JPH08222838A - 厚銅回路基板の製造方法 - Google Patents
厚銅回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH08222838A JPH08222838A JP2975995A JP2975995A JPH08222838A JP H08222838 A JPH08222838 A JP H08222838A JP 2975995 A JP2975995 A JP 2975995A JP 2975995 A JP2975995 A JP 2975995A JP H08222838 A JPH08222838 A JP H08222838A
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- JP
- Japan
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- thick copper
- thick
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- copper foil
- copper circuit
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱性と大きな電流容量に優れている厚銅回
路基板を効率的に製造できる製造方法を提供する。 【構成】 厚銅板１と、該厚銅板１よりも肉厚の薄い銅
箔２を重ね、厚銅板１側から厚銅回路部３の形状に打抜
くと同時に、銅箔２に圧入した後、この厚銅回路部３を
圧入した打抜き嵌合体４の全体を黒化処理した後、接着
層７を介して金属基板８と積層一体化し、ついで銅箔２
部分を除去するか、銅箔２に回路を形成することを特徴
とする厚銅回路基板の製造方法。 【効果】 本発明によれば、放熱性と大きな電流容量を
有する厚銅回路基板であって、絶縁樹脂層との密着性に
優れた厚銅回路基板を効率的に製造することができる。
路基板を効率的に製造できる製造方法を提供する。 【構成】 厚銅板１と、該厚銅板１よりも肉厚の薄い銅
箔２を重ね、厚銅板１側から厚銅回路部３の形状に打抜
くと同時に、銅箔２に圧入した後、この厚銅回路部３を
圧入した打抜き嵌合体４の全体を黒化処理した後、接着
層７を介して金属基板８と積層一体化し、ついで銅箔２
部分を除去するか、銅箔２に回路を形成することを特徴
とする厚銅回路基板の製造方法。 【効果】 本発明によれば、放熱性と大きな電流容量を
有する厚銅回路基板であって、絶縁樹脂層との密着性に
優れた厚銅回路基板を効率的に製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放熱性と大きな電流容量
を有する厚銅回路基板に関し、厚銅板を打抜いて、厚銅
回路を形成する方法であって、絶縁樹脂層との密着性に
優れた厚銅回路基板を効率的に形成できる製造方法に関
する。
を有する厚銅回路基板に関し、厚銅板を打抜いて、厚銅
回路を形成する方法であって、絶縁樹脂層との密着性に
優れた厚銅回路基板を効率的に形成できる製造方法に関
する。
【０００２】
【従来技術とその課題】放熱性と大きな電流容量を必要
とする用途に好適に使用される基板として、アルミニウ
ム板等の金属基板を使用し、金属基板の片面に絶縁層を
介して厚銅により回路を形成した厚銅回路基板が知ら
れ、回路の形成方法として、厚銅板を打抜いて形成した
導電回路を部分的に嵌め込んだ絶縁基板を使用し、接着
層を介して金属基板に積層する、いわゆる打抜き嵌合法
による回路形成を利用した方法が提案されている。
とする用途に好適に使用される基板として、アルミニウ
ム板等の金属基板を使用し、金属基板の片面に絶縁層を
介して厚銅により回路を形成した厚銅回路基板が知ら
れ、回路の形成方法として、厚銅板を打抜いて形成した
導電回路を部分的に嵌め込んだ絶縁基板を使用し、接着
層を介して金属基板に積層する、いわゆる打抜き嵌合法
による回路形成を利用した方法が提案されている。
【０００３】しかしながら、上記の方法では厚銅板を打
抜いてなる導電回路を絶縁基板に嵌め込むので、絶縁基
板との密着性を改良するため厚銅板を黒化処理等の表面
処理を施しても、打抜き面の生地が出て、その部分では
絶縁基板との密着性が低下するという問題があった。
抜いてなる導電回路を絶縁基板に嵌め込むので、絶縁基
板との密着性を改良するため厚銅板を黒化処理等の表面
処理を施しても、打抜き面の生地が出て、その部分では
絶縁基板との密着性が低下するという問題があった。
【０００４】また、厚銅板を打抜いてなる導電回路を絶
縁基板に無理やり圧入されるようになるため、嵌め込み
の境界面が引き千切れたようになり、クラックが入った
り、層間剥離が発生するという問題があった。
縁基板に無理やり圧入されるようになるため、嵌め込み
の境界面が引き千切れたようになり、クラックが入った
り、層間剥離が発生するという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
消できる厚銅回路基板の製造方法を見出したものであっ
て、その要旨とするところは、厚銅板１と、該厚銅板１
よりも肉厚の薄い銅箔２を重ね、厚銅板１側から厚銅回
路部３の形状に打抜くと同時に、銅箔２に圧入した後、
この厚銅回路部３を圧入した打抜き嵌合体４の全体を黒
化処理した後、接着層７を介して金属基板８と積層一体
化し、ついで銅箔２部分を除去するか、銅箔２に回路を
形成することを特徴とする厚銅回路基板の製造方法にあ
る。
消できる厚銅回路基板の製造方法を見出したものであっ
て、その要旨とするところは、厚銅板１と、該厚銅板１
