JPH09251929A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH09251929A JPH09251929A JP5968596A JP5968596A JPH09251929A JP H09251929 A JPH09251929 A JP H09251929A JP 5968596 A JP5968596 A JP 5968596A JP 5968596 A JP5968596 A JP 5968596A JP H09251929 A JPH09251929 A JP H09251929A
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 等価直列抵抗および高周波におけるインピー
ダンスを下げ、高周波特性を向上させる。 【解決手段】 弁作用金属からなる陽極基体2の表面に
陽極酸化皮膜4を形成し、さらにその上に5価または/
および6価の金属イオンを含むマンガン酸化物を主成分
とする半導体層5を形成する。また、この半導体層5の
上にカーボン層6を介して導電層7を積層形成する。マ
ンガン酸化物に5価および/または6価の金属イオンを
ドープすることによって陽極基体の内部および外部表面
のマンガン酸化物の電気抵抗を制御し、高周波特性の優
れたコンデンサを得ることができる。特に、5価および
6価の金属イオンは、生成するマンガン酸化物の中の二
酸化マンガンのMn4+を置換してドナーとして働き、二
酸化マンガンのキャリア濃度を高めることができる。こ
れによって二酸化マンガンを含むマンガン酸化物の電気
抵抗が低減し、コンデンサの高周波の等価直列抵抗を低
減させる。
ダンスを下げ、高周波特性を向上させる。 【解決手段】 弁作用金属からなる陽極基体2の表面に
陽極酸化皮膜4を形成し、さらにその上に5価または/
および6価の金属イオンを含むマンガン酸化物を主成分
とする半導体層5を形成する。また、この半導体層5の
上にカーボン層6を介して導電層7を積層形成する。マ
ンガン酸化物に5価および/または6価の金属イオンを
ドープすることによって陽極基体の内部および外部表面
のマンガン酸化物の電気抵抗を制御し、高周波特性の優
れたコンデンサを得ることができる。特に、5価および
6価の金属イオンは、生成するマンガン酸化物の中の二
酸化マンガンのMn4+を置換してドナーとして働き、二
酸化マンガンのキャリア濃度を高めることができる。こ
れによって二酸化マンガンを含むマンガン酸化物の電気
抵抗が低減し、コンデンサの高周波の等価直列抵抗を低
減させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サに関し、特に等価直列抵抗を下げ、高周波特性を向上
させるようにした固体電解コンデンサに関するものであ
る。
サに関し、特に等価直列抵抗を下げ、高周波特性を向上
させるようにした固体電解コンデンサに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】電子機器のデジタル化、高周波化が進む
中で、機器の電源回路に組み込まれる固体電解コンデン
サも高周波特性の良好なものが要求されている。また、
機器の小型化に伴って、電源やその周辺回路の実装も高
密度になり、小型の固体電解コンデンサが求められてい
る。
中で、機器の電源回路に組み込まれる固体電解コンデン
サも高周波特性の良好なものが要求されている。また、
機器の小型化に伴って、電源やその周辺回路の実装も高
密度になり、小型の固体電解コンデンサが求められてい
る。
【0003】小型の固体電解コンデンサとしては、タン
タルの焼結体を陽極金属として用いたタンタル固体電解
コンデンサが一般的に広く使用されている。タンタル固
体電解コンデンサの高周波特性は、陰極の等価直列抵抗
の影響が非常に大きい。タンタル固体電解コンデンサの
等価直列抵抗は、3つの抵抗成分、すなわちタンタル多
孔体の粒表面に形成された誘電体酸化皮膜の絶縁抵抗
(漏れ電流)Rf、誘電体酸化皮膜の上に付着し多孔体
内部に分布する二酸化マンガンの抵抗Ro、およびタン
タルペレットの外表面の二酸化マンガンやその上に形成
されているカーボン層および金属層等による外部抵抗R
extからなる。そのため、タンタル固体電解コンデン
サの等価直列抵抗を低減するために、硝酸マンガンの熱
分解による方法や、二酸化マンガンとカーボン層、カー
ボン層と金属層の間の接触抵抗の低減をはじめ、カーボ
ンや金属層の抵抗を低減する方法などが行われている。
タルの焼結体を陽極金属として用いたタンタル固体電解
コンデンサが一般的に広く使用されている。タンタル固
体電解コンデンサの高周波特性は、陰極の等価直列抵抗
の影響が非常に大きい。タンタル固体電解コンデンサの
等価直列抵抗は、3つの抵抗成分、すなわちタンタル多
孔体の粒表面に形成された誘電体酸化皮膜の絶縁抵抗
(漏れ電流)Rf、誘電体酸化皮膜の上に付着し多孔体
内部に分布する二酸化マンガンの抵抗Ro、およびタン
タルペレットの外表面の二酸化マンガンやその上に形成
