ層Ｇにイオン・ビームを向けるス
テップを含み、前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ
２の第１および第２の垂直側壁にそれぞれ位置合せされ
る第１および第２の側壁を前記ギャップ層Ｇにもたらす
ことを特徴とする、上記（４６）に記載の方法。（４８）前記少なくとも１つのイオン・ビームを向ける
ステップが、第１および第２のイオン・ビームを向ける
ステップを含み、前記第１イオン・ビームが、２０゜＜
θ＜４０゜の範囲内の角度θであり、前記第２イオン・
ビームが、６５゜＜θ＜８５゜の範囲内の角度θである
ことを特徴とする、上記（４６）に記載の方法。（４９）前記第１および第２のイオン・ビームを向ける
ステップが、前記磁極端要素ＰＴ２の厚さを減少させ、
前記磁極端要素ＰＴ２を形成するために磁性層を堆積す
るステップが、前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップによって引き起こされる前記磁極端要素
ＰＴ２の厚さの減少である追加厚さを有する前記磁極端
要素ＰＴ２を堆積するステップを含むことを特徴とし、
前記第１および第２のイオン・ビームを向けるステップ
の前に、画定された前記磁極端要素ＰＴ２とその各側面
上の区域を露出させる窓を前記ＡＢＳと前記０スロート
・レベルとの間のマスク内に残して、前記頂極片Ｐ２の
上で実質的に前記０スロート・レベルとバック・ギャッ
プとの間にマスクを堆積するステップを含む上記（４
８）に記載の方法。（５０）前記ギャップ層Ｇを堆積するステップが、前記
ギャップＧに前記ＡＢＳでの長さｇをもたらす層厚さを
もたらすことを特徴とし、前記ＡＢＳでの前記磁極端要
素ＰＴ１ｂの長さが、０．５ｇから３．０ｇまでの範囲
内にあることを特徴とする、上記（４９）に記載の方
法。（５１）前記第１イオン・ビームが、約３０゜の角度θ
であり、前記第２イオン・ビームが、約７５゜の角度θ
であることを特徴とする、上記（５０）に記載の方法。（５２）前記ギャップ層Ｇを堆積するステップが、０．
１μｍから０．７μｍまでの範囲内の厚さｇを有するギ
ャップ層Ｇを堆積するステップを含み、前記磁極端要素
ＰＴ２を堆積するステップが、約７μｍの層厚さを有す
る前記磁極端要素ＰＴ２を堆積するステップを含み、前
記第１および第２のイオン・ビームを向けるステップ
が、約０．７μｍの深さである深さを有する切欠を前記
第１磁性層に設け、これによって、約０．７μｍの高さ
を有するペデスタルを設けるステップを含み、前記第１
および第２のイオン・ビームを向けるステップが、前記
磁極端要素ＰＴ２の層厚さを約２μｍ減少させることを
特徴とする、上記（５１）に記載の方法。（５３）前記第１および第２のイオン・ビームを向ける
ステップが、イオン・ビーム・ミリング・チャンバ内
に、その上に諸層を堆積された第１磁性層を置くステッ
プと、前記第１磁性層およびその上に堆積された諸層に
イオン・ビームを向けている間に、前記第１磁性層およ
びその上に堆積された諸層を一定回転数で回転するステ
ップとを含むことを特徴とする、上記（５２）に記載の
方法。（５４）前記第１および第２のイオン・ビームが、同時
に向けられることを特徴とする、上記（５３）に記載の
方法。（５５）前記第１および第２のイオン・ビームが、順次
向けられることを特徴とする、上記（５３）に記載の方
法。

【００４８】

【発明の効果】本発明の実施により、（１）サイドライ
ティングを最小化するために垂直に位置合せされた磁極
端を有する薄膜磁気ヘッドを提供し、（２）オフトラッ
ク性能を改良された薄膜ＭＲ複合ヘッドを提供し、
（３）その中の磁気抵抗要素のシールドとして働き、良
好なオフトラック性能を有する書込みヘッドの磁極端と
しても働く第２シールド層Ｓ２を有するＭＲ複合ヘッド
を提供し、（４）第２シールド層Ｓ２が小さな高さのペ
デスタルを有し、このペデスタルが磁極端層ＰＴ１ｂと
して働き、その下のＳ２層が書込みヘッドの底極片Ｐ１
の磁極端要素ＰＴ１ａとして働くことを特徴とし、磁極
端層ＰＴ１ｂの側壁が頂磁極端要素ＰＴ２の側壁と垂直
に位置合せされることを特徴とする、ＭＲ複合ヘッドを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜ＭＲ複合ヘッドを使用するディス
ク駆動装置の、原寸大ではない概略図である。

