JPH0758796B2 - 光導電型光センサの製造方法 - Google Patents
光導電型光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0758796B2 JPH0758796B2 JP61087447A JP8744786A JPH0758796B2 JP H0758796 B2 JPH0758796 B2 JP H0758796B2 JP 61087447 A JP61087447 A JP 61087447A JP 8744786 A JP8744786 A JP 8744786A JP H0758796 B2 JPH0758796 B2 JP H0758796B2
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- cds
- cdse
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はファクシミリ装置や光ディスクなどのオフィス
オートメーション（OA）機器、ホームオートメーション
（HA）機器における画像情報入力部に用いられる光セン
サで、詳しくはCdS、CdSeあるいはこれらの固溶体CdS−
CdSeを主体とする光導電型光センサの製造方法に関す
る。
オートメーション（OA）機器、ホームオートメーション
（HA）機器における画像情報入力部に用いられる光セン
サで、詳しくはCdS、CdSeあるいはこれらの固溶体CdS−
CdSeを主体とする光導電型光センサの製造方法に関す
る。
（従来の技術） 近年、ファクシミリ装置や各種OA、HA機器の画像情報入
力部の小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿と同一
寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画
像読取装置が実用の段階にあり、さらに現在では階調面
での画像品質の改善やカラー化が強く望まれるに至って
いる。
力部の小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿と同一
寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画
像読取装置が実用の段階にあり、さらに現在では階調面
での画像品質の改善やカラー化が強く望まれるに至って
いる。
さて、CdS、CdSeあるいはこれらの固溶体CdS−CdSeを主
体としてなる光導電型光センサは光電流値が大きいとい
う特長を有し、このため周辺回路の設計が容易である。
一方、この光センサは光電流Jpの照射光強度（すなわち
原稿からの反射光強度）Ｌに対する比例性に劣る欠点が
ある。すなわちJp∝Lrとしたときのγ値が、通常使用時
のセンサ面照度50〜100luxで0.6〜0.75と小さい。
体としてなる光導電型光センサは光電流値が大きいとい
う特長を有し、このため周辺回路の設計が容易である。
一方、この光センサは光電流Jpの照射光強度（すなわち
原稿からの反射光強度）Ｌに対する比例性に劣る欠点が
ある。すなわちJp∝Lrとしたときのγ値が、通常使用時
のセンサ面照度50〜100luxで0.6〜0.75と小さい。
（発明が解決しようとする問題点） このようにγ値が小さいと、例えば図に示したように、
γ＝1.0の場合はセンサ面での光強度に対して生じる光
電流に比例した出力信号値が得られるのに対し、γ＝0.
6の場合は出力信号値が顕著に低下するのである。
γ＝1.0の場合はセンサ面での光強度に対して生じる光
電流に比例した出力信号値が得られるのに対し、γ＝0.
