JPH08139412A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH08139412A
JPH08139412A JP6272352A JP27235294A JPH08139412A JP H08139412 A JPH08139412 A JP H08139412A JP 6272352 A JP6272352 A JP 6272352A JP 27235294 A JP27235294 A JP 27235294A JP H08139412 A JPH08139412 A JP H08139412A
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semiconductor laser
laser device
laser
reflecting
semiconductor
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JP6272352A
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Takeshi Kamisato
武 神里
Ryoichi Hirano
良一 平野
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 容易に精度良く作製でき、高出力のレーザ光
を出射できる半導体レーザ装置を得ることを目的とす
る。 【構成】 共振器端面３０ａからレーザ光３１を出射す
る複数の半導体レーザ素子と、上記複数の半導体レーザ
素子の各々のレーザ出射光の光軸上に配置され該半導体
レーザ素子が出射するレーザ光を反射する複数のレーザ
光反射面１３とを備え、上記複数の半導体レーザ素子及
び複数のレーザ光反射面１３は、複数のレーザ光反射面
１３で反射される上記の各レーザ光が同一方向に反射
し、かつ、複数のレーザ光反射面１３が相互に近接する
ように配置されているものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特に容易に高歩留りで作製可能な、高出力半導体レ
ーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高出力用半導体レーザ装置は光出力の高
出力化が重要な課題であるが、現在は高出力化のために
導体の半導体レーザを複数個スタック状に組み立てて、
最大光出力を増加させる方法がとられている。
【０００３】図９は、例えば特開平６−９００６３号公
報に記載された従来の高出力半導体レーザ装置を示す図
である。
【０００４】この高出力半導体レーザ装置は、半導体レ
ーザチップ１０８を２段に重ね、その間をチップ張り合
わせ用ハンダ１０８ａで接合してスタック状に組み立て
たものである。半導体レーザチップ１０８は、ｎ＋型Ｇ
ａＡｓ基板１８１上に、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッ
ド層１８２，アンドープＧａＡｓ活性層１８３，ｐ型Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層１８４，及びｐ＋型ＧａＡ
ｓコンタクト層１８５を順次結晶成長させ、コンタクト
層１８５上に電流狭窄用の絶縁膜１８６を介してｐ側電
極１８７を、基板１８１裏面にｎ側電極１８８を設けた
ものである。
【０００５】このような２チップ積層タイプの半導体レ
ーザ装置をパルス幅５０ｎｓ，パルスデューティー比
０．０２５％，及び２５アンペア入力電流にてパルス駆
動すると、ピーク出力３０Ｗが得られる。なお、半導体
レーザチップ１０８の張り合わせは、上述の２段に限ら
れず３段以上の多段であってもよく、最大６チップを積
層してピーク出力１００Ｗのものが市販されている。
【０００６】また、図１０は、例えば特開平３−２５７
８８８号公報に開示された、従来の高出力でかつビーム
放射角の狭い光出力が得られる面発光半導体レーザを示
す斜視図、図１１(a) は図１０中のＧ−Ｇ線に沿った断
面図、図１１(b) は図１０中のＨ−Ｈ線に沿った部分断
面図である。
【０００７】図において、ｎ型ＩｎＰ基板２０１上に
は、約１．３μｍ波長組成のｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波路
