JPH0758491A - 超電導磁気シールド構造物 - Google Patents
超電導磁気シールド構造物Info
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- JPH0758491A JPH0758491A JP5206366A JP20636693A JPH0758491A JP H0758491 A JPH0758491 A JP H0758491A JP 5206366 A JP5206366 A JP 5206366A JP 20636693 A JP20636693 A JP 20636693A JP H0758491 A JPH0758491 A JP H0758491A
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- opening
- cryostat
- cylindrical
- shield
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- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】簡単な超電導シールド体及びクライオスタット
の構造で剛性の高い床構造が得られるとともに、単純な
構造で微小磁場空間に人、物品（材料、装置等）を安定
して設置する。 【構成】筒状の超電導シールド体１１と、その内面およ
び外面を覆うクライオスタット１２とにより筒状構造物
１３が形成され、筒状構造物１３の開口部１３ａを下側
にして縦置き状態になるように配設されてなり、筒状構
造物１３内には、非磁性材料からなる床部材１５が配設
されるとともに、筒状構造物１３の開口部１３ａには、
高透磁率材料からなる複数のリング状筒部材１６ａ、１
６ｂ、１６ｃ、１６ｄが多重に配設されてなる。
の構造で剛性の高い床構造が得られるとともに、単純な
構造で微小磁場空間に人、物品（材料、装置等）を安定
して設置する。 【構成】筒状の超電導シールド体１１と、その内面およ
び外面を覆うクライオスタット１２とにより筒状構造物
１３が形成され、筒状構造物１３の開口部１３ａを下側
にして縦置き状態になるように配設されてなり、筒状構
造物１３内には、非磁性材料からなる床部材１５が配設
されるとともに、筒状構造物１３の開口部１３ａには、
高透磁率材料からなる複数のリング状筒部材１６ａ、１
６ｂ、１６ｃ、１６ｄが多重に配設されてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、生体磁場計測や精密物
理計測等の微小磁場計測、半導体製造装置のＥＢ露光な
どの分野において、磁気シールド空間を作るための超電
導磁気シールド構造物に関する。
理計測等の微小磁場計測、半導体製造装置のＥＢ露光な
どの分野において、磁気シールド空間を作るための超電
導磁気シールド構造物に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導体を利用した磁気シールド構造
は、磁力線が超電導体の内部に入り込めないというマイ
スナー効果を利用した磁気シールド構造であり、超電導
シールド体１を臨界温度以下に冷却して超電導状態に転
移させ、超電導シールド体１の内部空間を磁気シールド
するものである。例えば、図４に示すように、筒状構造
物からなる超電導シールド体１の開口部１ａを横に向
け、超電導シールド体１の内外をクライオスタット（冷
却構造）２で覆う構造としている。このような横置き型
の筒状構造物において、その内部に人間が入れるように
或いは材料、装置等の物品を安定して置ける床を製造す
る場合、磁気シールド性能を確保し、超電導シールド体
１に荷重がかからないような床構造にしなければならな
い。
は、磁力線が超電導体の内部に入り込めないというマイ
スナー効果を利用した磁気シールド構造であり、超電導
シールド体１を臨界温度以下に冷却して超電導状態に転
移させ、超電導シールド体１の内部空間を磁気シールド
するものである。例えば、図４に示すように、筒状構造
物からなる超電導シールド体１の開口部１ａを横に向
け、超電導シールド体１の内外をクライオスタット（冷
却構造）２で覆う構造としている。このような横置き型
の筒状構造物において、その内部に人間が入れるように
或いは材料、装置等の物品を安定して置ける床を製造す
る場合、磁気シールド性能を確保し、超電導シールド体
１に荷重がかからないような床構造にしなければならな
い。
【０００３】図４は、従来の床構造の１例を示し、図５
（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ方向から
見た図である。床構造４は、超電導シールド体１に荷重
が作用しないように、床部材４ａを開口部１ａから挿入
し、床部材４ａを外部支持部材４ｂにより支持させる構
造としている。
（Ａ）は断面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ方向から
