JPH08288611A - サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フォトレジストに形成されたレジストパタ−
ンを利用してサーマルヘッドの発熱抵抗体を形成する工
程において、フォトレジストの下面に反射率の異なる複
数の膜が存在する場合でも、フォトレジストの露光に用
いるマスクパタ−ン形状の、現像後のフォトレジストパ
タ−ンへの反映度を均一にし、所望のマスクパタ−ン形
状を精度よく反映させた発熱抵抗体を簡易に形成する方
法を得る。 【構成】 発熱抵抗体の形成に際して、フォトレジスト
８の下面に存在するグレーズ層２またはグレーズ層２の
上部に形成された個別電極３および共通電極４のうち、
フォトレジスト８を露光する光に対して反射率が高いグ
レーズ層２の表面粗度を低下させる処理を行う、または
焼成時に必要な酸素量を減少させて焼成を行うことによ
って、両者の反射率を近い値に設定し、同一露光による
フォトレジスト８の吸収する光線量の差を減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上の一部に金
属膜を形成し、絶縁基板および金属膜上に同一のフォト
レジストを塗布し、このフォトレジストをパタ−ン露
光、現像することによって形成されるレジストパタ−ン
を利用して、パタ−ン導電膜を絶縁基板および金属膜上
に形成する方法に関し、特に、サーマルヘッドの発熱抵
抗体を均一な矩形状に形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ファクシミリやプリンタ装置等の
記録部に使用されている厚膜型サ−マルヘッドは、例え
ば図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、絶縁体基
板１上にさらに絶縁基板であるグレ−ズ層２を形成し、
その上部に金属膜からなる複数の個別電極３、共通電極
４を所定の間隔で交互に形成し、各共通電極４を共通電
極本体部６で接続し、個別電極３および共通電極４上の
一部を覆うように帯状の発熱抵抗体５′を形成し、さら
に全体を絶縁性のオ−バ−グレ−ズ層７で被覆して構成
されている。尚、図５（ａ）は、オ−バ−グレ−ズ層７
を省いた状態での厚膜型サ−マルヘッドの一部を示す平
面説明図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面説明
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ′断面説明図である。

【０００３】グレ−ズ層２は、発熱抵抗体５′で発生し
た熱が下面の絶縁体基板１側に放熱させない材料で構成
され、熱によって印字を行うサ−マルヘッドにおいては
不可欠な構成である。各個別電極３は、それぞれ図示し
ない駆動用ＩＣに接続されており、各共通電極４は、抵
抗値の小さい材料で強化された共通電極本体部６を介し
て図示しない電極に接続されて同一電位を保っている。
駆動用ＩＣから各個別電極３に信号が印加されると、１
つの個別電極３とその両側に配置される二つの共通電極
４との間が選択的に通電し、対応する発熱抵抗体５′の
領域（１ドットに相当）が発熱し、この発熱部に図示し
ない印字ロ−ラの押圧力により接触する感熱記録紙また
はインクフィルムを溶融させて印字を行うものである。

【０００４】この厚膜型サ−マルヘッドを用いて高品質
な画像を得るためには、各ドットサイズを均等にするた
め、発熱抵抗体５′を均一な矩形に形成させる必要があ
る。さらに、発熱抵抗体５′を副走査方向幅が従来の数
分の一になるよう形成し、１画素を副走査方向の複数の
ドットで構成し、画素内の複数のドットの面積の和によ
って階調を再現する副走査分割方式を採用して多階調数
の中間調記録を行うためには、発熱抵抗体５′の副走査
方向幅をより狭くして１画素を細分割する必要がある。
この場合、発熱抵抗体５′の抵抗値のばらつきによる印
字品質に与える影響がより深刻になるため、より高精度
で均一な矩形の発熱抵抗体５′を形成させる必要があ
る。

【０００５】次に、この厚膜型サ−マルヘッドの発熱抵
抗体５′の形成方法を、図６、図７を参照しながら説明
する。図６（ａ）、図７（ａ）は従来の厚膜型サーマル
ヘッドの製造工程を示す平面説明図であり、図６
（ｂ）、図７（ｂ）はそれぞれ図６（ａ）、図７（ａ）
のＡ−Ａ′断面説明図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＢ−
Ｂ′断面説明図である。

