JPH08325091A - 半導体液相エピタキシャル装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、成長室内での水平方向，垂直方向
の成長膜厚，組成比及び不純物濃度を均一に保つことの
できる半導体液相エピタキシャル装置を提供する。 【構成】 結晶原料の融液２３を貯溜する融液溜２４が
形成された上部部材２５と、基板２６を収納する成長室
２１が形成された成長用ボート２２とを備え、一定温度
に昇温された電気炉内で、前記融液溜２４内に貯溜され
ている融液２３を前記成長室２１内に落下させ、その後
降温して基板２６表面に結晶を成長させる半導体液相エ
ピタキシャル装置において、前記成長室２１の四方側壁
に隣接して第１溶媒槽２７が形成され、前記成長室２１
の底面に隣接して第２溶媒層２８ａが形成され、前記融
液溜２４の四方側壁に隣接して第２溶媒槽２８ｂが形成
されてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特にIII−Ｖ族化合物
半導体の液相エピタキシャル装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体液相エピタキシャル装置で
は、成長用ボートの形成にグラファイトを使用し、その
形状は、成長室に単一の基板を横置きにセットする基板
横置き型及び複数の基板が縦置きにセット可能な基板縦
置き型が一般に知られている。 このような従来の半導体液相エピタキシャル装置の構造
を図６及び図７に従って説明する。図６は従来の基板横
置き型半導体液相エピタキシャル装置を示し、図７は従
来の基板縦置き型半導体液相エピタキシャル装置を示
す。

【０００３】まず、従来の基板横置き型半導体液相エピ
タキシャル装置（以下、「第１エピタキシャル装置」と
称す。）について、以下図６にしたがって説明する。
（ａ）は結晶成長開始前の状態を示す図であり、（ｂ）
は結晶成長時の状態を示す図である。

【０００４】該第１エピタキシャル装置は、成長室１が
形成された成長用ボート２を備え、この成長用ボート２
の上部に、結晶原料の融液３を貯溜する融液溜４が形成
された上部部材５が一定方向（図の左右方向）に往復移
動可能に配置された構造となっている。これらの系は、
図示しない電気炉内の石英管に収納され、温度制御され
るようになっている。

【０００５】前記成長用ボート２の成長室１内には、結
晶成長時に単一の基板６が配置されるようになってい
る。

【０００６】前記上部部材５には、その一端部に操作棒
（図示せず）が形成されており、この操作棒の操作によ
り、上部部材５を水平方向に移動させるようになってい
る。 前記上部部材５に形成された融液溜４は角柱に形成さ
れ、該融液溜４は結晶成長開始前の状態＜図６（ａ）に
示す状態＞で、成長用ボート２の上面によって閉塞され
た状態となっている。そして、上部部材５を図６（ｂ）
に示す位置まで移動させると、融液溜４と成長室１とが
連通することから、この時点で融液溜５内の溶融液３が
成長室１内に落下して、結晶成長が行われるようになっ
ている。

【０００７】次に、上記構成の第１エピタキシャル装置
による結晶成長の手順について、ＧａＡｌＡｓの結晶成
長を例にあげて説明する。

【０００８】結晶成長開始前では、上部部材５の位置は
図６（ａ）に示す位置となっている。この状態におい
て、上部部材５の融液溜４に成長させる結晶原料（Ｇ
ａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ドーパント等）を収容し、
これらの系をＨ₂ 雰囲気中で特定の温度（摂氏９００〜
１０００度）まで昇温し、融液溜４に収容した結晶原料
を十分に溶融する。

【０００９】次に、操作棒によって上部部材５を図６
（ｂ）に示す状態まで移動させ、融液溜４内の融液（Ｇ
ａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ドーパント等の混合融液）
３を成長室１内へ落下させ、この後降温してＧａＡｌＡ
ｓの結晶を基板６の表面に成長させるものである。

【００１０】続いて、従来の基板縦置き型半導体液相エ
ピタキシャル装置（以下、「第２エピタキシャル装置」
と称す。）について、以下図７にしたがって説明する。
（ａ）は結晶成長開始前の状態を示す図であり、（ｂ）
は結晶成長時の状態を示す図である。

