JPH08153340A - 光ディスク基板及び光ディスク - Google Patents
光ディスク基板及び光ディスクInfo
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- JPH08153340A JPH08153340A JP6294915A JP29491594A JPH08153340A JP H08153340 A JPH08153340 A JP H08153340A JP 6294915 A JP6294915 A JP 6294915A JP 29491594 A JP29491594 A JP 29491594A JP H08153340 A JPH08153340 A JP H08153340A
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- groove portion
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- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
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- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24079—Width or depth
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ランド部２とグルーブ部３を有し、これらラ
ンド部２とグルーブ部３が記録トラックとなされている
光ディスク基板において、前記記録トラックのトラック
ピッチＰおよび記録トラック同士の間隔，すなわち断熱
領域の幅Ｃを、再生光のスポット径をφとしたときに、
Ｐ＜φ／２，０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５なる条件を
満たすように設定する。 【効果】 このような光ディスク基板を用いる光ディス
クでは、トラックピッチをたとえば０．５５μｍ程度に
狭小化した場合でも、隣の記録トラックに形成されたピ
ットの干渉を受け難く、再生クロストークの小さい良好
な信号再生がなし得る。
ンド部２とグルーブ部３が記録トラックとなされている
光ディスク基板において、前記記録トラックのトラック
ピッチＰおよび記録トラック同士の間隔，すなわち断熱
領域の幅Ｃを、再生光のスポット径をφとしたときに、
Ｐ＜φ／２，０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５なる条件を
満たすように設定する。 【効果】 このような光ディスク基板を用いる光ディス
クでは、トラックピッチをたとえば０．５５μｍ程度に
狭小化した場合でも、隣の記録トラックに形成されたピ
ットの干渉を受け難く、再生クロストークの小さい良好
な信号再生がなし得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光の照射によっ
て情報信号の記録再生が行われる光ディスク及びそれに
適用される光ディスク基板に関する。
て情報信号の記録再生が行われる光ディスク及びそれに
適用される光ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ユーザーによって情報信号の記録及び再
生が可能な光ディスクとしては、相変化材料層を記録層
とする相変化タイプの光ディスクや、希土類遷移金属非
晶質合金薄膜のような磁気光学効果を有する材料層を記
録層とする光磁気ディスク等が知られている。
生が可能な光ディスクとしては、相変化材料層を記録層
とする相変化タイプの光ディスクや、希土類遷移金属非
晶質合金薄膜のような磁気光学効果を有する材料層を記
録層とする光磁気ディスク等が知られている。
【０００３】これら光ディスクは、具体的には、透明基
板上に上記記録層とともに誘電体層や反射層さらには保
護層が形成され、光学的特性の制御や耐久性の確保がな
されるような構成で用いられる。
板上に上記記録層とともに誘電体層や反射層さらには保
護層が形成され、光学的特性の制御や耐久性の確保がな
されるような構成で用いられる。
【０００４】このような光ディスクでは、レーザー光照
射によって記録層の微少領域の光学的特性が変化するこ
とでピットが形成され、このピットのパターンで情報信
号が記録される。その記録は、通常、透明基板の一主面
に、略同心円上に径を異にして多数形成された案内溝に
沿って行われる。これは、記録再生がディスク上の正し
い位置でなされるように、レーザスポットのトラッキン
グサーボをこの案内溝を指標として行うためである。
射によって記録層の微少領域の光学的特性が変化するこ
とでピットが形成され、このピットのパターンで情報信
号が記録される。その記録は、通常、透明基板の一主面
に、略同心円上に径を異にして多数形成された案内溝に
沿って行われる。これは、記録再生がディスク上の正し
い位置でなされるように、レーザスポットのトラッキン
グサーボをこの案内溝を指標として行うためである。
【０００５】すなわち、この透明基板の断面図を図６に
示すが、上記案内溝５０は透明基板５１の一主面に所定
のピッチで形成されている。この案内溝５０内の平坦面
はグルーブ部５２と称され、案内溝５１と案内溝５１の
間の丘に相当する平坦面はランド部５３と称される。情
報信号は、一般に、このグルーブ部５２上あるいはラン
ド部５３上のいずれかに記録される。前者はイングルー
ブ記録方式、後者はオンランド記録方式と称されてい
る。
示すが、上記案内溝５０は透明基板５１の一主面に所定
のピッチで形成されている。この案内溝５０内の平坦面
はグルーブ部５２と称され、案内溝５１と案内溝５１の
間の丘に相当する平坦面はランド部５３と称される。情
報信号は、一般に、このグルーブ部５２上あるいはラン
ド部５３上のいずれかに記録される。前者はイングルー
ブ記録方式、後者はオンランド記録方式と称されてい
る。
【０００６】なお、上記グルーブ部５２とランド部５３
の境となるテーパー面５４は、グルーブ部のカッティン
グ条件によっても異なるが、傾斜角度が４０〜６０°，
幅ｅが約０．１μｍである。このテーパー面５４は断熱
的に働き、これによってピットの広がりが抑えられる。
の境となるテーパー面５４は、グルーブ部のカッティン
グ条件によっても異なるが、傾斜角度が４０〜６０°，
幅ｅが約０．１μｍである。このテーパー面５４は断熱
的に働き、これによってピットの広がりが抑えられる。
【０００７】つまり、透明基板５１は、溝５０の平坦面
に対応するグルーブ部５２と丘の平坦面に対応するラン
ド部５３、そしてグルーブ部５２とランド部５３の間の
テーパー面５４とを有している。イングルーブ記録方式
では、この図６に示すように、グルーブ部の幅ａが記録
トラック幅となり、隣合うグルーブ部５２同士の間のテ
ーパー部５４、ランド部５３、テーパー部５４の合計幅
ｅ＋ｂ＋ｅが断熱領域幅ｃになる。一方、オンランド記
録方式では、ランド部５３の幅ｂが記録トラック幅とな
り、隣合うランド部５３同士の間のテーパー部５４、グ
ルーブ部５２、テーパー部５４の合計幅ｅ＋ａ＋ｅが断
熱領域幅ｃになる。
に対応するグルーブ部５２と丘の平坦面に対応するラン
ド部５３、そしてグルーブ部５２とランド部５３の間の
テーパー面５４とを有している。イングルーブ記録方式
では、この図６に示すように、グルーブ部の幅ａが記録
トラック幅となり、隣合うグルーブ部５２同士の間のテ
ーパー部５４、ランド部５３、テーパー部５４の合計幅
ｅ＋ｂ＋ｅが断熱領域幅ｃになる。一方、オンランド記
録方式では、ランド部５３の幅ｂが記録トラック幅とな
り、隣合うランド部５３同士の間のテーパー部５４、グ
ルーブ部５２、テーパー部５４の合計幅ｅ＋ａ＋ｅが断
熱領域幅ｃになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
においても、他の記録媒体と同様、情報信号のさらなる
高密度記録化が求められている。光ディスクでの記録密
度を考えた場合、線方向での記録密度とトラック方向で
の記録密度とに分けられる。このうち線方向での記録密
度を上げるにはレーザ光のスポット径を小さくしピット
長を短くすることで達成される。一方、トラック方向で