よりも肉厚の薄い銅箔２を重ね、厚銅板１側から厚銅回
路部３の形状に打抜くと同時に、銅箔２に圧入した後、
この厚銅回路部３を圧入した打抜き嵌合体４の全体を黒
化処理した後、接着層７を介して金属基板８と積層一体
化し、ついで銅箔２部分を除去するか、銅箔２に回路を
形成することを特徴とする厚銅回路基板の製造方法にあ
る。
【０００６】以下、本発明を図面により詳細に説明す
る。図１は本発明方法の工程の一例を示した断面概略図
である。本発明で使用する導電回路を圧入した絶縁基板
の製造方法の一例を図１により説明する。まず、（ａ）
に示すように厚銅板１と、この厚銅板１よりも肉厚の薄
い銅箔２を重ね、厚銅板１側から厚銅回路部３の形状に
打抜き具１０により打抜くと同時に、銅箔２に圧入す
る。上記厚銅板１の厚みは０．５〜３．０ｍｍ、好まし
くは１．０〜１．５ｍｍの範囲のものが好適に使用で
き、銅箔２として０．１ｍｍ〜０．４ｍｍ、好ましくは
０．１ｍｍ〜０．２ｍｍのものが好適に使用できる。
る。図１は本発明方法の工程の一例を示した断面概略図
である。本発明で使用する導電回路を圧入した絶縁基板
の製造方法の一例を図１により説明する。まず、（ａ）
に示すように厚銅板１と、この厚銅板１よりも肉厚の薄
い銅箔２を重ね、厚銅板１側から厚銅回路部３の形状に
打抜き具１０により打抜くと同時に、銅箔２に圧入す
る。上記厚銅板１の厚みは０．５〜３．０ｍｍ、好まし
くは１．０〜１．５ｍｍの範囲のものが好適に使用で
き、銅箔２として０．１ｍｍ〜０．４ｍｍ、好ましくは
０．１ｍｍ〜０．２ｍｍのものが好適に使用できる。
【０００７】（ａ）により厚銅回路部３を圧入した打抜
き嵌合体４は（ｂ）に示すようになり、表面全体に数十
μｍ程度の銅めっきを施してもよい。さらに（ｃ）に示
すように全体に黒化処理５を施す。黒化処理５は絶縁性
樹脂との密着性を改良するためであり、本発明の方法に
よれば厚銅回路部３の側面部にも十分処理ができ、密着
性を改良できる。
き嵌合体４は（ｂ）に示すようになり、表面全体に数十
μｍ程度の銅めっきを施してもよい。さらに（ｃ）に示
すように全体に黒化処理５を施す。黒化処理５は絶縁性
樹脂との密着性を改良するためであり、本発明の方法に
よれば厚銅回路部３の側面部にも十分処理ができ、密着
性を改良できる。
【０００８】つぎに、上記黒化処理５を施した打抜き嵌
合体４を用いて（ｄ）に示すように接着層７を介して金
属基板８の片面に載置し、積層一体化する。積層一体化
の方法は通常の熱プレス法によればよい。ここで、金属
基板８には放熱性に優れた銅板、アルミニウム板、鉄板
等が使用でき、厚みは０．３ｍｍ〜５ｍｍの範囲のもの
が好適に使用できる。接着層７に使用する樹脂として
は、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルフォン等の熱可塑性樹脂やエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が使用でき、必要
に応じてガラス繊維布等の補強材を介在させてもよい。
合体４を用いて（ｄ）に示すように接着層７を介して金
属基板８の片面に載置し、積層一体化する。積層一体化
の方法は通常の熱プレス法によればよい。ここで、金属
基板８には放熱性に優れた銅板、アルミニウム板、鉄板
等が使用でき、厚みは０．３ｍｍ〜５ｍｍの範囲のもの
が好適に使用できる。接着層７に使用する樹脂として
は、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルフォン等の熱可塑性樹脂やエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が使用でき、必要
に応じてガラス繊維布等の補強材を介在させてもよい。
【０００９】上記方法で一体化された積層体を用い、
（ｅ）に示すように銅箔２部分をエッチング等により除
去することにより厚銅回路のみからなる基板が得られ
る。また、（ｄ）の状態で銅箔２に通常の手段により回
路を設けることもでき、厚銅回路と通常の微細回路が混
在した基板が得られる。
（ｅ）に示すように銅箔２部分をエッチング等により除
去することにより厚銅回路のみからなる基板が得られ
る。また、（ｄ）の状態で銅箔２に通常の手段により回
路を設けることもでき、厚銅回路と通常の微細回路が混
在した基板が得られる。
【００１０】
【発明の効果】上述したように本発明の製造方法によれ
ば、放熱性と大きな電流容量を有する厚銅回路基板であ
って、絶縁樹脂層との密着性に優れた厚銅回路基板を効
率的に製造することができる。
ば、放熱性と大きな電流容量を有する厚銅回路基板であ
って、絶縁樹脂層との密着性に優れた厚銅回路基板を効
率的に製造することができる。
【図１】本発明方法の工程の一例を示した断面概略図。
１ 厚銅板 ２ 銅箔 ３ 厚銅回路 ４ 打抜き嵌合体 ７ 接着層 ８ 金属基板
Claims (2)
- 【請求項１】 厚銅板（１）と、該厚銅板（１）よりも
肉厚の薄い銅箔（２）を重ね、厚銅板（１）側から厚銅
回路部（３）の形状に打抜くと同時に、銅箔（２）に圧
入した後、この厚銅回路部（３）を圧入した打抜き嵌合
体（４）の全体を黒化処理した後、接着層（７）を介し
て金属基板（８）と積層一体化し、ついで銅箔（２）部
分を除去することを特徴とする厚銅回路基板の製造方
法。 - 【請求項２】 厚銅板（１）と、該厚銅板（１）よりも
肉厚の薄い銅箔（２）を重ね、厚銅板（１）側から厚銅
回路部（３）の形状に打抜くと同時に、銅箔（２）に圧
入した後、この厚銅回路部（３）を圧入した打抜き嵌合
体（４）の全体を表面処理した後、接着層（７）を介し
て金属基板（８）と積層一体化し、ついで銅箔（２）部