層２０２，約１．５５μｍ波長組成のアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２０３，ｐ型ＩｎＰクラッド層２０４，
及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２０５が順次積層さ
れている。これらの層２０２〜２０５はＬＰＥ法（液相
成長法），ＭＯ−ＶＰＥ法（有機金属気相成長法），Ｍ
ＢＥ法（分子線エピタキシー法）等によって成長させる
ことができる。また、基板２０１裏面にはｎ側電極２０
６が設けられ、キャップ層２０５上にはｐ側電極２０７
が設けられる。
【０００８】共振器は、へき開もしくはエッチングによ
り形成された端面２０８ａ，２０８ｂにより形成され、
これら端面２０８ａ，２０８ｂ上には絶縁膜２０９を介
して金属膜２１０もしくは誘電体膜が設けられ、高反射
端面となっている。金属膜２１０はリング状に活性層２
０３を取り囲んでいる。レーザ共振器の内部に設けられ
た光出力取り出し用のリング状回折格子２１１はその次
数を周期約５０００オングストローム（５００ｎｍ）の
二次とすることにより、基板表面に対し垂直方向に光を
出射させることができる。リング状回折格子２１１の直
径は、５０μｍ〜２００μｍ程度である。なお、リング
状回折格子２１１は、レーザ共振器の中央部分の活性層
２０３等を円形に除去した後、露出した低損失導波路層
２０２上に形成することにより、光出射以外の光の過剰
な損失を回避することができる。また、リング状回折格
子２１１による光出射は回折格子形成面の上下方向にな
されるが、ｎ側電極２０６に反射膜の役割を持たせるか
もしくは下方に別途高反射膜を設けることにより全ての
光出力を回折格子形成面の上方から得ることができる。
【０００９】この従来例の特徴は、回折格子をリング状
にすることにより、その周囲にレーザストライプ形状の
複数のレーザ共振器を放射状に配置し、これら複数のレ
ーザ共振器からの光出力を１つの開口から得ることを可
能としていることにもある。即ち、中央にはリング状回
折格子２１１が設けられ、リング状回折格子２１１を横
切るように四本のレーザストライプ形状のレーザ共振器
２２０，２２１，２２２，及び２２３が放射状に配置さ
れている。各レーザ発振器の幅は横モード制御のために
は１〜２μｍとされ、その周囲は、図１１(b) に示すよ
うに例えば半絶縁性ＩｎＰ層２１２によって埋め込ま
れ、不要なリーク電流が抑制される。このような構造に
おいては、各レーザ発振器の出力がリング状回折格子２
１１からのみ上方に出射されるので、レーザ共振器の数
に比例した高出力を単一の開口から得ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の図９に示す高出
力半導体レーザ装置は上述のように、複数個の半導体レ
ーザチップをハンダを介して積層しているため、張り合
わせ精度不良により発光パターンに不良が発生したり、
レーザチップ張り合わせ工程における熱ダメージにより
レーザチップが破壊されたりすることから、高歩留りを
得るのが困難であるという問題があった。さらにはレー
ザチップ張り合わせ工程による作業コストの増大という
問題があった。また、上述の問題は、高出力化のために
張り合わせるレーザチップの個数を増やすほど重大なも
のとなるものであった。
【００１１】また、図１０の高出力半導体レーザ装置で
は、回折格子を用いて光を基板に対して垂直方向に取り
出す構成としているが、この場合、回折格子でブラッグ
反射を起こす波長の光のみが取り出されることとなるた
め、フアブリペロー型レーザの光出力の数％の光出力し
か得られず、レーザレーダ等に用いるような高出力の半
導体レーザ装置を作製するのは困難であるという問題が
あった。また、回折格子を精度よく形成するために工程
が複雑化し、コストの増大を招くという問題もあった。
【００１２】この発明は、上記の問題点を解消するため
になされたものであり、容易に製造可能な高出力半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置（請求項１）は、対向する一対の共振器端面を
有し該共振器端面からレーザ光を出射する複数の半導体
レーザ素子と、上記複数の半導体レーザ素子の各々のレ
ーザ出射光の光軸上に配置され該半導体レーザ素子が出
射するレーザ光を反射する複数の反射鏡とを備え、上記
複数の半導体レーザ素子及び上記複数の反射鏡は、上記
複数の反射鏡で反射される上記の各レーザ光が同一方向
に反射し、かつ、上記複数の反射鏡が相互に近接するよ
