JPH08288448A

JPH08288448A - リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH08288448A
Application number: JP7111108A
Authority: JP
Inventors: Junichi Yamada; 淳一山田; Tomoe Kami; 智江上; Masaru Sasaki; 賢佐々木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-04-13
Filing date: 1995-04-13
Publication date: 1996-11-01

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッ
ド（端子）数の増大化に伴う、インナーリード先端部の
小ピッチ化、微細化に対応できて、後工程にも対応でき
る強度をもつ、高精細なリードフレームであって、且
つ、アウターリードの曲げ加工等の工程を高精度で行え
るリードフレームと、該リードフレームを用いた半導体
装置を提供する。【構成】少なくともインナーリード先端部の板厚をア
ウターリードを含む他の部分の板厚より薄く形成した、
樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、アウ
ターリード部の表面側および／または裏面側にアウター
リードの方向にほぼ直交する方向に溝を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体素子の電極パッ
ド（端子）数の増大化に対応できる、樹脂封止型半導体
装置用リードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図８に示されるような構造であり、半導体装
置８０は、半導体素子を銅合金ないし４２％ニッケル−
鉄合金等からなるリードフレームに搭載した後に、樹脂
８５により封止してパッケージとしたもので、半導体素
子８１の電極パッド８６に対応できる数のインナーリー
ド８３を必要とするものである。そして、半導体素子８
１を搭載するダイパッド部８２や周囲の回路との電気的
接続を行うためのアウターリード部８４、アウターリー
ド部８４に一体となったインナーリード部８３、該イン
ナーリード部８３の先端部と半導体素子８１の電極パッ
ド８６とを電気的に接続するためのワイヤ８７、半導体
素子８１を封止して外界からの応力、汚染から守る樹脂
８５等からなっている。このようなリードフレームを利
用した樹脂封止型の半導体装置（プラスチックリードフ
レームパッケージ）においても、電子機器の軽薄短小化
の時流と半導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ
電極端子の増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導
体装置、特にＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａ
ｇｅ）及びＴＱＦＰ（ＴｈｉｎＱｕａｄＦｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくな
ってきた。

【０００３】上記の半導体装置に用いられるリードフレ
ーム（単層リードフレームと言う）は、一般には、図９
（ａ）に示すように、半導体素子を搭載するためのダイ
パッド９１、半導体素子とワイヤにて電気的に結線する
インナーリード９２、インナーリード９２に一体的に連
結し外部回路と電気的に接続するためのアウターリード
９３、樹脂封止の際の樹脂の漏れを防止するダムとなる
ダムバー９４とこれらを支持するフレーム（枠）部９５
等から成っており、図９（ｂ）に示すように、厚さはど
の部分でもほぼ同じであった。尚、図９（ｂ）は、図９
（ａ）におけるＣ１−Ｃ２における断面図である。この
リードフレームの作製には、エッチング加工法、プレス
加工法等が用いられていたが、半導体装置の多ピン化に
伴い、インナーリード部先端の微細化が進み、インナー
リード先端部が微細なものに対しては、プレスによる打
ち抜き加工によらず、当初はリードフレーム部材の板厚
が０．２５ｍｍ程度のものを用い、エッチング加工で対
応してきた。このエッチング加工方法の工程について以
下、図７に基づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金も
しくは４２％ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍ
ｍ程度の薄板（リードフレーム素材７１）を十分洗浄
（図７（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光材と
した水溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト５２を
該薄板の両表面に均一に塗布する。（（図７（ｂ））次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図７（ｃ））、レジストパ
ターン７３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応
じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液を、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材７
１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通さ
せる。（図７（ｄ））次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図７（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。

【０００４】しかし、エッチング加工方法においては、
エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向の他に板
幅（面）方向にも進むため、その微細化加工にも限度が
あるのが一般的で、図７に示すように、リードフレーム
素材の両面からエッチングするため、ラインアンドスペ
ース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、板厚の５
０〜１００％程度と言われている。又、リードフレーム
の後工程等のアウターリードの強度を考えた場合、一般
的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要とされて
いる。この為、ワイヤボンデイングのための平坦幅が少
なくとも７０〜８０μｍ必要であることより、図７に示
すようなエッチング加工方法の場合、リードフレームの
板厚を０．１５ｍｍ〜０．１２５ｍｍ程度まで薄くする
ことにより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナ
ーリード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。

