JPH08162569A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08162569A JPH08162569A JP30472294A JP30472294A JPH08162569A JP H08162569 A JPH08162569 A JP H08162569A JP 30472294 A JP30472294 A JP 30472294A JP 30472294 A JP30472294 A JP 30472294A JP H08162569 A JPH08162569 A JP H08162569A
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- frame
- insulating case
- semiconductor device
- lead
- case frame
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
- H10W70/427—Bent parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁性ケース枠の取付け長穴の穴寸法管理をラ
フにしても、リードフレームの掛止用突片を圧入固定に
ガタ付きの生じることがなく、リードフレームの取付け
構造の信頼性が高い半導体装置を提供することにある。 【構成】掛止用突片８１ｃ，８１ｃは互いに逆方向に捩
じり角θの捩じり状態となっている。そして掛止用突片
８３，８３の先端は幅広の長円状に形成されている。リ
ードフレーム８１はその掛止用突片８１ｃ，８１ｃを樹
脂製額縁部１２の段差面１６に形成された取付け長穴
ｃ，ｃに圧入して取付け固定されている。
フにしても、リードフレームの掛止用突片を圧入固定に
ガタ付きの生じることがなく、リードフレームの取付け
構造の信頼性が高い半導体装置を提供することにある。 【構成】掛止用突片８１ｃ，８１ｃは互いに逆方向に捩
じり角θの捩じり状態となっている。そして掛止用突片
８３，８３の先端は幅広の長円状に形成されている。リ
ードフレーム８１はその掛止用突片８１ｃ，８１ｃを樹
脂製額縁部１２の段差面１６に形成された取付け長穴
ｃ，ｃに圧入して取付け固定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子が実装され
た回路基板を絶縁性ケース枠内に収納したパワーモジュ
ールと称される半導体装置に関し、特に、リードフレー
ムの取付け構造に関する。
た回路基板を絶縁性ケース枠内に収納したパワーモジュ
ールと称される半導体装置に関し、特に、リードフレー
ムの取付け構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュール又はインテリジ
ェントパワーモジュールと称される半導体装置は、図７
に示す如く、リードフレーム付きの絶縁性ケース枠１０
と、この絶縁性ケース枠１０の額縁部１２の一方面側の
開口段差１４に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する放
熱性ベース板（金属板）２０と、この放熱性ベース板２
０の内面に半田等で固着された回路基板（セラミックス
基板）３０と、この回路基板３０上の厚膜配線にインナ
ーリード先端Ａが接続したリードフレーム４０〜４３
と、絶縁性ケース枠１０の内部空間に充填され、回路基
板３０及びリードフレーム４０〜４３のインナーリード
を浸漬するゲル状樹脂（シリコーン樹脂）封止材５０
と、絶縁性ケース枠１０の他面側の開口段差１８に接着
剤を以て固着して開口を閉蓋する絶縁性蓋板６０とを有
している。回路基板３０にはパワートランジスタ，ＩＧ
ＢＴ（伝導度変調形トランジスタ），ダイオード，サイ
リスタ等の半導体素子（チップ）３２，３４が実装され
ており、リードフレーム４０〜４３のインナーリード先
端は回路基板３０の厚膜配線（ランド部）に半田等で固
着されており、その配線と対応の半導体素子３２，３４
にボンディングワイア３２ａ，３４ａで接続されてい
る。外部接続用のリードフレーム４０，４１は額縁部１
２にインサート成形で固着されており、額縁部１２の端