されているカーボン層および金属層等による外部抵抗R
extからなる。そのため、タンタル固体電解コンデン
サの等価直列抵抗を低減するために、硝酸マンガンの熱
分解による方法や、二酸化マンガンとカーボン層、カー
ボン層と金属層の間の接触抵抗の低減をはじめ、カーボ
ンや金属層の抵抗を低減する方法などが行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のタンタル固体電解コンデンサにおいては、小型
で、大容量かつ信頼性が高いという特徴を有するもの
の、セラミックコンデンサやアルミニウム固体電解コン
デンサに比べて等価直列抵抗が大きく高周波におけるイ
ンピーダンスが高いという問題があった。そこで、コン
デンサの等価直列抵抗とインピーダンスについて種々検
討してきた結果、陽極酸化膜の表面に5価と6価の金属
イオンのうちの少なくともいずれか一方を含むマンガン
酸化物を主成分とする半導体層を形成すると、等価直列
抵抗が小さくインピーダンスが低くなり、高周波特性を
改善できることを突き止めた。
た従来のタンタル固体電解コンデンサにおいては、小型
で、大容量かつ信頼性が高いという特徴を有するもの
の、セラミックコンデンサやアルミニウム固体電解コン
デンサに比べて等価直列抵抗が大きく高周波におけるイ
ンピーダンスが高いという問題があった。そこで、コン
デンサの等価直列抵抗とインピーダンスについて種々検
討してきた結果、陽極酸化膜の表面に5価と6価の金属
イオンのうちの少なくともいずれか一方を含むマンガン
酸化物を主成分とする半導体層を形成すると、等価直列
抵抗が小さくインピーダンスが低くなり、高周波特性を
改善できることを突き止めた。
【0005】本発明は、上記した従来の問題点および検
討結果に基づいてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、等価直列抵抗が小さく、高周波におけるインピー
ダンスが低く、高周波特性を改善した固体電解コンデン
サを提供することにある。
討結果に基づいてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、等価直列抵抗が小さく、高周波におけるインピー
ダンスが低く、高周波特性を改善した固体電解コンデン
サを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面
に誘導体酸化皮膜、この誘電体酸化皮膜の上に5価と6
価の金属イオンのうちの少なくともいずれか一方を含む
マンガン酸化物を主成分とする半導体層、この半導体層
の上にカーボン層、金属層、またはカーボン層と金属層
を順次形成した構造体からなることを特徴とする。ま
た、本発明は、半導体層が、P,Sb,Bi,V,N
b,Ta,Mo,W,Cr,Se,Teイオンのいずれ
か、あるいはこれらの中の複数の金属イオンを含む二酸
化マンガン、一酸化マンガンおよび三二酸マンガンの単
独またはこれらの混合物からなる半導体層であることを
特徴とする。さらに、本発明は、半導体層が、マンガン
に対して0.01〜1atom%の5価と6価の金属イオン
のうちの少なくともいずれか一方を含むマンガン酸化物
を主成分とする半導体層であることを特徴とする。
本発明は、弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面
に誘導体酸化皮膜、この誘電体酸化皮膜の上に5価と6
価の金属イオンのうちの少なくともいずれか一方を含む
マンガン酸化物を主成分とする半導体層、この半導体層
の上にカーボン層、金属層、またはカーボン層と金属層
を順次形成した構造体からなることを特徴とする。ま
た、本発明は、半導体層が、P,Sb,Bi,V,N
b,Ta,Mo,W,Cr,Se,Teイオンのいずれ
か、あるいはこれらの中の複数の金属イオンを含む二酸
化マンガン、一酸化マンガンおよび三二酸マンガンの単
独またはこれらの混合物からなる半導体層であることを
特徴とする。さらに、本発明は、半導体層が、マンガン
に対して0.01〜1atom%の5価と6価の金属イオン
のうちの少なくともいずれか一方を含むマンガン酸化物
を主成分とする半導体層であることを特徴とする。
【0007】マンガン酸化物に5価と6価の金属イオン
のうちの少なくともいずれか一方をドープすることによ
って陽極基体の内部および外部表面のマンガン酸化物の
電気抵抗を制御する。特に、5価および6価の金属イオ
ンは、生成するマンガン酸化物の中の二酸化マンガンの
Mn4+を置換してドナーとして働き、二酸化マンガンの
キャリア濃度を高めることができる。これによって二酸
化マンガンを含むマンガン酸化物の電気抵抗を低減し、
固体電解コンデンサの高周波の等価直列抵抗を低減する
ことができる。また、外部表面のマンガン酸化物に5価
と6価イオンの少なくともいずれか一方をドープする
と、マンガン酸化物の中の三二酸マンガンのアクセプタ
として働き、三二酸マンガンのキャリア濃度を下げる。