の記録密度を上げるには、トラックピッチを狭小化する
ことによって達成される。
においても、他の記録媒体と同様、情報信号のさらなる
高密度記録化が求められている。光ディスクでの記録密
度を考えた場合、線方向での記録密度とトラック方向で
の記録密度とに分けられる。このうち線方向での記録密
度を上げるにはレーザ光のスポット径を小さくしピット
長を短くすることで達成される。一方、トラック方向で
の記録密度を上げるには、トラックピッチを狭小化する
ことによって達成される。
【０００９】しかしながら、上述したイングルーブ記録
方式あるいはオンランド記録方式では、現状以上にトラ
ックピッチを狭小化していくと（例えばトラックピッチ
０．７μｍ以下）、隣の記録トラック上に形成されたピ
ットの干渉を受け易くなる。その結果、再生クロストー
クが、高い確率で発生し、再生クロストークの限界とし
て規定されている−２６ｄＢを上回ることになる。
方式あるいはオンランド記録方式では、現状以上にトラ
ックピッチを狭小化していくと（例えばトラックピッチ
０．７μｍ以下）、隣の記録トラック上に形成されたピ
ットの干渉を受け易くなる。その結果、再生クロストー
クが、高い確率で発生し、再生クロストークの限界とし
て規定されている−２６ｄＢを上回ることになる。
【００１０】たとえば、イングルーブ記録方式でピット
が形成された光ディスクを模式的に図７に示す。なお、
記録ピットはアモルファスである。
が形成された光ディスクを模式的に図７に示す。なお、
記録ピットはアモルファスである。
【００１１】このうち図７（ａ）は透明基板の断面図で
あり、図７（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図で、
再生光をグルーブ部５２上に集光させた様子を示してい
る。グルーブ部５２の幅ａ及びランド部５３の幅ｂはい
ずれも０．２５μｍ、テーパー部５４の幅ｅは０．１μ
ｍ、トラックピッチｐは０．７μｍである。再生光は、
レーザ波長が６８０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）
が０．６であり、したがってスポット径が１．３８μｍ
である。また、光ディスクの平面図に重ねて再生光スポ
ットＳＰのガウシアン光強度分布を示す。
あり、図７（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図で、
再生光をグルーブ部５２上に集光させた様子を示してい
る。グルーブ部５２の幅ａ及びランド部５３の幅ｂはい
ずれも０．２５μｍ、テーパー部５４の幅ｅは０．１μ
ｍ、トラックピッチｐは０．７μｍである。再生光は、
レーザ波長が６８０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）
が０．６であり、したがってスポット径が１．３８μｍ
である。また、光ディスクの平面図に重ねて再生光スポ
ットＳＰのガウシアン光強度分布を示す。
【００１２】このようにイングルーブ記録方式によっ
て、０．７μｍと狭いトラックピッチでピットを記録す
ると、再生光スポットＳＰ内に、再生を行っているグル
ーブ部５２と隣合っているグルーブ部５２上に形成され
たピットＭの一部が入り込み、これによって干渉を受け
る。その上、トラック方向の空間周波数が解像限界に近
くなるので、トラッキングエラー信号の振幅も大幅に低
下し、安定したトラッキングサーボが困難となる。この
ため、再生クロストークが高い確率で発生することにな
る。
て、０．７μｍと狭いトラックピッチでピットを記録す
ると、再生光スポットＳＰ内に、再生を行っているグル
ーブ部５２と隣合っているグルーブ部５２上に形成され
たピットＭの一部が入り込み、これによって干渉を受け
る。その上、トラック方向の空間周波数が解像限界に近
くなるので、トラッキングエラー信号の振幅も大幅に低
下し、安定したトラッキングサーボが困難となる。この
ため、再生クロストークが高い確率で発生することにな
る。
【００１３】オンランド記録方式においても、基本的に
同じ理由でトラックピッチｐを０．７μｍ程度に狭くす
ると再生クロストークが大きくなる。
同じ理由でトラックピッチｐを０．７μｍ程度に狭くす
ると再生クロストークが大きくなる。
【００１４】そこで、最近、隣の記録トラックからの干
渉が抑えられる記録方式として、ランド部とグルーブ部
の両方に記録を行うランド・アンド・グルーブ記録方式
が提案されている。
渉が抑えられる記録方式として、ランド部とグルーブ部
の両方に記録を行うランド・アンド・グルーブ記録方式
が提案されている。
【００１５】このランド・アンド・グルーブ記録方式で
ピットが形成された光ディスクを模式的に図８示す。
ピットが形成された光ディスクを模式的に図８示す。
【００１６】このうち図８（ａ）は透明基板５１の断面
図であり、図（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図
で、再生光をランド部５３上に集光させた様子を示して
いる。グルーブ部５２の幅ａ及びランド部５３の幅ｂは
いずれも０．６μｍ、テーパー部５４の幅（すなわち、
断熱領域の幅）ｅは０．１μｍ、トラックピッチｐは
０．７μｍである。なお、この場合は、グルーブ部５２
とランド部５３の両方が記録トラックとなるので、その
間のテーパー部５４が断熱領域になる。再生光は、図７
の場合と同様であり、光ディスクの平面図に重ねて再生
光スポットＳＰのガウシアン光強度分布を示す。
図であり、図（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図
で、再生光をランド部５３上に集光させた様子を示して
いる。グルーブ部５２の幅ａ及びランド部５３の幅ｂは
いずれも０．６μｍ、テーパー部５４の幅（すなわち、
断熱領域の幅）ｅは０．１μｍ、トラックピッチｐは
０．７μｍである。なお、この場合は、グルーブ部５２
とランド部５３の両方が記録トラックとなるので、その
間のテーパー部５４が断熱領域になる。再生光は、図７
の場合と同様であり、光ディスクの平面図に重ねて再生
光スポットＳＰのガウシアン光強度分布を示す。
【００１７】このランド・アンド・グルーブ記録方式で
は、記録ピットＭの反射率を例えば０％とし、グルーブ
部５２とランド部５３の高さ差ｄを、再生光のレーザ波
長をλとしたときに、ｄ＝λ／６なる条件を満たすよう
に制御する。
は、記録ピットＭの反射率を例えば０％とし、グルーブ
部５２とランド部５３の高さ差ｄを、再生光のレーザ波
長をλとしたときに、ｄ＝λ／６なる条件を満たすよう
に制御する。
【００１８】このような記録方式では、隣合う記録トラ
ックが高さの異なるグルーブ部５２とランド部５３であ
るのでトラッキングエラー信号が大きな振幅で得られ、
安定したトラッキングサーボが行える。また、記録ピッ
トＭの反射率やグルーブ部５２とランド部５３の高さ差
ｄを制御していることにより、例えばランド部５３上を
再生する際にはその隣のグルーブ部５２上に記録された
ピットＭの干渉を受け難くなっている。このため、図８
（ｂ）に示す程度に再生光スポットＳＰ内に隣のピット
Ｍが入り込んでいても差し支えなく、原理的には従来の
記録方式の約２倍のトラック密度が実現できることにな
る。
ックが高さの異なるグルーブ部５２とランド部５３であ
るのでトラッキングエラー信号が大きな振幅で得られ、
安定したトラッキングサーボが行える。また、記録ピッ
トＭの反射率やグルーブ部５２とランド部５３の高さ差
ｄを制御していることにより、例えばランド部５３上を
再生する際にはその隣のグルーブ部５２上に記録された
ピットＭの干渉を受け難くなっている。このため、図８
（ｂ）に示す程度に再生光スポットＳＰ内に隣のピット
Ｍが入り込んでいても差し支えなく、原理的には従来の
記録方式の約２倍のトラック密度が実現できることにな
る。
【００１９】しかしながら、このランド・アンド・グル
ーブ記録方式においても、トラックピッチを０．５５μ
ｍ程度にまで狭小化していくと、やはり再生クロストー
クが問題になってくる。
ーブ記録方式においても、トラックピッチを０．５５μ
ｍ程度にまで狭小化していくと、やはり再生クロストー
クが問題になってくる。
【００２０】図９は、グルーブ部５２の幅ａ及びランド
部５３の幅ｂをいずれも０．４５μｍ、テーパー部５４
