JPH07297513A

JPH07297513A - 抵抗体付きセラミックプリント配線板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07297513A
Application number: JP6088982A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Kanetani; 大介金谷; Shinichi Iketani; 晋一池谷; Kazunobu Morioka; 一信盛岡
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1994-04-27
Filing date: 1994-04-27
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】セラミック基板上に厚膜抵抗体層、導体回路
層、それらを接続する接続端子層を備えたプリント配線
板で、接続端子層自体の電気抵抗を高くすることなし
に、接続端子層が半田に喰われ難くなるようにした抵抗
体付セラミックプリント配線板の提供及びその製造方法
の提供。【構成】セラミック基板１上に厚膜抵抗体層３、導体
回路層９、ガラス層４及び接続端子層２を備えた抵抗体
付セラミックプリント配線板において、前記接続端子層
２の表面上に、パラジウムまたは白金を金属元素とする
金属元素含有有機化合物を主成分とするペーストを焼成
した、厚みが０．５〜２．０μｍの保護層８を形成した
ことを特徴とするプリント配線板。金属元素含有有機化
合物を主成分とするペーストを大気中、６００〜９００
℃で焼成して保護層８を形成することを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、厚膜抵抗を有する抵抗
体付セラミックプリント配線板及びその製造方法に関
し、詳しくは、厚膜抵抗体層と導体回路層を接続する接
続端子層の保護に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、高密
度実装化の傾向がめざましく、それに伴い各種のプリン
ト配線板が提案されている。セラミックプリント配線板
においても、通常の導体回路層と共に焼成タイプの厚膜
抵抗体層をセラミック基板上に形成し、それらを接続端
子層で接続している抵抗体付セラミックプリント配線板
が提案されている。

【０００３】このような抵抗体付セラミック回路板の製
造方法の一例を図２を参照して説明する。まず、銀、パ
ラジウム等の導電性微粉末及びガラス質フリットを含ん
でなるペーストを用いて接続端子層２を形成する。続い
て、酸化ルテニウム等を含むペーストを用いて厚膜抵抗
体層３を接続端子層２と接続するように形成する。次い
で、前記厚膜抵抗体層３を覆うようにガラス層４を形成
する。（このガラス層４は厚膜抵抗体層３が、導体回路
層９形成時の化学的処理によって悪影響を受けないよう
保護する働きをする。）次いで、ガラス層４を含む基板
全面に無電解めっき層５を形成し、続いて、導体回路層
９が形成される部分のみが露出するように、その他の部
分をめっきレジストによりマスクする。そして、電気め
っきにより、一次電気めっき層６を形成し、次いで２次
電気めっき層７を形成する。このとき、最終的に形成さ
れる導体回路層９が接続端子層２と接続されるようにめ
っきレジストによるマスクは行う。電気めっき終了後、
めっきレジストを剥離し、露出した無電解めっき層５を
エッチングにより除去して、無電解めっき層５、一次電
気めっき層６及び２次電気めっき層７の３層からなる導
体回路層９が完成される。

【０００４】上記の方法で一次電気めっき層６、次いで
２次電気めっき層７を形成する場合、図２に示すように
ガラス層４の周縁部１１に丁度接するように（理想的な
状態）一次電気めっき層６及び２次電気めっき層７を形
成するのは、ガラス層４やめっきレジストの形成精度の
面から極めて困難である。従って、図３に示すようにガ
ラス層４の上まで一次電気めっき層６及び２次電気めっ
き層７が形成されるか、または、図４に示すようにガラ
ス層４の周縁部１１から隙間面１０だけ離れていて、接
続端子層２と接続するように一次電気めっき層６及び２
次電気めっき層７が形成されることになる。なお、この
隙間面１０だけ離れるのは意図的にそうするのではな
く、レジストの位置ずれ等により、結果として離れてし
まっているものである。図３に示すようにガラス層４の
上に無電解めっき層５、一次電気めっき層６及び２次電
気めっき層７の３層からなる導体回路層９が形成された
場合には、ガラス層４と無電解めっき層５との密着力が
極めて弱いため、プリント配線板とするための加工工程
で導体回路層９が剥離・欠落して、短絡等の不良を引き
起こす問題がある。そのため、実際には、図４に示すよ
うにガラス層４の周縁部１１から隙間面１０だけ離し
て、一次電気めっき層６及び２次電気めっき層７を形成
する方法が採用されている。このような図３に示す構成
とした場合、ガラス層４と導体回路層９との間に隙間面
１０が存在するが、この隙間面１０の位置の露出してい
る接続端子層２は部品の半田付けの際に半田に喰われる
性質があり、プリント配線板としての信頼性を低下する
原因になっている。