【図２】磁気ディスク上のトラックの上に位置決めされ
た薄膜書込みヘッドの磁極端のクリティカル部分の概略
図である。

【図３】ＭＲ読取りヘッドの諸層の上に取り付けられた
書込みヘッドの層を有する薄膜ＭＲヘッドの等角図であ
る。

【図４】図３の書込みヘッドの上面概略図である。

【図５】本発明の薄膜ＭＲ複合ヘッドの１実施例の側面
図である。

【図６】図５の平面ＶＩ−ＶＩに沿ったＡＢＳの図であ
る。

【図７】本発明の薄膜ＭＲ複合ヘッドのもう１つの実施
例の側面図である。

【図８】平面ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った、図７に示さ
れたヘッドのＡＢＳの図である。

【図９】本発明に従って作られたＭＲ複合ヘッドのサイ
ドライティングを示すグラフである。

【図１０】本発明に従って作られたＭＲ複合ヘッドのサ
イドライティングを示すグラフである。

【図１１】本発明に従って作られたＭＲ複合ヘッドのサ
イドライティングを示すグラフである。

【図１２】本発明に従って作られたＭＲ複合ヘッドのサ
イドライティングを示すグラフである。

【図１３】従来技術の誘導ヘッドのＡＢＳを示す図であ
る。

【図１４】従来技術の薄膜ＭＲ複合ヘッドのＡＢＳを示
す図である。

【図１５】図１４に示された従来技術の薄膜ＭＲ複合ヘ
ッドの側面図である。

【図１６】例のイオン・ビーム・チャンバの概略図であ
る。

【図１７】頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に対してある角度
で開始されるイオン・ミリングをＡＢＳ側から見た図で
ある。

【図１８】ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを形成するため
にＰ１／Ｓ２層が切り欠かれた、イオン・ミリング・ス
テップの終りであることを除いて、図１７と同一の図で
ある。

【図１９】図１７および図１８のカット動作中の屑の再
堆積を除去するために、イオン・ミリングが頂磁極端要
素ＰＴ２の側壁に対してより深い角度になっている点を
除いて、図１８と同一の図である。

【図２０】図１７ないし図１９の処理に示されるよう
に、カット用のイオン・ビームと除去用のイオン・ビー
ムが順次向けられるのではなく、同時に向けられる点を
除いて、図１７と同様の図である。

【図２１】ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを形成するため
の切欠が完了している点を除いて、図２０と同一の図で
ある。

【図２２】カットと除去の両方のためにより深い角度の
単一のイオン・ビームが用いられている点を除いて、図
１７と同様の図である。

【図２３】ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂを形成するため
のカットおよび除去動作が完了している点を除いて、図
２２と同様の図である。

【図２４】垂直の側壁を有する頂磁極端要素ＰＴ２を形
成するためのステップの上面概略図である。

【図２５】フォトレジスト・フレームが取り除かれた状
態の図２４の構造をＡＢＳ側から見た図である。

【図２６】頂磁極端要素ＰＴ２を露出されたままにして
マスクされた頂極片Ｐ２の上面図である。

【図２７】１つまたは複数のイオン・ビームをある角度
でそこに向けられるようにするための、頂磁極端要素Ｐ
Ｔ２の上のレジスト窓または開口を示す、図２６に示さ
れた構造をＡＢＳ側から見た図である。

【図２８】頂磁極端要素ＰＴ２の側壁に対してある角度
でイオン・ビーム・ミリングを行い、したがって、ペデ
スタル磁極端層ＰＴ１ｂを形成した後の、結果の磁極端
構造を示す図である。

【図２９】図２４と同様の図である。

【図３０】図２５と同様の図である。

【図３１】図２６と同様の図である。

【図３２】図２７と同様の図である。

【図３３】図２８と同様の図である。

【図３４】ギャップ層Ｇからさらに離れた磁極端の残り
と異なる材料を得るために追加のペデスタル磁極端層Ｐ
Ｔ１ｃおよび磁極端要素ＰＴ２ｂが堆積されている点を
除いて、図３３に類似の図である。

【符号の説明】

Ｇギャップ層ＭＲ磁気抵抗要素Ｐ１底極片Ｐ２頂極片ＰＴ１底磁極端要素ＰＴ１ａ底磁極端要素ＰＴ１ｂペデスタル磁極端層（頂磁極端要素）ＰＴ１ｃペデスタル磁極端層ＰＴ２磁極端要素ＰＴ２ａ磁極端要素ＰＴ２ｂ磁極端要素Ｓ１第１シールド層Ｓ２第２シールド層４０磁気ディスク駆動装置４２磁気ディスク４４モーター４６薄膜ＭＲ複合ヘッド（ＭＲ複合ヘッド）４８スライダ５０ＭＲ読取りヘッド５２書込みヘッド５４エア・ベアリング面（ＡＢＳ）５６ヘッド・サスペンション・アセンブリ５８駆動装置電子回路５９駆動装置ハウジング６０書込みヘッドの磁極端要素