【０００５】更に、近年、樹脂封止型半導体装置は、小
パッケージでは、電極端子であるインナーリードのピッ
チが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１５〜０．
１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてきた事と、
エッチング加工において、リード部材の板厚を薄くした
場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後工程に
おけるアウターリードの強度確保が難しいという点か
ら、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加工を
行う方法にも限界が出てきた。

【０００６】これに対応する方法として、アウターリー
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード先端部分をプレスにより薄くしてエッチング加工
を行う方法が提案されている。しかし、プレスにより薄
くしてエッチング加工をおこなう場合には、後工程にお
いての精度が不足する（例えば、めっきエリアの平滑
性）、ボンデイング、モールデイング時のクランプに必
要なインナーリードの平坦性、寸法精度が確保されな
い、製版工程が複雑になる、等問題点が多くある。ま
た、インナーリード先端部分を第一の製版にてハーフエ
ッチングして薄くした後に、ハーフエッチングされた部
分を更に第二の製版にてエッチングし外形加工を行う方
法も提案されているが、この方法の場合も、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があった。上記、いずれの方法も実用化には、未だ至
っていないのが現状である。

【０００７】このような状況のもと、本願発明者等によ
り、図４に示す、半導体素子の多端子化に対応できるリ
ードフレームの製造方法が提案された。このリードフレ
ームの製造方法により、少なくともインナーリード先端
部の板厚をアウターリードを含む他の部分の板厚より薄
く形成することにより、インナーリードの微細加工に対
応するとともに、アウターリードの強度を確保すること
ができるようになってきた。しかしながら、アウターリ
ードの多端子化、狭ピッチ化により、樹脂封止した後の
アウターリードの折り曲げ工程において発生するリード
スキューに対して益々高い精度が求められるようになっ
てきた。尚、アウターリードの位置ズレをリードスキュ
ー（ないしスキュー）と言うが、図６（ｃ）に示すよう
にアウターリード全体が一方向に傾く場合が一般的であ
るが、図６（ａ）に示すように、数本のみが位置ズレを
おこす場合もある。尚、図６（ａ）、図６（ｃ）におけ
るＳＫ１、ＳＫ２をリードスキュー量（ないしスキュー
量）と言っている。特に、ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（ＴｉｎｅＱｕａｄ
ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）においては、アウターリー
ドがパッケージ周辺４方向にあるため、アウターリード
の位置精度に対しては高い精度が要求される。また、実
装する際に回路基板と接する側の各アウターリード面の
平坦性をコープラナリティーと言うが、コープラナリテ
ィーのバラツキもアウターリードの折り曲げ工程におい
て発生するもので、依然として問題となっていた。図６
（ｂ）におけるＣＰは、コープラナリティーのバラツキ
が最大な箇所のバラツキ量を示している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、エッチン
グ加工にて作製される、インナーリード先端部の小ピッ
チ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも対応できる
高精細なリードフレームにおいて、樹脂封止した後のア
ウターリードの折り曲げ工程において、リードスキュー
量やコープラナリティーのバラツキ量をできるだけ少な
くすることが求められていた。本発明は、このような状
況のもと、半導体素子の微細化かつ電極パッド（端子）
数の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に対応し、イ
ンナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき
て、後工程にも対応できる強度をもつ、高精細なリード
フレームであって、樹脂封止した後のアウターリードの
折り曲げ工程において、リードスキュー量やコープラナ
リティーのバラツキ量を少なくすることができるリード
フレームを提供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウター
リードを含む他の部分の板厚より薄く形成した、樹脂封
止型半導体装置用リードフレームであって、アウターリ
ード部の表面側および／または裏面側にアウターリード
の方向にほぼ直交する方向に溝を設け、アウターリード
の折り曲げをし易くしていることを特徴とするものであ
る。そして、上記において、インナーリード先端部の断
面形状は、リードフレーム面に略平行する互いに対向す
る２辺と、これらの辺に挟まれてインナーリードの内側
へ凹んだ形状の２辺とを有する略方形であり、アウター
リードの断面形状は、リードフレーム面に略平行する互
いに対向する２辺と、これらの辺に挟まれてアウターリ
ードの外側に凸状となった形状を持つ２辺とを有する略
方形であることを特徴とするものである。また、本発明
の樹脂封止型半導体装置は、上記リードフレームを用い
たことを特徴とするものである。