子座板４０ａ，４１ａに外部接続の端子ねじ（図示せ
ず）が螺着するようになっている。他方、回路基板内の
複数の電極を内的に相互接続するための内部接続用（内
部電源給電用）のリードフレーム４２，４３は、図８に
示す如く、その掛止用突片Ｂを樹脂製額縁部１２の段差
面１６に形成された取付け長穴ｃに圧入して取付け固定
されている。この掛止用突片Ｂの板厚面には取付け穴ｂ
の穴壁に食い込み投錨作用を果たす鋸歯部ｂが形成され
ている。
ェントパワーモジュールと称される半導体装置は、図７
に示す如く、リードフレーム付きの絶縁性ケース枠１０
と、この絶縁性ケース枠１０の額縁部１２の一方面側の
開口段差１４に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する放
熱性ベース板（金属板）２０と、この放熱性ベース板２
０の内面に半田等で固着された回路基板（セラミックス
基板）３０と、この回路基板３０上の厚膜配線にインナ
ーリード先端Ａが接続したリードフレーム４０〜４３
と、絶縁性ケース枠１０の内部空間に充填され、回路基
板３０及びリードフレーム４０〜４３のインナーリード
を浸漬するゲル状樹脂（シリコーン樹脂）封止材５０
と、絶縁性ケース枠１０の他面側の開口段差１８に接着
剤を以て固着して開口を閉蓋する絶縁性蓋板６０とを有
している。回路基板３０にはパワートランジスタ，ＩＧ
ＢＴ（伝導度変調形トランジスタ），ダイオード，サイ
リスタ等の半導体素子（チップ）３２，３４が実装され
ており、リードフレーム４０〜４３のインナーリード先
端は回路基板３０の厚膜配線（ランド部）に半田等で固
着されており、その配線と対応の半導体素子３２，３４
にボンディングワイア３２ａ，３４ａで接続されてい
る。外部接続用のリードフレーム４０，４１は額縁部１
２にインサート成形で固着されており、額縁部１２の端
子座板４０ａ，４１ａに外部接続の端子ねじ（図示せ
ず）が螺着するようになっている。他方、回路基板内の
複数の電極を内的に相互接続するための内部接続用（内
部電源給電用）のリードフレーム４２，４３は、図８に
示す如く、その掛止用突片Ｂを樹脂製額縁部１２の段差
面１６に形成された取付け長穴ｃに圧入して取付け固定
されている。この掛止用突片Ｂの板厚面には取付け穴ｂ
の穴壁に食い込み投錨作用を果たす鋸歯部ｂが形成され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体装置の内部接続用のリードフレーム４２，４３の
取付け構造にあっては、次のような問題点があった。
半導体装置の内部接続用のリードフレーム４２，４３の
取付け構造にあっては、次のような問題点があった。
【０００４】即ち、樹脂製の額縁部１２のスリット状の
取付け長穴ｃに掛止用突片Ｂを圧入すると、鋸歯部ｂが
穴壁に食い込み抜け止めされるようになっているが、掛
止用突片Ｂの幅Ｗ1 （例えば数mm）は取付け長穴ｃの長
さＷ2 よりも大きくする必要があるが、大きくし過ぎる
と圧入自体が不可能になる。このため、突片Ｂの幅Ｗ1
と長穴ｃの長さＷ2 との寸法管理を厳格にしなければな
らない。ところが、取付け長穴ｃ自体は樹脂成形法によ
り形成されるため、樹脂のヒケ等により長穴ｃの長さＷ
2 にはどうしてもバラツキが生じてしまう。従って、リ
ードフレームの圧入が困難であったり、またその取付け
にガタ付きが伴うことがあり、半導体装置の歩留まりの
向上の障害になっていた。
取付け長穴ｃに掛止用突片Ｂを圧入すると、鋸歯部ｂが
穴壁に食い込み抜け止めされるようになっているが、掛
止用突片Ｂの幅Ｗ1 （例えば数mm）は取付け長穴ｃの長
さＷ2 よりも大きくする必要があるが、大きくし過ぎる
と圧入自体が不可能になる。このため、突片Ｂの幅Ｗ1
と長穴ｃの長さＷ2 との寸法管理を厳格にしなければな
らない。ところが、取付け長穴ｃ自体は樹脂成形法によ
り形成されるため、樹脂のヒケ等により長穴ｃの長さＷ
2 にはどうしてもバラツキが生じてしまう。従って、リ
ードフレームの圧入が困難であったり、またその取付け
にガタ付きが伴うことがあり、半導体装置の歩留まりの
向上の障害になっていた。
【０００５】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、絶縁性ケース枠の取付け長穴の穴寸法管理をラフに