の幅（すなわち、断熱領域の幅）ｅを０．１μｍ、トラ
ックピッチｐを０．５５μｍとした場合である。トラッ
クピッチｐを０．５５μｍとすると、このようにランド
部５３に集光させた再生光のスポットＳＰ内の光強度の
高い領域にまで、隣のグルーブ部５２上に記録されたピ
ットＭが入り込むようになる。このように再生光スポッ
トＳＰ内に隣のピットＭが大きく入り込んだ場合には、
ランド・アンド・グルーブ方式においても、やはりその
影響を受け、再生クロストークが大きくなってしまう。
また、グルーブ部５２の深さを厳密に制御しているの
で、グルーブ部カッティング時のパワー制御やデトラッ
ク、スキュー、ピット幅のマージンが小さく、これらの
多少の誤差が再生クロストークに大きく影響する。
部５３の幅ｂをいずれも０．４５μｍ、テーパー部５４
の幅（すなわち、断熱領域の幅）ｅを０．１μｍ、トラ
ックピッチｐを０．５５μｍとした場合である。トラッ
クピッチｐを０．５５μｍとすると、このようにランド
部５３に集光させた再生光のスポットＳＰ内の光強度の
高い領域にまで、隣のグルーブ部５２上に記録されたピ
ットＭが入り込むようになる。このように再生光スポッ
トＳＰ内に隣のピットＭが大きく入り込んだ場合には、
ランド・アンド・グルーブ方式においても、やはりその
影響を受け、再生クロストークが大きくなってしまう。
また、グルーブ部５２の深さを厳密に制御しているの
で、グルーブ部カッティング時のパワー制御やデトラッ
ク、スキュー、ピット幅のマージンが小さく、これらの
多少の誤差が再生クロストークに大きく影響する。
【００２１】そこで、本発明は、このような従来の実情
に鑑みて提案されたものであり、再生クロストークを小
さく抑えながらトラックピッチの狭小化が図れる光ディ
スク基板及び光ディスクを提供することを目的とする。
に鑑みて提案されたものであり、再生クロストークを小
さく抑えながらトラックピッチの狭小化が図れる光ディ
スク基板及び光ディスクを提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、ランド部とグルーブ部を有し、これら
ランド部とグルーブ部が記録トラックとなされている光
ディスク基板において、前記記録トラックのトラックピ
ッチＰおよび記録トラック同士の間隔Ｃが、再生光のス
ポット径をφとしたときに、 Ｐ＜φ／２ ０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５ なる条件を満たすことを特徴とするものである。
めに、本発明は、ランド部とグルーブ部を有し、これら
ランド部とグルーブ部が記録トラックとなされている光
ディスク基板において、前記記録トラックのトラックピ
ッチＰおよび記録トラック同士の間隔Ｃが、再生光のス
ポット径をφとしたときに、 Ｐ＜φ／２ ０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５ なる条件を満たすことを特徴とするものである。
【００２３】また、ランド部とグルーブ部の間に、ラン
ド部よりも高さの高い凸部が形成されていることを特徴
とするものである。
ド部よりも高さの高い凸部が形成されていることを特徴
とするものである。
【００２４】さらに、ランド部よりも高さの高い凸部と
ランド部の高さ差ｄ1あるいは前記凸部とグルーブ部の
高さ差ｄ2のいずれかが、再生光波長をλとしたときｎ
・λ／２（但し、ｎは１以上の整数である）で表される
ことを特徴とするものである。
ランド部の高さ差ｄ1あるいは前記凸部とグルーブ部の
高さ差ｄ2のいずれかが、再生光波長をλとしたときｎ
・λ／２（但し、ｎは１以上の整数である）で表される
ことを特徴とするものである。
【００２５】また、本発明の光ディスクは、以上のよう
な光ディスク基板上に、相変化材料層または磁気光学効
果を有する材料層が記録層として形成されてなることを
特徴とするものである。
な光ディスク基板上に、相変化材料層または磁気光学効
果を有する材料層が記録層として形成されてなることを
特徴とするものである。
【００２６】
【作用】本発明では、ランド部とグルーブ部を有し、こ
れらランド部とグルーブ部が記録トラックとなされてい
る光ディスク基板において、前記記録トラックのトラッ
クピッチＰおよび記録トラック同士の間隔，すなわち断
熱領域の幅Ｃを、再生光のスポット径をφとしたとき
に、 Ｐ＜φ／２ ０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５ なる条件を満たすように設定する。このような光ディス
ク基板を用いる光ディスクでは、トラックピッチをたと
えば０．５５μｍ程度に狭小化した場合でも、隣の記録
トラックに形成されたピットの干渉を受け難く、再生ク
ロストークの小さい良好な信号再生がなし得る。
れらランド部とグルーブ部が記録トラックとなされてい
る光ディスク基板において、前記記録トラックのトラッ
クピッチＰおよび記録トラック同士の間隔，すなわち断
熱領域の幅Ｃを、再生光のスポット径をφとしたとき
に、 Ｐ＜φ／２ ０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５ なる条件を満たすように設定する。このような光ディス
ク基板を用いる光ディスクでは、トラックピッチをたと
えば０．５５μｍ程度に狭小化した場合でも、隣の記録
トラックに形成されたピットの干渉を受け難く、再生ク
ロストークの小さい良好な信号再生がなし得る。
【００２７】また、このように記録トラックとなるグル
ーブ部とランド部の幅が狭いと、ピットを形成するに際
して、ピットの広がりが抑えられシャープな形状のピッ
トが形成される。このようなシャープな形状のピット
は、信号として良好であるとともに信号消去が確実に行
え、高い消去比が得られるといった効果もある。
ーブ部とランド部の幅が狭いと、ピットを形成するに際
して、ピットの広がりが抑えられシャープな形状のピッ
トが形成される。このようなシャープな形状のピット
は、信号として良好であるとともに信号消去が確実に行
え、高い消去比が得られるといった効果もある。
【００２８】
【実施例】本発明の具体的な実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００２９】本実施例の光ディスク基板は、相変化材料
層や磁気光学特性を有する材料層等が記録層として形成
されて、ユーザーによる記録及び再生が可能な光ディス
クを与える。この光ディスク基板は、光学的に透明な円
板状を呈しており、図１に示すように、その一主面に、
情報信号を記録するための記録トラックとなるグルーブ
部２とランド部３が形成されている。
層や磁気光学特性を有する材料層等が記録層として形成
されて、ユーザーによる記録及び再生が可能な光ディス
クを与える。この光ディスク基板は、光学的に透明な円
板状を呈しており、図１に示すように、その一主面に、
情報信号を記録するための記録トラックとなるグルーブ
部２とランド部３が形成されている。
【００３０】上記グルーブ部２は、ディスク面上に略同
心円状に径を異にして多数刻設された案内溝として形成
されており、一方、ランド部３はこの溝と溝の間の丘に
相当する平坦面として形成されている。ただし、上記グ
ルーブ部２とランド部３の境となる側面はテーパー面と
されている。このテーパー面となされているグルーブ部
２とランド部３の間の領域は、断熱的に働き、これによ
ってピットの広がりが抑えられる。つまり、透明基板１
は、溝の平坦面に対応するグルーブ部２と、これとｄな
る高さ差を有する平坦面のランド部３、そしてグルーブ
部２とランド部３の間の断熱領域４とを有している。こ
のうち、情報信号はランド部２上とクルーブ部３上の両
方に記録されることになる。
心円状に径を異にして多数刻設された案内溝として形成
されており、一方、ランド部３はこの溝と溝の間の丘に
相当する平坦面として形成されている。ただし、上記グ
ルーブ部２とランド部３の境となる側面はテーパー面と
されている。このテーパー面となされているグルーブ部
２とランド部３の間の領域は、断熱的に働き、これによ
ってピットの広がりが抑えられる。つまり、透明基板１
は、溝の平坦面に対応するグルーブ部２と、これとｄな
る高さ差を有する平坦面のランド部３、そしてグルーブ
部２とランド部３の間の断熱領域４とを有している。こ
のうち、情報信号はランド部２上とクルーブ部３上の両