フロントページの続き (72)発明者ジー＝シュエイ・ジェリー・ローアメリカ合衆国95120 カリフォルニア州サンノゼヌーンウッド・コート 7018 (72)発明者チン・ホワ・ツァンアメリカ合衆国94087 カリフォルニア州サニーベールヘレナ・ドライブ 882 (72)発明者ロバート・エム・ヴァレッタアメリカ合衆国95621 カリフォルニア州シトラス・ハイツランチョ・ミラージュ・コート 7017

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】底極片Ｐ１と頂極片Ｐ２とを有する書込み
ヘッドを含み、前記底極片Ｐ１が底磁極端要素ＰＴ１ａと頂磁極端要素
ＰＴ１ｂとを有し、前記頂極片Ｐ２が磁極端要素ＰＴ２
を有することを特徴とし、前記底極片とその磁極端要素ＰＴ１ａとを含む第２シー
ルド層Ｓ２を有するＭＲ読取りヘッドを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂが、第２シールド層Ｓ２に関
してペデスタルを形成することを特徴とし、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記磁極端要素ＰＴ２
のそれぞれが、第１および第２の側壁を有し、前記頂磁
極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２のそれぞれの第１側壁
が、共通して第１垂直面内にあり、前記頂磁極端要素Ｐ
Ｔ１ｂおよび前記磁極端要素ＰＴ２のそれぞれの第２側
壁が、共通して第２垂直面内にあることを特徴とし、前記第１および第２の垂直面が、エア・ベアリング面
（ＡＢＳ）において、書込みヘッド・トラック幅を表す
距離ｗだけ互いに離隔して置かれることを特徴とする、ＭＲ複合ヘッド。
【請求項２】ハウジングと、ハウジング内に取り付けられた、磁気ディスクを回転す
るための手段と、磁気ディスクが回転するための手段によって回転する時
に、磁気ディスクに関して変換関係にＭＲ複合ヘッドを
支持するための、スライダを含む、ハウジング内に取り
付けられた支持手段とを含む、請求項１に記載のＭＲ複
合ヘッドを含む磁気ディスク駆動装置。
【請求項３】前記第２シールド層Ｓ２が、前記底磁極端
要素ＰＴ１ａに加えて、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂを含
むことを特徴とする、請求項１に記載のＭＲ複合ヘッ
ド。
【請求項４】前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記磁極
端要素ＰＴ２の間に置かれたギャップ層Ｇを含み、該ギ
ャップ層Ｇが、第１および第２の側壁を有し、前記ギャ
ップ層Ｇの第１側壁が、前記第１垂直面内に置かれ、前
記ギャップ層Ｇの第２側壁が、前記第２垂直面内に置か
れることを特徴とする、請求項１に記載のＭＲ複合ヘッ
ド。
【請求項５】前記磁極端要素ＰＴ２が単一層であること
を特徴とする、請求項１に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項６】前記磁極端要素ＰＴ２が磁極端要素ＰＴ２
ａおよびＰＴ２ｂを含み、前記磁極端要素ＰＴ２ａおよ
びＰＴ２ｂのそれぞれが、別々の層であることを特徴と
する、請求項１に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項７】前記ＭＲ読取りヘッドが、前記第２シールド層Ｓ２に加えて第１シールド層Ｓ１
と、該第１シールド層Ｓ１と前記第２シールド層Ｓ２との間
に挟まれた第１ギャップ層Ｇ１および第２ギャップ層Ｇ
２と、前記第１ギャップ層Ｇ１と前記第２ギャップ層Ｇ２との
間に挟まれたＭＲ素子とを含むことを特徴とする、請求
項１に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項８】前記第１垂直面と前記第２垂直面との間の
距離が５μｍ未満であることを特徴とする、請求項１に
記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項９】前記ＡＢＳでのギャップＧの長さがｇであ
り、前記ＡＢＳでの前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、
０．５ｇから３．０ｇまでの範囲内にあることを特徴と
する、請求項１に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項１０】前記第２シールド層Ｓ２が、前記底磁極
端要素ＰＴ１ａに加えて前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂを含
むことを特徴とする、請求項９に記載のＭＲ複合ヘッ
ド。
【請求項１１】ハウジングと、ハウジング内に取り付けられた、磁気ディスクを回転す
るための手段と、磁気ディスクが回転するための手段によって回転する時
に、磁気ディスクに関して変換関係にＭＲ複合ヘッドを