【０００６】先ず、図６（ａ）に示すように、絶縁体基
板１上にさらに絶縁基板のグレーズ層２を形成し、その
上部に個別電極３、共通電極４および共通電極本体部６
を金属膜で同時に形成した後、絶縁体基板１上に全体的
にフォトレジスト８を塗布する。次に、発熱抵抗体５′
を形成させる部分をマスクするマスクパタ−ン１１を用
いてフォトレジスト８を露光する。

【０００７】次に、このフォトレジスト８を現像し、図
７に示すように、フォトレジスト８に開口部１２′を形
成する。この開口部１２′は、マスクパタ−ン１１のよ
うな矩形にはならず、開口幅がグレ−ズ層２面上（図７
（ｃ））に比べて個別電極３および共通電極４上（図７
（ｂ））では広く開いてしまう。一般的に、フォトレジ
ストを露光する際に、その下面に存在する膜の表面粗度
が低い場合、フォトレジストのマスクされていない部分
を通過した光がその膜表面の凸凹に起因して乱反射し、
再びフォトレジストに侵入してマスクされるべきフォト
レジスト部をも露光するという現象が発生する。前述の
開口部１２′の形状が矩形でない理由は、表面粗度が低
く反射率の低い個別電極３や共通電極４の金属膜と、表
面粗度が高く反射率が高いグレーズ層２との反射率の差
が大きいため、表面粗度に起因する乱反射が一様に発生
しないからであると推測できる。次に、フォトレジスト
８の開口部１２′に発熱抵抗体ペ−ストを埋め込み、フ
ォトレジスト８の開口部１２′以外の余分な発熱抵抗体
ペ−ストを取り除いた後焼成して、図５（ａ）に示す様
に開口部１２′と同一形状の発熱抵抗体５′を得る。

【０００８】また、グレ−ズ層２の代わりにセラミック
ス層２′を使用した場合は、セラミックス層２′表面の
反射率は金属膜よりも低いので、逆に、開口幅が金属膜
上に比べてセラミックス層２′面上で広い形状の開口部
が形成される。

【０００９】このように、フォトレジスト８の開口部１
２′がマスクパタ−ン１１の形状を反映した形状に形成
されないため、その開口部１２′に形成される発熱抵抗
体５′も同様に開口部１２′の形状を反映してしまい、
所望の均一な矩形の発熱抵抗体が得られず、各ドットの
発熱部面積（抵抗値）にばらつきを生じ、高品質な画像
が得られないという問題点があった。特に、副走査分割
方式を採用して中間調記録を行う場合には、高階調数を
得る事が困難になり、またドットの形状が乱れて印字の
むらとなったり、線や図形が不鮮明になるという問題点
があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の問題点と類似の
ケ−スとして、従来、金属膜をパタ−ニングするため
に、金属膜上に直接フォトレジストを塗布し、所望のマ
スクパタ−ンを用いてレジストを露光、現像してレジス
トパタ−ンを形成し、このレジストパタ−ンをマスクと
してエッチング法により金属膜を選択的にエッチングし
て配線パタ−ンを形成する場合に、金属膜表面における
乱反射によりフォトレジストに転写されるパタ−ンがマ
スクパタ−ンに比べ歪んだものとなるため、この歪みが
金属膜にも反映され、金属膜のパタ−ニングの精度、信
頼性を低下させるばかりではなく、製品の歩留まりを低
下させるということがあった。

【００１１】この問題点の解決策として、従来開示され
ている方法について以下に説明する。図８は、特開平３
−３５２３９号公報に開示される金属膜のパタ−ニング
工程の断面説明図である。この方法によれば、金属膜２
３とフォトレジスト２５の間に反射防止膜２４を形成す
ることにより、フォトレジスト２５を露光する際にフォ
トレジスト２５を通過した光線が反射防止膜２４中で弱
められ、金属膜２３表面における乱反射を抑制するとい
うものである。しかしこの方法によれば、反射防止膜２
４を新たに塗布、乾燥するので工程の複雑化を招くとい
う問題点があった