方に記録されることになる。
【００３１】本実施例の光ディスク基板では、特に、ト
ラックピッチの狭小化を図るために、トラックピッチ
Ｐ、すなわちグルーブ部２と断熱領域４の合計幅Ａ＋Ｃ
とランド部と断熱領域の合計幅Ｂ＋Ｃを、Ｐ＜φ／２
（但し、φは再生光のスポット径であり、１．２２×
（レーザ波長λ／対物レンズの開口数ＮＡ）に相当す
る）なる条件を満たすように設定する。そして、さら
に、そのようにトラックピッチを狭小化した場合でも再
生クロストークが小さく抑えられるように、断熱領域の
幅Ｃを、０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５なる条件を満た
すように、比較的広く設定することとする。
ラックピッチの狭小化を図るために、トラックピッチ
Ｐ、すなわちグルーブ部２と断熱領域４の合計幅Ａ＋Ｃ
とランド部と断熱領域の合計幅Ｂ＋Ｃを、Ｐ＜φ／２
（但し、φは再生光のスポット径であり、１．２２×
（レーザ波長λ／対物レンズの開口数ＮＡ）に相当す
る）なる条件を満たすように設定する。そして、さら
に、そのようにトラックピッチを狭小化した場合でも再
生クロストークが小さく抑えられるように、断熱領域の
幅Ｃを、０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５なる条件を満た
すように、比較的広く設定することとする。
【００３２】グルーブ部、ランド部及び断熱領域が上記
条件を満たす光ディスクに再生光を照射した様子を図２
に示す。このうち図２（ａ）は光ディスク基板の断面図
であり、図２（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図
で、ランド部３上に再生光を集光した様子を示してい
る。グルーブ部２の幅Ａ及び、ランド部３の幅Ｂはいず
れも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μｍ、ト
ラックピッチＰは０．５５μｍである。再生光は、レー
ザ波長が６８０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が
０．６であり、したがってスポット径が１．３８μｍで
ある。また、光ディスクの平面図に重ねて再生光スポッ
トＳＰのガウシアン光強度分布を示す。
条件を満たす光ディスクに再生光を照射した様子を図２
に示す。このうち図２（ａ）は光ディスク基板の断面図
であり、図２（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図
で、ランド部３上に再生光を集光した様子を示してい
る。グルーブ部２の幅Ａ及び、ランド部３の幅Ｂはいず
れも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μｍ、ト
ラックピッチＰは０．５５μｍである。再生光は、レー
ザ波長が６８０ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）が
０．６であり、したがってスポット径が１．３８μｍで
ある。また、光ディスクの平面図に重ねて再生光スポッ
トＳＰのガウシアン光強度分布を示す。
【００３３】このように、この光ディスクでは、隣合う
記録トラックが高さの異なるグルーブ部２とランド部３
であるのでトラッキングエラー信号が大きな振幅で得ら
れ、安定したトラッキングサーボが行える。
記録トラックが高さの異なるグルーブ部２とランド部３
であるのでトラッキングエラー信号が大きな振幅で得ら
れ、安定したトラッキングサーボが行える。
【００３４】また、特にこの光ディスクでは、断熱領域
４の幅Ｃが比較的広く、その分記録トラックとなるグル
ーブ部２とランド部３の幅Ａ，Ｂが狭くなっている。こ
のような光ディスクでは、ランド部３に集光させた再生
光のスポットＳＰが隣のグルーブ部２に重なったとして
も、ランド部３に隣接する断熱領域４の幅Ｃが広いため
に、そのさらに隣のグルーブ部２が再生光スポットＳＰ
に重なるのは光強度の小さいスポット周辺部のわずかな
領域で済む。このため、断熱領域４が狭い光ディスクに
比べて隣のグルーブ部２上のピットＭの干渉を受け難
く、トラックピッチＰを０．５５μｍ程度に狭小化した
場合でも、再生クロストークが小さく抑えられることに
なる。
４の幅Ｃが比較的広く、その分記録トラックとなるグル
ーブ部２とランド部３の幅Ａ，Ｂが狭くなっている。こ
のような光ディスクでは、ランド部３に集光させた再生
光のスポットＳＰが隣のグルーブ部２に重なったとして
も、ランド部３に隣接する断熱領域４の幅Ｃが広いため
に、そのさらに隣のグルーブ部２が再生光スポットＳＰ
に重なるのは光強度の小さいスポット周辺部のわずかな
領域で済む。このため、断熱領域４が狭い光ディスクに
比べて隣のグルーブ部２上のピットＭの干渉を受け難
く、トラックピッチＰを０．５５μｍ程度に狭小化した
場合でも、再生クロストークが小さく抑えられることに
なる。
【００３５】また、このように記録トラックとなるグル
ーブ部２とランド部３の幅が狭いと、ピットＭを形成す
るに際して、ピットＭの広がりが抑えられシャープな形
状のピットＭが形成される。このようなシャープな形状
のピットＭは、信号として良好であるとともに信号消去
が確実に行え、高い消去比が得られるといった効果もあ
る。
ーブ部２とランド部３の幅が狭いと、ピットＭを形成す
るに際して、ピットＭの広がりが抑えられシャープな形
状のピットＭが形成される。このようなシャープな形状
のピットＭは、信号として良好であるとともに信号消去
が確実に行え、高い消去比が得られるといった効果もあ
る。
【００３６】なお、断熱領域４の幅Ｃは広い程、再生ク
ロストークを抑える上では有利であるが、この幅Ｃがあ
まり広くなると、今度は記録トラックとなるランド部３
とグルーブ部２の幅Ａ，Ｂが狭くなり過ぎ、十分なＳ／
Ｎ比（Ｃ／Ｎ比）が得られなくなる。また、ランド部
３、グルーブ部２を０．１μｍ程度に狭く形成するの
は、現状のマスタリングプロセスのカッティング技術で
は困難である。したがって、断熱領域４の幅Ｃの上限は
φ／２．５とする。
ロストークを抑える上では有利であるが、この幅Ｃがあ
まり広くなると、今度は記録トラックとなるランド部３
とグルーブ部２の幅Ａ，Ｂが狭くなり過ぎ、十分なＳ／
Ｎ比（Ｃ／Ｎ比）が得られなくなる。また、ランド部
３、グルーブ部２を０．１μｍ程度に狭く形成するの
は、現状のマスタリングプロセスのカッティング技術で
は困難である。したがって、断熱領域４の幅Ｃの上限は
φ／２．５とする。
【００３７】以上に説明した光ディスク基板は、グルー
ブ部２とランド部３の間の断熱領域４がテーパー面とし
て形成されたものであるが、断熱領域４の形状はこれに
限らない。例えば、図３に示すように、丘部が比較的幅
広となるようにし、この丘部の両辺縁近傍に、断熱領域
４の幅を規制する微小溝５、すなわち深さｄ3が０＜ｄ3
＜ｄなる条件を満たすような溝を形成するようにしても
良い。この場合、丘部の微小溝５と微小溝５の間の平坦
面がランド部３となり、微小溝５からテーパー面に亘る
領域が断熱領域４となり、案内溝の平坦面がグルーブ部
２となる。この丘部に形成する微少溝５の形状は特に限
定されず、図３に示すような断面台形状の他、断面Ｕ字
状、断面Ｖ字状等いずれでも良い。また、図４に示すよ
うに、グルーブ部２とランド部３の間にランド部よりも
高さの高い凸部６を形成するようにしても良い。この場
合には、この凸部６の平坦面とその両側のテーパー面を
含めた領域が断熱領域４となる。この凸部６を形成する
場合には、凸部６とランド部３の高さ差ｄ1あるいは凸
部６とグルーブ部２の高さ差ｄ2のいずれか一方が、再
生光波長をλとしたときｎ・λ／２（但し、ｎは１以上
の整数である）で表されるようにすることが望ましい。
これによってより一層再生クロストークが抑えられるこ
とになる。
ブ部２とランド部３の間の断熱領域４がテーパー面とし
て形成されたものであるが、断熱領域４の形状はこれに
限らない。例えば、図３に示すように、丘部が比較的幅
広となるようにし、この丘部の両辺縁近傍に、断熱領域
４の幅を規制する微小溝５、すなわち深さｄ3が０＜ｄ3
＜ｄなる条件を満たすような溝を形成するようにしても
良い。この場合、丘部の微小溝５と微小溝５の間の平坦
面がランド部３となり、微小溝５からテーパー面に亘る
