JPH0737776A

JPH0737776A - 走査型露光装置

Info

Publication number: JPH0737776A
Application number: JP5177736A
Authority: JP
Inventors: Osamu Tanitsu; 修谷津; Koji Mori; 孝司森
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-07-19
Filing date: 1993-07-19
Publication date: 1995-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】スリットスキャン露光方式の露光装置で、短
時間で且つ高精度にウエハ上での照度むらを測定する。【構成】ウエハステージを介して幅Ｄ２の矩形の露光
領域１４に対して−Ｘ方向にウエハを走査し、露光領域
１４に対応する照明領域に対してレチクルを走査するこ
とにより、レチクルのパターンを逐次ウエハ上に転写露
光する。ウエハステージ上に走査方向の幅Ｄ１（＞Ｄ
２）の受光面２５ａを有する照度センサーを取り付け、
ウエハステージを駆動して受光面２５ａを露光領域１４
に対してＹ方向に移動することにより、露光領域１４の
Ｙ方向の照度むらを測定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に、所謂スリットスキャン露光方式でマスクパターンを
逐次ウエハ上に転写露光する走査型露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターンを感光材が塗布されたウエハ（又はガラ
スプレート等）上に転写する投影露光装置が使用されて
いる。従来の投影露光装置としては、ウエハの各ショッ
ト領域を順次投影光学系の露光フィールド内に移動させ
て、各ショット領域に順次レチクルのパターン像を一括
露光するというステップ・アンド・リピート方式の縮小
投影型露光装置（ステッパー）が多く使用されていた。

【０００３】図８（ａ）は従来のステッパーを示し、こ
の図８（ａ）において、平行光束を供給する光源系１か
らの露光光はフライアイレンズよりなるオプティカル・
インテグレータ２に入射する。オプティカル・インテグ
レータ２により形成される多数の光源像からの光束は、
コンデンサーレンズ３及びミラー４を経てレチクル５を
重畳的にほぼ均一な照度で照明する。レチクル５上のパ
ターンの縮小像は投影光学系６を介してウエハ７のショ
ット領域上に投影露光される。ウエハ７はウエハステー
ジ８上に保持され、ウエハステージ８は、投影光学系６
の光軸に垂直なＸＹ平面内でウエハ７の位置決めを行う
ＸＹステージ、及び投影光学系６の光軸に平行な方向で
のウエハ７の位置を調整するＺステージ等より構成され
ている。また、ウエハステージ８上には受光素子９が取
り付けられ、図８（ｂ）に示すように、受光素子９の受
光面９ａは微小な円形となっている。

【０００４】図９は、図８（ａ）のステッパーの光学系
の展開光路図であり、この図９に示すように、光源系１
は、露光光を発生する超高圧水銀ランプ１１、その露光
光を集光する楕円鏡１２、及び楕円鏡１２で集光された
光束を略々平行光束に変換するインプットレンズ１３よ
り構成されている。また、オプティカル・インテグレー
タ２による２次光源像の形成面は、レチクル５のパター
ン形成面及びウエハ７の露光面に対してフーリエ変換面
（瞳面）の関係となっている。

【０００５】斯かる従来のステッパーにおいて、レチク
ル５のパターン像をウエハ７上に良好な状態で露光する
ためには、図８（ａ）の投影光学系６の円形の露光フィ
ールド１０内（又はウエハ７の露光面上）での露光光の
照度むらをできるだけ小さくする必要がある。そのため
には、先ずその露光フィールド１０内での照度むらを正
確に測定する必要があり、従来は以下のようにしてウエ
ハ７の露光面上での照度むらを測定していた。

【０００６】即ち、従来はウエハステージ８をＸ方向及
びＹ方向に駆動することにより、投影光学系６の露光フ
ィールド１０の全面を受光素子９の受光面９ａで走査し
て、受光素子９の光電変換信号のばらつきを測定してい
た。これにより、図１０（ａ）に示すように、投影光学
系６の露光フィールド１０が、ほぼ受光素子９の受光面
９ａを単位として２次元的に分割され、２次元的に分割
された各点での照度が測定されていた。この場合、それ
ら多数の照度の計測結果の内で、照度の最大値をＩ
_MAX 、照度の最小値をＩ_MIN とすると、照度むらＵは次
式で与えられる。Ｕ＝（Ｉ_MAX-Ｉ_MIN)／（Ｉ_MAX+Ｉ_MIN) （１）