【０００５】一方、図２〜図４における接続端子層２を
銀、パラジウム等の導電性微粉末及びガラス質フリット
を含んでなるペーストに代えて、金属元素含有有機化合
物（有機金属化合物）を主成分とするペーストを焼成し
たものとすることが、例えば特開平３−１７５６９０号
で、提案されている。この場合、金属元素の種類によっ
ては半田に喰われる性質は改善されるが、金属元素含有
有機化合物を主成分とするペーストを焼成して厚みの厚
い接続端子層２を形成することが困難であるため、接続
端子層自体の電気抵抗が極めて高くなり、回路の設計が
困難になるという問題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記の事情に鑑み、本
発明は、セラミック基板上に厚膜抵抗体層、導体回路
層、前記厚膜抵抗体層を覆うガラス層及び前記厚膜抵抗
体層と前記導体回路層を接続する接続端子層を備えた抵
抗体付セラミックプリント配線板であって、接続端子層
自体の電気抵抗を高くすることなしに、ガラス層と導体
回路層との間の隙間面の位置にある接続端子層が半田に
喰われ難くなるよう改善された抵抗体付セラミックプリ
ント配線板を提供すること及びその製造方法を提供する
ことを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の抵
抗体付セラミックプリント配線板は、セラミック基板１
上に厚膜抵抗体層３、導体回路層９、前記厚膜抵抗体層
３を覆うガラス層４及び前記厚膜抵抗体層３と前記導体
回路層９を接続する、導電性微粉末及びガラス質フリッ
トを含んでなるペーストを焼成して形成された接続端子
層２を備えた抵抗体付セラミックプリント配線板におい
て、前記接続端子層２の表面上に、少なくともガラス層
４と導体回路層９との間の隙間面１０を覆って、パラジ
ウムまたは白金を金属元素とする金属元素含有有機化合
物を主成分とするペーストを焼成した、厚みが０．５〜
２．０μｍの保護層８を形成したことを特徴としてい
る。

【０００８】請求項２に係る発明の抵抗体付セラミック
プリント配線板は、請求項１記載の抵抗体付きセラミッ
クプリント配線板において、金属元素含有有機化合物の
金属元素が白金及び金であることを特徴としている。

【０００９】請求項３に係る発明の抵抗体付セラミック
プリント配線板は、請求項１記載の抵抗体付きセラミッ
クプリント配線板において、金属元素含有有機化合物の
金属元素がパラジウム、白金及び金であることを特徴と
している。

【００１０】請求項４に係る発明の抵抗体付セラミック
プリント配線板の製造方法は、請求項１から請求項３ま
でのいずれかに記載の抵抗体付きセラミックプリント配
線板の製造方法であって、金属元素含有有機化合物を主
成分とするペーストを大気中、６００〜９００℃で焼成
して保護層８を形成することを特徴としている。

【００１１】以下本発明を詳細に説明する。本発明にお
けるセラミック基板とは、アルミナ系基板、窒化アルミ
ニウム系基板、炭化ケイ素系基板、ガラス系基板等のセ
ラミック基板である。これらの基板はそのまま使用する
こともできるが、好ましくはめっき導体の密着力を上げ
るために、基板表面を粗面化したものが適している。特
に、リン酸処理等により化学的に表面が粗化されたアル
ミナ系基板が好適である。

【００１２】本発明における接続端子層は、厚膜抵抗体
層と導体回路層を接続するための層であり、銀、パラジ
ウム、白金、金等の金属よりなる導電性微粉末とガラス
質フリットを含有しているペーストを焼成して形成され
る。そして、この接続端子層は、特に限定するものでは
ないが、好ましくは銀及びパラジウムを含み、膜厚７ミ
クロンでの面積抵抗値が１００ｍΩ以下となる組成のも
のが望ましい。