これによって外部表面のマンガン酸化物の電気抵抗を上
げ、固体電解コンデンサの漏れ電流を下げ、耐圧を上げ
る作用をする。5価と6価の金属イオンのうちの少なく
ともいずれか一方がマンガンに対して0.01atom%以
下ではキャリア濃度が変わらないために大きな効果が得
られず、1atom%以上では不純物によるキャリアの散乱
によって電気抵抗が上昇し、良好な効果が得られなくな
る。
のうちの少なくともいずれか一方をドープすることによ
って陽極基体の内部および外部表面のマンガン酸化物の
電気抵抗を制御する。特に、5価および6価の金属イオ
ンは、生成するマンガン酸化物の中の二酸化マンガンの
Mn4+を置換してドナーとして働き、二酸化マンガンの
キャリア濃度を高めることができる。これによって二酸
化マンガンを含むマンガン酸化物の電気抵抗を低減し、
固体電解コンデンサの高周波の等価直列抵抗を低減する
ことができる。また、外部表面のマンガン酸化物に5価
と6価イオンの少なくともいずれか一方をドープする
と、マンガン酸化物の中の三二酸マンガンのアクセプタ
として働き、三二酸マンガンのキャリア濃度を下げる。
これによって外部表面のマンガン酸化物の電気抵抗を上
げ、固体電解コンデンサの漏れ電流を下げ、耐圧を上げ
る作用をする。5価と6価の金属イオンのうちの少なく
ともいずれか一方がマンガンに対して0.01atom%以
下ではキャリア濃度が変わらないために大きな効果が得
られず、1atom%以上では不純物によるキャリアの散乱
によって電気抵抗が上昇し、良好な効果が得られなくな
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る固
体電解コンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
同図において、固体電解コンデンサ1は、陽極リード線
3を埋設した弁作用金属からなる陽極基体2を備え、そ
の表面全体に誘電体酸化皮膜4を形成し、さらにその上
にマンガン酸化物を主成分とする半導体層5を形成して
いる。また、半導体層5の表面にカーボン層6を介して
導電体層7を形成し、陽極リード線3にリードフレーム
(陽極端子)8を溶接し、導電体層7にリードフレーム
9を導電性ペースト10で接合している。そして、エポ
キシ樹脂11によってリードフレーム8,9の一部を除
く全体を外装している。12はフッ素樹脂からなる撥水
板である。
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る固
体電解コンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
同図において、固体電解コンデンサ1は、陽極リード線
3を埋設した弁作用金属からなる陽極基体2を備え、そ
の表面全体に誘電体酸化皮膜4を形成し、さらにその上
にマンガン酸化物を主成分とする半導体層5を形成して
いる。また、半導体層5の表面にカーボン層6を介して
導電体層7を形成し、陽極リード線3にリードフレーム
(陽極端子)8を溶接し、導電体層7にリードフレーム
9を導電性ペースト10で接合している。そして、エポ
キシ樹脂11によってリードフレーム8,9の一部を除
く全体を外装している。12はフッ素樹脂からなる撥水
板である。
【0009】弁作用を有する金属としては、タンタル、
アルミニウム、ニオブ等の金属を用いることができる。
タンタルは、微粉末を焼結し陽極となるタンタル線をタ
ンタル多孔体に付けたペレットの形態で用いられる。ア
ルミニウムの場合は、アルミニウム箔を陽極として電気
化学的にエッチングして表面に細孔を形成した形態で用
いられる。
アルミニウム、ニオブ等の金属を用いることができる。
タンタルは、微粉末を焼結し陽極となるタンタル線をタ
ンタル多孔体に付けたペレットの形態で用いられる。ア
ルミニウムの場合は、アルミニウム箔を陽極として電気
化学的にエッチングして表面に細孔を形成した形態で用
いられる。
【0010】タンタル焼結体あるいはアルミニウム箔の
細孔の表面に形成される誘電体酸化皮膜4は、陽極化成
によって形成される。陽極化成される膜は、タンタル焼
結体に付けられたタンタル線またはアルミニウム箔に付
けられたリード線を陽極として、硝酸、燐酸、酢酸、蓚
酸などの酸溶液中で溶液を陰極とし、数V〜数十Vの電
圧を印加することによって形成することができる。陽極
化成した誘電体酸化皮膜の上には、5価と6価の金属イ
オンのうちの少なくともいずれか一方を含むマンガン酸
化物の半導体層が形成される。マンガン酸化物は、β型
二酸化マンガン、γ型二酸化マンガン、一酸化マンガ
ン、三二酸マンガンの中の2種〜4種の混合物で、タン
タル多孔体の内部と外表面にそれぞれ形成される。タン
タル多孔体の内部と外表面のマンガン酸化物は、予め濃
度、組成、温度が制御されている硝酸マンガン液に、化
成したタンタル焼結体あるいはアルミニウム箔を浸漬
し、細孔の内部に硝酸マンガン液を含浸させ、その後、
水蒸気および酸素を含む雰囲気中で熱分解し、所定のマ