6の場合は出力信号値が顕著に低下するのである。
このため階調すなわち中間調を要するような場合には、
余分の回路処理を必要とすることになる。そして、Cd
S、CdSeあるいは固溶体CdS−CdSeをCdCl2で活性化した
光導電型の光センサの場合、γ値を大きくする方法、す
なわちγ＝1.0に近づける方法としてはJp値を小さくす
る方法が考えられる。例えば不純物であるCu濃度を高
くする方法、活性化時の温度を高くする方法、などで
ある。
余分の回路処理を必要とすることになる。そして、Cd
S、CdSeあるいは固溶体CdS−CdSeをCdCl2で活性化した
光導電型の光センサの場合、γ値を大きくする方法、す
なわちγ＝1.0に近づける方法としてはJp値を小さくす
る方法が考えられる。例えば不純物であるCu濃度を高
くする方法、活性化時の温度を高くする方法、などで
ある。
これら方法による場合は、γ値を大きくすることが可能
となる。然し乍ら、同時に光電流の立下がり時間τｄは
小さくなるが立上がり時間τｒが大きくなり、全体とし
て光応答速度が遅くなってしまうという大きな欠点があ
る。
となる。然し乍ら、同時に光電流の立下がり時間τｄは
小さくなるが立上がり時間τｒが大きくなり、全体とし
て光応答速度が遅くなってしまうという大きな欠点があ
る。
本発明は、かかる実情に鑑み、光導電型光センサの光電
流値特性を損なうことなく、しかも、光応答速度を遅く
することなく、γ値を可及的に大きくして画質の改善、
向上に寄与する光センサの製造方法を提供する点に目的
を有する。
流値特性を損なうことなく、しかも、光応答速度を遅く
することなく、γ値を可及的に大きくして画質の改善、
向上に寄与する光センサの製造方法を提供する点に目的
を有する。
（問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するために講じた本発明に係る光導電
型光センサの製造方法は、絶縁性基板上に、CdS、CdSe
あるいはこれらの固溶体CdS−CdSeを主体としてなる薄
膜を形成し、この薄膜を高温でCdCl2の蒸気に暴露して
光電的に活性化した膜にした後、その膜に対向電極を形
成し、しかる後、さらに保護膜を形成する光導電型光セ
ンサの製造方法であって、前記保護膜の形成後に、高温
で前記光センサに一定光量以上の可視光を照射すること
を特徴とするものである。
型光センサの製造方法は、絶縁性基板上に、CdS、CdSe
あるいはこれらの固溶体CdS−CdSeを主体としてなる薄
膜を形成し、この薄膜を高温でCdCl2の蒸気に暴露して
光電的に活性化した膜にした後、その膜に対向電極を形
成し、しかる後、さらに保護膜を形成する光導電型光セ
ンサの製造方法であって、前記保護膜の形成後に、高温
で前記光センサに一定光量以上の可視光を照射すること
を特徴とするものである。
（作用） 本発明の方法によれば、光導電型光センサの光電流値が
大きいという特長を損なわずして、しかもその光電流の
光応答速度を遅くせずしてγ値を大きくすることができ
る。
大きいという特長を損なわずして、しかもその光電流の
光応答速度を遅くせずしてγ値を大きくすることができ
る。
（実施例） 以下実施例により本発明方法とその効果の詳細について
述べる。
述べる。
絶縁性基板（コーニング社、＃7059、230×25×1.2m
m3）上に0.01モル％のCuを含んだ厚さ4000ÅのCdS0.6Se
0.4の蒸着膜を形成し、フォトエッチングにより主走査
方向に島状（90×350μm2）に８ビット/mmの割合で1728
ビット配置する。この島状のCdS0.6Se0.4膜を500℃でCd
−Cl2の飽和蒸気中で加熱処理（暴露）して光電的に活
性化して光導電体膜にした後、島状の膜の各々に対向電
極（NiCr/Au）すなわち共通電極と個別電極を形成す
る。対向電極のギャップは60μｍである。その後、ポリ
イミドの絶縁保護膜を形成した後に、空気中175℃にお
いてセンサに表面での強度2000luxの可視光（Ｗ−lam
p）を照射する。この可視光照射時間と共に変化する各
特性値をまとめると、第１表のようになる。
m3）上に0.01モル％のCuを含んだ厚さ4000ÅのCdS0.6Se
0.4の蒸着膜を形成し、フォトエッチングにより主走査
方向に島状（90×350μm2）に８ビット/mmの割合で1728
ビット配置する。この島状のCdS0.6Se0.4膜を500℃でCd
−Cl2の飽和蒸気中で加熱処理（暴露）して光電的に活
性化して光導電体膜にした後、島状の膜の各々に対向電
極（NiCr/Au）すなわち共通電極と個別電極を形成す
る。対向電極のギャップは60μｍである。その後、ポリ
イミドの絶縁保護膜を形成した後に、空気中175℃にお
いてセンサに表面での強度2000luxの可視光（Ｗ−lam
p）を照射する。この可視光照射時間と共に変化する各
特性値をまとめると、第１表のようになる。
この第１表から、時間、すなわち露光量の増大と共にJp
が減少し、γが増大することが分かる。ただ過度に露光
するとJpが小さくなってしまうのでJpは５μＡ以上であ
ることが好ましい。
が減少し、γが増大することが分かる。ただ過度に露光
するとJpが小さくなってしまうのでJpは５μＡ以上であ
ることが好ましい。
一方、光照射時の温度を80ないし350℃と変えた場合の
結果を第２表にまとめてある。これによると、80℃以下