【００１２】図９は、特開平５−２１１３８２号公報に
開示されている厚膜配線基板の製造方法の断面説明図で
ある。この方法によれば、金属膜２３′とフォトレジス
ト膜２５′の間に、特定の光線の吸収波長領域を有する
色素をド−プした色素ド−プフォトレジスト２４′を形
成することにより、フォトレジスト２５′を露光する際
にフォトレジスト２５′を通過した光線が色素ド−プフ
ォトレジスト２４′中で吸収され、金属膜２３′表面に
おける乱反射を防止するというものである。しかし、色
素の吸収できる光線の波長領域の範囲が短く、使用する
波長に合った色素を選択して用いなければならないので
応用性に乏しい。また、フォトレジスト中に色素をド−
プしても、光線の反射を十分に吸収できず、乱反射が大
きくフォトレジスト２５′のパタ−ンを乱してしまった
り、フォトレジスト２５′現像時に色素ド−プフォトレ
ジスト２４′が溶けだし易く、レジストパタ−ンの信頼
性が低いという問題点があった。

【００１３】また、いずれの方法も金属膜上の光の乱反
射を防止するというもので、上記の厚膜型サ−マルヘッ
ドの発熱抵抗体５′形成時の問題点のような、異なる複
数の膜上に同時にパタ−ンを形成する際の問題点は検討
されていない。

【００１４】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、フォトレジストに形成されたフォトレジストパタ−
ンを利用して発熱抵抗体を形成するサーマルヘッドの製
造方法において、フォトレジストの下面に反射率の異な
る複数の膜が存在する場合でも、フォトレジストの露光
に用いるマスクパタ−ン形状の、現像後のフォトレジス
トパタ−ンへの反映度を均一にし、所望のマスクパタ−
ン形状を精度よく反映させた発熱抵抗体を簡易に形成す
る方法を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１の発明は、サーマルヘッドの形成に際して、次
のような各工程を備えることを特徴としている。第１の
工程として、絶縁基板上の一部の範囲（領域Ａ）に対し
て表面粗度を低下させる処理を施す。第２の工程とし
て、前記絶縁基板上の前記領域Ａの一部の範囲に前記絶
縁基板よりも反射率の低い金属膜を形成する。第３の工
程として、前記絶縁基板上の全体を覆うようにフォトレ
ジストを塗布する。第４の工程として、前記絶縁基板お
よび金属膜のそれぞれ一部を覆い、かつ、前記領域Ａよ
りも狭い領域を覆うマスクパタ−ン（または、これを反
転させたマスクパタ−ン）を用いて前記フォトレジスト
を露光する。第５の工程として、前記フォトレジストを
現像して開口部を形成する。第６の工程として、前記フ
ォトレジストに形成された開口部に発熱抵抗体を埋め込
む。

【００１６】請求項２の発明は、サーマルヘッドの形成
に際して、次のような各工程を備えることを特徴として
いる。第１の工程として、絶縁基板上の一部の範囲に前
記絶縁基板よりも反射率の高い金属膜を形成する。第２
の工程として、前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一
部を覆う領域（領域Ｂ）に対して表面粗度を低下させる
処理を施す。第３の工程として、前記絶縁基板上の全体
を覆うようにフォトレジストを塗布する。第４の工程と
して、前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一部を覆
い、かつ、前記領域Ｂよりも狭い領域を覆うマスクパタ
−ン（または、これを反転させたマスクパタ−ン）を用
いて前記フォトレジストを露光する。第５の工程とし
て、前記フォトレジストを現像して開口部を形成する。
第６の工程として、前記フォトレジストに形成された開
口部に発熱抵抗体を埋め込む。