しても、リードフレームの掛止用突片を圧入固定にガタ
付きの生じることがなく、リードフレームの取付け構造
の信頼性が高い半導体装置を提供することにある。
は、絶縁性ケース枠の取付け長穴の穴寸法管理をラフに
しても、リードフレームの掛止用突片を圧入固定にガタ
付きの生じることがなく、リードフレームの取付け構造
の信頼性が高い半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、取付け長穴と掛止用突片との嵌合に捩じ
れバネ性を付与して抜け止めしようとするものである。
即ち、本発明は、額縁部の段差面の取付け長穴に掛止用
突片を圧入して固定したリードフレームを組み付けて成
る絶縁性ケース枠と、絶縁性ケース枠の一方の開口を閉
蓋する放熱性ベース板と、上記放熱性ベース板の内面に
固着され、上記リードフレームのインナーリード先端に
接続する半導体素子が実装された回路基板と、上記絶縁
性ケース枠の内部空間に充填され、上記回路基板及び前
記インナーリードを浸漬するゲル状樹脂封止材と、上記
絶縁性ケース枠の他方の開口を閉蓋する絶縁性蓋板とを
有する半導体装置において、上記取付け長穴又は上記掛
止用突片のうち隣接するもの同士が互いに逆方向に捩じ
り角を以て形成されて成ることを特徴とする。ここで、
上記掛止用突片は先端幅広の長円状であることが望まし
い。
に、本発明は、取付け長穴と掛止用突片との嵌合に捩じ
れバネ性を付与して抜け止めしようとするものである。
即ち、本発明は、額縁部の段差面の取付け長穴に掛止用
突片を圧入して固定したリードフレームを組み付けて成
る絶縁性ケース枠と、絶縁性ケース枠の一方の開口を閉
蓋する放熱性ベース板と、上記放熱性ベース板の内面に
固着され、上記リードフレームのインナーリード先端に
接続する半導体素子が実装された回路基板と、上記絶縁
性ケース枠の内部空間に充填され、上記回路基板及び前
記インナーリードを浸漬するゲル状樹脂封止材と、上記
絶縁性ケース枠の他方の開口を閉蓋する絶縁性蓋板とを
有する半導体装置において、上記取付け長穴又は上記掛
止用突片のうち隣接するもの同士が互いに逆方向に捩じ
り角を以て形成されて成ることを特徴とする。ここで、
上記掛止用突片は先端幅広の長円状であることが望まし
い。
【０００７】上記の取付け構造の代わりに、断面がへの
字状に形成された掛止用突片であっても良い。
字状に形成された掛止用突片であっても良い。
【０００８】
【作用】取付け長穴又は掛止用突片のうち隣接するもの
同士が互いに逆方向に捩じり角を以て形成されて成るた
め、リードフレームの掛止用突片を絶縁性ケース枠の取
付け長穴に圧入する際、圧入初期では一旦捩じれ角が解
消する方向に突片先端が捩じられるので、圧入完了時で
は、その戻り捩れの弾性力によって長穴内に突片が膨ら
み圧着し強固に抜け止めされる。このため、リードフレ
ームのガタ付きのない固定が達成されている。
同士が互いに逆方向に捩じり角を以て形成されて成るた
め、リードフレームの掛止用突片を絶縁性ケース枠の取
付け長穴に圧入する際、圧入初期では一旦捩じれ角が解
消する方向に突片先端が捩じられるので、圧入完了時で
は、その戻り捩れの弾性力によって長穴内に突片が膨ら
み圧着し強固に抜け止めされる。このため、リードフレ
ームのガタ付きのない固定が達成されている。
【０００９】特に、掛止用突片は先端幅広の長円状であ
るため、取付け長穴への圧入時には突片の先端が滑らか
に嵌入するので、圧入操作をたやすく行うことができ
る。
るため、取付け長穴への圧入時には突片の先端が滑らか
に嵌入するので、圧入操作をたやすく行うことができ
る。
【００１０】上記の取付け構造は、隣接する取付け長穴
同士又は隣接する掛止用突片同士を逆方向に捩じった配
置にしてあるが、この代わりに、各掛止用突片の断面を
への字状に形成したものでも構わない。かかる構造で
は、圧入時にはヘの時の開き角が拡大するので、圧入後
は穴内でヘの字の開き角が狭まる方向に弾力的に膨ら
む。従って、リードフレームのガタ付きのない固定が達
成されている。
同士又は隣接する掛止用突片同士を逆方向に捩じった配
置にしてあるが、この代わりに、各掛止用突片の断面を
への字状に形成したものでも構わない。かかる構造で