ンガン酸化物を形成する。このプロセスを何回か繰り返
すことによってタンタル多孔体の内部と外表面にそれぞ
れ所望の組成を有するマンガン酸化物の層を形成するこ
とができる。硝酸マンガンの熱分解に起因して発生する
一酸化窒素、窒素ガス等によって誘電体酸化皮膜が損傷
するため、硝酸マンガンの熱分解の後に、酸あるいは硝
酸塩や酢酸塩などの有機酸塩の水溶液で化成し皮膜を修
復する。
細孔の表面に形成される誘電体酸化皮膜4は、陽極化成
によって形成される。陽極化成される膜は、タンタル焼
結体に付けられたタンタル線またはアルミニウム箔に付
けられたリード線を陽極として、硝酸、燐酸、酢酸、蓚
酸などの酸溶液中で溶液を陰極とし、数V〜数十Vの電
圧を印加することによって形成することができる。陽極
化成した誘電体酸化皮膜の上には、5価と6価の金属イ
オンのうちの少なくともいずれか一方を含むマンガン酸
化物の半導体層が形成される。マンガン酸化物は、β型
二酸化マンガン、γ型二酸化マンガン、一酸化マンガ
ン、三二酸マンガンの中の2種〜4種の混合物で、タン
タル多孔体の内部と外表面にそれぞれ形成される。タン
タル多孔体の内部と外表面のマンガン酸化物は、予め濃
度、組成、温度が制御されている硝酸マンガン液に、化
成したタンタル焼結体あるいはアルミニウム箔を浸漬
し、細孔の内部に硝酸マンガン液を含浸させ、その後、
水蒸気および酸素を含む雰囲気中で熱分解し、所定のマ
ンガン酸化物を形成する。このプロセスを何回か繰り返
すことによってタンタル多孔体の内部と外表面にそれぞ
れ所望の組成を有するマンガン酸化物の層を形成するこ
とができる。硝酸マンガンの熱分解に起因して発生する
一酸化窒素、窒素ガス等によって誘電体酸化皮膜が損傷
するため、硝酸マンガンの熱分解の後に、酸あるいは硝
酸塩や酢酸塩などの有機酸塩の水溶液で化成し皮膜を修
復する。
【0011】マンガン酸化物にドープする5価、6価ま
たはこれら5価と6価の金属イオンとしては、P5+,S
b5+,Bi5+,V5+,Nb5+,Ta5+,Mo5+,W6+,
Cr6+,Se6+,Te6+が好ましく、マンガン酸化物に
対する濃度を0.01〜1atom%の範囲にするとコンデ
ンサとしての良好な特性を得ることができる。とりわ
け、ドープされる金属イオンの濃度が0.01〜1atom
%の範囲では、コンデンサの等価直列抵抗を特に小さく
でき、良好な高周波特性を得ることができる。5価およ
び6価の金属イオンがマンガンに対して0.01atom%
以下では、キャリア濃度が変わらないために大きな効果
を生じない。1atom%以上では不純物によるキャリアの
散乱によって電気抵抗が上昇し、固体電解コンデンサの
等価直列抵抗が逆に大きくなってしまう。
たはこれら5価と6価の金属イオンとしては、P5+,S
b5+,Bi5+,V5+,Nb5+,Ta5+,Mo5+,W6+,
Cr6+,Se6+,Te6+が好ましく、マンガン酸化物に
対する濃度を0.01〜1atom%の範囲にするとコンデ
ンサとしての良好な特性を得ることができる。とりわ
け、ドープされる金属イオンの濃度が0.01〜1atom
%の範囲では、コンデンサの等価直列抵抗を特に小さく
でき、良好な高周波特性を得ることができる。5価およ
び6価の金属イオンがマンガンに対して0.01atom%
以下では、キャリア濃度が変わらないために大きな効果
を生じない。1atom%以上では不純物によるキャリアの
散乱によって電気抵抗が上昇し、固体電解コンデンサの
等価直列抵抗が逆に大きくなってしまう。
【0012】5価と6価の金属イオンのうちの少なくと
もいずれか一方をドープしたマンガン酸化物は、硝酸マ
ンガンに5価または6価の金属であるハロゲン化塩、硝
酸塩、バナジン酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸
塩、クロム酸塩、セレン酸塩、テルル酸塩、硫酸塩、酢
酸塩、カルボン酸塩や金属錯体を溶解した形で使うこと
ができる。具体的には、燐酸、燐酸アンモニウム、塩化
アンチモン、塩化ビスマス、硝酸ビスマス、塩化バナジ
ウム、バナジン酸アンモニウム、塩化ニオブ、塩化タン
タル、塩化モリブデン、モリブデン酸アンモニウム、ク
ロム酸アンモニウム、塩化クロム、セレン酸を使うこと
ができ、所定の濃度の硝酸マンガン液に対して所定の配
合比で溶解させる。また、特にタンタル多孔体の外表面
にマンガン酸化物を形成する場合には、硝酸マンガンに
マンガン化合物の微粉末を懸濁した液に浸漬し、これを
熱分解することによりマンガン酸化物を形成することが
できるが、この際5価と6価の金属イオンのうちの少な
くともいずれか一方を溶解した硝酸マンガン、マンガン
酸化物またはこれらの混合物に予め5価と6価の金属イ
オンのうちの少なくともいずれか一方をドープした微粉
末を懸濁した液を用いることもできる。マンガン酸化物
の微粉末は、二酸化マンガンあるいは二酸化マンガンと
三二酸マンガンの混合物を用いることができる。
もいずれか一方をドープしたマンガン酸化物は、硝酸マ
ンガンに5価または6価の金属であるハロゲン化塩、硝