支持するための、スライダを含む、ハウジング内に取り
付けられた支持手段とを含む、請求項１０に記載のＭＲ
複合ヘッドを含む磁気ディスク駆動装置。
【請求項１２】前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記磁
極端要素ＰＴ２の間に置かれたギャップ層Ｇを含み、該
ギャップ層Ｇが、第１および第２の側壁を有し、前記ギ
ャップ層Ｇの第１側壁が、前記第１垂直面内に置かれ、
前記ギャップ層Ｇの第２側壁が、前記第２垂直面内に置
かれる、請求項１０に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項１３】前記ＭＲ読取りヘッドが、前記第２シールド層Ｓ２に加えて第１シールド層Ｓ１
と、該第１シールド層Ｓ１と前記第２シールド層Ｓ２との間
に挟まれた第１ギャップ層Ｇ１および第２ギャップ層Ｇ
２と、前記第１ギャップ層Ｇ１と前記第２ギャップ層Ｇ２との
間に挟まれたＭＲ素子とを含むことを特徴とする、請求
項１２に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項１４】前記ギャップＧの長さｇが、０．１μｍ
から０．７μｍまでの範囲内にあり、前記ＡＢＳでの磁極端要素の長さが、実質的に２．０ｇ
であることを特徴とする、請求項１３に記載のＭＲ複合
ヘッド。
【請求項１５】前記磁極端要素ＰＴ２が、単一層である
ことを特徴とする、請求項１４に記載のＭＲ複合ヘッ
ド。
【請求項１６】前記磁極端要素ＰＴ２が、磁極端要素Ｐ
Ｔ２ａおよびＰＴ２ｂを含み、前記磁極端要素ＰＴ２ａ
およびＰＴ２ｂのそれぞれが、別々の層であることを特
徴とする、請求項１４に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項１７】底極片Ｐ１と頂極片Ｐ２とを有する書込
みヘッドを含み、前記底極片Ｐ１が、底磁極端要素ＰＴ１ａと頂磁極端要
素ＰＴ１ｂとを有し、前記頂極片Ｐ２が、磁極端要素Ｐ
Ｔ２を有し、前記底磁極端要素ＰＴ１ａが、前記頂磁極
端要素ＰＴ１ｂの幅よりも広い幅を有することを特徴と
し、前記底磁極端要素ＰＴ１ａを含む前記底極片を含む第２
シールド層Ｓ２を有するＭＲ読取りヘッドを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂが、前記第２シールド層Ｓ２
に関してペデスタルであることを特徴とし、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂが、頂薄膜面、第１側壁、第
２側壁および前壁を有し、前壁が、エア・ベアリング面
（ＡＢＳ）の一部を形成し、頂薄膜面が、前壁、第１側
壁および第２側壁によって囲まれることを特徴とし、前記磁極端要素ＰＴ２が、頂薄膜面、底薄膜面、前壁、
第１側壁および第２側壁を有し、前壁が、ＡＢＳの一部
を形成し、頂薄膜面および底薄膜面が、前壁、第１側壁
および第２側壁によって囲まれることを特徴とし、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂの頂薄膜面と前記磁極端要素
ＰＴ２の底薄膜面との間に挟まれ、頂薄膜面、底薄膜
面、前壁を有し、前壁が前記ＡＢＳの一部を形成し、頂
薄膜面および底薄膜面が前壁、第１側壁および第２側壁
によって囲まれる、ギャップ層Ｇを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂ、前記ギャップ層Ｇおよび前
記磁極端要素ＰＴ２のそれぞれの第１側壁が、第１垂直
面内で連続しており、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂ、前記
ギャップ層Ｇおよび前記磁極端要素ＰＴ２のそれぞれの
第２側壁が、第２垂直面内で連続していることを特徴と
し、前記第１垂直面および前記第２垂直面のそれぞれが、前
記ＡＢＳに対して垂直であり、前記ＡＢＳの位置で、前
記書込みヘッドのトラック幅である距離ｗだけ互いに離
れていることを特徴とするＭＲ複合ヘッド。
【請求項１８】前記底磁極端要素ＰＴ１ａおよび前記頂
磁極端要素ＰＴ１ｂのそれぞれが、別々の磁性層であ
り、前記磁極端要素ＰＴ２が、頂磁極端要素ＰＴ２ａと底磁
極端要素ＰＴ２ｂとを含み、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂおよび前記底磁極端要素ＰＴ
２ｂの材料が、前記底磁極端要素ＰＴ１ａおよび前記頂
磁極端要素ＰＴ２ａの材料より高いモーメントの飽和を
有することを特徴とする、請求項１７に記載のＭＲ複合
ヘッド。
【請求項１９】前記ＡＢＳでのギャップＧの長さがｇで
あり、前記ＡＢＳでの前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、実
質的に２．０ｇであることを特徴とする、請求項１７に
記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項２０】前記ギャップＧの長さｇが、０．１μｍ