は、圧入時にはヘの時の開き角が拡大するので、圧入後
は穴内でヘの字の開き角が狭まる方向に弾力的に膨ら
む。従って、リードフレームのガタ付きのない固定が達
成されている。
【００１１】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は本発明の実施例に係る半導体装置に
おけるリードフレーム付きの絶縁性ケース枠を示す平面
図、図２はそのリードフレーム付きの絶縁性ケース枠を
示す底面図、図３（ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿って切
断した状態を示す断面図、図３（ｂ）は図１のＢ−Ｂ′
線に沿って切断した状態を示す断面図である。
おけるリードフレーム付きの絶縁性ケース枠を示す平面
図、図２はそのリードフレーム付きの絶縁性ケース枠を
示す底面図、図３（ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿って切
断した状態を示す断面図、図３（ｂ）は図１のＢ−Ｂ′
線に沿って切断した状態を示す断面図である。
【００１３】本例の半導体装置はパワーモジュール又は
インテリジェントパワーモジュールと称される半導体装
置で、リードフレーム付きの絶縁性ケース枠１０と、こ
の絶縁性ケース枠１０の額縁部１２の一方面側の開口段
差１４に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する放熱性ベ
ース板（図示せず）と、この放熱性ベース板の内面に半
田等で固着された回路基板（図示せず）と、この回路基
板上の厚膜配線にリード先端Ａが接続したリードフレー
ム７０〜７６，８０，８１と、絶縁性ケース枠１０の内
部空間に充填され、回路基板及びリードフレームのイン
ナーリードを浸漬するゲル状樹脂（シリコーン樹脂）封
止材（図示せず）と、絶縁性ケース枠１０の他面側の開
口段差１８に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する絶縁
性蓋板（図示せず）とを有している。前述したように、
回路基板にはパワートランジスタ，ＩＧＢＴ（伝導度変
調形トランジスタ），ダイオード，サイリスタ等の半導
体素子が実装されており、リードフレーム７０〜７６，
８０，８１のリード先端Ａは回路基板の厚膜配線（ラン
ド部）に半田等で固着されている（図示せず）。外部接
続用のリードフレーム７０〜７６は額縁部１２にインサ
ート成形で固着されており、額縁部１２の端子座板７０
ａ〜７６ａに外部接続の端子ねじ（図示せず）が螺着す
るようになっている。他方、回路基板内の複数の電極を
内的に相互接続するための内部接続用（内部電源給電
用）のリードフレーム８０，８１は、図４，図５に示す
如くの形状となっている。リードフレーム８０は、複数
のスリット穴８０ａを有するフレーム８０ｂと、フレー
ム８０ｂの一方の端部から張り出て屈曲したリード先端
Ａと、フレーム８０ｂの他方の端部から張り出した一対
の掛止用突片８０ｃ，８０ｃを有している。掛止用突片
８０ｃ，８０ｃは互いに逆方向に捩じり角θの捩じり状
態となっている。そして掛止用突片８０ｃ，８０ｃの先
端は幅広の長円状に形成されている。同様に、リードフ
レーム８１は、複数のスリット穴８１ａを有するフレー
ム８１ｂと、フレーム８１ｂの一方の端部から張り出て
屈曲したリード先端Ａと、フレーム８１ｂの他方の端部
から張り出した一対の掛止用突片８１ｃ，８１ｃとを有
している。掛止用突片８１ｃ，８１ｃは互いに逆方向に
捩じり角θの捩じり状態となっている。そしてまた掛止
用突片８１ｃ，８１ｃの先端は幅広の長円状に形成され
ている。図６に示す如く、リードフレーム８１はその掛
止用突片８１ｃ，８１ｃを樹脂製額縁部１２の段差面１
６に形成された取付け長穴ｃ，ｃに圧入して取付け固定
されている。なお、リードフレーム８０も同様な方法で
取付け固定されている。
インテリジェントパワーモジュールと称される半導体装
置で、リードフレーム付きの絶縁性ケース枠１０と、こ
の絶縁性ケース枠１０の額縁部１２の一方面側の開口段
差１４に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する放熱性ベ
ース板（図示せず）と、この放熱性ベース板の内面に半