【００１３】ここで、本発明の製造方法の概略につい
て、実施例の工程の概要を示している図１を参照して説
明する。まず、図１（Ａ）に示すように、セラミック基
板１の上に接続端子層２を形成した後、接続端子層２の
上に金属元素含有有機化合物（有機金属化合物）を主成
分とするペーストを印刷、焼成して保護層８を形成す
る。次に、図１（Ｂ）に示すように、接続端子層２の一
部を覆うように厚膜抵抗体層３を形成し、さらに厚膜抵
抗体層３を覆うようにガラス層４を形成する。続いて、
ガラス層４上を含む基板全面に無電解めっき層５を形成
する。（この状態は図示せず）続いて、導体回路層９が
形成される部分のみが露出するように、感光性めっきレ
ジストによりマスクする。この時、ガラス層４の周縁部
１１から隙間面１０だけ離して、かつ、保護層８の一部
を覆うように導体回路層９が形成されるようにする。そ
して、電気めっきにより導体回路層９が形成される部分
に一次電気めっき層６を形成し、次いで２次電気めっき
層７を形成する。（この状態は図示せず）その後、前記
めっきレジストを剥離し、露出した無電解めっき層５を
エッチングにより除去して、図１（Ｃ）に示すように、
無電解めっき層５、一次電気めっき層６及び２次電気め
っき層７の３層からなる導体回路層９が形成される。こ
のようにして、ガラス層４と導体回路層９との間の、接
続端子層２上の隙間面１０が保護層８で覆われている抵
抗体付セラミックプリント配線板が得られる。

【００１４】本発明において保護層を形成する金属元素
含有有機化合物を主成分とするペーストについて説明す
る。金属元素含有有機化合物の組成に関しては、金属元
素が半田喰われ性に効果のあるパラジウムまたは白金を
含んでいることが重要である。具体的には、「パラジウ
ム」、「白金及び金」または「パラジウム、白金及び
金」の有機金属化合物を含有しているレジネートペース
トを使用することが好ましい。

【００１５】本発明における保護層の厚みは０．５〜
２．０μｍであることが重要であり、０．５μｍの厚み
がない場合には、半田喰われ性の改善が十分でなく、
２．０μｍを越える厚みの場合には、保護層は接続端子
層と導体回路層の間にも形成されるので、両者の密着力
を低下させ、部品等の実装時に膨れ等の問題を生じるお
それがある。

【００１６】製造方法に関する発明は、金属元素含有有
機化合物を主成分とするペーストを大気中、６００〜９
００℃で焼成して保護層を形成することを特徴としてい
る。６００℃未満の焼成温度では金属皮膜の形成が十分
でないためと考えられるが、半田喰われ性の改善効果が
顕著でなく、また９００℃を越えるような必要以上の焼
成温度では、保護層への接続端子層の金属成分の拡散が
進行し、保護層としての効果を発揮せずに、半田喰われ
性が低下するという問題が生じる。また、焼成雰囲気に
ついては、ペースト中の有機成分を酸化、ガス化させる
ことのできる雰囲気であればよく、従って大気中とする
のが簡便である。

【００１７】

【作用】接続端子層を導電性微粉末及びガラス質フリッ
トを含んでなるペーストを焼成して形成することは、接
続端子層の電気抵抗を高くすることがない。

【００１８】また、接続端子層の表面上に、少なくとも
ガラス層と導体回路層との間の隙間面を覆って、パラジ
ウムまたは白金を金属元素とする金属元素含有有機化合
物を主成分とするペーストを焼成した保護層を形成する
ことは、前記隙間面の位置にある接続端子層の半田喰わ
れ性を改善する作用をする。

【００１９】

【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて
説明する。

【００２０】（実施例１）図１に示した工程（Ａ）〜
（Ｃ）に従って実施した。

【００２１】セラミック基板１として、９６％アルミナ
基板（１００×１００×０．６３５ｍｍ；松下電工社
製）を使用し、このセラミック基板１を３００℃に加熱
したリン酸液中に浸漬し、表面の粗化を均一に行った。
次いで、導電性微粉末及びガラス質フリットを含んでい
る、市販の導体ペ−スト（銀／パラジウム系、ＮＰ−３
４１０、ノリタケカンパニー社製、面積抵抗値２ｍΩ）
をスクリーン印刷によりセラミック基板１上の所定の位
置に印刷し、次いで、８５０℃で１０分間大気中で焼成
して接続端子層２を形成した。次に、形成された接続端
子層２上に、パラジウム、白金及び金を金属元素とする
金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト（レジ
ネートペースト、Ｄ−７１２、ノリタケカンパニー社
製）を印刷し、次いで、６００℃で１０分間、大気中で
焼成して、膜厚０．５μｍの金属皮膜を保護層８として
形成した。〔図１（Ａ）までの工程〕