酸塩、バナジン酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸
塩、クロム酸塩、セレン酸塩、テルル酸塩、硫酸塩、酢
酸塩、カルボン酸塩や金属錯体を溶解した形で使うこと
ができる。具体的には、燐酸、燐酸アンモニウム、塩化
アンチモン、塩化ビスマス、硝酸ビスマス、塩化バナジ
ウム、バナジン酸アンモニウム、塩化ニオブ、塩化タン
タル、塩化モリブデン、モリブデン酸アンモニウム、ク
ロム酸アンモニウム、塩化クロム、セレン酸を使うこと
ができ、所定の濃度の硝酸マンガン液に対して所定の配
合比で溶解させる。また、特にタンタル多孔体の外表面
にマンガン酸化物を形成する場合には、硝酸マンガンに
マンガン化合物の微粉末を懸濁した液に浸漬し、これを
熱分解することによりマンガン酸化物を形成することが
できるが、この際5価と6価の金属イオンのうちの少な
くともいずれか一方を溶解した硝酸マンガン、マンガン
酸化物またはこれらの混合物に予め5価と6価の金属イ
オンのうちの少なくともいずれか一方をドープした微粉
末を懸濁した液を用いることもできる。マンガン酸化物
の微粉末は、二酸化マンガンあるいは二酸化マンガンと
三二酸マンガンの混合物を用いることができる。
【0013】以下、実施例および比較例を示して本発明
を更に詳しく説明する。
を更に詳しく説明する。
実施例1 タンタル線を埋め込んだタンタル粉末の成形体を130
0〜1500°Cで焼結してタンタル焼結体ペレットを
作製した。タンタル線を陽極として硝酸水溶液中で化成
し、ペレットの多孔体の内部表面にタンタルの陽極化成
皮膜を形成した。次に、40重量%の濃度の硝酸マンガ
ン液に、マンガンに対して0.01,0.1,0.5,
1atom%のバナジウムをバナジン酸アンモニウムの形で
各々加えた5種類の混液を調製し、この5種類の混液に
陽極化成したタンタルペレットを硝酸水溶液中で化成し
た後、十分に水洗いして乾燥した。
0〜1500°Cで焼結してタンタル焼結体ペレットを
作製した。タンタル線を陽極として硝酸水溶液中で化成
し、ペレットの多孔体の内部表面にタンタルの陽極化成
皮膜を形成した。次に、40重量%の濃度の硝酸マンガ
ン液に、マンガンに対して0.01,0.1,0.5,
1atom%のバナジウムをバナジン酸アンモニウムの形で
各々加えた5種類の混液を調製し、この5種類の混液に
陽極化成したタンタルペレットを硝酸水溶液中で化成し
た後、十分に水洗いして乾燥した。
【0014】上記のプロセスを2回繰り返した後、60
重量%n濃度の硝酸マンガン液に、上記と同様にマンガ
ンに対して0.01,0.1,0.5,1atom%のバナ
ジウム濃度の5種類の混合液を調製し、上記のタンタル
ペレットをさらに含浸した。含浸したペレットを再度2
50°Cの加湿した雰囲気中で焼成し、上記のプロセス
を2回繰り返した。さらに、濃度が100重量%の硝酸
マンガンである以外は上記と同様にしてマンガン酸化物
を焼成する工程および焼成後の化成の工程を2回繰り返
し、タンタルペレットの外表面を十分被覆するマンガン
酸化物の層を形成した。
重量%n濃度の硝酸マンガン液に、上記と同様にマンガ
ンに対して0.01,0.1,0.5,1atom%のバナ
ジウム濃度の5種類の混合液を調製し、上記のタンタル
ペレットをさらに含浸した。含浸したペレットを再度2
50°Cの加湿した雰囲気中で焼成し、上記のプロセス
を2回繰り返した。さらに、濃度が100重量%の硝酸
マンガンである以外は上記と同様にしてマンガン酸化物
を焼成する工程および焼成後の化成の工程を2回繰り返
し、タンタルペレットの外表面を十分被覆するマンガン
酸化物の層を形成した。
【0015】ペレットの外表面のマンガン酸化物の層の
上にコロイド状のカーボンを塗布して乾燥した。カーボ
ン層の上に銀ペーストを塗布して熱硬化させ、導電体層
を形成した。上記のペレットを導電性ペーストでリード
フレームに接着すると共に、陽極となるタンタル線をリ
ードフレームに溶接した。導電性ペーストを熱硬化させ
た後に合成樹脂でモールドし、固体電解コンデンサを作
製した。5種類の条件で作製したタンタルペレットの内
部および最外表面をX線分析した結果、ペレットの内部
は二酸化マンガン90重量%、三二酸マンガン10重量
%、ペレットの最外表面は二酸化マンガン30重量%、
三二酸マンガン70重量%の混合物であった。
上にコロイド状のカーボンを塗布して乾燥した。カーボ
ン層の上に銀ペーストを塗布して熱硬化させ、導電体層
を形成した。上記のペレットを導電性ペーストでリード
フレームに接着すると共に、陽極となるタンタル線をリ
ードフレームに溶接した。導電性ペーストを熱硬化させ
た後に合成樹脂でモールドし、固体電解コンデンサを作
製した。5種類の条件で作製したタンタルペレットの内
部および最外表面をX線分析した結果、ペレットの内部
は二酸化マンガン90重量%、三二酸マンガン10重量
%、ペレットの最外表面は二酸化マンガン30重量%、
三二酸マンガン70重量%の混合物であった。