田等で固着された回路基板（図示せず）と、この回路基
板上の厚膜配線にリード先端Ａが接続したリードフレー
ム７０〜７６，８０，８１と、絶縁性ケース枠１０の内
部空間に充填され、回路基板及びリードフレームのイン
ナーリードを浸漬するゲル状樹脂（シリコーン樹脂）封
止材（図示せず）と、絶縁性ケース枠１０の他面側の開
口段差１８に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する絶縁
性蓋板（図示せず）とを有している。前述したように、
回路基板にはパワートランジスタ，ＩＧＢＴ（伝導度変
調形トランジスタ），ダイオード，サイリスタ等の半導
体素子が実装されており、リードフレーム７０〜７６，
８０，８１のリード先端Ａは回路基板の厚膜配線（ラン
ド部）に半田等で固着されている（図示せず）。外部接
続用のリードフレーム７０〜７６は額縁部１２にインサ
ート成形で固着されており、額縁部１２の端子座板７０
ａ〜７６ａに外部接続の端子ねじ（図示せず）が螺着す
るようになっている。他方、回路基板内の複数の電極を
内的に相互接続するための内部接続用（内部電源給電
用）のリードフレーム８０，８１は、図４，図５に示す
如くの形状となっている。リードフレーム８０は、複数
のスリット穴８０ａを有するフレーム８０ｂと、フレー
ム８０ｂの一方の端部から張り出て屈曲したリード先端
Ａと、フレーム８０ｂの他方の端部から張り出した一対
の掛止用突片８０ｃ，８０ｃを有している。掛止用突片
８０ｃ，８０ｃは互いに逆方向に捩じり角θの捩じり状
態となっている。そして掛止用突片８０ｃ，８０ｃの先
端は幅広の長円状に形成されている。同様に、リードフ
レーム８１は、複数のスリット穴８１ａを有するフレー
ム８１ｂと、フレーム８１ｂの一方の端部から張り出て
屈曲したリード先端Ａと、フレーム８１ｂの他方の端部
から張り出した一対の掛止用突片８１ｃ，８１ｃとを有
している。掛止用突片８１ｃ，８１ｃは互いに逆方向に
捩じり角θの捩じり状態となっている。そしてまた掛止
用突片８１ｃ，８１ｃの先端は幅広の長円状に形成され
ている。図６に示す如く、リードフレーム８１はその掛
止用突片８１ｃ，８１ｃを樹脂製額縁部１２の段差面１
６に形成された取付け長穴ｃ，ｃに圧入して取付け固定
されている。なお、リードフレーム８０も同様な方法で
取付け固定されている。
【００１４】このように、隣接する掛止用突片８０ｃ，
８０ｃ（８１ｃ，８１ｃ）が互いに逆方向に捩じり角θ
を以て形成されているため、取付け長穴ｃ，ｃに圧入す
る際、圧入初期では一旦捩じれ角が解消する方向に突片
先端が捩じられるので、圧入完了時では、その戻り捩れ
の弾性力によって長穴ｃ，ｃ内に突片が膨らみ強固に抜
け止めされる。このため、リードフレーム８０（８１）
はガタ付きのなく取付け固定される。本例では掛止用突
片８０ｃ，８０ｃ（８１ｃ，８１ｃ）は先端幅広の長円
状であるため、取付け長穴ｃ，ｃへの圧入時には突片が
スムーズに滑り込むので、圧入操作をたやすく行うこと
ができる。
８０ｃ（８１ｃ，８１ｃ）が互いに逆方向に捩じり角θ
を以て形成されているため、取付け長穴ｃ，ｃに圧入す
る際、圧入初期では一旦捩じれ角が解消する方向に突片
先端が捩じられるので、圧入完了時では、その戻り捩れ
の弾性力によって長穴ｃ，ｃ内に突片が膨らみ強固に抜
け止めされる。このため、リードフレーム８０（８１）
はガタ付きのなく取付け固定される。本例では掛止用突
片８０ｃ，８０ｃ（８１ｃ，８１ｃ）は先端幅広の長円
状であるため、取付け長穴ｃ，ｃへの圧入時には突片が
スムーズに滑り込むので、圧入操作をたやすく行うこと
ができる。
【００１５】なお、上記実施例では隣接する突片同士を
逆方向に捩じって形成してあるが、取付け長穴の方を逆
方向に捩じった状態に形成しても良い。また、各掛止用
突片の断面をへの字状に形成したものでも構わない。か
かる構造でも、圧入時にはヘの時の開き角が拡大するの
で、圧入後は穴内でヘの字の開き角が狭まる方向に弾力
的に膨らむ。従って、リードフレームのガタ付きのない
固定が達成される。
逆方向に捩じって形成してあるが、取付け長穴の方を逆
方向に捩じった状態に形成しても良い。また、各掛止用
突片の断面をへの字状に形成したものでも構わない。か