領域が断熱領域４となり、案内溝の平坦面がグルーブ部
２となる。この丘部に形成する微少溝５の形状は特に限
定されず、図３に示すような断面台形状の他、断面Ｕ字
状、断面Ｖ字状等いずれでも良い。また、図４に示すよ
うに、グルーブ部２とランド部３の間にランド部よりも
高さの高い凸部６を形成するようにしても良い。この場
合には、この凸部６の平坦面とその両側のテーパー面を
含めた領域が断熱領域４となる。この凸部６を形成する
場合には、凸部６とランド部３の高さ差ｄ1あるいは凸
部６とグルーブ部２の高さ差ｄ2のいずれか一方が、再
生光波長をλとしたときｎ・λ／２（但し、ｎは１以上
の整数である）で表されるようにすることが望ましい。
これによってより一層再生クロストークが抑えられるこ
とになる。
【００３８】以上のような光ディスク基板は、通常の基
板の製造方法によって製造できる。すなわち、アクリル
系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等の透明な高分子材料を
例えば射出成型（インジェクション）法により所定の形
状に成形するか、あるいはガラス基板上にガラス２Ｐ
（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によ
って溝形状を形成することで製造される。マスタリング
法としては、レジストを用いた光露光（カッティング）
法が多用されるが、エッチング法を用いるようにしても
良い。また、図３で示す光ディスク基板に形成されてい
るような微少溝５や、図４で示す光ディスク基板に形成
されているような凸部６は、ハーフカッティングや２ビ
ームカッティングを組み合わせることで形成される。
板の製造方法によって製造できる。すなわち、アクリル
系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等の透明な高分子材料を
例えば射出成型（インジェクション）法により所定の形
状に成形するか、あるいはガラス基板上にガラス２Ｐ
（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によ
って溝形状を形成することで製造される。マスタリング
法としては、レジストを用いた光露光（カッティング）
法が多用されるが、エッチング法を用いるようにしても
良い。また、図３で示す光ディスク基板に形成されてい
るような微少溝５や、図４で示す光ディスク基板に形成
されているような凸部６は、ハーフカッティングや２ビ
ームカッティングを組み合わせることで形成される。
【００３９】また、この光ディスク基板は、以上のよう
な所定の凹凸が形成された上に記録層が形成されて光デ
ィスクを与える。
な所定の凹凸が形成された上に記録層が形成されて光デ
ィスクを与える。
【００４０】この記録層としては、相変化材料層や磁気
光学特性を有する材料層が挙げられる。
光学特性を有する材料層が挙げられる。
【００４１】相変化材料層の材料としては、カルコゲン
単体あるいはカルコゲナイト，すなわちカルコゲン化合
物がある。例えば、Ｔｅ、Ｓｅの各単体や、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（−Ａｇ）、Ｉ
ｎ−Ｓｅ（−Ｔｌ−Ｃｏ）、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ2
Ｔｅ3、ＢｉＳｅ、Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3等のカルコ
ゲナイト系材料を用いることができる。
単体あるいはカルコゲナイト，すなわちカルコゲン化合
物がある。例えば、Ｔｅ、Ｓｅの各単体や、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（−Ａｇ）、Ｉ
ｎ−Ｓｅ（−Ｔｌ−Ｃｏ）、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ2
Ｔｅ3、ＢｉＳｅ、Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3等のカルコ
ゲナイト系材料を用いることができる。
【００４２】磁気光学特性を有する材料層としては、Ｔ
ｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属非晶質合金膜が適当であ
る。
ｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属非晶質合金膜が適当であ
る。
【００４３】また、光ディスクには、図５に示すよう
に、記録層１１を第１の誘電体層１２と第２の誘電体層
１３とで挟み込むようにし、さらに第２の誘電体層１３
上に反射層１４、保護層１５を設けるようにしても良
い。
に、記録層１１を第１の誘電体層１２と第２の誘電体層
１３とで挟み込むようにし、さらに第２の誘電体層１３
上に反射層１４、保護層１５を設けるようにしても良
い。
【００４４】このような５層構成の光ディスクでは、第
１の誘電体層１２、第２の誘電体層１３及び反射層１４
によって反射率等の光学的特性が制御され、また第２の
誘電体層１３と反射層１４によって熱的特性が制御され
る。さらに、保護層１５によって耐久性の向上がなされ
ることになる。
１の誘電体層１２、第２の誘電体層１３及び反射層１４
によって反射率等の光学的特性が制御され、また第２の
誘電体層１３と反射層１４によって熱的特性が制御され
る。さらに、保護層１５によって耐久性の向上がなされ
ることになる。
【００４５】誘電体層１２，１３の材料としては、半導
体レーザ波長領域において吸収がないことが条件とな
り、Ａｌ、Ｓｉ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化
物、硫化物等である。具体的には、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＳ、ＭｇＦ2等を用いることが
できる。
体レーザ波長領域において吸収がないことが条件とな
り、Ａｌ、Ｓｉ等の金属及び半金属元素の窒化物、酸化
物、硫化物等である。具体的には、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＳ、ＭｇＦ2等を用いることが
できる。
【００４６】反射層１４の材料には、熱伝導率が０．０
００４Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）〜２．２Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・
ｓ）の値を有する金属元素、半金属元素、半導体元素及
びそれらの化合物或いは混合物が用いられる。
００４Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）〜２．２Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・
ｓ）の値を有する金属元素、半金属元素、半導体元素及
びそれらの化合物或いは混合物が用いられる。
【００４７】また、保護層１５としては、紫外線硬化樹
脂の他に上記の誘電体層に用いることができる材料を使
用することができる。
脂の他に上記の誘電体層に用いることができる材料を使
用することができる。
【００４８】この他、第１の誘電体層１２と記録層１１
の間に半透明金属層を設け、さらに光学的特性の改善を
図るようにしても良い。ここで、半透明金属層とは、半
導体レーザ波長に対する複素屈折率（ｎ−ｉｋ）おい
て、屈折率ｎが１以下、消衰係数ｋが２．５以上５以下
の材料層であり、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ等が
挙げられる。
の間に半透明金属層を設け、さらに光学的特性の改善を
図るようにしても良い。ここで、半透明金属層とは、半
導体レーザ波長に対する複素屈折率（ｎ−ｉｋ）おい
て、屈折率ｎが１以下、消衰係数ｋが２．５以上５以下
の材料層であり、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ等が
挙げられる。
【００４９】次に、実際に光ディスク基板を作製し、断
熱領域の幅を規制する効果を調べた。
