JPH0917367A - イオン源装置 - Google Patents
イオン源装置Info
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- JPH0917367A JPH0917367A JP7184651A JP18465195A JPH0917367A JP H0917367 A JPH0917367 A JP H0917367A JP 7184651 A JP7184651 A JP 7184651A JP 18465195 A JP18465195 A JP 18465195A JP H0917367 A JPH0917367 A JP H0917367A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 引出用電極の耐酸化性或いは耐食性を良好に
して長寿命化を図り、使用中電極の不良によるイオンビ
ーム引き出し特性の不安定性を解消する。 【構成】 プラズマ生成容器１内に生成されたプラズマ
１７から１枚以上の引出用電極１５を用いてイオンビー
ム１８を引き出す構造のイオン源装置において、前記電
極１５の少なくとも最プラズマ側の電極６を金，銀及び
白金のうち少なくとも１種より成る膜１６で被覆する。
して長寿命化を図り、使用中電極の不良によるイオンビ
ーム引き出し特性の不安定性を解消する。 【構成】 プラズマ生成容器１内に生成されたプラズマ
１７から１枚以上の引出用電極１５を用いてイオンビー
ム１８を引き出す構造のイオン源装置において、前記電
極１５の少なくとも最プラズマ側の電極６を金，銀及び
白金のうち少なくとも１種より成る膜１６で被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ生成容器内に
生成されたプラズマから１枚以上の引出用電極を用いて
イオンビームを引き出すイオン源装置に関する。
生成されたプラズマから１枚以上の引出用電極を用いて
イオンビームを引き出すイオン源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種イオン源装置は、プラズマ
生成容器内にガスや蒸気化された金属等のイオン化物質
を導入し、アノード兼用のプラズマ生成容器と，電子放
出源、例えばフィラメントとの間でアーク放電を起し、
プラズマを生成し、プラズマから多孔型の引出用電極に
より電界の作用でイオンビームを引き出している。
生成容器内にガスや蒸気化された金属等のイオン化物質
を導入し、アノード兼用のプラズマ生成容器と，電子放
出源、例えばフィラメントとの間でアーク放電を起し、
プラズマを生成し、プラズマから多孔型の引出用電極に
より電界の作用でイオンビームを引き出している。
【０００３】そして、電極の材料としては、イオンビー
ムの引き出しの際、高密度のプラズマにさらされるた
め、モリブデン，タングステン等の高融点金属が用いら
れている。
ムの引き出しの際、高密度のプラズマにさらされるた
め、モリブデン，タングステン等の高融点金属が用いら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記装置の場
合、酸素やハロゲン元素を含むガスを原料としたプラズ
マを発生させた際、引出用電極の材料が酸化或いは腐食
され、寿命が短くなり、しかも、使用中電極の不良によ
るイオンビーム引き出し特性が不安定になるという問題
点がある。
合、酸素やハロゲン元素を含むガスを原料としたプラズ
マを発生させた際、引出用電極の材料が酸化或いは腐食
され、寿命が短くなり、しかも、使用中電極の不良によ
るイオンビーム引き出し特性が不安定になるという問題
点がある。
【０００５】本発明は、前記の点に留意し、引出用電極
の耐酸化性或いは耐食性を良好にして長寿命化を図り、
使用中電極の不良によるイオンビーム引き出し特性の不
安定性を解消できるイオン源装置を提供することを目的
とする。
の耐酸化性或いは耐食性を良好にして長寿命化を図り、
使用中電極の不良によるイオンビーム引き出し特性の不
安定性を解消できるイオン源装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のイオン源装置は、１枚以上の引出用電極の
少なくとも最プラズマ側の電極を金、銀及び白金のうち
少なくとも１種より成る膜で被覆したものである。
に、本発明のイオン源装置は、１枚以上の引出用電極の
少なくとも最プラズマ側の電極を金、銀及び白金のうち
少なくとも１種より成る膜で被覆したものである。
【０００７】
【作用】前記のように構成された本発明のイオン源装置
は、引出用電極の少なくとも最プラズマ側の電極を金，
銀及び白金のうち少なくとも１種より成る膜で被覆した
ため、耐酸化性或いは耐食性の良好な電極が構成され、
酸素やハロゲン元素を含む酸化性或いは腐食性のガスを
原料としてプラズマを発生させた場合でも、電極の長寿
命化が図られるとともに、使用中電極の不良によるイオ
ンビーム引き出し特性の不安定性が解消される。
は、引出用電極の少なくとも最プラズマ側の電極を金，
銀及び白金のうち少なくとも１種より成る膜で被覆した
ため、耐酸化性或いは耐食性の良好な電極が構成され、
酸素やハロゲン元素を含む酸化性或いは腐食性のガスを
原料としてプラズマを発生させた場合でも、電極の長寿
命化が図られるとともに、使用中電極の不良によるイオ
ンビーム引き出し特性の不安定性が解消される。
【０００８】
【実施例】１実施例、例えばバケット型のイオン源装置
について図１及び図２を参照して説明する。図１は切断
正面図、図２は図１の電極の一部の正面図であり、それ
らの図において、１はプラズマ室２が形成されるプラズ
マ生成容器、３は容器１の上部開口に装着された蓋板、
４は上面が容器１の下面に絶縁物５を介して装着された
フランジ、６は正電圧が印加される加速電極としての最
プラズマ側の多孔型のプラズマ電極であり、フランジ４