分に回路を形成することを特徴とする厚銅回路基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2975995A JPH08222838A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 厚銅回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2975995A JPH08222838A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 厚銅回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222838A true JPH08222838A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12285010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2975995A Pending JPH08222838A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | 厚銅回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222838A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ｉｃカード及びその製造方法 |
| WO2002089540A1 (en) * | 2001-04-24 | 2002-11-07 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Printed circuit board, its manufacturing method, and csp manufacturing methdo |
| JP2002324957A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント回路板及びその製造方法 |
| US6958535B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive substrate and semiconductor module using the same |
| US20100044745A1 (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-25 | Takaaki Sakai | Optical semiconductor device module with power supply through uneven contacts |
| CN117769117A (zh) * | 2024-01-29 | 2024-03-26 | 珠海精路电子有限公司 | 一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺 |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP2975995A patent/JPH08222838A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ｉｃカード及びその製造方法 |
| US6958535B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal conductive substrate and semiconductor module using the same |
| WO2002089540A1 (en) * | 2001-04-24 | 2002-11-07 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Printed circuit board, its manufacturing method, and csp manufacturing methdo |
| JP2002324957A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント回路板及びその製造方法 |
| US20100044745A1 (en) * | 2008-07-28 | 2010-02-25 | Takaaki Sakai | Optical semiconductor device module with power supply through uneven contacts |
| US8212277B2 (en) | 2008-07-29 | 2012-07-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device module with power supply through uneven contacts |
| CN117769117A (zh) * | 2024-01-29 | 2024-03-26 | 珠海精路电子有限公司 | 一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺 |
| CN117769117B (zh) * | 2024-01-29 | 2024-10-01 | 珠海精路电子有限公司 | 一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺 |
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