見た図である。床構造４は、超電導シールド体１に荷重
が作用しないように、床部材４ａを開口部１ａから挿入
し、床部材４ａを外部支持部材４ｂにより支持させる構
造としている。
【０００４】図６は、従来の床構造の他の例を示し、図
６（Ａ）は断面図、図６（Ｂ）は要部斜視図である。床
部材４ａには複数の支持部材４ｃを設け、一方、超電導
シールド体１の下側には筒状開口部５を形成し、床部材
４ａの支持部材４ｃが筒状開口部５を貫通するようにし
ている。この場合、筒状開口部５の開口径Ｄに対して長
さＬを十分とれば、筒状開口部５からの磁束の侵入を防
ぐことができる。
６（Ａ）は断面図、図６（Ｂ）は要部斜視図である。床
部材４ａには複数の支持部材４ｃを設け、一方、超電導
シールド体１の下側には筒状開口部５を形成し、床部材
４ａの支持部材４ｃが筒状開口部５を貫通するようにし
ている。この場合、筒状開口部５の開口径Ｄに対して長
さＬを十分とれば、筒状開口部５からの磁束の侵入を防
ぐことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方式においては、横置き型の筒状構造物であるた
め、図４に示すように、クライオスタット２の自重によ
る変形を防ぐためにリブ３を設けて剛性を高める必要が
あるという問題を有している。また、図５の方式におい
ては、床部材４ａが片持ち支持のため剛性のある床構造
にすることが困難であるという問題を有している。さら
に、図６の方式においては、剛性のある床構造にするこ
とはできるが、超電導シールド体１の構造が複雑である
とともに、クライオスタット２が超電導シールド体１の
荷重を支持する構造を持たねばならず構造が複雑でコス
トが増大するという問題を有している。
来の方式においては、横置き型の筒状構造物であるた
め、図４に示すように、クライオスタット２の自重によ
る変形を防ぐためにリブ３を設けて剛性を高める必要が
あるという問題を有している。また、図５の方式におい
ては、床部材４ａが片持ち支持のため剛性のある床構造
にすることが困難であるという問題を有している。さら
に、図６の方式においては、剛性のある床構造にするこ
とはできるが、超電導シールド体１の構造が複雑である
とともに、クライオスタット２が超電導シールド体１の
荷重を支持する構造を持たねばならず構造が複雑でコス
トが増大するという問題を有している。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するものであっ
て、簡単な超電導シールド体及びクライオスタットの構
造で剛性の高い床構造が得られるとともに、単純な構造
で微小磁場空間に人、物品（材料、装置等）を安定して
設置することができる超電導磁気シールド構造物を提供
することを目的とする。
て、簡単な超電導シールド体及びクライオスタットの構
造で剛性の高い床構造が得られるとともに、単純な構造
で微小磁場空間に人、物品（材料、装置等）を安定して
設置することができる超電導磁気シールド構造物を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の超電導磁気シールド構造物は、筒状の超電
導シールド体１１と、その内面および外面を覆うクライ
オスタット１２とにより筒状構造物１３が形成され、筒
状構造物１３の開口部１３ａを下側にして縦置き状態に
なるように配設されてなり、筒状構造物１３内には、非
磁性材料からなる床部材１５が配設されるとともに、筒
状構造物１３の開口部１３ａには、高透磁率材料からな
る複数のリング状筒部材１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６
ｄが多重に配設されてなることを特徴とする。なお、複
数のリング状筒部材１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄの
間に高透磁率材料からなる多数の円筒体１７を配設する
ようにしてもよい。ここで、上記構成に付加した番号
は、本発明の理解を容易にするために図面と対比させる
ためのもので、これにより本発明の構成が何ら限定され
るものではない。
に、本発明の超電導磁気シールド構造物は、筒状の超電
導シールド体１１と、その内面および外面を覆うクライ
オスタット１２とにより筒状構造物１３が形成され、筒
状構造物１３の開口部１３ａを下側にして縦置き状態に
なるように配設されてなり、筒状構造物１３内には、非
磁性材料からなる床部材１５が配設されるとともに、筒
状構造物１３の開口部１３ａには、高透磁率材料からな
る複数のリング状筒部材１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６
ｄが多重に配設されてなることを特徴とする。なお、複
数のリング状筒部材１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄの
間に高透磁率材料からなる多数の円筒体１７を配設する
ようにしてもよい。ここで、上記構成に付加した番号
は、本発明の理解を容易にするために図面と対比させる