【００１０】

【作用】本発明のリードフレームは、上記のような構成
にすることにより、半導素子の小型化（微細化）かつ電
極パッド（端子）の増大化に伴う、半導体装置の多端子
化への対応を可能としている。詳しくは、アウターリー
ド部の上面側および／または下面側にアウターリードの
方向にほぼ直交する方向に溝を設け、アウターリードの
折り曲げをし易くしていることにより、樹脂封止した後
のアウターリードの折り曲げ工程において、リードスキ
ュー量やコープラナリティーのバラツキ量を少なくする
ことができるようにしている。そして、インナーリード
先端部の断面形状は、リードフレーム面に略平行する互
いに対向する２辺と、これらの辺に挟まれてインナーリ
ードの内側へ凹んだ形状の２辺とを有する略方形である
ことにより、ワイヤボンデイング時の転びの発生の少な
いものとしており、アウターリードの断面形状が、リー
ドフレーム面に略平行する互いに対向する２辺と、これ
らの辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となった
形状を持つ２辺とを有する略方形であることにより、強
度的に強固なものとし、半導体装置作製のアセンブリ工
程や実装工程等の後工程に対応できるものとしている。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、本発明のリー
ドフレームを用いることにより、リードスキュー量やコ
ープラナリティーのバラツキ量の少ない半導体装置の提
供を可能とするものである。

【００１１】

【実施例】本発明のリードフレームの実施例を以下、図
にそって説明する。図１（ａ）は本実施例リードフレー
ムの概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２
における断面図、図１（ｄ）はインナーリード先端部断
面図、図１（ｅ）はアウターリード断面図である。図１
中、１０はリードフレーム、１１はダイパッド、１２は
インナーリード、１２Ａはインナーリード先端部、１２
ＡＳはボンデイング面、１３はアウターリード、１３
Ａ、１３Ｂは溝、１４はダムバー、１５はフレーム
（枠）部である。本実施例のリードフレームは、４２合
金（４２％ニッケル−鉄合金）からなり、図１（ｂ）に
示すように、インナーリード先端部の板厚ｔ₁は０．０
４ｍｍ、アウターリード他の板厚ｔ₀は０．１５ｍｍ
と、インナーリード先端部のみを薄肉に形成したもので
あり、且つ、アウターリード１３の表裏面に断面が略半
円形状の溝１３Ａ、１３Ｂを設けたものである。尚、イ
ンナーリードピッチは０．１３ｍｍであり、インナーリ
ード先端部１２Ａのワイヤボンデイング面１２ＡＳ側の
平坦幅Ｗ１は約８０μｍである。エッチング加工された
平坦面からなるワイヤボンデイング面１２ＡＳは、塩化
第二鉄水溶液腐食液により、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂ
ｅ^'の塩化第二鉄溶液を用いて、エッチング加工された
面であり、アラビのない面状態を呈しており、結線（ボ
ンデイング）に対し良い面状態である。

【００１２】本実施例のリードフレームは、上記のよう
に、インナーリード先端部の板厚をアウターリードを含
む他の部分の板厚より薄くしていることにより、半導体
素子の小型化（微細化）かつ電極パッド数の増大化に対
応した、インナーリードの多ピン化、狭ピッチ化に対応
できるものとしているアウターリード１３部は、板厚０．１５ｍｍで、インナ
ーリード先端部１２Ａの板厚０．０４ｍｍとは異なり厚
くなっており、且つ、断面形状は図２（ｂ）に示すよう
に、リードフレーム面に略平行する互いに対向する２辺
１２ａ、１２ｃと、これらの辺に挟まれてアウターリー
ドの外側に凸状となった形状を持つ２辺１２ｂ、１２ｄ
とを有すことにより、強度的に強固なものとし、半導体
装置作製のアセンブリ工程や実装工程等の後工程に対応
できるものとしている。

【００１３】また、アウターリード１３の表裏面に、断
面が略半円形の溝１３Ａ、１３Ｂを設けたことにより、
アウターリード部を樹脂封止後に折り曲げる際には、溝
１３Ａ、１３Ｂにおいて曲がり易くなり、アウターリー
ド部が折り曲がったガルウイング型の樹脂封止型半導体
装置において、スキュー量、コープラナリティーのバラ
ツキ量を少ないものとしている。尚、溝１３Ａ、１３Ｂ
の形状を本実施例においては、断面が半円形に限定され
る必要はない。折り曲げの際に、溝部にて曲がり易くす
るため、溝は折り曲げ角度以上の広がりを持つことが必
要である。