【0016】比較例1 実施例1で、バナジウム酸アンモニウムを加えていない
40重量%と60重量%の硝酸マンガン液を調製し、同
じ方法で40重量%の硝酸マンガン液で2回、60重量
%の硝酸マンガン液で5回、含浸と焼成および焼成後の
化成を繰り返してマンガン酸化物の層を形成した。さら
に、同じ方法でカーボン層、銀の導体層を形成し、陽極
のタンタル線をリードフレームに溶接すると共に、ペレ
ットの陰極側を導電性ペーストでリードフレームに接着
した。タンタルペレットを合成樹脂でモールドし、固体
電解コンデンサを作製した。上記した実施例1と比較例
1におけるバナジウムとマンガンの割合、等価直列抵
抗、インピーダンスおよび試験前後の漏れ電流を表1に
示す。
40重量%と60重量%の硝酸マンガン液を調製し、同
じ方法で40重量%の硝酸マンガン液で2回、60重量
%の硝酸マンガン液で5回、含浸と焼成および焼成後の
化成を繰り返してマンガン酸化物の層を形成した。さら
に、同じ方法でカーボン層、銀の導体層を形成し、陽極
のタンタル線をリードフレームに溶接すると共に、ペレ
ットの陰極側を導電性ペーストでリードフレームに接着
した。タンタルペレットを合成樹脂でモールドし、固体
電解コンデンサを作製した。上記した実施例1と比較例
1におけるバナジウムとマンガンの割合、等価直列抵
抗、インピーダンスおよび試験前後の漏れ電流を表1に
示す。
【0017】
【表1】
【0018】表1から明かなように、多孔体の内部にマ
ンガンに対して0.01,0.1,0.5,1atom%の
バナジウムを含むマンガン酸化物からなる半導体層を形
成すると、等価直列抵抗、インピーダンスおよび漏れ電
流が改善されたことが判る。
ンガンに対して0.01,0.1,0.5,1atom%の
バナジウムを含むマンガン酸化物からなる半導体層を形
成すると、等価直列抵抗、インピーダンスおよび漏れ電
流が改善されたことが判る。
【0019】実施例2 実施例1と同様に、バナジウム酸アンモニウムを0.1
重量%加えた40重量%と60重量%の硝酸マンガン液
を調製し、同じ方法で40重量%の硝酸マンガン液で2
回、60重量%の硝酸マンガン液で3回、含浸と焼成お
よび焼成後の化成を繰り返してマンガン酸化物の層を形
成した。次に、バナジウムを0.1重量%含むβ型二酸
化マンガンの粉末を、バナジン酸アンモニウムを0.1
重量%加えた100重量%の硝酸マンガン液に懸濁さ
せ、この液を用いて同じ方法でさらに2回含浸と焼成お
よび化成を繰り返し、ペレットの外表面にマンガン酸化
物の層を形成した。上記のペレットの陰極側を導電性ペ
ーストでリードフレームの陰極側に接着し、陽極のタン
タル線をリードフレームの陽極側に溶接した後、合成樹
脂でモールドして固体電解コンデンサを作製した。タン
タルペレットの内部および最外表面をX線分析した結
果、ペレットの内部は二酸化マンガン80重量%、一酸
化マンガン10重量%、三二酸マンガン10重量%の混
合物であった。
重量%加えた40重量%と60重量%の硝酸マンガン液
を調製し、同じ方法で40重量%の硝酸マンガン液で2
回、60重量%の硝酸マンガン液で3回、含浸と焼成お
よび焼成後の化成を繰り返してマンガン酸化物の層を形
成した。次に、バナジウムを0.1重量%含むβ型二酸
化マンガンの粉末を、バナジン酸アンモニウムを0.1
重量%加えた100重量%の硝酸マンガン液に懸濁さ
せ、この液を用いて同じ方法でさらに2回含浸と焼成お
よび化成を繰り返し、ペレットの外表面にマンガン酸化
物の層を形成した。上記のペレットの陰極側を導電性ペ
ーストでリードフレームの陰極側に接着し、陽極のタン
タル線をリードフレームの陽極側に溶接した後、合成樹
脂でモールドして固体電解コンデンサを作製した。タン
タルペレットの内部および最外表面をX線分析した結
果、ペレットの内部は二酸化マンガン80重量%、一酸
化マンガン10重量%、三二酸マンガン10重量%の混
合物であった。
【0020】比較例2 実施例2でバナジウム酸アンモニウムを加えていない4
0重量%と60重量%のβ型二酸化マンガンの粉末を懸
濁した100重量%の硝酸マンガン液を調製し、実施例
2と同じ方法で40重量%の硝酸マンガン液で2回、6
0重量%の硝酸マンガン液で3回、さらにβ側二酸化マ
ンガン粉末を懸濁した100重量%の硝酸マンガン液で
2回、含浸と焼成および焼成後の化成を繰り返してマン
ガン酸化物の層を形成した。さらに、同じ方法でカーボ
ン層、銀の導体層を形成した後、ペレットの陽極のタン
タル線、陰極の銀の導電体層をリードフレームにそれぞ
れ接続し、合成樹脂でモールドして固体電解コンデンサ
を作製した。
0重量%と60重量%のβ型二酸化マンガンの粉末を懸
濁した100重量%の硝酸マンガン液を調製し、実施例
2と同じ方法で40重量%の硝酸マンガン液で2回、6
0重量%の硝酸マンガン液で3回、さらにβ側二酸化マ
ンガン粉末を懸濁した100重量%の硝酸マンガン液で
2回、含浸と焼成および焼成後の化成を繰り返してマン
ガン酸化物の層を形成した。さらに、同じ方法でカーボ
ン層、銀の導体層を形成した後、ペレットの陽極のタン