【００１１】該第２エピタキシャル装置は、全体を支持
する基台となる底板１１の上に、成長室１２が形成され
た成長用ボート１３が一定方向（図の左右方向）に往復
移動可能に設けられ、この成長用ボート１３の上部に、
結晶原料の融液１４を貯溜する融液溜１５が形成された
上部部材１６が配置された構造となっている。これらの
系は、図示しない電気炉内の石英管に収納され、温度制
御されるようになっている。

【００１２】成長用ボート１３には、その一端部に操作
棒（図示せず）が形成されており、この操作棒の操作に
より、成長用ボート１３を水平方向に移動させるように
なっている。また、成長用ボート１３の成長室１２内に
は、移動方向に一定の間隔を存じて基板支持用板１７が
配置されており、結晶成長時にはこの基板支持用板１７
のそれぞれの両側面に、基板１８が縦置き支持されるよ
うになっている。

【００１３】上部部材１６に形成された融液溜１５に
は、融液落下口１９が形成されている。該融液落下口１
９は、結晶成長開始前の状態＜図７（ａ）に示す状態＞
で、成長用ボート１３の上面によって閉塞された状態と
なっている。そして、成長用ボート１３を図７（ｂ）に
示す位置まで移動させると、融液落下口１９と成長室１
２とが連通することから、この時点で融液溜１５内の溶
融液１４が成長室１２内に落下して、結晶成長が行われ
るようになっている。

【００１４】次に、上記構成の第２エピタキシャル装置
による結晶成長の手順について、ＧａＡｌＡｓの結晶成
長を例にあげて説明する。

【００１５】結晶成長開始前では、成長用ボート１３の
位置は図７（ａ）に示す位置となっている。この状態に
おいて、上部部材１６の融液溜１５に成長させる結晶原
料（Ｇａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ドーパント等）を収
容し、これらの系をＨ₂ 雰囲気中で特定の温度（摂氏９
００〜１０００度）まで昇温し、融液溜１５に収容した
結晶原料を十分に溶融する。

【００１６】次に、操作棒によって成長用ボート１３を
図７（ｂ）に示す状態まで移動させ、融液溜１５内の融
液（Ｇａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ドーパント等の混合
融液）１４を融液落下口１９から成長室１２内へ落下さ
せ、この後降温してＧａＡｌＡｓの結晶を基板１８の表
面に成長させるものである。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のエピタキシャル装置により結晶成長を行った
場合、成長を終えたウエハーに成長膜厚や組成比，不純
物濃度のバラツキか生じる。特に結晶成長のバラツキは
大きく、傾向として成長室１，１２の外周部（上下左右
端部）に位置するウエハー成長部は、成長室１，１２の
中心に位置するウエハー成長部に比べ成長膜が厚くな
る。

【００１８】このような成長膜厚等のバラツキが原因と
なる後工程での製法上の不具合の一つに、ウエハー厚み
を制御する裏面（非成長面）研磨を行う際、ウエハー毎
に研磨量を変更しなければならないことがあげられる。
さらに、基板部分を全て除々する（成長膜厚がウエハー
厚みを律則する）タイプでは、素子化後のアッセンブリ
工程において、ワイヤーボンディング位置の高さ設定を
随時行わなければならないこと等があげられる。

【００１９】図５に従来の第２エピタキシャル装置にて
結晶成長させた時の成長膜厚の結果例を示す。

【００２０】上記成長膜厚等のバラツキが生じる原因と
して、以下理由があげられる。

【００２１】液相エピタキシャル成長法では、成長速度
を決めている過程が大きく分けて２つあり、一つは成長
界面まで融液３，１４が運ばれてゆく過程であり、もう
一つは運ばれた融液３，１４が結晶となって析出する過
程である。

【００２２】前者の成長過程では、温度の降下速度に加
え、融液３，１４の放熱の状態が影響していると考えら
れる。その放熱の状態は、成長室１，１２内の形状、ボ
ート素材、上部部材素材及び底板素材と融液３，１４の
熱に対する特性の差が大きく影響していると考えられ
る。

【００２３】具体的に説明すると、融液３，１４は、成
長室１，１２の外周部で成長室１，１２の側壁及び底面
に接している。成長用ボート２，１３は、融液（主にガ
リウムＧａ）３，１４より熱容量の小さい（熱伝導率の
大きい）例えばグラファイト等で形成されているため、
その接触部分で融液３，１４が冷却される結果、部分的
に温度差を生じることになる。図８に、ガリウムとグラ
ファイトとの熱伝導率の差を示す。また、上部部材５，
１６及び底板１１についても、融液３，１４より熱容量
の小さい（熱伝導率の大きい）例えばカーボン等で形成
されているため、その接触部分で融液３，１４が冷却さ
れる結果、部分的に温度差を生じることになる。