【００２２】さらに、接続端子層２の一部を覆うよう
に、酸化ルテニウムを主成分とする、抵抗体のペースト
（ＲＵ−４０、住友金属鉱山社製）をスクリーン印刷に
より印刷し、８５０℃で１０分間の焼成を行い、厚膜抵
抗体層３を形成した。次に、厚膜抵抗体層３を覆うよう
に、オーバーコートガラス（ＩＰ９０２９、ヘレウス社
製）をスクリーン印刷により印刷し、次いで、６５０℃
で１０分間、焼成して、ガラス層４を形成した。〔図１
（Ｂ）までの工程〕

【００２３】次いで、アルカリキャタリスト法による核
付け工程を経た後、表１に示す浴組成による無電解銅め
っきにより、セラミック基板１の全面に約１μｍの厚み
の無電解めっき層５を形成した。さらにドライフィルム
（リストン４６２０、デュポンジャパン社製）をラミネ
ートし、非導体回路部が透光するマスキングフィルムを
用いてレジストパターンの形成を行った。このめっきレ
ジストパターンの形成は、最終的に得られる導体回路層
９がガラス層４の周縁部１１から隙間面１０だけ離れて
いて、かつ、保護層８の一部を覆うように形成されるよ
うに行った。次いで、表２に示す浴組成のニッケルめっ
き液を用いた電気ニッケルめっきにより、一次電気めっ
き層６を形成した。次いで、市販の電気金めっき浴（オ
ーロボンドＴＮ、ＥＥＪＡ社製）及び二次電気金メッキ
浴（テンペレックス４０１、ＥＥＪＡ社製）を用いた電
気金めっきにより、２次電気めっき層７として金皮膜を
形成した。その後、３％水酸化ナトリウム水溶液にセラ
ミック基板を浸漬してレジストを剥離した後、無電解め
っき層５の露出した部分をエッチングにより除去し、水
洗、乾燥を行い、抵抗体付きセラミックプリント配線板
を得た。〔図１（Ｃ）までの工程〕

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】（実施例２）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００２７】接続端子層２上に、パラジウム、白金及び
金を金属元素とする金属元素含有有機化合物を主成分と
するペースト（レジネートペースト、Ｄ−７１２、ノリ
タケカンパニー社製）を印刷し、次いで、６００℃で１
０分間、大気中で焼成する工程を４回繰り返すことによ
り、膜厚２．０μｍの金属皮膜を保護層８として形成し
た。

【００２８】（実施例３）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００２９】接続端子層２上に、パラジウム、白金及び
金を金属元素とする金属元素含有有機化合物を主成分と
するペースト（レジネートペースト、Ｄ−７１２、ノリ
タケカンパニー社製）を印刷し、次いで、９００℃で１
０分間、大気中で焼成することにより、膜厚０．５μｍ
の金属皮膜を保護層８として形成した。

【００３０】（実施例４）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００３１】接続端子層２上に、パラジウム、白金及び
金を金属元素とする金属元素含有有機化合物を主成分と
するペースト（レジネートペースト、Ｄ−７１２、ノリ
タケカンパニー社製）を印刷し、次いで、９００℃で１
０分間、大気中で焼成する工程を４回繰り返すことによ
り、膜厚２．０μｍの金属皮膜を保護層８として形成し
た。

【００３２】（実施例５）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００３３】接続端子層２上に、白金及び金を金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、６００℃で１０分
間、大気中で焼成することにより、膜厚０．５μｍの金
属皮膜を保護層８として形成した。

【００３４】（実施例６）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００３５】接続端子層２上に、白金及び金を金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、６００℃で１０分
間、大気中で焼成する工程を４回繰り返すことにより、
膜厚２．０μｍの金属皮膜を保護層８として形成した。