【００１７】請求項３の発明は、サーマルヘッドの形成
に際して、次のような各工程を備えることを特徴として
いる。第１の工程として、絶縁基板を焼成する際に使用
する酸素量を減少させて焼成する。第２の工程として、
前記絶縁基板上の一部の範囲に前記絶縁基板よりも反射
率の低い金属膜を形成する。第３の工程として、前記絶
縁基板上の全体を覆うようにフォトレジストを塗布す
る。第４の工程として、前記絶縁基板および金属膜のそ
れぞれ一部を覆うマスクパタ−ン（または、これを反転
させたマスクパタ−ン）を用いて前記フォトレジストを
露光する。第５の工程として、前記フォトレジストを現
像して開口部を形成する。第６の工程として、前記フォ
トレジストに形成された開口部に発熱抵抗体を埋め込
む。

【００１８】請求項４の発明は、サーマルヘッドの形成
に際して、次のような各工程を備えることを特徴として
いる。第１の工程として、絶縁基板上の一部の範囲に前
記絶縁基板よりも反射率の高い金属膜を形成する。第２
の工程として、前記金属膜を焼成する際に使用する酸素
量を減少させて焼成する。第３の工程として、前記絶縁
基板上の全体を覆うようにフォトレジストを塗布する。
第４の工程として、前記絶縁基板および金属膜のそれぞ
れ一部を覆うマスクパタ−ン（または、これを反転させ
たマスクパタ−ン）を用いて前記フォトレジストを露光
する。第５の工程として、前記フォトレジストを現像し
て開口部を形成する。第６の工程として、前記フォトレ
ジストに形成された開口部に発熱抵抗体を埋め込む。

【００１９】

【作用】本発明によれば、フォトレジストの下面に存在
する絶縁基板または絶縁基板の上部に形成された金属膜
のうち、フォトレジストを露光する光に対して反射率が
高い方の表面粗度を低下させることによって、両者の反
射率を近い値に設定することができ、フォトレジストを
介して同一の露光を行ったときの光の反射を同等にし、
絶縁基板上と金属膜上におけるマスクパタ−ンの開口部
への反映度を同等にすることができる。

【００２０】また、絶縁基板または絶縁基板の上部に形
成された金属膜のうち、フォトレジストを露光する光に
対して反射率が高い方の焼成時に必要な酸素量を減少さ
せて焼成を行うことによって、両者の反射率を近い値に
設定することができ、フォトレジストを介して同一の露
光を行ったときの光の反射を同等にし、絶縁基板上と金
属膜上におけるマスクパタ−ンの開口部への反映度を同
等にすることができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係る厚膜型サ−マルヘッドの
一実施例について、図１を参照しながら説明する。図１
は厚膜型サ−マルヘッドの一部分の説明図であり、
（ａ）はオ−バ−グレ−ズ層７を除いた構成の平面説明
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面説明図であり、図５
と同一の構成をとる部分については同一符号を付してあ
る。

【００２２】厚膜型サ−マルヘッドは、絶縁体基板１上
にさらに絶縁基板であるグレ−ズ層２を形成し、その上
部に複数の個別電極３及び共通電極４を所定の間隔で交
互に形成し、各共通電極４を共通電極本体部６で接続
し、個別電極３および共通電極４上の一部を覆うように
帯状の発熱抵抗体５を形成し、さらに全体を絶縁性のオ
−バ−グレ−ズ層７で被覆して構成されている。

【００２３】各個別電極３は、それぞれ図示しない駆動
用ＩＣに接続されており、個別に信号が印加されるよう
になっている。また、各共通電極４は、共通電極本体部
６にそれぞれ接続されており、この共通電極本体部６を
介して図示しない電極に接続されて同一電位を保ってい
る。共通電極本体部６は、電圧降下を抑えるため抵抗値
の小さい材料で強化されている。従って、発熱抵抗体５
は、その下面において、所定の間隔で交互に配置される
複数の個別電極３および共通電極４とそれぞれ接続され
ており、駆動用ＩＣから各個別電極３に信号が印加され
ると、１つの個別電極３とその両側に配置される二つの
共通電極４との間が選択的に通電し、対応する領域の発
熱抵抗体５が発熱部（１ドットに相当）となって発熱
し、この発熱部に図示しない印字ロ−ラの押圧力により
接触する感熱記録紙またはインクフィルムを溶融させて
印字を行うものである。