ためのもので、これにより本発明の構成が何ら限定され
るものではない。
【０００８】
【作用】本発明においては、例えば図１に示すように、
筒状構造物１３が縦置きとなるため、自重を開口部１３
ａ側端部で支持するため、クライオスタット１２の構造
は、横置き型に比べて剛性を高める必要がなく、基本的
にクライオスタット１２は超電導シールド体１１を支持
する必要がないとともに、床部材１５が支持部材１５ａ
を介して直接、基盤１４上に支持されるため、床部材１
５、超電導シールド体１１及びクライオスタット１２の
構造を簡単化し、剛性の高い床構造にすることができ
る。
筒状構造物１３が縦置きとなるため、自重を開口部１３
ａ側端部で支持するため、クライオスタット１２の構造
は、横置き型に比べて剛性を高める必要がなく、基本的
にクライオスタット１２は超電導シールド体１１を支持
する必要がないとともに、床部材１５が支持部材１５ａ
を介して直接、基盤１４上に支持されるため、床部材１
５、超電導シールド体１１及びクライオスタット１２の
構造を簡単化し、剛性の高い床構造にすることができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図１は、本発明の超電導磁気シールド構造物の
１実施例を示し、図１（Ａ）は軸方向断面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿って矢印方向に見た
断面図である。
明する。図１は、本発明の超電導磁気シールド構造物の
１実施例を示し、図１（Ａ）は軸方向断面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿って矢印方向に見た
断面図である。
【００１０】図１において、超電導材料からなる筒状の
超電導シールド体１１の内面および外面は、間隔を設け
てクライオスタット１２で覆われて密閉され、筒状構造
物１３が形成されており、その開口部１３ａを下側にし
て筒状構造物１３全体が縦置き状態となるように基盤１
４上に配設されている。筒状構造物１３内には、非磁性
材料製からなる床部材１５が配設され支持部材１５ａに
より所定の高さに支持されている。床部材１５の下部で
筒状構造物１３の開口部１３ａには、高透磁率材料から
なる複数のリング状筒部材１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１
６ｄが間隔をもって多重に配設されている。超電導材料
としては、極低温で超電導体となる周知の材料、例えば
酸化物超電導体が使用され、高透磁率材料としてはパー
マロイ、珪素鋼板など周知の材料が使用される。
超電導シールド体１１の内面および外面は、間隔を設け
てクライオスタット１２で覆われて密閉され、筒状構造
物１３が形成されており、その開口部１３ａを下側にし
て筒状構造物１３全体が縦置き状態となるように基盤１
４上に配設されている。筒状構造物１３内には、非磁性
材料製からなる床部材１５が配設され支持部材１５ａに
より所定の高さに支持されている。床部材１５の下部で
筒状構造物１３の開口部１３ａには、高透磁率材料から
なる複数のリング状筒部材１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１
６ｄが間隔をもって多重に配設されている。超電導材料
としては、極低温で超電導体となる周知の材料、例えば
酸化物超電導体が使用され、高透磁率材料としてはパー
マロイ、珪素鋼板など周知の材料が使用される。
【００１１】上記構成からなる本発明においては、筒状
構造物１３が縦置きとなるため、自重を開口部１３ａ側
端部で支持するため、クライオスタット１２の構造は、
横置き型に比べて剛性を高める必要がなくなり、基本的
にクライオスタット１２は超電導シールド体１１を支持
する必要がないので、構造が簡単になりコストを低減さ
せることができる。また、筒状構造物１３が縦置きとす
ることにより、床部材１５が超電導シールド体１１及び
クライオスタット１２を床貫通することなく、床部材１
５が支持部材１５ａを介して直接、基盤１４上に支持さ
れるため、床部材１５、超電導シールド体１１及びクラ
イオスタット１２の構造を簡単化し、剛性の高い床構造
にすることができる。
構造物１３が縦置きとなるため、自重を開口部１３ａ側
端部で支持するため、クライオスタット１２の構造は、
横置き型に比べて剛性を高める必要がなくなり、基本的
にクライオスタット１２は超電導シールド体１１を支持
する必要がないので、構造が簡単になりコストを低減さ
せることができる。また、筒状構造物１３が縦置きとす
ることにより、床部材１５が超電導シールド体１１及び
クライオスタット１２を床貫通することなく、床部材１
５が支持部材１５ａを介して直接、基盤１４上に支持さ
れるため、床部材１５、超電導シールド体１１及びクラ
イオスタット１２の構造を簡単化し、剛性の高い床構造
にすることができる。
【００１２】この場合、磁気シールド性能を高めるため
には、床部材１５の高さを高くその結果、筒状構造物１