うに配置されていることを特徴とするものである。
【００１４】さらに、この発明に係る半導体レーザ装置
（請求項２）は、上記半導体レーザ装置（請求項１）に
おいて、上記反射鏡は、その一部領域が上記半導体レー
ザ素子を構成する積層成長された半導体積層構造の他の
部分を傾斜面に加工して形成されてなるものである。
【００１５】さらに、この発明に係る半導体レーザ装置
（請求項３）は、上記半導体レーザ装置（請求項２）に
おいて、上記半導体レーザ素子の共振器端面は、積層成
長された上記半導体積層構造を積層面に対し垂直にエッ
チングして形成された対向する一対の溝の，該対向する
側に位置する側壁からなるものであり、上記反射鏡は上
記一対の溝のうちの一方の溝の，上記共振器端面となる
側壁に対向する側壁を上記レーザ出射光の光軸に対して
傾斜するようにエッチングして形成された面であること
を特徴とするものである。
【００１６】さらに、この発明に係る半導体レーザ装置
（請求項４）は、上記半導体レーザ装置（請求項１）に
おいて、上記複数の反射鏡は、上記複数の半導体レーザ
素子と個別に設けられたものであり、上記複数の各反射
鏡は、多角錐状の部材の底面を除く複数の各側面からな
るものであることを特徴とするものである。
【００１７】
【作用】この発明（請求項１）においては、対向する一
対の共振器端面を有し該共振器端面からレーザ光を出射
する複数の半導体レーザ素子と、上記複数の半導体レー
ザ素子の各々のレーザ出射光の光軸上に配置され該半導
体レーザ素子が出射するレーザ光を反射する複数の反射
鏡とを備え、上記複数の半導体レーザ素子及び上記複数
の反射鏡は、上記複数の反射鏡で反射される上記の各レ
ーザ光が同一方向に反射し、かつ、上記複数の反射鏡が
相互に近接するように配置されていることから、上記複
数の半導体レーザ素子から出射される上記の各レーザ光
は、その出力を殆どそのままの状態で集光して出射され
る。
【００１８】さらに、この発明（請求項２）において
は、上記半導体レーザ装置（請求項１）において、上記
反射鏡は、その一部領域が上記半導体レーザ素子を構成
する積層成長された半導体積層構造の他の部分を傾斜面
に加工して形成されてなるものであることから、上記半
導体レーザ素子を形成すると同時に上記反射鏡を形成で
きる。
【００１９】さらに、この発明（請求項３）において
は、上記半導体レーザ装置（請求項２）において、上記
半導体レーザ素子の共振器端面は、積層成長された上記
半導体積層構造を積層面に対し垂直にエッチングして形
成された対向する一対の溝の，該対向する側に位置する
側壁からなるものであり、上記反射鏡は上記一対の溝の
うちの一方の溝の，上記共振器端面となる側壁に対向す
る側壁を上記レーザ出射光の光軸に対して傾斜するよう
にエッチングして形成された面であることから、上記共
振器端面の上記レーザ出射光の光軸上に、上記反射鏡が
容易に形成される。
【００２０】さらに、この発明（請求項４）において
は、上記半導体レーザ装置（請求項１）において、上記
複数の反射鏡は、上記複数の半導体レーザ素子と個別に
設けられたものであり、上記複数の各反射鏡は、多角錐
状の部材の底面を除く複数の各側面からなるものである
ことから、上記複数の半導体レーザ素子と上記複数の反
射鏡との間の距離が、装置の形状や装置を配置する場所
に応じて決められる。
【００２１】
【実施例】
実施例１．図１は本発明の第１の実施例による高出力半
導体レーザ装置を示す斜視図であり、図２(a) は図１中
のＢ−Ｂ線に沿った部分断面図、図２(b) は図１中のＣ
−Ｃ線に沿った部分断面図である。
【００２２】これら図において、１０は厚さ約９０μｍ
の絶縁性基板である。１１は絶縁性基板１０上に結晶成
長された、レーザ積層構造を有するエピタキシャル成長
層である。エピタキシャル成長層１１は、図２に示すよ
うに、基板１０上に順次積層された、層厚５０μｍのｎ
型ＧａＡｓ層２１，層厚３μｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ下ク
ラッド層２２，層厚１０ｎｍ（１００オングストロー
ム）のＡｌＧａＡｓ活性層２３，層厚３μｍのｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ上クラッド層２４，層厚１μｍのｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層２５，及び、電流狭窄構造を形成するため
のｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２６を含む。エピタキシ
ャル成長層１１は基板１０に達する絶縁分離溝１２によ
り４つに分割されている。４つに分割されたエピタキシ
ャル成長層１１のそれぞれには、所定箇所にｎ型ＧａＡ
ｓ層２１に達する溝２７，２８が形成され、この溝２
７，２８に挟まれた領域に、共振器端面３０ａ，３０ｂ
を含むレーザ共振器構造が形成される。共振器長は例え
ば６００μｍである。溝２７の、共振器端面３０ａに向
かい合う側壁は、基板１０に垂直な面に対し４５°傾い
ており、端面３０ａより射出したレーザ光３１を基板１
０に対し垂直な方向に反射するレーザ光反射面１３を構
成する。１５は溝２８底部に設けられた厚さ２０μｍの
ｎ側メタル電極、１６はコンタクト層２５上に設けられ
た厚さ２０μｍのｐ側メタル電極である。１７は隣接す
るレーザのｎ側電極とｐ側電極を接続するワイヤボンド
である。このように本実施例では、ワイヤボンド１７で
隣接するレーザ素子のｎ側電極とｐ側電極を接続するこ
とにより、スタック状組み立て型半導体レーザ装置のよ
うな各レーザ素子の直列接続を実現している。
【００２３】次に本実施例１の高出力半導体レーザ装置
の製造工程について説明する。絶縁基板１０上にエピタ
キシャル成長技術及びエッチング技術を用いて、ｎ型Ｇ
ａＡｓ層２１，ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層２２，Ａ
ｌＧａＡｓ活性層２３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層
２４，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５，及びｎ型ＧａＡ
ｓ電流ブロック層２６を含むレーザ積層構造を有するエ
ピタキシャル成長層１１を形成した後、ウエハ上全面に
第１のレジスト４０を塗布し、該レジスト４０に転写露
光によって図３(a) に示すように開口４１ａ，４１ｂを
形成する。図３(b) は図３(a) 中のＤ−Ｄ線に沿った部
分断面図である。そして、このパターニングしたレジス
ト４０をマスクとして、塩素系ガスをエッチャントガス
として用いたドライエッチングを行ない、図３(c) に示
すように、溝２７，２８を形成し、これにより一対のレ
ーザ共振器端面３０ａ，３０ｂを形成する。ここで溝の
深さはｎ型ＧａＡｓ層２１に達するような深さとする。
また、レーザ共振器端面３０ａ，３０ｂは可能な限り平
坦になるように形成する。
【００２４】レジスト４０を除去した後、ウエハ上全面
に第２のレジスト４２を塗布し、該レジスト４２に転写
露光によって図３(d) に示すように、レーザ共振器端面
形成のために形成した溝２７の横に開口４３を形成す
る。次にフォーカスドイオンビーム等によって局所的に
斜めにビームを当てて傾斜エッチングを行なう。エッチ
ングによって図４(a) に示すように、光反射面１３が形
成される。ここで、反射面１３は基板に垂直な面に対し
４５°の角度を有するようにする。
【００２５】そして、第２のレジスト４２を除去した
後、ウエハ上全面に第３のレジスト４４を塗布し、該レ
ジスト４４に転写露光によって、図４(b) に示すよう
に、絶縁分離溝形成用の窓４５を形成する。図４(c) は
図４(b) 中のＥ−Ｅ線に沿った部分断面図である。次に
このパターニングしたレジスト４４をマスクとして、塩
素系ガスをエッチャントガスとして用いたドライエッチ
ングによって、図４(d) に示すように、ウエハに、絶縁
性基板１０にまで達し、これを堀り込む程度の深さの絶
縁分離溝１２を形成する。
【００２６】次にｎ側メタル（電極）の形成を行なう。
第３のレジスト４４を除去した後、ウエハ上全面に第４
のレジスト４６を塗布し、図５(a) に示すように、レー
ザの後端面形成のために形成した溝２８の中央付近に、
転写露光により窓４７を形成する。この状態で金属蒸着
を行ない、図５(b) に示すように、窓部４７に露出した
ｎ型ＧａＡｓ層２１上及び第４のレジスト４６上に金属
層１５ａ，１５ｂを堆積する。その後、図５(c) に示す
ように、レジスト４６を除去し、レジスト４６上に堆積
した金属層１５ｂをリフトオフすることにより、ｎ型Ｇ
ａＡｓ層２１上のみに金属層を残し、ｎ側電極１５を形
成する。
【００２７】次にレーザ上面側メタル（電極）の形成を
行なう。ウエハ上全面に第５のレジスト４８を塗布し、