から０．７μｍまでの範囲内にあることを特徴とする、
請求項１９に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項２１】前記第２シールド層Ｓ２が、前記底磁極
端要素ＰＴ１ａに加えて、前記頂磁極端要素ＰＴ１ｂを
含むことを特徴とする、請求項２０に記載のＭＲ複合ヘ
ッド。
【請求項２２】前記ＭＲ読取りヘッドが、前記第２シールド層Ｓ２に加えて第１シールド層Ｓ１
と、該第１シールド層Ｓ１と前記第２シールド層Ｓ２との間
に挟まれた第１ギャップ層Ｇ１および第２ギャップ層Ｇ
２と、前記第１ギャップ層Ｇ１と前記第２ギャップ層Ｇ２との
間に挟まれたＭＲ素子とを含むことを特徴とする、請求
項２１に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項２３】ハウジングと、ハウジング内に取り付けられた、磁気ディスクを回転す
るための手段と、磁気ディスクが回転するための手段によって回転する時
に、磁気ディスクに関して変換関係にＭＲ複合ヘッドを
支持するための、スライダを含む、ハウジング内に取り
付けられた支持手段とを含む、請求項２２に記載のＭＲ
複合ヘッドを含む磁気ディスク駆動装置。
【請求項２４】前記磁極端要素ＰＴ２が磁極端要素ＰＴ
２ａおよびＰＴ２ｂを含み、前記磁極端要素ＰＴ２ａお
よびＰＴ２ｂのそれぞれが、別々の層であることを特徴
とする、請求項２２に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項２５】磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２のそれ
ぞれが第１側壁と第２側壁とを有する、磁極端要素ＰＴ
１ａ、ＰＴ１ｂおよびＰＴ２と、前記磁極端要素ＰＴ１ａを含む第２シールド層Ｓ２を含
むＭＲ読取りヘッドとを含み、前記磁極端要素ＰＴ１ｂが、前記第２シールド層Ｓ２に
関してペデスタルであることを特徴とし、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２のそれぞれの第１
側壁が、第１垂直面内に位置合せされ、前記磁極端要素
ＰＴ１ｂおよびＰＴ２のそれぞれの第２側壁が、第２垂
直面内に位置合せされることを特徴とし、前記第１および第２の垂直面が、ＡＢＳで、ＭＲ複合ヘ
ッドのトラック幅を画定する距離ｗだけ互いに離隔して
置かれることを特徴とするＭＲ複合ヘッド。
【請求項２６】前記第２シールド層Ｓ２が、前記磁極端
要素ＰＴ１ａに加えて、前記磁極端要素ＰＴ１ｂを含
み、前記磁極端要素ＰＴ２が、単一層であることを特徴とす
る、請求項２５に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項２７】前記ＡＢＳでのギャップＧの長さがｇで
あり、該ギャップＧの長さｇが、０．１μｍから０．７μｍま
での範囲内にあり、前記ＡＢＳでの前記磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、０．
５ｇから３．０ｇまでの範囲内にあることを特徴とす
る、請求項２６に記載のＭＲ複合ヘッド。
【請求項２８】エア・ベアリング面（ＡＢＳ）と０スロ
ート・レベルとの間に延びる未画定の磁極端部分を有
し、前記ＡＢＳからバック・ギャップまで延び、該バッ
ク・ギャップを含む底極片Ｐ１と、ＭＲヘッドの第２シ
ールド層Ｓ２とを形成するため少なくとも１つの磁性層
を堆積するステップと、前記ＡＢＳと前記０スロート・レベルとの間に延び、第
１および第２の垂直側壁を有する画定された磁極端要素
ＰＴ２と共に形成される頂極片Ｐ２を、前記バック・ギ
ャップを含めて前記ＡＢＳから前記バック・ギャップま
で、前記底極片Ｐ１の上に形成するためもう１つの磁性
層を堆積するステップと、前記底極片Ｐ１に関してペデスタルであり、前記磁極端
要素ＰＴ２の前記第１および第２の垂直側壁に対してそ
れぞれ位置合せされる第１および第２の垂直側壁を有す
る磁極端要素ＰＴ１ｂと、磁極端要素ＰＴ１ａとに、底
極片Ｐ１を形成するため、前記磁極端要素ＰＴ２の各側
面上で前記底極片Ｐ１を垂直に切り欠くため、画定され
た前記磁極端要素ＰＴ２をマスクとして使用して、画定
された前記磁極端要素ＰＴ２の側壁に対して角度θで、
前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分に少なくとも１つ
のイオン・ビームを向けるステップとを含む、エア・ベ
アリング面（ＡＢＳ）によって部分的に囲まれる頂部お
よび底部を有するＭＲ複合ヘッドを製造する方法。
【請求項２９】前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分に
少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップの前
に、前記頂極片Ｐ２の上にフォトレジスト・マスクを堆
積するステップと、画定された前記磁極端要素ＰＴ２が、前記底極片Ｐ１の