【００２４】次に、本発明の一実施例に係る厚膜型サ−
マルヘッドの発熱抵抗体の形成方法について図１ないし
図４を参照しながら説明する。図２（ａ）、図３（ａ）
および図４（ａ）は、本発明の厚膜型サーマルヘッドの
製造工程の平面説明図であり、図２（ｂ）、図３（ｂ）
および図４（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）、図３（ａ）お
よび図４（ａ）のＡ−Ａ′断面説明図、図４（ｃ）は図
４（ａ）のＢ−Ｂ′断面説明図である。

【００２５】先ず、図２に示す様に、絶縁体基板１を用
意し、この上部にさらに絶縁基板であるグレ−ズ層２を
積層し焼成する。このグレ−ズ層２の上部に形成する個
別電極３および共通電極４としてはメタロ金膜を用いる
が、このメタロ金膜はグレ−ズ層２と比較して表面粗度
が低く光線の反射率が低いので、個別電極３および共通
電極４を形成する前に、反射率の高いグレ−ズ層２表面
上の領域１０の範囲をラッピングして荒らし、表面粗度
を低下させる。図において領域１０は、後に発熱抵抗体
５を形成する範囲である領域９よりも広い範囲で行う。
ラッピング処理を行う以前のグレ−ズ層２表面の反射率
は９０％以上あるが、ラッピングの量を増やすことで４
０％以下まで低下させることができる。

【００２６】一方、個別電極３および共通電極４の金属
膜の反射率は、メタロ金膜の積層数１層で５０％程度、
３層で１０％程度である。メタロ金膜の積層数の増加と
共に光線の反射率は低下していくが、３層以上では光線
の反射率の差異はほとんどなく、積層数が増えても光線
の反射率は変化しない。またメタロ金ペ−ストの金の含
有量にもよるが、３層以上積層することはほとんどない
ので、個別電極３および共通電極４の金属膜の反射率は
１０〜５０％である。従って、グレ−ズ層２表面のラッ
ピングの量を変化させれば、グレ−ズ層２の反射率を個
別電極３や共通電極４の反射率と同等にすることができ
る。例えばグレ−ズ層２の反射率を４０％まで下げた場
合、光線の反射率の差は最大でも３０％である。｜Ｒｇ
−Ｒｍ｜≦３０％（Ｒｇ：グレ−ズ層２の反射率、Ｒ
ｍ：個別電極３と共通電極４などの金属膜、金属化合物
膜および導電膜の反射率）であれば、フォトレジストを
介してグレ−ズ層２面と金属膜面に同一の露光を行った
ときの光の反射がほぼ同等になり、フォトレジスト８に
吸収される光線の量もほぼ同等にできるので、グレ−ズ
層２上と金属膜上においてマスクパタ−ン１１をほぼ反
映したフォトレジスト８の開口部１２を形成することが
できる。

【００２７】次に、図３に示す様に、個別電極３、共通
電極４および共通電極本体部６を形成した後、フォトレ
ジスト８を絶縁体基板１上の全体に塗布する。次に、発
熱抵抗体５を形成する部分をマスクするマスクパタ−ン
１１をフォトレジスト８の上部にセットし、上部の図示
しない露光手段よりフォトレジスト８を露光する。この
時、グレ−ズ層２面と金属膜面の反射率の差は３０％以
内であったので、両者の表面上での光の反射状況はほぼ
同等で、フォトレジストに吸収される光線の量もほぼ同
等であった。

【００２８】次に、図４に示す様に、フォトレジスト８
を現像して、開口部１２を形成した。上記の方法で形成
したフォトレジスト８の開口部１２は、グレ−ズ層２上
と個別電極３および共通電極４の金属膜上において、そ
の開口幅の差が、０．５μｍ以下であり、精度の良い矩
形の開口部１２が形成できた。次に、図１に示す様に、
フォトレジスト８の開口部１２に発熱抵抗体ペ−ストを
埋め込み、開口部１２以外の余分な発熱抵抗体ペ−スト
を取り除いた後焼成し、発熱抵抗体５を形成した。この
発熱抵抗体５は、精度のよい矩形の開口部１２の形状を
反映しているため、同様に精度のよい矩形の形状とな
る。