かる構造でも、圧入時にはヘの時の開き角が拡大するの
で、圧入後は穴内でヘの字の開き角が狭まる方向に弾力
的に膨らむ。従って、リードフレームのガタ付きのない
固定が達成される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、取付け
長穴と掛止用突片との嵌合に捩じれバネ性を付与して抜
け止めしようとするものである。従って次の効果を奏す
る。
長穴と掛止用突片との嵌合に捩じれバネ性を付与して抜
け止めしようとするものである。従って次の効果を奏す
る。
【００１７】 圧入完了時では、その戻り捩れの弾性
力によって長穴内に突片が膨らみ強固に抜け止めされ
る。このため、取付け長穴の穴寸法管理をラフにして
も、リードフレームのガタ付きのない固定が達成され
る。
力によって長穴内に突片が膨らみ強固に抜け止めされ
る。このため、取付け長穴の穴寸法管理をラフにして
も、リードフレームのガタ付きのない固定が達成され
る。
【００１８】 掛止用突片の先端が幅広の長円状であ
る場合、取付け長穴への圧入時には突片の先端が滑らか
に嵌入するので、圧入操作をたやすく行うことができ
る。
る場合、取付け長穴への圧入時には突片の先端が滑らか
に嵌入するので、圧入操作をたやすく行うことができ
る。
【００１９】 各掛止用突片の断面をへの字状に形成
した場合、圧入時にはヘの時の開き角が拡大するので、
圧入後は穴内でヘの字の開き角が狭まる方向に弾力的に
膨らむ。かかる場合もリードフレームのガタ付きのない
固定が達成される。
した場合、圧入時にはヘの時の開き角が拡大するので、
圧入後は穴内でヘの字の開き角が狭まる方向に弾力的に
膨らむ。かかる場合もリードフレームのガタ付きのない
固定が達成される。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置におけるリー
ドフレーム付きの絶縁性ケース枠を示す平面図である。
ドフレーム付きの絶縁性ケース枠を示す平面図である。
【図２】同実施例のリードフレーム付きの絶縁性ケース
枠を示す底面図である。
枠を示す底面図である。
【図３】（ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿って切断した状
態を示す断面図、図３（ｂ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿っ
て切断した状態を示す断面図である。
態を示す断面図、図３（ｂ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿っ
て切断した状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）は同実施例に係る半導体装置に用いるリ
ードフレームを示す平面図、（ｂ）はその正面図、
（ｃ）はその側面図である。
ードフレームを示す平面図、（ｂ）はその正面図、
（ｃ）はその側面図である。
【図５】（ａ）は同実施例に係る半導体装置に用いる別
のリードフレームを示す平面図、（ｂ）はその正面図、
（ｃ）はその側面図である。
のリードフレームを示す平面図、（ｂ）はその正面図、
（ｃ）はその側面図である。
【図６】同実施例に係る半導体装置に用いるリードフレ
ームの取付け構造を示す分解斜視図である。
ームの取付け構造を示す分解斜視図である。
【図７】パワーモジュールと称される半導体装置の一般
的な構造を示す断面図である。
的な構造を示す断面図である。
【図８】図７に示す半導体装置に用いるリードフレーム
の取付け構造を示す断面図である。
の取付け構造を示す断面図である。
１０…絶縁性ケース枠 １２…額縁部 １４…表面側の開口段差 １６…段差面 １８…裏面側の開口段差 ２０…放熱性ベース板 ３０…回路基板 ３２…半導体素子（チップ） ３４…ボンディングワイア ４０…ゲル状樹脂封止材（シリコーン樹脂） ５０…絶縁性蓋板 ７０〜７６，８０，８１…リードフレーム ８０ａ，８１ａ…スリット穴 ８０ｂ，８１ｂ…フレーム ８０ｃ，８１ｂ…掛止用突片 ７０ａ〜７６ａ…端子座板 Ａ…リード先端 ｃ…取付け長穴 θ…捩じれ角。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18