【００１４】また、インナーリード先端部１２Ａの断面
形状は図１（ｃ）に示すように、インナーリード面に略
平行の対向する２辺１２Ａａ、１２Ａｃとこれらに挟ま
れ、インナーリードの内側に凹んだ２辺１２Ａｂ、１２
Ａｄとを有しており、ワイヤボンデイングの際に転びが
発生しにくいものとしているが、図３に基づいて、さら
に、この点について説明する。本実施例リードフレーム
のインナーリード先端部１２Ａの断面形状は、図３
（イ）に示すようになっており、エッチング平坦面１２
Ａａ側の幅Ｗ１は反対側の面１２Ａｃの幅Ｗ２より大き
くくなっており、Ｗ１、Ｗ２（約８０μｍ）ともこの部
分の板厚さ方向の中央部における幅Ｗよりも大きくなっ
ている。このようにインナリーリード先端薄肉部の両面
は広くなった断面形状であるため、図３（ロ）に示すよ
うに、どちらの面を用いても半導体素子（図示せず）と
インナーリード先端部１２Ａａ、１２Ａｃと、それぞれ
金線等のワイヤ３１Ａ、３１Ｂによる結線（ボンデイン
グ）がし易すいものとなっているが、本実施例半導体装
置の場合、エッチング加工によるアラビのない平坦面１
２Ａａの方が、リードフレーム素材面である１２Ａｂよ
りも結線（ボンデイング）適性が優れるため、図３
（ロ）の（ａ）に示すように、辺１２Ａａ側をボンデイ
ング面１２ＡＳとした。尚、３２Ａ、３２Ｂは金メッキ
部であるが、銀メッキ部としても良い。図３（ハ）は図
７に示す加工方法にて作製された従来のリードフレーム
のインナーリード先端部３３と半導体素子（図示せず）
との結線（ボンデイング）を示すものであるが、この場
合もインナーリード先端部３３の両面は平坦ではある
が、この部分の板厚方向の幅に比べ大きくとれない。ま
た両面ともリードフレーム素材面である為、結線（ボン
デイング）適性は本実施例のエッチング平坦面より劣
る。図３（ニ）はプレスによりインナーリード先端部を
薄肉化した後にエッチング加工によりインナーリード先
端部３４を加工したものの、半導体素子（図示せず）と
の結線（ボンデイング）を示したものであるが、この場
合はプレス面側が図に示すように平坦になっていないた
め、どちらの面を用いて結線（ボンデイング）しても、
図３（ニ）の（ａ）、（ｂ）に示すように結線（ボンデ
イング）の際に安定性が悪く品質的にも問題となる場合
が多い。