【００２４】この温度差により、結晶成長が成長室１，
１２内の外周部で速く進む結果、融液３，１４中の特に
成長を律則する原子（Ａｓ）濃度の不均衡を生じ、その
ため融液３，１４中で原子濃度を平衡に保つべく、中心
部から周辺部への原子の移動が起こる。その結果、成長
室１，１２の中心部に位置するウエハー成長部と周辺部
に位置するウエハー成長部とにおいて、成長膜厚に差が
生じることになる。この成長膜厚の差は、成長膜厚の平
均０．１４ｍｍに対し、最大で０．４ｍｍに及ぶことが
ある。

【００２５】セットされた基板６，１８近傍における熱
特性を均一にする手段として、融液内３，１４に存在す
る基板６，１８を融液３，１４と異なる熱伝導率をもつ
グラファイト及びカーボンから遠ざけること、即ち、基
板６，１８のセット位置を成長室１，１２内壁、上面及
び底面から遠ざけ極力、融液３，１４中心付近に置くこ
とが考えられる。しかしながら、成長室１，１２内容
積，その中に入れる基板６，１８のサイズ及び充填量が
決められている場合、セットした基板６，１８全体を全
て融液３，１４の中心付近（成長室１，１２の中心付
近）にセットすることは不可能であった。

【００２６】本発明は、上記課題に鑑み、成長室内での
水平方向，垂直方向の成長膜厚，組成比及び不純物濃度
を均一に保つことのできる半導体液相エピタキシャル装
置を提供するものである。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体液相エピ
タキシャル装置は、結晶原料の融液を貯溜する融液溜が
形成された上部部材と、基板を収納する成長室が形成さ
れた成長用ボートとを備え、一定温度に昇温された電気
炉内で、前記融液溜内に貯溜されている融液を前記成長
室内に落下させ、その後降温して基板表面に結晶を成長
させる半導体液相エピタキシャル装置において、前記成
長用ボートに形成された前記成長室の側壁に隣接して第
１溶媒槽が形成されるとともに、前記成長室の上下部に
それぞれ隣接して第２溶媒層が形成されてなることを特
徴とするものである。

【００２８】本発明の請求項２記載の半導体液相エピタ
キシャル装置は、前記成長室を構成する底面に隣接して
第２溶媒層が形成されてなることを特徴とするものであ
る。 本発明の請求項３記載の半導体液相エピタキシャル装置
は、前記成長室を構成する上面に隣接して第２溶媒槽が
形成されてなることを特徴とする。

【００２９】本発明の請求項４記載の半導体液相エピタ
キシャル装置は、前記上部部材に形成された前記融液溜
の側壁に隣接して第２溶媒槽が形成されてなることを特
徴とするものである。

【００３０】

【作用】上記構成によれば、本発明の半導体液相エピタ
キシャル装置は、第１及び第２溶媒槽に、融液に含まれ
る結晶原料と同じ結晶原料を収納し、密閉してエピタキ
シャル成長を行うことにより、成長室の周囲が第１及び
第２溶媒槽内の溶媒によって暖められ、成長室内外周部
の融液の冷却が回避され、成長室内の融液の温度分布は
水平方向及び垂直方向において均一に保たれる。つま
り、成長室内の基板の成長膜厚の均一化及び組成比，不
純物濃度の均一化が可能となる。

【００３１】

【実施例】図１は本発明の第一実施例よりなる基板横置
き型半導体液相エピタキシャル装置を示す斜視図であ
る。図２は図１に示す基板横置き型半導体液相エピタキ
シャル装置の断面図であり、（ａ）は結晶成長開始前の
状態を示す図であり、（ｂ）は結晶成長時の状態を示す
図である。

【００３２】図において、２１は成長室、２２は成長用
ボート、２３は融液、２４は融液溜、２５は上部部材で
あり、これらの構造は図６に示した従来の基板横置き型
半導体液相エピタキシャル装置と同様である。また、２
６は基板であり、具体的にはＧａＡｓ基板よりなる。