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】最近、半導体素子等の
１個のチップパターンが大型化する傾向にあり、投影露
光装置においては、レチクル上のより大きな面積のパタ
ーンをウエハ上に露光するための大面積化が求められて
いる。また、半導体素子等のパターンが微細化するのに
応じて、投影光学系の解像度を向上することも求められ
ているが、投影光学系の解像度を向上し、且つ投影光学
系の露光フィールドを大きくすることは設計上及び製造
上困難であるという問題がある。特に、投影光学系とし
て、反射屈折系を使用するような場合には、無収差の露
光フィールドの形状が円弧状の領域となることもある。

【０００８】斯かる転写対象パターンの大面積化及び投
影光学系の露光フィールドの制限に応えるために、例え
ば細長い矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（これを
「スリット状の照明領域」という）に対してレチクルを
走査し、その照明領域と共役な露光領域に対してレチク
ルの走査と同期してウエハを走査することにより、レチ
クル上のパターンの像を逐次ウエハ上に露光する所謂ス
リットスキャン露光方式の投影露光装置が注目されてい
る。

【０００９】斯かるスリットスキャン露光方式の投影露
光装置では、ウエハ７上での静止状態での露光領域は、
図１０（ｂ）に示すように例えば細長い矩形の露光領域
１４となり、この露光領域１４に対して短辺方向（これ
を「走査方向」という）にウエハ７が走査される。この
ようなスリットスキャン露光方式の投影露光装置で、従
来の照度むらの測定方法を適用すると、その露光領域１
４内で微小な円形の受光面９ａが走査方向及びこの走査
方向に垂直な非走査方向に移動して、各点での照度が順
次計測されることになる。しかしながら、この場合次の
ような不都合が生じる。

【００１０】第１に、ウエハ７上の各点にはそれぞれ露
光領域１４の走査方向（短辺方向）の露光量を積分した
積算露光量が与えられるため、露光領域１４での露光光
の照度むらとは、露光領域１４での照度を走査方向に積
分した結果の非走査方向へのばらつきとなる。そのた
め、ウエハ７上の各点での照度を求めるためには、露光
領域１４の走査方向に沿う各点での照度の測定値を積算
する必要がある。即ち、受光面９ａを露光領域１４の走
査方向に移動させて、多数の計測点での照度をそれぞれ
計測する必要があるため、測定時間が長いという不都合
があった。また、それら走査方向の各点での計測結果の
和を求めるための計算時間も長くなるという不都合があ
った。

【００１１】第２に、スリット状の露光領域内で受光面
９ａを２次元的に走査するために、ウエハステージが無
駄な動きをすることになると共に、ウエハステージの制
御が複雑化するという不都合もあった。更に、露光領域
１４を受光面９ａで分割した測定点の数だけ、露光光の
光源の出力パワーの変動の影響を受け易いことから、測
定誤差を生じ易いという不都合もあった。

【００１２】発明は斯かる点に鑑み、短い時間で且つ高
精度にウエハ上での照度むらを測定できる走査型露光装
置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明による走査型露光
装置は、例えば図１に示すように、照明光によるスリッ
ト状の照明領域（１４Ｒ）に対してマスク（５）を所定
の方向に走査し、照明領域（１４Ｒ）に対応するスリッ
ト状の露光領域（１４）に対して基板（７）を所定の方
向に走査することにより、マスク（５）上のパターンを
逐次基板（７）上に露光する走査型露光装置において、
スリット状の露光領域（１４）内の照明光の光量を基板
（７）の走査方向（Ｘ方向）に積分して受光する光電変
換手段（２５）を、この光電変換手段の受光面（２５
ａ）が基板（７）の露光面と同じ高さになるように設
け、光電変換手段（２５）の光電変換信号よりスリット
状の露光領域（１４）内の基板（７）の走査方向に垂直
な方向の照度むらを測定するようにしたものである。