の内側に突設された支持部の上面に絶縁物７を介して装
着され、プラズマ電極６がフランジ４に支持されてい
る。８はプラズマ電極６に設けられた冷却パイプであ
り、両端部がフランジ４を貫通してフランジ４に支持さ
れ、プラズマ電極６の熱歪を緩和する。
について図１及び図２を参照して説明する。図１は切断
正面図、図２は図１の電極の一部の正面図であり、それ
らの図において、１はプラズマ室２が形成されるプラズ
マ生成容器、３は容器１の上部開口に装着された蓋板、
４は上面が容器１の下面に絶縁物５を介して装着された
フランジ、６は正電圧が印加される加速電極としての最
プラズマ側の多孔型のプラズマ電極であり、フランジ４
の内側に突設された支持部の上面に絶縁物７を介して装
着され、プラズマ電極６がフランジ４に支持されてい
る。８はプラズマ電極６に設けられた冷却パイプであ
り、両端部がフランジ４を貫通してフランジ４に支持さ
れ、プラズマ電極６の熱歪を緩和する。
【０００９】９はフランジ４の下面に絶縁物１０を介し
て装着されたフランジ、１１は負電圧が印加される多孔
型の，プラズマ電極６より小径の抑制電極であり、プラ
ズマ電極６の下方に位置し、支持部材（図示せず）を介
してフランジ９により支持されている。１２は抑制電極
１１に設けられ，両端部がフランジ９に支持された冷却
パイプ、１３は接地電位にされる多孔型の，抑制電極１
１より小径の接地電極であり、抑制電極１１の下方に位
置し、支持部材（図示せず）を介してフランジ９により
支持されている。１４は接地電極１３に設けられ，両端
部がフランジ９に支持された冷却パイプである。
て装着されたフランジ、１１は負電圧が印加される多孔
型の，プラズマ電極６より小径の抑制電極であり、プラ
ズマ電極６の下方に位置し、支持部材（図示せず）を介
してフランジ９により支持されている。１２は抑制電極
１１に設けられ，両端部がフランジ９に支持された冷却
パイプ、１３は接地電位にされる多孔型の，抑制電極１
１より小径の接地電極であり、抑制電極１１の下方に位
置し、支持部材（図示せず）を介してフランジ９により
支持されている。１４は接地電極１３に設けられ，両端
部がフランジ９に支持された冷却パイプである。
【００１０】１５はプラズマ電極６，抑制電極１１，接
地電極１３からなる引出用電極であり、蓋板３に対向す
る容器１の下部開口に位置している。１６は金，銀及び
白金のうち少なくとも１種より成る膜であり、電解メッ
キ，溶射，真空蒸着或いはスパッタ等のＰＶＤ法によ
り、引出用電極１５のうち少なくとも最プラズマ側の電
極，即ちプラズマ電極６に被覆されている。
地電極１３からなる引出用電極であり、蓋板３に対向す
る容器１の下部開口に位置している。１６は金，銀及び
白金のうち少なくとも１種より成る膜であり、電解メッ
キ，溶射，真空蒸着或いはスパッタ等のＰＶＤ法によ
り、引出用電極１５のうち少なくとも最プラズマ側の電
極，即ちプラズマ電極６に被覆されている。
【００１１】そして、容器１のプラズマ室２に酸素やハ
ロゲン元素を含む酸化性或いは腐食性のガスを導入し、
容器１の上部の電子放出源（図示せず）、例えばフィラ
メントにより電子を放出し、かつ、容器１をアノード電
位，フィラメントをカソード電位にすると、アーク放電
によりプラズマ１７が生成され、このプラズマ１７は容
器１の外側に設けられた永久磁石（図示せず）が形成す
るカスプ磁場により閉じ込められて高密度化され、引出
用電極１５によりプラズマ１７中のイオンガスが引き出
され、図１の矢印に示すように、イオンビーム１８が引
き出される。
ロゲン元素を含む酸化性或いは腐食性のガスを導入し、
容器１の上部の電子放出源（図示せず）、例えばフィラ
メントにより電子を放出し、かつ、容器１をアノード電
位，フィラメントをカソード電位にすると、アーク放電
によりプラズマ１７が生成され、このプラズマ１７は容
器１の外側に設けられた永久磁石（図示せず）が形成す
るカスプ磁場により閉じ込められて高密度化され、引出
用電極１５によりプラズマ１７中のイオンガスが引き出
され、図１の矢印に示すように、イオンビーム１８が引
き出される。
【００１２】この時、引出用電極１５の少なくともプラ
ズマ電極６が膜１６により被覆されているため、プラズ
マ電極６の酸化或いは腐食がなく、イオンビーム引き出
し特性が安定する。
ズマ電極６が膜１６により被覆されているため、プラズ
マ電極６の酸化或いは腐食がなく、イオンビーム引き出
し特性が安定する。
【００１３】そして、抑制電極１１及び接地電極１３を
前記膜１６により被覆してもよいのは勿論である。
前記膜１６により被覆してもよいのは勿論である。
【００１４】そして、各電極６，１１，１３の材料とし
ては、モリプデン，タングステン，タンタル，ステンレ
ス鋼，銅等の金属や炭素，炭化ケイ素，ホウ化チタン，
ホウ化クロム，ホウ化ジリコニウム等の導電性のセラミ
ックから選択すればよい。
ては、モリプデン，タングステン，タンタル，ステンレ
ス鋼，銅等の金属や炭素，炭化ケイ素，ホウ化チタン，
ホウ化クロム，ホウ化ジリコニウム等の導電性のセラミ
ックから選択すればよい。
【００１５】さらに、冷却パイプ８，１２，１４の材料
としては、モリブデン，タングステン，タンタル，ステ
ンレス鋼，銅等の金属の中から選択すればよく、冷却パ
イプ８，１２，１４も膜１６により被覆するのが好まし
い。
としては、モリブデン，タングステン，タンタル，ステ
ンレス鋼，銅等の金属の中から選択すればよく、冷却パ
イプ８，１２，１４も膜１６により被覆するのが好まし
い。
【００１６】そして、本発明は冷却パイプのない引出用
電極にも適用できる。
電極にも適用できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。
ているため、つぎに記載する効果を奏する。
【００１８】本発明のイオン源装置は、引出用電極１５
の少なくとも最プラズマ側の電極６を金，銀及び白金の