【００２９】従って、本実施例により作製された厚膜型
サ−マルヘッドにおいては、各ドット間の発熱面積のば
らつきが抑制されるので、ドット形状が安定して印字ム
ラが減少し、線や図形が鮮明になり、高画質化が可能と
なる。特に、副走査分割方式を用いて中間調記録を行う
場合、発熱抵抗体の副走査幅を細分化しても各ドットの
サイズが均一になるので、高階調記録を行うことができ
る。

【００３０】ラッピング以外でグレ−ズ層２の表面粗度
を低下させる方法としては、ライトエッチング、ブラス
ト、ポリシング等がある。ライトエッチングは、グレ−
ズ層２をフッ酸やフッ酸を含む酸に浸して表面粗度を低
下させる方法である。ライトエッチングは、個別電極３
と共通電極４を形成する前に行えば、用いる金属膜、金
属化合物膜および導電膜が制限されない。例えば、金、
銀、銅、ニッケル、クロムやＩＴＯ（インジュウムチン
オキサイド）などの透明導電膜などを電極として使用す
ることができる。

【００３１】また、ブラスト方法は、サンドブラスト、
ショットブラスト、グリットブラスト、ウエットブラス
ト等がある。ブラスト方法とは、堅い粒子を高圧で金属
表面に吹きつけて、スケ−ル、さび、塗膜などを除去
し、清浄するものであるが、グレ−ズ層２の表面粗度を
低下させるためには、ブラストに用いる粒子の硬度と吹
きつけ圧を、その相互関係で選定する。ブラストに用い
る粒子は、グレ−ズ層２より高い硬度で、硬度差の少な
い粒子が好ましく、また、低圧で吹きつけた方が反射率
が緩やかに低下する。

【００３２】本発明の個別電極３および共通電極４とし
ては、メタロ金膜に限らず他の金属膜、金属化合物膜お
よび導電膜を用いてもよい。また、個別電極３および共
通電極４の材料として、アルミニウム膜や白金膜を使用
した場合には、アルミニウム膜や白金膜は反射率が９５
％以上であり、金属膜の方がグレ−ズ層２（反射率９０
％以上）よりも反射率が高くなっており、グレーズ層２
の表面粗度を低下させる処理を施さなくても、光線の反
射率の差が小さいので、フォトレジスト８の開口形状に
影響を及ぼさない。

【００３３】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。先ず、絶縁体基板１を用意し、この上部にさらに
絶縁基板のセラミックス層２′を形成し、さらにその上
部に複数の個別電極３と共通電極４を交互に形成し、同
時に各共通電極４を接続するように共通電極本体部６を
形成し、電圧降下を抑えるために抵抗値の小さい材料で
強化する。セラミックス層２′面の反射率は５〜１０％
である。個別電極３や共通電極４の金属膜は、メタロ金
膜を用いた場合、上述した様に反射率１０〜５０％なの
で、本実施例においては、反射率の高い個別電極３や共
通電極４の表面粗度を低下させる。

【００３４】次に、発熱抵抗体を形成するよりも広い領
域１０の範囲を、個別電極３や共通電極４を断線させな
いようにセラミックス層２′面と一緒にラッピングして
荒らし、表面粗度を低下させる。セラミックス層２′面
はラッピングを行っても反射率が殆ど変わらない。個別
電極３や共通電極４としてメタロ金膜を用いた場合、積
層数３層以上ではセラミックス層２′面と反射率が同程
度あり、メタロ金膜積層数１層では５０％程度である
が、ラッピング処理によって３５％以下まで低下させる
ことができる。｜Ｒｍ−Ｒｃ｜≦３０％（Ｒｍ：個別電
極３と共通電極４などの金属膜、金属化合物膜および導
電膜の反射率、Ｒｃ：セラミックス層２′面の反射率）
であれば、フォトレジスト８を介してセラミックス層
２′面と金属膜面に同一の露光を行ったときの光の反射
がほぼ同等になり、フォトレジスト８に吸収される光線
の量もほぼ同等にできるので、セラミックス層２′上と
金属膜上においてマスクパタ−ン１１をほぼ反映したフ
ォトレジスト８の開口部１２を形成することができる。
以下実施例１と同様に、フォトレジスト８を露光、現像
し、フォトレジスト８に形成された開口部１２に発熱抵
抗体ペ−ストを埋め込み、精度のよい矩形形状の発熱抵
抗体５を得ることができる。