では効果がなく、350℃以上では保護膜が損傷する。こ
の時の光強度は同じく2000luxで30分および60分処理し
たものである。
結果を第２表にまとめてある。これによると、80℃以下
では効果がなく、350℃以上では保護膜が損傷する。こ
の時の光強度は同じく2000luxで30分および60分処理し
たものである。
このように照射時間と照射時の温度とによりγ値を大き
くすることができる。この光照射時の雰囲気は空気中だ
けでなく、N2やArなどの中性雰囲気でも良い。
くすることができる。この光照射時の雰囲気は空気中だ
けでなく、N2やArなどの中性雰囲気でも良い。
（発明の効果） 以上詳述したことからも明らかなように、本発明による
時は、保護膜形成後の光センサに、高温下で一定光量以
上の可視光を照射することにより、光電流値Jp（μＡ）
を小さくし、これに反比例させてγ値を1.0に近づける
ことが可能であるから、Jp値を小さくする方法として考
えられる所の、既述、の方法に比べて光電流の立上
がり時間τｒの上昇率を可及的に小さくして光応答速度
の遅延化を抑えながら、光強度に対して生じる光電流に
略比例した出力信号値特性が得られる。これによって、
階調、すなわち、中間調を、特別な回路処理を要するこ
となく、容易にとることができるばかりでなく、カラー
化も容易であって、画像品質の改善、向上に大きく寄与
する光導電型光センサを、可視光照射といった簡易な工
程付加のみをもって製造することができるに至ったので
ある。
時は、保護膜形成後の光センサに、高温下で一定光量以
上の可視光を照射することにより、光電流値Jp（μＡ）
を小さくし、これに反比例させてγ値を1.0に近づける
ことが可能であるから、Jp値を小さくする方法として考
えられる所の、既述、の方法に比べて光電流の立上
がり時間τｒの上昇率を可及的に小さくして光応答速度
の遅延化を抑えながら、光強度に対して生じる光電流に
略比例した出力信号値特性が得られる。これによって、
階調、すなわち、中間調を、特別な回路処理を要するこ
となく、容易にとることができるばかりでなく、カラー
化も容易であって、画像品質の改善、向上に大きく寄与
する光導電型光センサを、可視光照射といった簡易な工
程付加のみをもって製造することができるに至ったので
ある。
図は、光センサにおける光電流と光強度との相関を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性基板上にCdS、CdSeあるいはこれら
の固溶体CdS−CdSeを主体としてなる薄膜を形成し、こ
の薄膜を高温でCdCl2の蒸気に暴露して光電的に活性化
した膜にした後その膜に対向電極を形成し、しかる後、
さらに保護膜を形成する光導電型光センサの製造方法で
あって、前記保護膜の形成後に、高温下で前記光センサ
に一定光量以上の可視光を照射することを特徴としてな
る光導電型光センサの製造方法。 - 【請求項２】前記の可視光照射時の温度が80〜350℃で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導
電型光センサの製造方法。 - 【請求項３】前記可視光の光量が106lux sec以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の光導電型光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087447A JPH0758796B2 (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 光導電型光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087447A JPH0758796B2 (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 光導電型光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243374A JPS62243374A (ja) | 1987-10-23 |
| JPH0758796B2 true JPH0758796B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=13915111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61087447A Expired - Lifetime JPH0758796B2 (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 光導電型光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758796B2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP61087447A patent/JPH0758796B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62243374A (ja) | 1987-10-23 |
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