３の高さも高くする必要があるが、開口部１３ａに配設
した高透磁率材料からなるリング状筒部材１６ａ〜１６
ｄによって床下からの磁束の侵入を防ぎ、筒状構造物１
３の高さを低く、従って製造コストを低減させることが
できる。また、リング状筒部材１６ａ〜１６ｄの配設に
際しては、筒状構造物１３が横置きの場合には、リング
状筒部材１６ａ〜１６ｄを横にした状態で配設しなけれ
ばならないので支持構造が必要があるが、本発明におい
ては、筒状構造物１３が縦置きとなるため、リング状筒
部材１６ａ〜１６ｄをそのまま自立した状態で配設する
ことができる。
には、床部材１５の高さを高くその結果、筒状構造物１
３の高さも高くする必要があるが、開口部１３ａに配設
した高透磁率材料からなるリング状筒部材１６ａ〜１６
ｄによって床下からの磁束の侵入を防ぎ、筒状構造物１
３の高さを低く、従って製造コストを低減させることが
できる。また、リング状筒部材１６ａ〜１６ｄの配設に
際しては、筒状構造物１３が横置きの場合には、リング
状筒部材１６ａ〜１６ｄを横にした状態で配設しなけれ
ばならないので支持構造が必要があるが、本発明におい
ては、筒状構造物１３が縦置きとなるため、リング状筒
部材１６ａ〜１６ｄをそのまま自立した状態で配設する
ことができる。
【００１３】図２は、筒状構造物１３の開口部１３ａに
おける磁気シールド構造の変形例を示す斜視図である。
本例においては、リング状筒部材１６ａ、１６ｂの間に
多数の高透磁率材料からなる円筒体１７を配設してい
る。この場合、円筒体１７の開口径Ｄに対して長さＬを
十分とれば、筒状構造物１３の軸方向に垂直方向の磁束
の侵入はもとより軸方向に平行方向の磁束の侵入をも防
ぐことができる。
おける磁気シールド構造の変形例を示す斜視図である。
本例においては、リング状筒部材１６ａ、１６ｂの間に
多数の高透磁率材料からなる円筒体１７を配設してい
る。この場合、円筒体１７の開口径Ｄに対して長さＬを
十分とれば、筒状構造物１３の軸方向に垂直方向の磁束
の侵入はもとより軸方向に平行方向の磁束の侵入をも防
ぐことができる。
【００１４】図３は本発明の変形例を示し、超電導シー
ルド体１１及びクライオスタット１２の上部に開口部１
７を設け、開口径Ｄに対して十分長いＬを確保するよう
にしている。
ルド体１１及びクライオスタット１２の上部に開口部１
７を設け、開口径Ｄに対して十分長いＬを確保するよう
にしている。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、簡単な超電導シールド体及びクライオスタット
の構造で剛性の高い床構造が得られるとともに、単純な
構造で微小磁場空間に人、物品（材料、装置等）を安定
して設置することができる。
よれば、簡単な超電導シールド体及びクライオスタット
の構造で剛性の高い床構造が得られるとともに、単純な
構造で微小磁場空間に人、物品（材料、装置等）を安定
して設置することができる。
【図１】本発明の超電導磁気シールド構造物の１実施例
を示し、図１（Ａ）は軸方向断面図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿って矢印方向に見た断面図であ
る。
を示し、図１（Ａ）は軸方向断面図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿って矢印方向に見た断面図であ
る。
【図２】本発明に係わる筒状構造物の開口部における磁
気シールド構造の変形例を示す斜視図である。
気シールド構造の変形例を示す斜視図である。
【図３】本発明の変形例を示す断面図である。
【図４】従来の超電導磁気シールド構造物の１例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の床構造の１例を示し、図５（Ａ）は断面
図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ方向から見た図であ
る。
図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＢ方向から見た図であ
る。
【図６】従来の床構造の他の例を示し、図６（Ａ）は断
面図、図６（Ｂ）は要部斜視図である。
面図、図６（Ｂ）は要部斜視図である。
１１…超電導シールド体、１２…クライオスタット、１
３…筒状構造物 １３ａ…開口部、１４…基盤、１５…床部材、１５ａ…
支持部材 １６ａ〜１６ｂ…リング状筒部材、１７…円筒体
３…筒状構造物 １３ａ…開口部、１４…基盤、１５…床部材、１５ａ…
支持部材 １６ａ〜１６ｂ…リング状筒部材、１７…円筒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澁谷紳一 東京都港区芝浦一丁目２番３号 清水建設 株式会社内 (72)発明者 向山澄夫 東京都港区芝浦一丁目２番３号 清水建設 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】筒状の超電導シールド体と、その内面およ
