JPH09260569A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH09260569A JPH09260569A JP8067626A JP6762696A JPH09260569A JP H09260569 A JPH09260569 A JP H09260569A JP 8067626 A JP8067626 A JP 8067626A JP 6762696 A JP6762696 A JP 6762696A JP H09260569 A JPH09260569 A JP H09260569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- semiconductor device
- semiconductor chip
- inner lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/853—On the same surface
- H10W72/865—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、リードの自己インダクタンス及び
自己キャパシタンスを増大させることなく、リードの強
度を増強させる事により、高歩留まり、かつ、高性能な
樹脂封止型半導体装置を提供する事である。 【解決手段】 インナーリードの接着剤の付いていない
部分に捻り加工が施されている事を特徴とする。
自己キャパシタンスを増大させることなく、リードの強
度を増強させる事により、高歩留まり、かつ、高性能な
樹脂封止型半導体装置を提供する事である。 【解決手段】 インナーリードの接着剤の付いていない
部分に捻り加工が施されている事を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関するものであり、特に半導体装置の組立技術に
使用されるものである。
装置に関するものであり、特に半導体装置の組立技術に
使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】電極となるパッドが中央に配置されてい
るＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造を有する樹
脂封止型半導体装置の従来の樹脂封止工程を図を用いて
説明する。
るＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造を有する樹
脂封止型半導体装置の従来の樹脂封止工程を図を用いて
説明する。
【０００３】図３の（１）に示すように、配線となるリ
ード３１０が、接着剤３０２により半導体素子が形成さ
れている半導体チップ３０１の上に固定されており、ワ
イヤーボンディングとなるワイヤー３０６を介して、半
導体チップ３０１の上に形成された電極となるパッド３
０５に電気的に接続されている。また、図３の（２）
は、図３の（１）に示される半導体装置の正面図を、図
３の（３）は、図３の（１）に示される半導体装置のワ
イヤー３０６部分の拡大斜視図を示している。
ード３１０が、接着剤３０２により半導体素子が形成さ
れている半導体チップ３０１の上に固定されており、ワ
イヤーボンディングとなるワイヤー３０６を介して、半
導体チップ３０１の上に形成された電極となるパッド３
０５に電気的に接続されている。また、図３の（２）
は、図３の（１）に示される半導体装置の正面図を、図
３の（３）は、図３の（１）に示される半導体装置のワ
イヤー３０６部分の拡大斜視図を示している。
【０００４】次に、図４の（１）に示すように、該半導
体装置を型４１５に入れ、この型４１５に設けられた樹
脂注入穴４２５から樹脂を注入する。また、図４の
（２）は図４の（１）におけるＡ断面図を、図４の
（３）は図４におけるＢ断面図を示している。
体装置を型４１５に入れ、この型４１５に設けられた樹
脂注入穴４２５から樹脂を注入する。また、図４の
（２）は図４の（１）におけるＡ断面図を、図４の
（３）は図４におけるＢ断面図を示している。
【０００５】次に、図５に示される様に、注入された樹
脂が固まった後、型４１５を取り外す。また、リード５
１０において、樹脂５０７に覆われた部分を特にインナ
ーリード５０３、樹脂５０７に覆われていない外側の部