【００１４】この場合、そのスリット状の露光領域（１
４）に対して基板（７）の走査方向に交差する方向（Ｙ
方向）に光電変換手段（２５）を相対的に移動させる相
対移動手段（２４）を設け、例えば図３に示すように、
スリット状の露光領域（１４）の基板（７）の走査方向
のエッジ部に沿って、相対移動手段（２４）を介して光
電変換手段（２５）を相対的に移動させて得られた光電
変換手段（２５）の光電変換信号より、スリット状の露
光領域（１４）内の基板（７）の走査方向に垂直な方向
の照度むらを測定するようにしても良い。

【００１５】

【作用】斯かる本発明のスリットスキャン露光方式の露
光装置においては、その特性上、基板（７）上で走査方
向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）にのみ照度むらが生じ
ると考えられる。つまり、走査露光時に光源の発光出力
の変動などがない限り、走査方向に関しては、たとえス
リット状の露光領域（１４）内で照度むらが存在して
も、走査露光を行うことで基板（７）の各点での照度
（積算露光量）は積分されて同一の値になり、照度むら
は発生しない。よって、スリット状の露光領域（１４）
の非走査方向（Ｙ方向）への照度むらのみを測定すれば
良いことが分かる。

【００１６】そこで、本発明では例えばそのスリット状
の露光領域（１４）の走査方向の幅より広い受光面（２
５ａ）を持つ光電変換素子（２５）を用いて、その露光
領域（１４）内の照度の走査方向への積分値を走査を行
うことなく測定する。そして、その非走査方向への照度
分布を測定するためには、例えばその受光面（２５ａ）
を有する光電変換素子（２５）を非走査方向に多数並べ
て、各光電変換素子の光電変換信号を並列に取り込むよ
うにする。

【００１７】その他に、１個の光電変換素子（２５）で
その非走査方向への照度分布を測定するためには、相対
走査手段（２４）を用いて、そのスリット状の露光領域
（１４）の非走査方向に相対的に光電変換素子（２５）
を移動すれば良い。また、そのスリット状の露光領域
が、例えば図５に示すよう円弧状の露光領域（１４Ａ）
である場合には、その円弧に沿って光電変換素子（２
５）を相対的に移動させてもよい。これにより極めて迅
速にスリット状の露光領域（１４）の非走査方向の照度
分布（照度むら）が測定される。

【００１８】

【実施例】以下、本発明による走査型露光装置の一実施
例につき図１〜図３を参照して説明する。図１及び図２
において図８及び図９に対応する部分には同一符号を付
してその詳細説明を省略する。図１（ａ）は本実施例の
スリットスキャン露光方式の投影露光装置を示し、この
図１（ａ）において、平行光束を供給する光源系１Ａか
らの露光光は、オプティカル・インテグレータ２に入射
し、オプティカル・インテグレータ２により形成される
多数の光源像からの光束は、リレーレンズ３Ａにより一
度視野絞り２１の細長い矩形の開口２１ａ上に集光され
る。矩形の開口２１ａの像は、リレーレンズを含むコン
デンサーレンズ系３Ｂ及びミラー４を経てレチクル５上
に投影され、レチクル５上の矩形の照明領域１４Ｒが重
畳的にほぼ均一な照度で照明される。

【００１９】本例のオプティカル・インテグレータ２
は、駆動装置２２を介して照明光学系の光軸ＡＸに垂直
な平面及び光軸ＡＸの方向に微動することができると共
に、光軸ＡＸの回りに微小回転することができる。ま
た、リレーレンズ３Ａは、駆動装置２３を介して光軸Ａ
Ｘに垂直な平面及び光軸ＡＸの方向に微動することがで
きると共に、特性の異なる他のリレーレンズと交換でき
るようになっている。

【００２０】レチクル５の照明領域１４Ｒ内のパターン
の縮小像は、投影光学系６を介してフォトレジストが塗
布されたウエハ７上の細長い矩形の露光領域１４内に投
影露光され、ウエハ７はウエハステージ２４上に保持さ
れている。投影光学系６の光軸に垂直な平面をＸＹ平面
として、投影光学系６の光軸に平行にＺ軸を取ると、ウ
エハステージ２４は、ウエハ７をＸ方向（又は−Ｘ方
向）に走査するＸステージ、ウエハ７をＹ方向に位置決
めするＹステージ、ウエハ７をＺ方向に位置決めするＺ
ステージ等より構成されている。投影光学系６の投影倍
率をβとして、レチクルステージ（不図示）を介して照
明領域１４Ｒに対してレチクル５をＸ方向に速度Ｖ_Rで
走査するのと同期して、ウエハステージ２４を介して露
光領域１４に対してウエハ７を−Ｘ方向に速度β・Ｖ_R
で走査することにより、ウエハ７上のショット領域ＳＡ
１，ＳＡ２，…にそれぞれレチクル５のパターン像が逐
次露光される。