Claims (3)
- 【請求項１】 額縁部の段差面の取付け長穴に掛止用突
片を圧入して固定したリードフレームを組み付けて成る
絶縁性ケース枠と、絶縁性ケース枠の一方の開口を閉蓋
する放熱性ベース板と、前記放熱性ベース板の内面に固
着され、前記リードフレームのインナーリード先端に接
続する半導体素子が実装された回路基板と、前記絶縁性
ケース枠の内部空間に充填され、前記回路基板及び前記
インナーリードを浸漬するゲル状樹脂封止材と、前記絶
縁性ケース枠の他方の開口を閉蓋する絶縁性蓋板とを有
する半導体装置において、前記取付け長穴又は前記掛止
用突片のうち隣接するもの同士が互いに逆方向に捩じり
角を以て形成されて成ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、
前記掛止用突片は先端幅広の長円状であることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項３】 額縁部の段差面の取付け長穴に掛止用突
片を圧入して固定したリードフレームを組み付けて成る
絶縁性ケース枠と、絶縁性ケース枠の一方の開口を閉蓋
する放熱性ベース板と、前記放熱性ベース板の内面に固
着され、前記リードフレームのインナーリード先端に接
続する半導体素子が実装された回路基板と、前記絶縁性
ケース枠の内部空間に充填され、前記回路基板及び前記
インナーリードを浸漬するゲル状樹脂封止材と、前記絶
縁性ケース枠の他方の開口を閉蓋する絶縁性蓋板とを有
する半導体装置において、前記掛止用突片は断面がへの
字状に形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30472294A JPH08162569A (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 半導体装置 |
| US08/566,957 US5691884A (en) | 1994-12-08 | 1995-12-04 | Semiconductor device with removably fixed lead frame |
| EP19950308873 EP0716445A3 (en) | 1994-12-08 | 1995-12-07 | Semiconductor device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30472294A JPH08162569A (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162569A true JPH08162569A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17936433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30472294A Pending JPH08162569A (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5691884A (ja) |
| EP (1) | EP0716445A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08162569A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 1995-12-04 US US08/566,957 patent/US5691884A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-07 EP EP19950308873 patent/EP0716445A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5691884A (en) | 1997-11-25 |
| EP0716445A3 (en) | 1997-07-16 |
| EP0716445A2 (en) | 1996-06-12 |
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