【００３３】本発明の基板横置き型半導体液相エピタキ
シャル装置（以下、「第１エピタキシャル装置」と称
す。）では、このような構成において、成長室２１の四
方の側壁に隣接して、それぞれ第１溶媒槽２７を形成し
たものであり、また、成長室２１の底面に隣接して第２
溶媒槽２８ａを形成し、更には、上部部材２５の融液溜
２４の四方の側壁に隣接して第２溶媒槽２８ｂを形成し
たものである。

【００３４】前記成長室２１の側壁から第１溶媒槽２７
の内壁までの厚みは、成長用ボート２２の設計上（寸
法、強度等）で可能な限り薄くする必要があり、一例と
して１〜２ｍｍ程度とする。また、第２溶媒槽２８ａに
おいても、その上面から成長室２１の底面までの厚みを
できる限り薄くする必要があり、さらに、第２溶媒槽２
８ｂにおいても、その内壁から融液溜２４の側壁までの
厚みをできる限り薄くする必要がある。

【００３５】また、前記第１溶媒槽２７及び第２溶媒槽
２８ａ，２８ｂは、成長用ボート２２及び上部部材２５
の設計上（寸法、強度等）で可能な限り大きくすること
が望ましい。

【００３６】本実施例では、前記第１溶媒槽２７及び第
２溶媒槽２８ａ，２８ｂを蓋体２９によって密閉してお
り、該蓋体２９には形状等に制約はないものの、当然な
がら成長用ボート２２と上部部材２５底面との擦り合わ
せに引っ掛かり等の支障がないよう設計を行う必要があ
る。

【００３７】また、場合によっては、前記蓋体を用い
ず、既に溶媒槽の中に溶媒を入れ、密閉した成長用ボー
ト及び上部部材を作成しても良い。

【００３８】次に、上記構成の第１エピタキシャル装置
による結晶成長の手順について、ＧａＡｌＡｓの結晶成
長を例にあげて説明する。

【００３９】前記第１溶媒槽２７、第２溶媒槽２８ａ，
２８ｂには、融液２３に近い熱特性を持つ材料、即ち、
例えばＧａ，ＧａＡｓ等を溶媒として充填し、密閉す
る。

【００４０】結晶成長開始前では、上部部材２５の位置
は図２（ａ）に示す位置となっている。この状態で、上
部部材２５の融液溜２４に成長させる結晶原料（ここで
は、Ｇａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ドーパント等）を収
容し、これらの系をＨ₂ 雰囲気中で特定の温度（摂氏９
００〜１０００度）まで昇温し、融液溜２４に収容した
結晶原料を十分に溶融する。このとき、第１溶媒槽２
７、第２溶媒槽２８ａ，２８ｂに密閉された溶媒も溶融
し、その熱によって結晶室２１の四方の側壁及び底面、
融液溜２４の四方の側壁は暖められた状態となってい
る。

【００４１】この状態において、次に上部部材２５の一
端部に形成された操作棒（図示せず）によって、上部部
材２５を左へ移動させ、図２（ｂ）に示す状態として、
融液溜２４内の融液（Ｇａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ド
ーパント等の混合融液）２３を成長室２１内へ落下さ
せ、この後降温してＧａＡｌＡｓの結晶を基板２６の表
面に成長させる。

【００４２】このとき、第１溶媒槽２７の溶媒によって
成長室２１の四方の側壁が暖められていることから、こ
の側壁と成長室２１内の融液２３との熱伝導率の差が微
少なものとなり、成長室２１内の融液２３の温度分布は
水平方向において均一に保たれることになる。

【００４３】また、第２溶媒槽２８ａ，２８ｂの溶媒に
よって成長室２１の上底面が暖められていることから、
成長室２１内の融液２３の垂直方向の温度分布において
も均一に保たれることになる。成長室２１の上面は、そ
の周囲が融液溜２４の四方側壁に設けられた第２溶媒槽
２８ｂによって暖められている。

【００４４】そのため、結晶成長が成長室２１内の水平
方向及び垂直方向の全体にわたって均一に進む結果、融
液２３中の成長を律則する原子（Ａｓ）濃度の均衡が保
たれ、成長室２１内の基板２６の各部分に均一な厚みの
成長膜が形成されるものである。