【００２１】また、露光領域１４の照度分布を測定する
ため、本例ではウエハステージ２４上のウエハ７が載置
される領域に近接する領域に、Ｘ方向に細長い矩形の受
光面２５ａを有する光電変換素子よりなる照度センサー
２５を設ける。照度センサー２５の受光面２５ａは、ウ
エハ７の露光面と略々同じ高さに設定され、ウエハステ
ージ２４によりウエハ７及び照度センサー２５をＸＹ平
面内及びＺ方向に移動できるようになっている。照度セ
ンサー２５は、例えば図１（ｂ）に示すように、フォト
マルチプライア等の円形の受光面を矩形の受光面２５ａ
と同じ形状の開口を有する遮光板で覆うことにより形成
してもよい。

【００２２】図２（ａ）は、図１（ａ）の投影露光装置
の光学系の展開光路図であり、この図２（ａ）に示すよ
うに、光源系１Ａは、露光光としてのレーザ光を発生す
るレーザ光源２６と、そのレーザ光のビーム径を拡大す
るためのレンズ２７及び２８よりなるビームエクスパン
ダとより構成されている。また、オプティカル・インテ
グレータ２による２次光源像の形成面は、レチクル５の
パターン形成面及びウエハ７の露光面に対してフーリエ
変換面（瞳面）の関係となっており、視野絞り２１の配
置面は、レチクル５のパターン形成面及びウエハ７の露
光面に対して共役の関係となっている。なお、光源系１
Ａの代わりに、図２（ｂ）に示すように、超高圧水銀ラ
ンプ１１、楕円鏡１２、及びインプットレンズ１３より
なる光源系１等を使用しても良い。

【００２３】次に、本例において矩形の露光領域１４内
の非走査方向（Ｙ方向）の照度むらを測定する方法の一
例につき図３を参照して説明する。先ず、図３（ａ）に
示すように、照度センサー２５の受光面２５ａを矩形の
露光領域１４のＹ方向の一端側に移動させる。この場
合、受光面２５ａの走査方向（Ｘ方向）の幅Ｄ１は、露
光領域１４の走査方向の幅Ｄ２より広く設定されてい
る。また、受光面２５ａの非走査方向（Ｙ方向）の幅Ｈ
１は、露光領域１４の非走査方向の幅Ｈ２よりかなり狭
く設定されている。従って、受光面２５ａで受光した光
量は、露光領域１４の照度（露光量）を走査方向に積分
した照度に対応する光量である。

【００２４】この状態で、図１のウエハステージ２４を
−Ｙ方向に駆動することにより、図３（ａ）において、
矩形の露光領域１４の一端から他端の位置ＰＹ１まで走
査方向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）にその受光面２５
ａを１次元的に走査させる。この際に、受光面２５ａの
Ｙ座標に対して、照度センサー２５から出力される光電
変換信号Ｅ（Ｙ）を記録することにより、図３（ｂ）に
示すように、光電変換信号Ｅ（Ｙ）の分布曲線２９が得
られる。実際には分布曲線１９は、Ｙ座標に沿って離散
的な多数の計測点での計測値を連ねたものである。

【００２５】その分布曲線２９の最大値である照度の最
大値をＩ_MAX 、分布曲線２９の最小値である照度の最小
値をＩ_MIN とすると、照度むらＵは以下のように表され
る。Ｕ＝（Ｉ_MAX-Ｉ_MIN)／（Ｉ_MAX+Ｉ_MIN) （２）この照度むらＵの絶対値が所定の許容値を超えている場
合には、図１において、駆動装置２２を介してオプティ
カル・インテグレータ２の位置又は回転角を調整するこ
とにより、その照度むらＵの絶対値を所定の許容値以下
に設定する。更に、駆動装置２３を介してリレーレンズ
３Ａの位置を調整するか、又はリレーレンズ３Ａを他の
異なる特性のリレーレンズと交換することにより、その
照度むらＵの絶対値を所定の許容値以下に設定するよう
にしても良い。