図５(d) に示すように、該レジストに、露光転写によっ
て、レーザ上面部に窓４９を形成する。この状態で金属
蒸着を行ない、図５(e) に示すように、窓部４９に露出
したｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５上及び第５のレジス
ト４８上に金属層１６ａ，１６ｂを堆積する。その後、
図５(f) に示すように、レジスト４８を除去し、レジス
ト４８上に堆積した金属層１６ｂをリフトオフすること
により、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５上のみに金属層
を残し、ｐ側電極１６を形成する。
【００２８】この後、ワイヤボンド１７によって４つの
レーザを電気的に接続することにより、図１に示す半導
体レーザ装置が完成する。
【００２９】次に動作について説明する。ワイヤボンド
１７を介して電圧を印加するとレーザ部の活性層領域
（活性層２３）にて光が発生し、発生したレーザ光３１
は光反射面１３で反射して、図２(a) に示すように、ウ
エハ面に対し垂直方向に出射する。即ち、各レーザは面
発光レーザとして動作する。本実施例ではこのような面
発光レーザを４つ備え、これらを各レーザの光反射面１
３がウエハの中心部にくるように配置している。従って
単体の面発光レーザに比較しておよそ４倍の光出力を得
ることが可能である。なお、光反射面１３は例えばレー
ザレーダ用の半導体レーザ装置の場合は１ｍｍ2 の領域
に４つの光反射面が位置するように配置させる。
【００３０】ここで、各レーザの配置は、ドライエッチ
ング等でレーザを作製する際のマスクパターンで決まる
ため、位置精度はスタック状組み立て型の半導体レーザ
装置よりも良い。また、光反射面１３によりウエハ面に
対し垂直方向に出射するレーザ光の光出力はフアブリペ
ロー型レーザの光出力の８０〜９０％と、図１０の従来
例において二次の回折格子を用いて取り出される光出力
に比してはるかに大きいものである。従って、本実施例
によれば、図１０の従来例に比してはるかに高出力の半
導体レーザ装置を実現することができる。しかも、光反
射面１３は上述のようにドライエッチングの技術を用い
て比較的容易に形成することが可能なものであるので、
回折格子の作製が必要な図１０の従来例に比してその製
造が極めて容易である。
【００３１】実施例２．次にこの発明の第２の実施例を
図について説明する。図６は本発明の第２の実施例によ
る高出力半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図７は
図６中のＦ−Ｆ線に沿った部分断面図である。
【００３２】これら図において、６０ａ，６０ｂ，６０
ｃ，及び６０ｄは半導体レーザチップであり、これらレ
ーザチップはそれぞれ、表面にメタライズを施したシリ
コンサブマウント６９上にマウントされる。それぞれサ
ブマウント６９にマウントされた４つの半導体レーザチ
ップ６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，及び６０ｄは、金属ベー
ス７１上において、反射鏡７０を中心に放射状に配置さ
れる。各レーザチップは、厚さ約９０μｍのｎ型ＧａＡ
ｓ基板６１上に順次結晶成長された、層厚３μｍのｎ型
ＡｌＧａＡｓ下クラッド層６２，層厚１０ｎｍ（１００
オングストローム）のＡｌＧａＡｓ活性層６３，層厚３
μｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層６４，層厚１μｍ
のｐ型ＧａＡｓコンタクト層６５を含む。なお、半導体
レーザチップの典型的な寸法としては、共振長６００μ
ｍ，幅３００μｍ，厚み１００μｍである。
【００３３】基板６１裏面にはｎ側金属電極６６（厚さ
２０μｍ）が設けられ、コンタクト層６５表面にはｐ側
金属電極６７（厚さ２０μｍ）が設けられる。半導体チ
ップ６０とサブマウント６９はハンダ６８で固着され
る。８１はレーザのｐ側電極と、隣接するレーザのサブ
マウント表面のメタライズ層を接続するワイヤボンドで
ある。このように本実施例では、ワイヤボンド８１で隣
接するレーザ素子のｐ側電極とｎ側電極を接続すること
により、スタック状組み立て型半導体レーザ装置のよう
な各レーザ素子の直列接続を実現している。
【００３４】また、反射鏡７０は、シリコン等からな
る、底面が２ｍｍ角程度の四角錐体であり、光を反射す
る面は底面（水平面）に対して４５°を成すように形成
してある。この四角錐体からなる反射鏡７０はドライエ