【００３５】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。絶縁体基板１上に、さらに絶縁基板のグレ−ズを
積層し、グレ−ズの反射率は個別電極３と共通電極４な
どの金属膜の反射率よりも高いので、グレ−ズの焼成に
必要な酸素量の１０％以下の酸素量で焼成を行いグレ−
ズ層２を形成する。この様に酸素量を減少させて焼成を
行うと、ラッピングを行ったときと同様に、グレ−ズ層
２の反射率を４０％以下まで低下させることができ、個
別電極３や共通電極４としてメタロ金膜を使用した場
合、反射率の差は最大でも３０％となる。以下、実施例
１と同様に、フォトレジスト８を露光、現像し、フォト
レジスト８に形成された開口部１２に発熱抵抗体ペ−ス
トを埋め込み、精度のよい矩形形状の発熱抵抗体５を得
ることができる。尚、グレ−ズ層２を形成後、個別電極
３や共通電極４として金属膜や金属化合物膜および導電
膜の各種材料を十分な酸素量で焼成しても、グレ−ズ層
２の焼成温度の方が高いので、グレ−ズ層２は酸素量の
影響を受けず反射率は変動しない。

【００３６】また、個別電極３および共通電極４の材料
として、アルミニウム膜や白金膜を使用した場合には、
アルミニウム膜や白金膜は反射率が９５％以上であり、
金属膜の方がグレ−ズ層２（反射率９０％以上）よりも
反射率が高くなっており、グレーズ層２の焼成の際に酸
素量を減少させなくても、光線の反射率の差が小さいの
で、フォトレジスト８の開口形状に影響を及ぼさない。

【００３７】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。絶縁体基板１上に、さらに絶縁基板のセラミック
ス層２′を積層し、さらにこの上部に個別電極３や共通
電極４の金属膜を着膜する。この金属膜の反射率はセラ
ミックス層２′の反射率よりも高いので、個別電極３や
共通電極４の金属膜を焼成する際に必要な酸素量の１０
％以下の酸素量で焼成を行う。この様に酸素量を減少さ
せて焼成を行うと、ラッピングを行ったときと同様に、
個別電極３や共通電極４の反射率を３５％以下に低下さ
せることができ、個別電極３や共通電極４としてメタロ
金膜を使用した場合、セラミックス層２′の反射率との
差は最大でも３０％となる。以下、実施例２と同様に、
フォトレジスト８を露光、現像し、フォトレジスト８に
形成された開口部１２に発熱抵抗体ペ−ストを埋め込
み、精度のよい矩形形状の発熱抵抗体５を得ることがで
きる。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、フォトレジストの下面
に存在する絶縁基板または絶縁基板の上部に形成された
金属膜のうち、フォトレジストを露光する光に対して反
射率が高い方の表面粗度を低下させる処理を行う、また
は、反射率が高い方の焼成時に必要な酸素量を減少させ
て焼成を行うことによって、両者の反射率を近い値に設
定することができ、フォトレジストを介して両者の上部
に同一の露光を行ったときのフォトレジストに吸収され
る光線量の差を減少させ、絶縁基板上と金属膜上におい
てマスクパタ−ン形状を均一に反映した開口部を形成す
ることができる。従って、このフォトレジストの開口部
を使用することによって、マスクパタ−ンを高精度で反
映した形状の発熱抵抗体を簡易に形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る厚膜型サ−マルヘッド
の一部を示す説明図であり、（ａ）は平面説明図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面説明図である。

【図２】本発明の一実施例に係る厚膜型サ−マルヘッド
の製造工程を示す説明図であり、（ａ）は平面説明図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面説明図である。

【図３】本発明の一実施例に係る厚膜型サ−マルヘッド
の製造工程を示す説明図であり、（ａ）は平面説明図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面説明図である。