【００２６】また、図３（ｂ）の分布曲線３０Ａに示す
ように、測定された光電変換信号Ｅ（Ｙ）の分布が中高
の場合には、図３（ａ）の曲線３１Ｂで示すように露光
領域１４の一方のエッジ部を窪ませるようにしても良
い。このためには、図１において視野絞り２１の開口２
１ａの一方のエッジ部の近傍を円弧状に黒く塗れば良
い。これにより、図３（ｂ）の分布曲線３０Ａはほぼ平
坦になり、照度むらは小さくなる。逆に、図３（ｂ）の
分布曲線３０Ｂに示すように、測定された光電変換信号
Ｅ（Ｙ）の分布が中央部で窪む場合には、図３（ａ）の
曲線３１Ａで示すように露光領域１４の一方のエッジ部
を膨らませるようにしても良い。このためには、図１に
おいて視野絞り２１の開口２１ａの一方のエッジ部の近
傍の遮光膜を円弧状に削り取れば良い。これにより、図
３（ｂ）の分布曲線３０Ｂはほぼ平坦になり、照度むら
は小さくなる。

【００２７】なお、上述実施例では、露光領域１４は細
長い矩形であるが、そのウエハ７上のスリット状の露光
領域の形状はどんな形状でも良いことは明らかである。
具体的に、そのスリット状の露光領域は、図４に示すよ
うに円弧状の露光領域１４Ａであっても良い。この場
合、円弧状の露光領域１４Ａの走査方向（Ｘ方向）の幅
をＤ２、露光領域１４Ａの走査方向への全体としての幅
をＤ３とすると、照度センサー２５の受光面２５ａの走
査方向の幅Ｄ１は、全体としての幅Ｄ３より広く設定さ
れている。従って、受光面２５ａを非走査方向に露光領
域１４Ａの一端から位置ＰＹ１で示す他端側に移動させ
ることにより、円弧状の露光領域１４Ａの非走査方向の
照度分布が測定され、その結果から照度むらが測定され
る。

【００２８】但し、図５に示すように、円弧状の露光領
域１４Ａの円弧の曲率半径が小さく、露光領域１４Ａの
全体としての走査方向への幅Ｄ３が、照度センサー２５
の受光面２５ａの走査方向への幅Ｄ１より大きい場合
（Ｄ１＜Ｄ３）は、受光面２５ａを円弧状の露光領域１
４Ａの円弧に平行な軌跡３２に沿って走査すれば良い。
即ち、受光面２５ａを露光領域１４Ａの一端から軌跡３
２に沿って次第に位置ＰＹ２からＰＹ３まで移動させる
ことにより、円弧状の露光領域１４Ａの非走査方向への
照度分布が正確に測定できる。この際、照度センサー２
５の受光面２５ａは、円弧状の露光領域１４Ａに対して
非走査方向に直線的に移動する訳ではないが、円弧に沿
って移動することにより、その非走査方向の照度分布が
測定される。

【００２９】なお、上述実施例では照度センサー２５と
露光領域１４，１４Ａとをほぼ非走査方向に相対的に移
動させているが、照度センサー２５の受光エレメントを
非走査方向に多数配列することによりその相対移動動作
を省くことができる。図６は、そのように照度センサー
の受光エレメントの個数を増やした場合を示し、この図
６において、矩形の露光領域１４を覆うように、非走査
方向であるＹ方向に一列に受光面２５ａ，２５ｂ，…，
２５ｍを配する。そして、受光面２５ａ〜２５ｍに接続
された互いに独立の光電変換素子より照度センサーを構
成する。この場合、受光面２５ａ〜２５ｍの光電変換素
子の出力信号がそのまま露光領域１４の非走査方向への
照度分布を表すため、照度センサーの中心をその露光領
域１４の中心に移動させた後、その照度センサーを移動
させることなく、その露光領域１４の非走査方向への照
度分布（照度むら）が測定される。