【００４５】したがって、成長室２１内の基板２６の成
長膜厚の均一化及び組成比，不純物濃度の均一化が可能
となる。

【００４６】図３は本発明の第二実施例よりなる基板縦
置き型半導体液相エピタキシャル装置を示す斜視図であ
る。図４は図３に示す基板縦置き型半導体液相エピタキ
シャル装置の断面図であり、（ａ）は結晶成長開始前の
状態を示す図であり、（ｂ）は結晶成長時の状態を示す
図である。

【００４７】図において、３１は底板、３２は成長室、
３３は成長用ボート、３４は融液、３５は融液溜、３６
は上部部材、３７は基板支持用板、３９は融液落下口で
あり、これらの構造は図７に示した従来の基板縦置き型
半導体液相エピタキシャル装置と同様である。また、３
８は基板であり、具体的にはＧａＡｓ基板よりなる。 本発明の基板縦置き型半導体液相エピタキシャル装置
（以下、「第２エピタキシャル装置」と称す。）では、
このような構成において、成長室３２の四方の側壁に隣
接してそれぞれ第１溶媒槽４０を形成し、また、上部部
材３６の融液溜３５の底面に、成長室３２の上面に隣接
して第２溶媒槽４１ａを形成し、さらに、底板３１に、
成長室３２の底面に隣接して第２溶媒槽４１ｂを形成し
たものである。

【００４８】成長室３２の側壁から第１溶媒槽４０の内
壁までの厚み、成長室３２の上面から第２溶媒槽４１ａ
の底面までの厚み及び成長室３２の底面から第２溶媒槽
４１ｂの上面までの厚みは、上記実施例同様、底板３
１、成長用ボート３３及び上部部材３６の設計上で可能
な限り薄くする必要があり、一例として１〜２ｍｍ程度
とする。また、前記溶媒槽４０，４１ａ，４１ｂは、底
板３１、成長用ボート３３及び上部部材３６の設計上で
可能な限り大きくすることが望ましい。

【００４９】本実施例においても、前記溶媒槽４０，４
１の密閉には蓋体４２を用いており、上記実施例同様、
成長用ボート３３と上部部材３６底面との擦り合わせに
引っ掛かり等の支障がないよう設計を行う必要がある。
また、場合によっては、前記蓋体を用いず、既に溶媒槽
の中に溶媒を入れ、密閉した成長用ボート及び上部部材
を作成しても良い。

【００５０】次に、上記構成の第２エピタキシャル装置
による結晶成長の手順について、ＧａＡｌＡｓの結晶成
長を例にあげて説明する。

【００５１】前記第１溶媒槽４０、第２溶媒槽４１ａ，
４１ｂには、融液３４に近い熱特性を持つ材料、即ち、
例えばＧａ，ＧａＡｓ等を溶媒として充填し、密閉す
る。

【００５２】結晶成長開始前では、成長用ボート３３の
位置は図４（ａ）に示す位置となっている。この状態
で、上部部材３６の融液溜３５に成長させる結晶原料
（Ｇａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａｌ，ドーパント等）を収容
し、これらの系をＨ₂ 雰囲気中で特定の温度（摂氏９０
０〜１０００度）まで昇温し、融液溜３５に収容した結
晶原料を十分に溶融する。このとき、第１溶媒槽４０、
第２溶媒槽４１ａ，４１ｂに密閉された溶媒も溶融し、
その熱によって成長室３２の四方の側壁、結晶成長時に
成長室３２の底面となる底板３１の上面及び結晶成長時
に成長室３２の上面となる融液溜３５の底面は暖められ
た状態となっている。

【００５３】この状態において、次に操作棒４３によっ
て成長用ボート３３を図４（ｂ）に示す状態まで移動さ
せ、融液溜３５内の融液（Ｇａ，ＧａＡｓ多結晶，Ａ
ｌ，ドーパント等の混合融液）３４を融液落下口３９か
ら成長室１２内へ落下させ、この後降温してＧａＡｌＡ
ｓの結晶を基板３８の表面に成長させる。

【００５４】このとき、第１溶媒槽４０の溶媒によって
成長室３２の左右の側壁が暖められていることから、こ
の側壁と成長室３２内の融液３４との熱伝導率の差が微
少なものとなり、成長室３２内の融液３４の温度分布は
水平方向において均一に保たれることになる。

【００５５】また、第２溶媒槽４１の溶媒によって成長
室３２の上底面が暖められていることから、成長室３２
内の融液３４の垂直方向の温度分布においても均一に保
たれることになる。