び外面を覆うクライオスタットとにより筒状構造物が形
成され、該筒状構造物の開口部を下側にして縦置き状態
になるように配設されてなり、前記筒状構造物内には、
非磁性材料からなる床部材が配設されるとともに、前記
筒状構造物の開口部には、高透磁率材料からなる複数の
リング状筒部材が多重に配設されてなることを特徴とす
る超電導磁気シールド構造物。 - 【請求項２】前記複数のリング状筒部材の間に高透磁率
材料からなる多数の円筒体が配設されることを特徴とす
る請求項１に記載の超電導磁気シールド構造物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20636693A JP3243075B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 超電導磁気シールド構造物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20636693A JP3243075B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 超電導磁気シールド構造物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758491A true JPH0758491A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3243075B2 JP3243075B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=16522142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20636693A Expired - Fee Related JP3243075B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 超電導磁気シールド構造物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243075B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353528A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シールドおよびその製造方法 |
| US20210175010A1 (en) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Honeywell International Inc. | Superconducting shield for cryogenic chamber |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342005A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Ebara Infilco Co Ltd | 濾過濃縮装置 |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP20636693A patent/JP3243075B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342005A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Ebara Infilco Co Ltd | 濾過濃縮装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353528A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シールドおよびその製造方法 |
| US20210175010A1 (en) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Honeywell International Inc. | Superconducting shield for cryogenic chamber |
| US11776738B2 (en) * | 2019-12-05 | 2023-10-03 | Quantinuum Llc | Superconducting shield for cryogenic chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3243075B2 (ja) | 2002-01-07 |
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| JPH04351343A (ja) | 免震装置 |
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