ッチング等の技術を用いて比較的容易に作製することが
できる。例えば、２ｍｍ角程度のシリコンの四角柱９０
を準備し、これを図８(a) 〜図８(d) に示すように、９
０°ずつ回転させて、イオンビーム等により端部をエッ
チング成形し、この成形された端部を切り取って反射鏡
７０とすればよい。
【００３５】次に動作について説明する。ワイヤボンド
８１を介して電圧を印加するとレーザ部の活性層領域
（活性層６３）にて光が発生し、発生したレーザ光８２
は反射鏡７０の反射面で反射して、図７に示すように、
ウエハ面に対し垂直方向に出射する。即ち、各レーザは
面発光レーザとして動作する。本実施例では、反射鏡７
０を中心に、４つのファブリペロー型の半導体レーザを
放射状に配置している。従って単体の面発光レーザに比
較しておよそ４倍の光出力を得ることが可能である。
【００３６】ここで、各レーザの配置は、それぞれのレ
ーザの光軸が反射鏡７０の反射面に対して垂直となるよ
うに個々にダイボンドすればよいので、複数のレーザチ
ップを重ねて張り合わせるスタック状組み立て型の半導
体レーザに比して容易に位置精度良く作製することが可
能である。また、反射鏡７０の反射面によりウエハ面に
対し垂直方向に出射するレーザ光の光出力はフアブリペ
ロー型レーザの光出力の８０〜９０％と、図１０の従来
例において二次の回折格子を用いて取り出される光出力
に比してはるかに大きいものである。従って、本実施例
においても、上記第１の実施例と同様、図１０の従来例
に比してはるかに高出力の半導体レーザ装置を実現する
ことができる。しかも、反射鏡７０は上述のようにドラ
イエッチングの技術を用いて比較的容易に形成すること
が可能なものであるので、回折格子の作製が必要な図１
０の従来例に比してその製造が極めて容易である。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１）に
よれば、対向する一対の共振器端面を有し該共振器端面
からレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、上
記複数の半導体レーザ素子の各々のレーザ出射光の光軸
上に配置され該半導体レーザ素子が出射するレーザ光を
反射する複数の反射鏡とを備え、上記複数の半導体レー
ザ素子及び上記複数の反射鏡は、上記複数の反射鏡で反
射される上記の各レーザ光が同一方向に反射し、かつ、
上記複数の反射鏡が相互に近接するように配置されてい
るので、上記複数の半導体レーザ素子を重ねて張り合わ
せるスタック状組み立て型の半導体レーザ装置に比し
て、上記複数の半導体レーザ素子を容易に位置精度良く
作製できる効果がある。さらに、上記複数の半導体レー
ザ素子が出射する各レーザ光の出力を殆ど落とすことな
く、これらのレーザ光の進行方向を変更でき、より高出
力の複数のレーザ光を集光して出射できる効果がある。
【００３８】さらに、この発明（請求項２）によれば、
上記半導体レーザ装置（請求項１）において、上記反射
鏡は、その一部領域が上記半導体レーザ素子を構成する
積層成長された半導体積層構造の他の部分を傾斜面に加
工して形成されてなるものであるので、上記半導体レー
ザ素子を形成すると同時に上記反射鏡を形成でき、それ
ぞれを別々に形成する場合に比べて、簡単な工程で装置
を形成できる効果がある。
【００３９】さらに、この発明（請求項３）によれば、
上記半導体レーザ装置（請求項２）において、上記半導
体レーザ素子の共振器端面は、積層成長された上記半導
体積層構造を積層面に対し垂直にエッチングして形成さ
れた対向する一対の溝の，該対向する側に位置する側壁
からなるものであり、上記反射鏡は上記一対の溝のうち
の一方の溝の，上記共振器端面となる側壁に対向する側
壁を上記レーザ出射光の光軸に対して傾斜するようにエ
ッチングして形成された面であるので、同じ半導体積層
構造を用いて、上記半導体レーザ素子及び反射鏡を形成
でき、また、上記共振器端面の上記レーザ出射光の光軸
上に、容易に上記反射鏡を形成できる効果がある。
【００４０】さらに、この発明（請求項４）によれば、
上記半導体レーザ装置（請求項１）において、上記複数
の反射鏡は、上記複数の半導体レーザ素子と個別に設け
られたものであり、上記複数の各反射鏡は、多角錐状の
部材の底面を除く複数の各側面からなるものであるの
で、上記複数の半導体レーザ素子と上記複数の反射鏡と
の距離を、装置の形状や装置を設置する場所に応じて自