【００５６】そのため、結晶成長が成長室３２内の水平
方向及び垂直方向の全体にわたって均一に進む結果、融
液３４中の成長を律則する原子（Ａｓ）濃度の均衡が保
たれ、成長室３２内の各基板３８に均一な厚みの成長膜
が形成されるものである。

【００５７】図５に本実施例よりなる第２エピタキシャ
ル装置にて結晶成長させた時の成長膜厚の結果例を示
す。図５から明らかなように、従来例では成長膜厚が成
長室中心よりも成長室端の方が遥かに厚く形成されてい
たが、本実施例では成長室中心と成長室端との間におい
て略均一化を図ることができる。

【００５８】したがって、成長室３２内の基板３８の成
長膜厚の均一化及び組成比，不純物濃度の均一化が可能
となる。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体液
相エピタキシャル装置は、成長用ボートに形成された成
長室の側壁に隣接して第１溶媒槽を形成するとともに、
前記成長室の上下部に隣接して第２溶媒槽を形成したの
で、成長室の周囲が溶媒槽内の溶媒によって暖められる
結果、成長室内の融液の成長室外周部での冷却が回避さ
れ、成長室内の融液の温度分布が水平方向、垂直方向の
全体にわたって均一に進む結果、成長室内の基板の成長
膜厚，組成比及び不純物濃度をほぼ均一化することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施例よりなる基板横置き型半導
体液相エピタキシャル装置を示す斜視図である。

【図２】図１に示す基板横置き型半導体液相エピタキシ
ャル装置の断面図であり、（ａ）は結晶成長開始前の状
態を示す図であり、（ｂ）は結晶成長時の状態を示す図
である。

【図３】本発明の第二実施例よりなる基板縦置き型半導
体液相エピタキシャル装置を示す斜視図である。

【図４】図３に示す基板縦置き型半導体液相エピタキシ
ャル装置の断面図であり、（ａ）は結晶成長開始前の状
態を示す図であり、（ｂ）は結晶成長時の状態を示す図
である。

【図５】本発明の第二実施例よりなる基板縦置き型半導
体液相エピタキシャル装置と従来の基板縦置き型半導体
液相エピタキシャル装置との成長膜厚の対比図である。

【図６】従来の基板横置き型半導体液相エピタキシャル
装置を示す断面図であり、（ａ）は結晶成長開始前の状
態を示す図であり、（ｂ）は結晶成長時の状態を示す図
である。

【図７】従来の基板縦置き型半導体液相エピタキシャル
装置を示す断面図であり、（ａ）は結晶成長開始前の状
態を示す図であり、（ｂ）は結晶成長時の状態を示す図
である。

【図８】ガリウムとグラファイトとの熱伝導率の差を示
す図である。

【符号の説明】

２１，３２ 成長室 ２２，３３ 成長用ボート ２３，３４ 融液 ２４，３５ 融液溜 ２５，３６ 上部部材 ２６，３８ 基板 ２７，４０ 第１溶媒槽 ２８ａ，２８ｂ，４１ａ，４１ｂ 第２溶媒槽

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶原料の融液を貯溜する融液溜が形成
   された上部部材と、基板を収納する成長室が形成された
   成長用ボートとを備え、一定温度に昇温された電気炉内
   で、前記融液溜内に貯溜されている融液を前記成長室内
   に落下させ、その後降温して基板表面に結晶を成長させ
   る半導体液相エピタキシャル装置において、前記成長用
   ボートに形成された前記成長室の側壁に隣接して第１溶
   媒槽が形成されるとともに、前記成長室の上下部に隣接
   して第２溶媒層が形成されてなることを特徴とする半導
   体液相エピタキシャル装置。
2. 【請求項２】 前記成長室を構成する底面に隣接して第
   ２溶媒層が形成されてなることを特徴とする請求項１記
   載の半導体液相エピタキシャル装置。
3. 【請求項３】 前記成長室を構成する上面に隣接して第
   ２溶媒槽が形成されてなることを特徴とする請求項１又
   は２記載の半導体液相エピタキシャル装置。
4. 【請求項４】 前記上部部材に形成された前記融液溜の
   側壁に隣接して第２溶媒槽が形成されてなることを特徴
   とする請求項１又は２記載の半導体液相エピタキシャル
   装置。