タル線、陰極の銀の導電体層をリードフレームにそれぞ
れ接続し、合成樹脂でモールドして固体電解コンデンサ
を作製した。
【0021】上記した実施例2と比較例2におけるバナ
ジウムとマンガンの割合、等価直列抵抗、インピーダン
ス、試験前と後の漏れ電流を表2に示す。
ジウムとマンガンの割合、等価直列抵抗、インピーダン
ス、試験前と後の漏れ電流を表2に示す。
【0022】
【表2】
【0023】この実施例2においても、実施例1と同様
にバナジウムを含むマンガン酸化物からなる半導体層を
形成しているので、等価直列抵抗、インピーダンスおよ
び漏れ電流が改善されたことが判る。
にバナジウムを含むマンガン酸化物からなる半導体層を
形成しているので、等価直列抵抗、インピーダンスおよ
び漏れ電流が改善されたことが判る。
【0024】実施例3 実施例2と同様にして、陽極化成皮膜をタンタル焼結体
の内部表面に形成したペレットを用意した。40重量%
と60重量%の硝酸マンガン液に、マンガンに対して
0.1atom%の濃度のP,Nb,W,Cr,Se,T
e,Vのイオンを燐酸、塩化ニオブ、タングステン酸、
クロム酸、セレン酸、テルル酸、バナジン酸アンモニウ
ムの形で各々加えた40重量%のマンガン液を7種類、
60重量%のマンガン液を7種類、100重量%のマン
ガン液を7種類調製した。各イオンを含む40重量%、
60重量%、100重量%のマンガン液を用いて実施例
2と同じ方法で、40重量%の硝酸マンガン液で2回、
60重量%の硝酸マンガン液で3回、100重量%の硝
酸マンガン液で2回、含浸と焼成および焼成後の化成を
繰り返してP,Nb,W,Cr,Se,Te,Vを各々
含むマンガン酸化物をタンタルペレットに形成した。上
記の7種類の金属を各々含むマンガン酸化物を形成した
タンタルペレットを用いて、実施例1と同様にしてカー
ボン層、銀の導電体層を形成し、リードフレームに接続
後、合成樹脂でモールドして固体電解コンデンサを作製
した。
の内部表面に形成したペレットを用意した。40重量%
と60重量%の硝酸マンガン液に、マンガンに対して
0.1atom%の濃度のP,Nb,W,Cr,Se,T
e,Vのイオンを燐酸、塩化ニオブ、タングステン酸、
クロム酸、セレン酸、テルル酸、バナジン酸アンモニウ
ムの形で各々加えた40重量%のマンガン液を7種類、
60重量%のマンガン液を7種類、100重量%のマン
ガン液を7種類調製した。各イオンを含む40重量%、
60重量%、100重量%のマンガン液を用いて実施例
2と同じ方法で、40重量%の硝酸マンガン液で2回、
60重量%の硝酸マンガン液で3回、100重量%の硝
酸マンガン液で2回、含浸と焼成および焼成後の化成を
繰り返してP,Nb,W,Cr,Se,Te,Vを各々
含むマンガン酸化物をタンタルペレットに形成した。上
記の7種類の金属を各々含むマンガン酸化物を形成した
タンタルペレットを用いて、実施例1と同様にしてカー
ボン層、銀の導電体層を形成し、リードフレームに接続
後、合成樹脂でモールドして固体電解コンデンサを作製
した。
【0025】上記した実施例3におけるバナジウムとマ
ンガンの割合、等価直列抵抗、インピーダンス、試験前
と後の漏れ電流を表3に示す。
ンガンの割合、等価直列抵抗、インピーダンス、試験前
と後の漏れ電流を表3に示す。
【0026】
【表3】
【0027】なお、図1に示した実施の形態において
は、半導体層5の上にカーボン層6を形成し、さらにそ
の上に導電体層7を形成した例を示したが、本発明はこ
れに限らず、カーボン層のみを形成したものであっても
よい。
は、半導体層5の上にカーボン層6を形成し、さらにそ
の上に導電体層7を形成した例を示したが、本発明はこ
れに限らず、カーボン層のみを形成したものであっても
よい。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る固体電
解コンデンサは、弁作用を有する金属からなる陽極基体
の表面に誘導体酸化皮膜、この誘電体酸化皮膜の上に5
価と6価の金属イオンのうちの少なくともいずれか一方
を含むマンガン酸化物を主成分とする半導体層、この半
導体層の上にカーボン層、金属層、またはカーボン層と
金属層を順次形成したので、マンガン酸化物の抵抗を下
げることができ、これにより高周波における等価直列抵
抗およびインピーダンスの低いコンデンサを得ることが
できる。また、陽極酸化膜の表面に5価と6価の金属イ
オンのうち少なくともいずれか一方を含むマンガン酸化
物を主成分とする半導体層を形成すると、陽極基体の外
部表面の絶縁抵抗を上げることができるので、漏れ電流
が少なく、はんだ耐熱の優れたコンデンサを得ることが
できる。
解コンデンサは、弁作用を有する金属からなる陽極基体
の表面に誘導体酸化皮膜、この誘電体酸化皮膜の上に5
価と6価の金属イオンのうちの少なくともいずれか一方
を含むマンガン酸化物を主成分とする半導体層、この半
導体層の上にカーボン層、金属層、またはカーボン層と
金属層を順次形成したので、マンガン酸化物の抵抗を下