由にとることができる効果がある。また、上記距離を大
きくすれば、大きくした分に応じて多数の上記半導体レ
ーザ素子を放射状に配置でき、装置のレーザ光出力を増
大できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例による高出力半導体レ
ーザ装置を示す斜視図である。
【図２】 図１中のＢ−Ｂ線，及びＣ−Ｃ線に沿った断
面を示す図である。
【図３】 図１に示す高出力半導体レーザ装置の製造工
程の一部を示す図である。
【図４】 図１に示す高出力半導体レーザ装置の製造工
程の一部を示す図である。
【図５】 図１に示す高出力半導体レーザ装置の製造工
程の一部を示す図である。
【図６】 本発明の第２の実施例による高出力半導体レ
ーザ装置を示す斜視図である。
【図７】 図６中のＦ−Ｆ線に沿った断面を示す図であ
る。
【図８】 本発明の第２の実施例による高出力半導体レ
ーザ装置に用いる反射鏡の製造方法の一例を示す図であ
る。
【図９】 従来の高出力半導体レーザの一例であるスタ
ック状組み立て型の半導体レーザ装置を示す図である。
【図１０】 従来の高出力半導体レーザの他の例である
リング状の２次回折格子を用いた半導体レーザ装置を示
す斜視図である。
【図１１】 図１０中のＧ−Ｇ線，及びＨ−Ｈ線に沿っ
た断面を示す図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁膜性基盤、１１ エキタピシャル成長層、１
２ 絶縁分離溝、１３レーザ光反射面、１５ ｎ側メタ
ル電極、１６ ｐ側メタル電極、１７，８１ワイヤボン
ド、２１ ｎ型ＧａＡｓ層、２２，６２ ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ下グラッド層、２３，６３ ＡｌＧａＡｓ活性層、
２４，６４ ｐ型ＡｌＧａＡｓ上グラッド層、２５，６
５ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、２６ ｎ型ＧａＡｓ電
流ブロック層、２７，２８ 溝、３０ａ，３０ｂ 共振
器端面、３１，８２ レーザ光、６０ａ，６０ｂ，６０
ｃ，６０ｄ 半導体レーザチップ、６１ ｎ型ＧａＡｓ
基盤、６６ ｎ側電極、６７ ｐ側電極、６８ ハン
ダ、 ６９ サブマウント、７０ 反射鏡、７１ 金属
ベース

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向する一対の共振器端面を有し該共振
    器端面からレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子
    と、 上記複数の半導体レーザ素子の各々のレーザ出射光の光
    軸上に配置され該半導体レーザ素子が出射するレーザ光
    を反射する複数の反射鏡とを備え、 上記複数の半導体レーザ素子及び上記複数の反射鏡は、
    上記複数の反射鏡で反射される上記各レーザ光が同一方
    向に反射し、かつ、上記複数の反射鏡が相互に近接する
    ように配置されていることを特徴とする半導体レーザ装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記反射鏡は、その一部領域が上記半導体レーザ素子を
    構成する積層成長された半導体積層構造の他の部分を傾
    斜面に加工して形成されてなるものであることを特徴と
    する半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記半導体レーザ素子の共振器端面は、上記積層成長さ
    れた上記半導体積層構造を積層面に対し垂直にエッチン
    グして形成された対向する一対の溝の，該対向する側に
    位置する側壁からなるものであり、 上記反射鏡は上記一対の溝のうちの一方の溝の，上記共
    振器端面となる側壁に対向する側壁を上記レーザ出射光
    の光軸に対して傾斜するようにエッチングして形成され
    た面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記複数の反射鏡は、上記複数の半導体レーザ素子と個
    別に設けられたものであり、 上記複数の各反射鏡は、多角錐状の部材の底面を除く複
    数の各側面からなるものであることを特徴とする半導体
    レーザ装置。
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