熱領域の幅を規制する効果を調べた。
【００５０】実施例１ まず、ポリカーボネートを射出成形することで光ディス
ク基板を作製した。
ク基板を作製した。
【００５１】ここで作製した光ディスク基板は、図２に
示すタイプのものであり、グルーブ部２とランド部３の
境がテーパー面となされ、このテーパー面が断熱領域４
となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド部３の幅Ｂはいず
れも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μｍ、ト
ラックピッチＰは０．５５μｍであり、グルーブ部２と
ランド部３の高さ差ｄは７８ｎｍである。
示すタイプのものであり、グルーブ部２とランド部３の
境がテーパー面となされ、このテーパー面が断熱領域４
となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド部３の幅Ｂはいず
れも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μｍ、ト
ラックピッチＰは０．５５μｍであり、グルーブ部２と
ランド部３の高さ差ｄは７８ｎｍである。
【００５２】このように作製された光ディスク基板の所
定の凹凸が形成された側の面に、ＺｎＳとＳｉＯ2の混
合物よりなる膜厚１１０ｎｍの第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体層、膜厚２５ｎｍのＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変化材料
層、膜厚１８ｎｍの第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層及
び膜厚１００ｎｍのＡｌ反射層を、それぞれスパッタリ
ング法によって形成した。
定の凹凸が形成された側の面に、ＺｎＳとＳｉＯ2の混
合物よりなる膜厚１１０ｎｍの第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2
誘電体層、膜厚２５ｎｍのＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変化材料
層、膜厚１８ｎｍの第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層及
び膜厚１００ｎｍのＡｌ反射層を、それぞれスパッタリ
ング法によって形成した。
【００５３】そして、さらに上記Ａｌ反射層上に紫外線
硬化樹脂をスピンコートすることで膜厚６μｍの保護層
を形成し、光ディスクを作製した。
硬化樹脂をスピンコートすることで膜厚６μｍの保護層
を形成し、光ディスクを作製した。
【００５４】実施例２ ここで作製した光ディスク基板は、図３に示すタイプの
ものであり、丘部が比較的幅広になされるとともにこの
丘部の両辺縁近傍に断面Ｕ字状の微小溝５が形成されて
いる。この微小溝５からテーパー面に亘る領域が断熱領
域４となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド部３の幅Ｂは
いずれも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μ
ｍ、トラックピッチＰは０．５５μｍであり、グルーブ
部２とランド部３の高さ差ｄが７８ｎｍ、微小溝５の深
さｄ3が２０ｎｍである。
ものであり、丘部が比較的幅広になされるとともにこの
丘部の両辺縁近傍に断面Ｕ字状の微小溝５が形成されて
いる。この微小溝５からテーパー面に亘る領域が断熱領
域４となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド部３の幅Ｂは
いずれも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μ
ｍ、トラックピッチＰは０．５５μｍであり、グルーブ
部２とランド部３の高さ差ｄが７８ｎｍ、微小溝５の深
さｄ3が２０ｎｍである。
【００５５】このように作製された光ディスク基板の所
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
【００５６】実施例３ ここで作製した光ディスク基板は、図３に示すタイプの
ものであり、丘部が比較的幅広になされるとともにこの
丘部の両辺縁近傍に断面Ｖ字状の微小溝５が形成されて
いる。この微小溝５からテーパー面に亘る領域が断熱領
域４となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド部３の幅Ｂは
いずれも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μ
ｍ、トラックピッチＰは０．５５μｍであり、グルーブ
部２とランド部３の高さ差ｄが７８ｎｍ、微小溝５の深
さｄ3が２０ｎｍである。
ものであり、丘部が比較的幅広になされるとともにこの
丘部の両辺縁近傍に断面Ｖ字状の微小溝５が形成されて
いる。この微小溝５からテーパー面に亘る領域が断熱領
域４となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド部３の幅Ｂは
いずれも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃは０．３μ
ｍ、トラックピッチＰは０．５５μｍであり、グルーブ
部２とランド部３の高さ差ｄが７８ｎｍ、微小溝５の深
さｄ3が２０ｎｍである。
【００５７】このように作製された光ディスク基板の所
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
【００５８】実施例４ ここで作製した光ディスク基板は、図４に示すタイプの
ものであり、ランド部３とグルーブ部２の間に、凸部６
が形成されており、この凸部６の平坦面と両側のテーパ
ー面が断熱領域４となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド
部３の幅Ｂはいずれも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃ
は０．３μｍ（凸部６の平坦面の幅が０．１μｍ、テー
パー面の幅がそれぞれ０．１μｍ）、トラックピッチＰ
は０．５５μｍである。凸部６とランド部３の高さ差ｄ
1は２３３ｎｍ、凸部６とグルーブ部２の高さ差ｄ2は３
１１ｎｍである。この２３３ｎｍはλ／２に相当し、３
１１ｎｍはλ／２＋λ／６に相当する。
ものであり、ランド部３とグルーブ部２の間に、凸部６
が形成されており、この凸部６の平坦面と両側のテーパ
ー面が断熱領域４となる。グルーブ部２の幅Ａ、ランド
部３の幅Ｂはいずれも０．２５μｍ、断熱領域４の幅Ｃ
は０．３μｍ（凸部６の平坦面の幅が０．１μｍ、テー
パー面の幅がそれぞれ０．１μｍ）、トラックピッチＰ
は０．５５μｍである。凸部６とランド部３の高さ差ｄ
1は２３３ｎｍ、凸部６とグルーブ部２の高さ差ｄ2は３
１１ｎｍである。この２３３ｎｍはλ／２に相当し、３
１１ｎｍはλ／２＋λ／６に相当する。
【００５９】このように作製された光ディスク基板の所
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
【００６０】比較例１ ここで作製した光ディスク基板は、図８に示すタイプも
のであり、グルーブ部５２とランド部５３の境がテーパ
ー面５４となされ、このテーパー面５４が断熱領域とな
る。グルーブ部５２の幅ａ、ランド部５３の幅ｂはいず
れも０．６μｍ、断熱領域の幅ｃは０．１μｍ、トラッ
クピッチｐは０．７μｍであり、グルーブ部５２とラン
ド部５３の高さ差ｄは７８ｎｍである。
のであり、グルーブ部５２とランド部５３の境がテーパ
ー面５４となされ、このテーパー面５４が断熱領域とな
る。グルーブ部５２の幅ａ、ランド部５３の幅ｂはいず
れも０．６μｍ、断熱領域の幅ｃは０．１μｍ、トラッ
クピッチｐは０．７μｍであり、グルーブ部５２とラン
ド部５３の高さ差ｄは７８ｎｍである。
【００６１】このように作製された光ディスク基板の所
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
【００６２】比較例２ ここで作製した光ディスク基板は、図９に示すタイプも