うち少なくとも１種より成る膜１６で被覆したため、耐
酸化性或いは耐食性の良好な電極６を構成することがで
き、酸素やハロゲン元素を含む酸化性或いは腐食性のガ
スを原料としてプラズマ１７を発生させた場合でも、電
極６の長寿命化を図ることができるとともに、使用中電
極６の不良によるイオンビーム引き出し特性の不安定性
を解消することができる。
の少なくとも最プラズマ側の電極６を金，銀及び白金の
うち少なくとも１種より成る膜１６で被覆したため、耐
酸化性或いは耐食性の良好な電極６を構成することがで
き、酸素やハロゲン元素を含む酸化性或いは腐食性のガ
スを原料としてプラズマ１７を発生させた場合でも、電
極６の長寿命化を図ることができるとともに、使用中電
極６の不良によるイオンビーム引き出し特性の不安定性
を解消することができる。
【図１】本発明の１実施例の切断正面図である。
【図２】図１の電極の一部の正面図である。
１ プラズマ生成容器 ６ 電極 １５ 引出用電極 １６ 膜 １７ プラズマ １８ イオンビーム
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマ生成容器内に生成されたプラズ
マから１枚以上の引出用電極を用いてイオンビームを引
き出す構造のイオン源装置において、 前記電極の少なくとも最プラズマ側の電極が金，銀及び
白金のうち少なくとも１種より成る膜で被覆されている
ことを特徴とするイオン源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184651A JPH0917367A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | イオン源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184651A JPH0917367A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | イオン源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917367A true JPH0917367A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16156971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7184651A Pending JPH0917367A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | イオン源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917367A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002117780A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-04-19 | Axcelis Technologies Inc | イオン注入装置用のイオン源およびそのためのリペラ |
| JP2012038568A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Nagoya Univ | イオン源 |
| JP2013214413A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ生成装置 |
| US9133546B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-09-15 | Lotus Applied Technology, Llc | Electrically- and chemically-active adlayers for plasma electrodes |
| JP2023105381A (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-31 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP7184651A patent/JPH0917367A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002117780A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-04-19 | Axcelis Technologies Inc | イオン注入装置用のイオン源およびそのためのリペラ |
| JP2012038568A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Nagoya Univ | イオン源 |
| JP2013214413A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ生成装置 |
| US9133546B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-09-15 | Lotus Applied Technology, Llc | Electrically- and chemically-active adlayers for plasma electrodes |
| JP2023105381A (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-31 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源 |
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