未画定の磁極端部分に少なくとも１つのイオン・ビーム
を向けるステップのためのマスクとして働くことができ
るように、画定された前記磁極端要素ＰＴ２とその各側
面上の区域を露出する開口を前記フォトレジスト・マス
ク内に設けるステップとを含む、請求項２８に記載の方
法。
【請求項３０】前記もう１つの磁性層を堆積するステッ
プの前に、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分をカバ
ーするため前記少なくとも１つの磁性層の上にギャップ
層Ｇを堆積するステップを含み、前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップ
が、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分にイオン・ビ
ームを向ける前に、ギャップ層Ｇにイオン・ビームを向
けるステップを含むことを特徴とし、前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップ
が、前記ギャップ層Ｇに磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ
２の第１および第２の垂直側壁とそれぞれ位置合せされ
る第１および第２の垂直側壁を設けることを特徴とする
請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】前記もう１つの磁性層を堆積するステッ
プの前に、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分をカバ
ーするため前記少なくとも１つの磁性層の上にギャップ
層Ｇを堆積するステップを含み、前記ギャップ層Ｇを堆積するステップが、ＡＢＳで０．
１μｍから０．７μｍまでの範囲内の厚さｇを有するギ
ャップ層をもたらすことを特徴とし、前記ＡＢＳでの前記磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、実質
的に２．０ｇであることを特徴とする請求項２８に記載
の方法。
【請求項３２】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、単一の角度θで単一のイオン・ビー
ムを向けることからなることを特徴とする、請求項２８
に記載の方法。
【請求項３３】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、第１および第２のイオン・ビームを
向けるステップを含み、第１イオン・ビームが、０゜＜θ＜６０゜の範囲内の角
度θであり、第２イオン・ビームが、６０゜＜θ＜８５゜の範囲内の
角度θであることを特徴とする、請求項２８に記載の方
法。
【請求項３４】前記第１イオン・ビームが、２０゜＜θ
＜４０゜の範囲内の角度θであることを特徴とする、請
求項３３に記載の方法。
【請求項３５】前記第１イオン・ビームが、実質的に３
０゜の角度θであり、前記第２イオン・ビームが、実質的に７５゜の角度θで
あることを特徴とする、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、磁極端層ＰＴ２の厚さを減少させ、前記磁極端要素ＰＴ２を堆積するステップが、前記少な
くとも１つのイオン・ビームを向けるステップによって
引き起こされる前記磁極端要素ＰＴ２の厚さの減少であ
る追加厚さを有する磁極端層ＰＴ２を堆積するステップ
を含むことを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３７】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップの前に、画定された前記磁極端要素ＰＴ
２とその各側面上の区域とを露出させる窓を前記ＡＢＳ
と０スロート・レベルとの間のマスク内に残して、前記
頂極片Ｐ２層の上で実質的に０スロート・レベルとバッ
ク・ギャップとの間にマスクを堆積するステップを含
む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、単一の角度θで単一のイオン・ビー
ムを向けることからなり、前記角度θが、０゜＜θ＜６０゜の範囲内であることを
特徴とする、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、第１および第２のイオン・ビームを
向けるステップを含み、第１イオン・ビームが、２０゜＜θ＜４０゜の範囲内の
角度θであり、第２イオン・ビームが、６５゜＜θ＜８５゜の範囲内の
角度θであることを特徴とする、請求項３７に記載の方
法。
【請求項４０】前記第１イオン・ビームが、実質的に３
０゜の角度θであり、前記第２イオン・ビームが、実質的に７５゜の角度θで
あることを特徴とする、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】前記もう１つの磁性層を堆積するステッ