【００３６】（実施例７）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００３７】接続端子層２上に、白金及び金を金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、９００℃で１０分
間、大気中で焼成することにより、膜厚０．５μｍの金
属皮膜を保護層８として形成した。

【００３８】（実施例８）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００３９】接続端子層２上に、白金及び金を金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、９００℃で１０分
間、大気中で焼成する工程を４回繰り返すことにより、
膜厚２．０μｍの金属皮膜を保護層８として形成した。

【００４０】（実施例９）接続端子層２上への保護層８
の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と同
様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００４１】接続端子層２上に、パラジウムを金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、６００℃で１０分
間、大気中で焼成することにより、膜厚０．５μｍの金
属皮膜を保護層８として形成した。

【００４２】（実施例１０）接続端子層２上への保護層
８の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と
同様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得
た。

【００４３】接続端子層２上に、パラジウムを金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、６００℃で１０分
間、大気中で焼成する工程を４回繰り返すことにより、
膜厚２．０μｍの金属皮膜を保護層８として形成した。

【００４４】（実施例１１）接続端子層２上への保護層
８の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と
同様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得
た。

【００４５】接続端子層２上に、パラジウムを金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、９００℃で１０分
間、大気中で焼成することにより、膜厚０．５μｍの金
属皮膜を保護層８として形成した。

【００４６】（実施例１２）接続端子層２上への保護層
８の形成を下記のようにして行った以外は、実施例１と
同様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得
た。

【００４７】接続端子層２上に、パラジウムを金属元素
とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト
（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー・ケム
キャット社製）を印刷、乾燥した後、９００℃で１０分
間、大気中で焼成する工程を４回繰り返すことにより、
膜厚２．０μｍの金属皮膜を保護層８として形成した。

【００４８】（比較例１）比較例１については、接続端
子層２上への保護層８の形成の際の保護層８の厚みを
０．２μｍとした以外は、実施例１と同様にして抵抗体
付きセラミックプリント配線板を得た。

【００４９】（比較例２）比較例２については、接続端
子層２上への保護層８の形成の際の焼成温度を５００℃
とした以外は、実施例２と同様にして抵抗体付きセラミ
ックプリント配線板を得た。

【００５０】（比較例３）比較例３については、接続端
子層２上への保護層８の形成の際の焼成温度を１００℃
とした以外は、実施例２と同様にして抵抗体付きセラミ
ックプリント配線板を得た。

【００５１】（比較例４）比較例４については、接続端
子層２上に、パラジウム、白金及び金を金属元素とする
金属元素含有有機化合物を主成分とするペースト（レジ
ネートペースト、Ｄ−７１２、ノリタケカンパニー社
製）を印刷し、次いで、９００℃で１０分間、大気中で
焼成する工程を５回繰り返すことにより、膜厚２．５μ
ｍの金属皮膜を保護層８として形成した以外は、実施例
１と同様にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を
得た。

【００５２】（比較例５）比較例５については、保護層
８を形成する際のペーストとして、白金及び金を金属元
素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペース
ト（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケ
ムキャット社製）を使用した以外は比較例１と同様にし
て抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５３】（比較例６）比較例６については、保護層
８を形成する際のペーストとして、白金及び金を金属元
素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペース
ト（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケ
ムキャット社製）を使用した以外は比較例２と同様にし
て抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５４】（比較例７）比較例７については、保護層
８を形成する際のペーストとして、白金及び金を金属元
素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペース
ト（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケ
ムキャット社製）を使用した以外は比較例３と同様にし
て抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５５】（比較例８）比較例８については、保護層
８を形成する際のペーストとして、白金及び金を金属元
素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペース
ト（レジネートペースト、Ｅ５５１０、エヌ・イー・ケ
ムキャット社製）を使用した以外は比較例４と同様にし
て抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５６】（比較例９）比較例９については、保護層
８を形成する際のペーストとして、パラジウムを金属元
素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペース
ト（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー・ケ
ムキャット社製）を使用した以外は比較例１と同様にし
て抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５７】（比較例１０）比較例１０については、保
護層８を形成する際のペーストとして、パラジウムを金
属元素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペ
ースト（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー
・ケムキャット社製）を使用した以外は比較例２と同様
にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５８】（比較例１１）比較例１１については、保
護層８を形成する際のペーストとして、パラジウムを金
属元素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペ
ースト（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー
・ケムキャット社製）を使用した以外は比較例３と同様
にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００５９】（比較例１２）比較例１２については、保
護層８を形成する際のペーストとして、パラジウムを金
属元素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペ
ースト（レジネートペースト、＃７６１１、エヌ・イー
・ケムキャット社製）を使用した以外は比較例４と同様
にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。