のであり、グルーブ部５２とランド部５３の境がテーパ
ー面５４となされ、このテーパー面５４が断熱領域とな
る。グルーブ部５２の幅ａ、ランド部５３の幅ｂはいず
れも０．４５μｍ、断熱領域の幅ｃは０．１μｍ、トラ
ックピッチｐは０．５５μｍであり、グルーブ部５２と
ランド部５３の高さ差ｄは７８ｎｍである。
のであり、グルーブ部５２とランド部５３の境がテーパ
ー面５４となされ、このテーパー面５４が断熱領域とな
る。グルーブ部５２の幅ａ、ランド部５３の幅ｂはいず
れも０．４５μｍ、断熱領域の幅ｃは０．１μｍ、トラ
ックピッチｐは０．５５μｍであり、グルーブ部５２と
ランド部５３の高さ差ｄは７８ｎｍである。
【００６３】このように作製された光ディスク基板の所
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
定の凹凸が形成された側の面に、実施例１と同様にして
第１のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5相変
化材料層、第２のＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ａｌ反射
層及び保護層を形成し、光ディスクを作製した。
【００６４】以上のようにして作製された光ディスクの
ランド部およびグルーブ部上に、マーク長０．９μｍの
ピットを、線速度５ｍ／ｓ、周波数２．８ＭＨｚで記録
し、再生信号のクロストークを測定した。
ランド部およびグルーブ部上に、マーク長０．９μｍの
ピットを、線速度５ｍ／ｓ、周波数２．８ＭＨｚで記録
し、再生信号のクロストークを測定した。
【００６５】なお、再生光は、レーザ波長λが６８０ｎ
ｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．６であり、したがっ
てスポット径φは１．３８μｍである。
ｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．６であり、したがっ
てスポット径φは１．３８μｍである。
【００６６】記録再生は、記録パワーが１３ｍＷ、バイ
アスパワーが５ｍＷ、再生パワーが１ｍＷなる条件で行
った。
アスパワーが５ｍＷ、再生パワーが１ｍＷなる条件で行
った。
【００６７】また、クロストークは、ランド部（または
グルーブ部）上をトレースしたときの信号振幅と、それ
と隣合うグルーブ部（またはランド部）上をトレースし
たときの信号振幅の比で評価した。その結果を表１に示
す。
グルーブ部）上をトレースしたときの信号振幅と、それ
と隣合うグルーブ部（またはランド部）上をトレースし
たときの信号振幅の比で評価した。その結果を表１に示
す。
【００６８】
【表１】
【００６９】表１に示すように、断熱領域の幅を０．３
μｍと広くとった実施例１〜実施例４の光ディスクで
は、トラックピッチが０．５５μｍと狭くとも、＜−３
０ｄＢと再生クロストークが低い値になっている。
μｍと広くとった実施例１〜実施例４の光ディスクで
は、トラックピッチが０．５５μｍと狭くとも、＜−３
０ｄＢと再生クロストークが低い値になっている。
【００７０】これに対して、断熱領域の幅を０．１μｍ
と狭くとった場合では、トラックピッチが０．７μｍで
あれば（比較例１）、再生クロストークは＜−３０ｄＢ
に抑えられるが、トラックピッチを０．５５μｍにまで
狭くすると（比較例２）、再生クロストークが−２６ｄ
Ｂを越えるようになる。
と狭くとった場合では、トラックピッチが０．７μｍで
あれば（比較例１）、再生クロストークは＜−３０ｄＢ
に抑えられるが、トラックピッチを０．５５μｍにまで
狭くすると（比較例２）、再生クロストークが−２６ｄ
Ｂを越えるようになる。
【００７１】このことから、断熱領域の幅を０．１５μ
ｍ≦Ｃ≦φ／２．５なる条件を満たすように広く設定す
ることは、再生クロストークを抑えながらトラックピッ
チの狭小化を図る上で有効であることがわかった。
ｍ≦Ｃ≦φ／２．５なる条件を満たすように広く設定す
ることは、再生クロストークを抑えながらトラックピッ
チの狭小化を図る上で有効であることがわかった。
【００７２】なお、さらに比較として、図３に示すタイ
プであって断熱領域の幅が０．１５μｍ未満の光ディス
ク基板を用いて同様にして光ディスクを作製し、再生ク
ロストークを測定した。その結果、やはりトラックピッ
チを０．５５μｍとすると再生クロストークは−２６ｄ
Ｂを越える大きな値になった。
プであって断熱領域の幅が０．１５μｍ未満の光ディス
ク基板を用いて同様にして光ディスクを作製し、再生ク
ロストークを測定した。その結果、やはりトラックピッ
チを０．５５μｍとすると再生クロストークは−２６ｄ
Ｂを越える大きな値になった。
【００７３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光ディスク基板は、記録トラックのトラックピッチ
Ｐおよび記録トラック同士の間隔Ｃを規制する。このよ
うな光ディスク基板を用いる光ディスクでは、トラック
ピッチを例えば０．５５μｍ程度に狭小化した場合で
も、再生クロストークが小さく抑えられ、良好な信号再
生が行える。したがって、トラック方向での記録密度を
大幅に増大させることが可能である。
明の光ディスク基板は、記録トラックのトラックピッチ
Ｐおよび記録トラック同士の間隔Ｃを規制する。このよ
うな光ディスク基板を用いる光ディスクでは、トラック
ピッチを例えば０．５５μｍ程度に狭小化した場合で
も、再生クロストークが小さく抑えられ、良好な信号再
生が行える。したがって、トラック方向での記録密度を
大幅に増大させることが可能である。
【図１】本発明を適用した光ディスク基板の断面図であ
る。
る。
【図２】上記光ディスク基板のグルーブ部上に再生光を
集光した様子を示すものであり、（ａ）は光ディスク基
板の断面図であり、（ｂ）は光ディスクを上から見た平
面図である。
集光した様子を示すものであり、（ａ）は光ディスク基
板の断面図であり、（ｂ）は光ディスクを上から見た平
面図である。
【図３】光ディスク基板の他の例を示すものであり、
（ａ）は光ディスク基板の断面図であり、（ｂ）は光デ
ィスクを上から見た平面図である。
（ａ）は光ディスク基板の断面図であり、（ｂ）は光デ
ィスクを上から見た平面図である。
【図４】光ディスク基板のさらに他の例を示すものであ
り、（ａ）は光ディスク基板の断面図であり、（ｂ）は
光ディスクを上から見た平面図である。
り、（ａ）は光ディスク基板の断面図であり、（ｂ）は
光ディスクを上から見た平面図である。
【図５】光ディスク基板を適用した光ディスクを示す断
面図である。
面図である。
【図６】従来の光ディスク基板を示す断面図である。
【図７】イングルーブ記録方式で記録された光ディスク
基板のグルーブ部上に再生光を集光した様子を示すもの
であり、（ａ）は光ディスク基板の断面図であり、
（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図である。
基板のグルーブ部上に再生光を集光した様子を示すもの
であり、（ａ）は光ディスク基板の断面図であり、
（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図である。
【図８】ランド・アンド・グルーブ記録方式で記録され
た光ディスク基板のランド部上に再生光を集光した様子
を示すものであり、（ａ）は光ディスク基板の断面図で
あり、（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図である。
た光ディスク基板のランド部上に再生光を集光した様子
を示すものであり、（ａ）は光ディスク基板の断面図で
あり、（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図である。
【図９】ランド・アンド・グルーブ記録方式で記録され
た光ディスク基板において、トラックピッチを狭小化し
た場合を示すものであり、（ａ）は光ディスク基板の断
面図であり、（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図で
ある。
た光ディスク基板において、トラックピッチを狭小化し
た場合を示すものであり、（ａ）は光ディスク基板の断
面図であり、（ｂ）は光ディスクを上から見た平面図で