【図４】本発明の一実施例に係る厚膜型サ−マルヘッド
の製造工程を示す説明図であり、（ａ）は平面説明図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面説明図、（ｃ）は（ａ）
のＢ−Ｂ′断面説明図である。

【図５】従来の厚膜型サ−マルヘッドの一部を示す説明
図であり、（ａ）は平面説明図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′断面説明図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ′断面説明図
である。

【図６】従来の厚膜型サ−マルヘッドの製造工程を示す
説明図であり、（ａ）は平面説明図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ′断面説明図である。

【図７】従来の厚膜型サ−マルヘッドの製造工程を示す
説明図であり、（ａ）は平面説明図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ′断面説明図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ′断面説
明図である。

【図８】従来の金属膜のパタ−ニング工程の断面説明図
である。

【図９】従来の厚膜配線基板の製造方法の断面説明図で
ある。

【符号の説明】

１…絶縁体基板、 ２…グレ−ズ層、 ３…個別電極、
４…共通電極、 ５…発熱抵抗体、 ６…共通電極本
体部、 ７…オ−バ−グレ−ズ層、 ８…フォトレジス
ト、 ９…発熱抵抗体形成領域、 １０…表面粗度低下
領域、 １１…マスクパタ−ン、 １２…開口部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上の一部の範囲（領域Ａ）に対し
   て表面粗度を低下させる処理を施す工程と、 前記絶縁基板上の前記領域Ａの一部の範囲に前記絶縁基
   板よりも反射率の低い金属膜を形成する工程と、 前記絶縁基板上の全体を覆うようにフォトレジストを塗
   布する工程と、 前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一部を覆い、か
   つ、前記領域Ａよりも狭い領域を覆うマスクパタ−ン
   （または、これを反転させたマスクパタ−ン）を用いて
   前記フォトレジストを露光する工程と、 前記フォトレジストを現像して開口部を形成する工程
   と、 前記フォトレジストに形成された開口部に発熱抵抗体を
   埋め込む工程と、を具備することを特徴とするサーマル
   ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】絶縁基板上の一部の範囲に前記絶縁基板よ
   りも反射率の高い金属膜を形成する工程と、 前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一部を覆う領域
   （領域Ｂ）に対して表面粗度を低下させる処理を施す工
   程と、 前記絶縁基板上の全体を覆うようにフォトレジストを塗
   布する工程と、 前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一部を覆い、か
   つ、前記領域Ｂよりも狭い領域を覆うマスクパタ−ン
   （または、これを反転させたマスクパタ−ン）を用いて
   前記フォトレジストを露光する工程と、 前記フォトレジストを現像して開口部を形成する工程
   と、 前記フォトレジストに形成された開口部に発熱抵抗体を
   埋め込む工程と、を具備することを特徴とするサーマル
   ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】絶縁基板を焼成する際に使用する酸素量を
   減少させて焼成する工程と、 前記絶縁基板上の一部の範囲に前記絶縁基板よりも反射
   率の低い金属膜を形成する工程と、 前記絶縁基板上の全体を覆うようにフォトレジストを塗
   布する工程と、 前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一部を覆うマスク
   パタ−ン（または、これを反転させたマスクパタ−ン）
   を用いて前記フォトレジストを露光する工程と、 前記フォトレジストを現像して開口部を形成する工程
   と、 前記フォトレジストに形成された開口部に発熱抵抗体を
   埋め込む工程と、を具備することを特徴とするサーマル
   ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】絶縁基板上の一部の範囲に前記絶縁基板よ
   りも反射率の高い金属膜を形成する工程と、 前記金属膜を焼成する際に使用する酸素量を減少させて
   焼成する工程と、 前記絶縁基板上の全体を覆うようにフォトレジストを塗
   布する工程と、 前記絶縁基板および金属膜のそれぞれ一部を覆うマスク
   パタ−ン（または、これを反転させたマスクパタ−ン）
   を用いて前記フォトレジストを露光する工程と、 前記フォトレジストを現像して開口部を形成する工程
   と、 前記フォトレジストに形成された開口部に発熱抵抗体を
   埋め込む工程と、を具備することを特徴とするサーマル
   ヘッドの製造方法。