【００６０】（比較例１２）比較例１３については、保
護層８を形成する工程を省略した以外は実施例１と同様
にして抵抗体付きセラミックプリント配線板を得た。
（図４に示される構成のものを得た。）上記で得られた各実施例及び比較例の抵抗体付きセラミ
ックプリント配線板について、半田喰われ性及び耐熱試
験を行いその結果を表３及び表４に示す。

【００６１】

【表３】

【００６２】

【表４】

【００６３】半田喰われ性の試験方法は２１５℃の半田
（Ｓｎ：Ｐｂ＝６０：４０）に抵抗体付きセラミックプ
リント配線板を浸漬し、ガラス層４と導体回路層９との
間の隙間面１０の位置の接続端子層２が完全に消失する
までの時間を求め、その時間を表３及び表４に示してい
る。

【００６４】耐熱試験は大気中、４３０℃、１０分間の
熱処理を抵抗体付きセラミックプリント配線板に施し、
導体回路層９に膨れが発生していないかを調べ、膨れが
発生していない場合は○、膨れが発生している場合は×
の表示で表３及び表４に示している。

【００６５】表３及び表４の結果から、本発明の実施例
は半田喰われ性及び耐熱性について優れた結果が得られ
ていることがわかる。

【００６６】

【発明の効果】本発明に係る抵抗体付きセラミック回路
板及びその製造方法は、上述のとおり構成されているの
で、次に記載する効果を奏する。

【００６７】請求項１〜３の抵抗体付きセラミック回路
板接続端子層自体の電気抵抗を高くすることなしに、ガ
ラス層と導体回路層との間の隙間面の位置にある接続端
子層が半田付けの際に半田に喰われるという不具合を低
減できるようになる。

【００６８】本発明に係る抵抗体付きセラミック回路板
の製造方法によれば、上記の効果を奏するセラミック回
路板を製造することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例を工程順に示す断面図であ
る。

【図２】従来例における、理想的な導体回路層の形成状
態を示す断面図である。

【図３】従来例における、ガラス層の上まで導体回路層
が形成された状態を示す断面図である。

【図４】従来例における、ガラス層の周縁部から隙間面
だけ離れて導体回路層が形成された状態を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１セラミック基板２接続端子層３厚膜抵抗体層４ガラス層８保護層９導体回路層１０隙間面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板（１）上に厚膜抵抗体層
（３）、導体回路層（９）、前記厚膜抵抗体層（３）を
覆うガラス層（４）及び前記厚膜抵抗体層（３）と前記
導体回路層（９）を接続する、導電性微粉末及びガラス
質フリットを含んでなるペーストを焼成して形成された
接続端子層（２）を備えた抵抗体付セラミックプリント
配線板において、前記接続端子層（２）の表面上に、少
なくともガラス層（４）と導体回路層（９）との間の隙
間面（１０）を覆って、パラジウムまたは白金を金属元
素とする金属元素含有有機化合物を主成分とするペース
トを焼成した、厚みが０．５〜２．０μｍの保護層
（８）を形成したことを特徴とする抵抗体付きセラミッ
クプリント配線板。
【請求項２】金属元素含有有機化合物の金属元素が白
金及び金であることを特徴とする請求項１記載の抵抗体
付きセラミックプリント配線板。
【請求項３】金属元素含有有機化合物の金属元素がパ
ラジウム、白金及び金であることを特徴とする請求項１
記載の抵抗体付きセラミックプリント配線板。
【請求項４】請求項１から請求項３までのいずれかに
記載の抵抗体付きセラミックプリント配線板の製造方法
であって、金属元素含有有機化合物を主成分とするペー
ストを大気中、６００〜９００℃で焼成して保護層
（８）を形成することを特徴とする抵抗体付セラミック
プリント配線板の製造方法。