ある。
１ 基板 ２ グルーブ部 ３ ランド部 ４ 断熱領域
Claims (4)
- 【請求項１】 ランド部とグルーブ部を有し、これらラ
ンド部とグルーブ部が記録トラックとなされている光デ
ィスク基板において、 前記記録トラックのトラックピッチＰおよび記録トラッ
ク同士の間隔Ｃが、再生光のスポット径をφとしたとき
に、 Ｐ＜φ／２ ０．１５μｍ≦Ｃ≦φ／２．５ なる条件を満たすことを特徴とする光ディスク基板。 - 【請求項２】 ランド部とグルーブ部の間に、ランド部
よりも高さの高い凸部が形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の光ディスク基板。 - 【請求項３】 ランド部よりも高さの高い凸部とランド
部の高さ差ｄ1あるいは前記凸部とグルーブ部の高さ差
ｄ2のいずれかが、再生光波長をλとしたときにｎ・λ
／２（但し、ｎは１以上の整数である）で表されること
を特徴とする請求項２記載の光ディスク基板。 - 【請求項４】 請求項１記載の光ディスク基板上に、相
変化材料層または磁気光学効果を有する材料層が記録層
として形成されてなることを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29491594A JP3496301B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 光ディスク基板及び光ディスク |
| CN95121854A CN1079563C (zh) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | 光盘 |
| US08/564,639 US6434108B1 (en) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | Optical disc having narrow recording track relative to light spot diameter |
| KR1019950044568A KR960019116A (ko) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | 광디스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29491594A JP3496301B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 光ディスク基板及び光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153340A true JPH08153340A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3496301B2 JP3496301B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=17813905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29491594A Expired - Fee Related JP3496301B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 光ディスク基板及び光ディスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6434108B1 (ja) |
| JP (1) | JP3496301B2 (ja) |
| KR (1) | KR960019116A (ja) |
| CN (1) | CN1079563C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000025159A (ko) * | 1998-10-08 | 2000-05-06 | 구자홍 | 광 기록매체 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003173543A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体及び情報記録担体の再生方法及び情報記録担体の再生装置 |
| US20040179462A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-16 | National Film Laboratories, Inc. Dba Crest National | Optical disc having increased storage capacity |
| JP2006040445A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | 光ディスク及び情報再生装置 |
| JP2006236420A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Toshiba Corp | 記憶媒体、再生方法及び記録方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5341362A (en) * | 1984-08-20 | 1994-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device having guide tracks shaped for increasing the quality of information signals |
| JP2671139B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 情報記録媒体，光情報記録方法および光情報記録再生方法 |
| JPH04360041A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-14 | Pioneer Electron Corp | 光学式ディスク及びピックアップ装置 |
| JPH0540964A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JP3350148B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-11-25 | 株式会社ニコン | 光ディスク |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP29491594A patent/JP3496301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-29 CN CN95121854A patent/CN1079563C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-29 US US08/564,639 patent/US6434108B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-29 KR KR1019950044568A patent/KR960019116A/ko not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000025159A (ko) * | 1998-10-08 | 2000-05-06 | 구자홍 | 광 기록매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1079563C (zh) | 2002-02-20 |
| CN1134012A (zh) | 1996-10-23 |
| KR960019116A (ko) | 1996-06-17 |
| US6434108B1 (en) | 2002-08-13 |
| JP3496301B2 (ja) | 2004-02-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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