【００１５】次いで、本実施リードフレームの製造方法
について図を用いて説明する。図４は、図１（ａ）に示
すリードフレームのＢ１−Ｂ２断面における、作製工程
に対応した図を示したものであり、図４中、４１はリー
ドフレーム素材、４２Ａ、４２Ｂはレジストパターン、
４３は第一開口部、４４は第二開口部、４５Ａは第一凹
部、４５Ｂは第二凹部、４６は平坦状面、４７はエッチ
ング抵抗層を示す。先ず、４２％ニッケル−鉄合金から
なり、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素材４１の
両面に、重クロム酸カリウムを添加した水溶性カゼイン
レジストを塗布した後、所定のパターン版を用いて、選
択的に露光し、現像処理等を経て、所定形状の開口部
１、開口部２をもつレジストパターン４２Ａ、４２Ｂを
形成した。（図４（ａ））レジストパターン４２Ａは、図５（ａ）に示すパターン
版を用い、レジストパターン４２Ｂは、図３（ｂ）に示
すパターン版を用いて、選択的にレジストを露光し、現
像処理等を経て所定の形状に形成した。第一開口部４３
は、後のエッチング加工においてリードフレーム素材４
１をこの第一開口部４３からベタ状に腐蝕するためのも
ので、レジストの第二開口部４４は、リードフレーム先
端部形状を形成するためのものである。第一開口部４３
は、少なくともインナーリード先端部領域を含むが、後
工程において、テーピングの工程や、ボンデイング時の
リードフレームを固定するクランプ工程で、ベタ状に腐
蝕され部分的に薄くなった部分との段差が邪魔になる場
合があるので、エッチングを行うエリアはインナーリー
ド先端の微細加工部分だけにせず大きめにとる必要があ
る。リードフレーム素材４１の両面に形成されたレジス
トパターン４２Ａ、４２Ｂを作製する為のフオトマスク
はそれぞれ所定形状のものを使用した。次いで、液温５
７°Ｃ、濃度４８Ｂｅ^'の塩化第二鉄溶液を用いて、ス
プレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ²にて、レジストパターンが
形成されたリードフレーム素材２１の両面をエッチング
し、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一凹部４５Ａの深
さｈがリードフレーム素材の厚さの１／３に達した時点
でエッチングを止めた。（図４（ｂ））エッチング後のベタ状（平坦状）に腐蝕された第一凹部
４５Ａの平坦状面４６の表面状態は、エッチングされて
いない面に比べ、アラビのない、平滑な面となった。
尚、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングした場合、液温
度５５°Ｃ以上、液濃度４７Ｂｅ^'以上、スプレー圧
２．０ｋｇ／ｃｍ²以上で腐蝕された表面はアラビのな
いものとなる。次いで、ベタ状（平坦状）に腐蝕された
第一凹部４５Ａ側面にエッチング抵抗層４７としての耐
エッチング性のあるホットメルト型ワックス（ザ・イン
クテック社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）を、ダ
イコータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕さ
れた第一凹部４５Ａに埋め込んだ。レジストパターン４
２Ａ上も該エッチング抵抗層４７に塗布された状態とな
った。（図４（ｃ））本実施例で使用したエッチング抵抗層４７は、上記のレ
ジストパターン４２Ａ上で膜厚さ１００μｍ程度で、ア
ルカリ溶解型のワックスであるが、基本的にエッチング
液に耐性があり、エッチング時にある程度の柔軟性のあ
るものが、好ましく、特に、上記ワックスに限定され
ず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエッチング
抵抗層４７をベタ状（平坦状）に腐蝕された第一凹部４
５Ａに埋め込むことにより、後工程でのエッチング時に
ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一凹部４５Ａの平坦状
面４６側面が腐蝕されないようにしているとともに、エ
ッチング加工に対しての機械的な強度補強をしており、
スプレー圧を高く（２．５〜７ｋｇ／ｃｍ²）とするこ
とができ、これによりエッチングが深さ方向に進行し易
すくなり、その断面形状も垂直に近づく。勿論エッチン
グ抵抗層４７はベタ状（平坦状）に腐蝕された第一凹部
４５Ａの平坦状面４６以外の同じリード面側の部分、例
えばアウターリード間の腐蝕も防ぐものである。この
後、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一凹部４５Ａ形成
面側とは反対の面側から第二凹部４５Ｂをさらにエッチ
ングし、第一凹部４５Ａ側まで貫通させインナーリード
先端部１２Ａを形成した。（図４（ｄ））次いで、洗浄、エッチング抵抗層４７の除去、レジスト
膜（レジストパターン４２Ａ、４２Ｂ）の除去を行い、
インナーリード先端部４２Ａが微細加工された図１に示
すリードフレーム１０を得た（図４（ｅ））エッチング抵抗層４７とレジスト膜（レジストパターン
４２Ａ、４２Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液によ
り溶解除去した。

【００１６】尚、本方法によるインナーリード先端部の
微細化加工は図４（ｂ）に示すベタ状（平坦状）に腐蝕
された凹部４５の深さｈ、言い換えればその部分の板厚
ｔに左右されるよるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍ
まで薄くすると、図３（イ）に示す平坦幅Ｗ１を１００
μｍとして、ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能
となり、板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ２
を７０μｍ程度とするとピッチｐが０．１２ｍｍ程度ま
で微細加工ができるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次
第ではピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能とな
る。

【００１７】尚、図１（ｂ）に示すアウターリード１３
部の表裏面の溝１３Ａ、溝１３Ｂは、それぞれ、図４に
示すリードフレームの製造工程において図５に示すパタ
ーン版を用いて選択露光し、現像処理等を経てレジスト
パターンを形成する際に、図５（ａ）に示すパターン版
の絵柄部５７、図５（ｂ）に示すパターン版の絵柄部５
８に対応したレジストの開口部からリードフレーム素材
４１を腐蝕して作成するもので、半円形のハーフエッチ
ング溝が作成される。また、上記、図４に示す、上記リ
ードフレームの製造方法によれば、インナーリード先端
部の断面形状を図１（ｃ）に示す形状に作製できるが、
アウターリードの断面形状についても、所定のパターン
を用いることにより、上記製造工程により、図１（ｄ）
に示す断面形状を得ることができる。