プの前に、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分をカバ
ーするため前記少なくとも１つの磁性層の上にギャップ
層Ｇを堆積するステップを含み、該ギャップ層Ｇを堆積するステップが、ギャップＧに前
記ＡＢＳでの長さｇをもたらす層厚さをもたらすことを
特徴とし、前記ＡＢＳでの磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、実質的に
２．０ｇであることを特徴とする請求項４０に記載の方
法。
【請求項４２】前記第１および第２のイオン・ビーム
が、同時に向けられることを特徴とする、請求項４１に
記載の方法。
【請求項４３】前記第１および第２のイオン・ビーム
が、順次向けられることを特徴とする、請求項４１に記
載の方法。
【請求項４４】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、イオン・ビーム・ミリング・チャン
バ内に、その上に諸層を堆積された前記底極片Ｐ１を置
くステップと、前記底極片Ｐ１およびその上に堆積され
た諸層にイオン・ビームを向けている間に、前記底極片
Ｐ１およびその上に堆積された諸層を一定回転数で回転
するステップとを含むことを特徴とする、請求項４３に
記載の方法。
【請求項４５】前記ギャップ層Ｇを堆積するステップ
が、前記ギャップ層Ｇに０．１μｍから０．７μｍまで
の範囲内の長さｇをもたらすステップを含み、前記別の磁性層を堆積するステップが、約７μｍの層厚
さを有する前記磁極端要素ＰＴ２を堆積するステップを
含み、前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップ
が、各切欠が約０．７μｍの深さになり、前記ペデスタ
ルが約０．７μｍの高さを有するように、前記底極片Ｐ
１に切欠を設けるステップを含み、前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップ
が、前記磁極端要素ＰＴ２の厚さを約２μｍ減少させる
ことを特徴とする、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】ＭＲ読取りヘッドと書込みヘッドとを含
むＭＲ複合ヘッドを製造する方法において、該ＭＲ読取
りヘッドが、第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ
２、該第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２の間
に挟まれた第１および第２のギャップ層Ｇ１およびＧ
２、ならびに、該第１および第２のギャップ層Ｇ１およ
びＧ２の間に挟まれたＭＲ素子を有し、前記書込みヘッ
ドが、エア・ベアリング面（ＡＢＳ）からバック・ギャ
ップまで延び、該バック・ギャップを含む底極片Ｐ１と
頂極片Ｐ２とを含み、該底極片Ｐ１が、第２シールド層
Ｓ２を構成し、前記底極片Ｐ１が、前記ＡＢＳと０スロ
ート・レベルとの間に延びる磁極端要素ＰＴ１ａおよび
ＰＴ１ｂを有し、前記頂極片Ｐ２が、前記ＡＢＳと前記
０スロート・レベルとの間に延びる磁極端要素ＰＴ２を
有し、前記磁極端要素ＰＴ１ｂが、前記第２シールド層
Ｓ２、前記底極片Ｐ１および前記磁極端要素ＰＴ１ａに
関してペデスタルであり、前記第２シールド層Ｓ２が、
前記磁極端要素ＰＴ１ａおよびＰＴ１ｂを含み、ギャッ
プ層Ｇが、前記磁極端要素ＰＴ１ａおよびＰＴ２の間に
挟まれ、前記磁極端要素ＰＴ２、前記ギャップ層Ｇおよ
び前記磁極端要素ＰＴ１ｂのそれぞれが、第１および第
２の垂直側壁を有し、前記磁極端要素ＰＴ２、前記ギャ
ップ層Ｇおよび前記磁極端要素ＰＴ１ｂの第１垂直側壁
が、第１垂直面内で連続しており、前記磁極端要素ＰＴ
２、前記ギャップ層Ｇおよび前記磁極端要素ＰＴ１ｂの
第２垂直側壁が、第２垂直面内で連続しており、前記第
１および第２の垂直面が、前記ＡＢＳに対して垂直であ
り、ＭＲ複合ヘッドのトラック幅を画定する距離ｗだけ
ＡＢＳで互いに離隔しており、（１）前記ＭＲ読取りヘッドの前記第２シールド層Ｓ２
と、（２）前記ＡＢＳと０スロート・レベルとの間の未画定
の磁極端部分と、前記０スロート・レベルとバック・ギ
ャップとの間のバック部分とを有する前記底極片Ｐ１と
を形成するために、前記バック・ギャップを含み前記Ａ
ＢＳから前記バック・ギャップまで、第１磁性層を堆積
するステップと、前記ＡＢＳから前記０スロート・レベルまで、前記第１
磁性層の上にギャップ層Ｇを堆積するステップと、前記第１および第２の垂直側壁を有する画定された前記
磁極端要素ＰＴ２を有する前記頂極片Ｐ２を形成するた
め、前記第１磁性層の上で前記ギャップ層Ｇの上に第２
磁性層を堆積するステップと、前記磁極端要素ＰＴ２の各側面上で前記第１磁性層に切
欠を設けるためのマスクとして前記磁極端要素ＰＴ２を
使用して、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分のある