げることができ、これにより高周波における等価直列抵
抗およびインピーダンスの低いコンデンサを得ることが
できる。また、陽極酸化膜の表面に5価と6価の金属イ
オンのうち少なくともいずれか一方を含むマンガン酸化
物を主成分とする半導体層を形成すると、陽極基体の外
部表面の絶縁抵抗を上げることができるので、漏れ電流
が少なく、はんだ耐熱の優れたコンデンサを得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る固体電解コンデンサの一実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
1…固体電解コンデンサ、2…陽極基体、3…陽極リー
ド線、4…誘電体等価皮膜、5…半導体層、6…カーボ
ン層、7…導電体層、8…導電性ペースト、9…リード
フレーム(陽極端子)、10…リードフレーム(陰極端
子)、11…合成樹脂、12…フッ素樹脂スペーサ。
ド線、4…誘電体等価皮膜、5…半導体層、6…カーボ
ン層、7…導電体層、8…導電性ペースト、9…リード
フレーム(陽極端子)、10…リードフレーム(陰極端
子)、11…合成樹脂、12…フッ素樹脂スペーサ。
Claims (3)
- 【請求項1】 弁作用を有する金属からなる陽極基体の
表面に誘導体酸化皮膜、この誘電体酸化皮膜の上に5価
と6価の金属イオンのうちの少なくともいずれか一方を
含むマンガン酸化物を主成分とする半導体層、この半導
体層の上にカーボン層、金属層、またはカーボン層と金
属層を順次形成した構造体からなることを特徴とする固
体電解コンデンサ。 - 【請求項2】 請求項1記載の固体電解コンデンサにお
いて、半導体層が、P,Sb,Bi,V,Nb,Ta,
Mo,W,Cr,Se,Teイオンのいずれか、あるい
はこれらの中の複数の金属イオンを含む二酸化マンガ
ン、一酸化マンガンおよび三二酸マンガンの単独または
これらの混合物からなる半導体層であることを特徴とす
る固体電解コンデンサ。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の固体電解コンデ
ンサにおいて、半導体層が、マンガンに対して0.01
〜1atom%の5価と6価の金属イオンのうちの少なくと
もいずれか一方を含むマンガン酸化物を主成分とする半
導体層であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5968596A JPH09251929A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5968596A JPH09251929A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251929A true JPH09251929A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13120315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5968596A Pending JPH09251929A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251929A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339177A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| EP1768140A4 (en) * | 2004-07-07 | 2008-09-03 | Showa Denko Kk | CAPACITOR ELEMENT AND CARBON PASTE |
| JP2013152943A (ja) * | 2005-10-05 | 2013-08-08 | Beretich Thomas | 酸化マンガンとカーボンを組み合わせた発電機バッテリー |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP5968596A patent/JPH09251929A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1768140A4 (en) * | 2004-07-07 | 2008-09-03 | Showa Denko Kk | CAPACITOR ELEMENT AND CARBON PASTE |
| JP2006339177A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2013152943A (ja) * | 2005-10-05 | 2013-08-08 | Beretich Thomas | 酸化マンガンとカーボンを組み合わせた発電機バッテリー |
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