【００３０】また、図７（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、照度センサー２５の受光面２５ａの走査方向の幅Ｄ
１が、矩形の露光領域１４の走査方向の幅Ｄ２に比べて
狭い場合は、そのままでは受光面２５ａで露光領域１４
の照度の走査方向への積分値を正確に測定することがで
きない。そこで、この場合は、図７（ａ）及び（ｂ）に
示すように、ウエハステージ上でウエハの露光面と同じ
高さの面に走査方向の幅がＤ２より広い開口３３を有す
る遮光板を配し、その開口３３の直下に適当な焦点距離
の凸レンズ３４を配し、この凸レンズ３４の下側の焦点
面の近傍に照度センサー２５の受光面２５ａを配する。
これにより、露光領域１４の走査方向の幅Ｄ２の光量の
積分値が受光面２５ａで受光され、照度センサー２５に
より露光領域１４の非走査方向への照度分布が正確に測
定される。

【００３１】また、上述実施例は投影露光装置に本発明
を適用したものであるが、投影光学系を使用することな
くプロキシミティ方式等で、スリットスキャン露光方式
で露光を行う場合にも本発明はそのまま適用される。こ
のように本発明は上述実施例に限定されず、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、スリット状の露光領域
内の照明光の光量を走査方向に積分して受光する光電変
換手段が設けられているため、その光電変換手段の走査
方向への移動を行うことなく短時間で且つ高精度に基板
上での照度むらを測定できる利点がある。

【００３３】また、相対移動手段を介してその光電変換
手段をそのスリット状の露光領域に沿って非走査方向に
移動させる場合には、１個の受光素子を用いるだけでそ
の露光領域の照度むらを容易に測定できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明による走査型露光装置の一実施
例の要部を示す斜視図、（ｂ）は図１（ａ）の照度セン
サー２５を示す拡大平面図である。

【図２】（ａ）は図１（ａ）の光学系を示す展開光路
図、（ｂ）は光源系の他の例を示す光路図である。

【図３】（ａ）は実施例の矩形の露光領域１４に対する
照度むらの測定方法を示す説明図、（ｂ）はその露光領
域１４の非走査方向の照度分布の種々の例を示す図であ
る。

【図４】円弧状の露光領域１４Ａに対する照度むらの測
定方法の一例を示す説明図である。

【図５】円弧状の露光領域１４Ａに対する照度むらの測
定方法の他の例を示す説明図である。

【図６】照度センサーの他の例を示す拡大平面図であ
る。

【図７】（ａ）は照度センサーの更に他の例を示す拡大
平面図、（ｂ）は図７（ａ）のＡＡ線に沿う断面図であ
る。

【図８】（ａ）は従来のステッパーの要部を示す斜視
図、（ｂ）は図８（ａ）の受光素子９を示す拡大平面図
である。

【図９】図８の光学系を示す展開光路図である。

【図１０】（ａ）は従来のステッパーにおける照度分布
の測定方法の説明図、（ｂ）は従来のスリットスキャン
露光方式の投影露光装置における照度分布の測定方法の
説明図である。

【符号の説明】

１，１Ａ光源系２オプティカル・インテグレータ３Ａリレーレンズ３Ｂコンデンサーレンズ系４ミラー５レチクル６投影光学系７ウエハ１４矩形の露光領域２１視野絞り２４ウエハステージ２５照度センサー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】照明光によるスリット状の照明領域に対
してマスクを所定の方向に走査し、前記照明領域に対応
するスリット状の露光領域に対して基板を所定の方向に
走査することにより、前記マスク上のパターンを逐次前
記基板上に露光する走査型露光装置において、前記スリット状の露光領域内の前記照明光の光量を前記
基板の走査方向に積分して受光する光電変換手段を、該
光電変換手段の受光面が前記基板の露光面と同じ高さに
なるように設け、前記光電変換手段の光電変換信号より前記スリット状の
露光領域内の前記基板の走査方向に垂直な方向の照度む
らを測定するようにしたことを特徴とする走査型露光装
置。
【請求項２】前記スリット状の露光領域に対して前記
基板の走査方向に交差する方向に前記光電変換手段を相
対的に移動させる相対移動手段を設け、前記スリット状
の露光領域の前記基板の走査方向のエッジ部に沿って、
前記相対移動手段を介して前記光電変換手段を相対的に
移動させて得られた前記光電変換手段の光電変換信号よ
り、前記スリット状の露光領域内の前記基板の走査方向
に垂直な方向の照度むらを測定するようにしたことを特
徴とする請求項１記載の走査型露光装置。