区域内の前記第１磁性層で、前記ＡＢＳに実質的に平行
で前記磁極端要素ＰＴ２の第１および第２の側壁に対し
て角度θの方向に、少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップとを含み、前記切欠によって、垂直のペ
デスタルを有する前記第１磁性層が残され、前記垂直ペ
デスタルが、前記磁極端要素ＰＴ１ｂであり、前記磁極
端要素ＰＴ１ｂに第１および第２の垂直側壁をもたら
し、前記ＡＢＳと前記０スロート・レベルとの間の、前
記ペデスタルを除く磁性層が、前記磁極端要素ＰＴ１ａ
を含み、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２の第１垂
直側壁が、第１垂直面内で位置合せされ、前記磁極端Ｐ
Ｔ１ｂおよびＰＴ２の第２側壁が、第２垂直面内で位置
合せされ、前記第１および第２の垂直面が、前記ＡＢＳ
に対して垂直であり、ＭＲ複合ヘッドのトラック幅ｗを
画定するため前記ＡＢＳで互いに離隔されることを特徴
とする前記方法。
【請求項４７】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、未画定の磁極端部分にイオン・ビー
ムを向ける前に前記ギャップ層Ｇにイオン・ビームを向
けるステップを含み、前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップ
が、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２の第１および
第２の垂直側壁にそれぞれ位置合せされる第１および第
２の側壁を前記ギャップ層Ｇにもたらすことを特徴とす
る、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップが、第１および第２のイオン・ビームを
向けるステップを含み、前記第１イオン・ビームが、２０゜＜θ＜４０゜の範囲
内の角度θであり、前記第２イオン・ビームが、６５゜＜θ＜８５゜の範囲
内の角度θであることを特徴とする、請求項４６に記載
の方法。
【請求項４９】前記第１および第２のイオン・ビームを
向けるステップが、前記磁極端要素ＰＴ２の厚さを減少
させ、前記磁極端要素ＰＴ２を形成するために磁性層を堆積す
るステップが、前記少なくとも１つのイオン・ビームを
向けるステップによって引き起こされる前記磁極端要素
ＰＴ２の厚さの減少である追加厚さを有する前記磁極端
要素ＰＴ２を堆積するステップを含むことを特徴とし、前記第１および第２のイオン・ビームを向けるステップ
の前に、画定された前記磁極端要素ＰＴ２とその各側面
上の区域を露出させる窓を前記ＡＢＳと前記０スロート
・レベルとの間のマスク内に残して、前記頂極片Ｐ２の
上で実質的に前記０スロート・レベルとバック・ギャッ
プとの間にマスクを堆積するステップを含む請求項４８
に記載の方法。
【請求項５０】前記ギャップ層Ｇを堆積するステップ
が、前記ギャップＧに前記ＡＢＳでの長さｇをもたらす
層厚さをもたらすことを特徴とし、前記ＡＢＳでの前記磁極端要素ＰＴ１ｂの長さが、０．
５ｇから３．０ｇまでの範囲内にあることを特徴とす
る、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】前記第１イオン・ビームが、約３０゜の
角度θであり、前記第２イオン・ビームが、約７５゜の角度θであるこ
とを特徴とする、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】前記ギャップ層Ｇを堆積するステップ
が、０．１μｍから０．７μｍまでの範囲内の厚さｇを
有するギャップ層Ｇを堆積するステップを含み、前記磁極端要素ＰＴ２を堆積するステップが、約７μｍ
の層厚さを有する前記磁極端要素ＰＴ２を堆積するステ
ップを含み、前記第１および第２のイオン・ビームを向けるステップ
が、約０．７μｍの深さである深さを有する切欠を前記
第１磁性層に設け、これによって、約０．７μｍの高さ
を有するペデスタルを設けるステップを含み、前記第１および第２のイオン・ビームを向けるステップ
が、前記磁極端要素ＰＴ２の層厚さを約２μｍ減少させ
ることを特徴とする、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】前記第１および第２のイオン・ビームを
向けるステップが、イオン・ビーム・ミリング・チャン
バ内に、その上に諸層を堆積された第１磁性層を置くス
テップと、前記第１磁性層およびその上に堆積された諸
層にイオン・ビームを向けている間に、前記第１磁性層
およびその上に堆積された諸層を一定回転数で回転する
ステップとを含むことを特徴とする、請求項５２に記載
の方法。
【請求項５４】前記第１および第２のイオン・ビーム
が、同時に向けられることを特徴とする、請求項５３に
記載の方法。
【請求項５５】前記第１および第２のイオン・ビーム
が、順次向けられることを特徴とする、請求項５３に記
載の方法。