【００１８】次に、本発明の半導体装置の実施例を図を
用いて説明する。本実施例半導体装置は、図１に示す上
記実施例のリードフレームを用いたものである。図２
は、本実施例半導体装置の断面図である。図２中、２０
は半導体装置、２１は半導体素子、２１Ａは電極パッド
（端子部）、１１はダイパッド、１２はインナーリー
ド、１２Ａはインナーリード先端部、１２ＡＳはボンデ
ィング面、１３はアウターリード、１３Ａ、１３Ｂは溝
である。本実施例半導体装置は、図１に示すようにイン
ナーリード先端部がアウターリード部他の０．１５ｍｍ
ｍ厚に比べて薄肉（０．４ｍｍ厚）にできており、イン
ナーリードの多ピン化、狭ピッチ化に対応できるものと
しており、且つ、アウターリード部は後工程や実装工程
に耐える強度を確保している。そして、アウターリード
の曲げ加工がし易いように、表裏面の所定の位置に溝を
設けており、の曲げ加工の際のスキュー量、コープラナ
リティーのラツキ量の極めて少ない構造となっており、
実際にリードフレーム２０個について実施例半導体装置
を作成し、スキュー量、コープラナリティー量を測定し
てみたが、全て実用レベルであった。

【００１９】

【発明の効果】本発明は、上記のように、半導体素子の
小型化（微細化）かつ電極パッドの増大化に伴う半導体
装置の多端子化対応できる、樹脂封止型半導体装置の提
供を可能とするものである。詳しくは、半導体素子の小
型化（微細化）かつ電極パッドの増大化に対応した、多
ピン、狭ピッチの半導体装置作製のアセンブリ工程、実
装工程等の後工程にも耐える強度を持つリードフレーム
であって、樹脂封止した後のアウターリードの折り曲げ
工程において、リードスキュー量やコープラナリティー
のバラツキ量を少なくすることができるリードフレーム
の提供および該リードフレームを用いた樹脂封止型半導
体装置の提供を可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のリードフレームの概略図

【図２】実施例の半導体装置の断面図

【図３】本発明実施例のリードフレームの製造工程図

【図４】リードフレームの製造工程に使用したパターン
版の図

【図５】ワイヤボンデイング性を説明するための図

【図６】リードスキューやコープラナリティーを説明す
るための図

【図７】従来のリードフレームの製造方法の工程図

【図８】樹脂封止型半導体装置の断面図

【図９】従来のリードフレームの平面図

【符号の説明】

１０リードフレーム１１ダイパッド１２インナーリード１２Ａインナーリード先端部１２Ａａ、１２Ａｂ、１２Ａｃ、１２Ａｄ（インナー
リード先端部の）面１２ＡＳワイヤボンデイング面１３アウターリード１３Ａ、１３Ｂ溝１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄアウターリードの
面１４ダムバー１５フレーム（枠）部２０樹脂封止型半導体装置２１半導体素子２１Ａ電極パッド２５樹脂３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅワイヤ３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄ、３２Ｅ金メッ
キ部３３、３４インナーリード先端部３４Ａａ、３４Ａｃ（インナーリード先端部）
の面４１リードフレーム素材４２Ａ、４２Ｂフオトレジストパターン４３第一開口部４４第二開口部４５凹部４６平坦状面４７エッチング抵抗層６０半導体装置６２アウターリード６５樹脂部ＳＫ１、ＳＫ２スキュー量ＣＰコープラナリティーのバラ
ツキの最大量５１、５２パターン版５７、５８絵柄７１リードフレーム素材７２フオトレジスト７３フオトレジストパターン７４インナーリード８０樹脂封止型半導体装置８１半導体素子８２ダイパッド８３インナーリード８４アウターリード８５樹脂８６半導体素子電極部８７ワイヤ９０リードフレーム９１ダイパッド９２インナーリード９２Ａインナーリード先端部９３アウターリード９４ダムバー９５フレーム（枠）部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともインナーリード先端部の板厚
をアウターリードを含む他の部分の板厚より薄く形成し
た、樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、
アウターリード部の表面側および／または裏面側にアウ
ターリードの方向にほぼ直交する方向に溝を設け、アウ
ターリードの折り曲げをし易くしていることを特徴とす
るリードフレーム。
【請求項２】請求項１において、インナーリード先端
部の断面形状は、リードフレーム面に略平行する互いに
対向する２辺と、これらの辺に挟まれてインナーリード
の内側へ凹んだ形状の２辺とを有する略方形であり、ア
ウターリードの断面形状は、リードフレーム面に略平行
する互いに対向する２辺と、これらの辺に挟まれてアウ
ターリードの外側に凸状となった形状を持つ２辺とを有
する略方形であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】請求項１ないし２におけるリードフレー
ムを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。