分を特にアウターリード５０８という。
脂が固まった後、型４１５を取り外す。また、リード５
１０において、樹脂５０７に覆われた部分を特にインナ
ーリード５０３、樹脂５０７に覆われていない外側の部
分を特にアウターリード５０８という。
【０００６】型４１５を取り外した後、アウターリード
５０８の余分な部分を切断し、切断されずに残ったアウ
ターリード５０８を所望の形状に曲げ加工（図示せず）
する事により樹脂封止型半導体装置が形成される。
５０８の余分な部分を切断し、切断されずに残ったアウ
ターリード５０８を所望の形状に曲げ加工（図示せず）
する事により樹脂封止型半導体装置が形成される。
【０００７】また、図６の（１）に示す様に、樹脂を注
入する際、半導体チップ６０１の上面に固定されたリー
ド６１０が障害となる為、かつ、半導体チップ６０１と
型６１６との距離ａ及びｂが異なる為に、半導体チップ
６０１の上面での樹脂の注入速度と、半導体チップ６０
１の下面でのそれが異なる。この樹脂の注入速度の異差
のため、半導体チップ６０１及びリード６１０にねじれ
応力６２０がかかる。特に、リード６１０は０．１２５
ｍｍから０．２ｍｍと非常に薄い金属板から形成されて
いるので上下方向の強度が弱い。この為、該応力６２０
によりリード６１０が変形し、半導体チップ６０１が傾
いてしまう。
入する際、半導体チップ６０１の上面に固定されたリー
ド６１０が障害となる為、かつ、半導体チップ６０１と
型６１６との距離ａ及びｂが異なる為に、半導体チップ
６０１の上面での樹脂の注入速度と、半導体チップ６０
１の下面でのそれが異なる。この樹脂の注入速度の異差
のため、半導体チップ６０１及びリード６１０にねじれ
応力６２０がかかる。特に、リード６１０は０．１２５
ｍｍから０．２ｍｍと非常に薄い金属板から形成されて
いるので上下方向の強度が弱い。この為、該応力６２０
によりリード６１０が変形し、半導体チップ６０１が傾
いてしまう。
【０００８】また、図６の（２）に示す様に、近年の半
導体装置の多機能化により半導体チップ６０１の幅Ｗを
含めたチップ面積が大きくなる傾向にある。また、ワイ
ヤーボンディングの接続技術の制約からワイヤー６０６
の長さは４ｍｍ程度が限界である。この為、チップ面積
が大きくなると必然的にリード６１０を長くしなければ
ならないので、リード６１０の上下方向の強度は一層弱
くなる傾向にある。また、リード６１０を長くする事
は、リード６１０の自己インダクタンス及び自己キャパ
シタンスの増大を招き、半導体装置の特性劣化の原因と
もなる。
導体装置の多機能化により半導体チップ６０１の幅Ｗを
含めたチップ面積が大きくなる傾向にある。また、ワイ
ヤーボンディングの接続技術の制約からワイヤー６０６
の長さは４ｍｍ程度が限界である。この為、チップ面積
が大きくなると必然的にリード６１０を長くしなければ
ならないので、リード６１０の上下方向の強度は一層弱
くなる傾向にある。また、リード６１０を長くする事
は、リード６１０の自己インダクタンス及び自己キャパ
シタンスの増大を招き、半導体装置の特性劣化の原因と
もなる。
【０００９】この問題を解決するために、リード６１０
を厚くする事によりリード６１０の上下方向の強度を増
強する方法がある。しかし、リード６１０を厚くする
と、前述したリード６１０の自己インダクタンス及び自
己キャパシタンスの増大を招き、半導体装置の特性が劣
化するだけではなく、動作不能となる事もある。
を厚くする事によりリード６１０の上下方向の強度を増
強する方法がある。しかし、リード６１０を厚くする
と、前述したリード６１０の自己インダクタンス及び自
己キャパシタンスの増大を招き、半導体装置の特性が劣
化するだけではなく、動作不能となる事もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述の様に、樹脂注入
工程におけるリードの変形を抑制する為、リードの強度
を増強する必要がある。この為、リードを厚くしていた
が、リードの自己インダクタンス及び自己キャパシタン
スの増大を招き、半導体装置の特性の劣化を招いてい
た。
工程におけるリードの変形を抑制する為、リードの強度
を増強する必要がある。この為、リードを厚くしていた
が、リードの自己インダクタンス及び自己キャパシタン
スの増大を招き、半導体装置の特性の劣化を招いてい
た。
【００１１】本発明は、リードの自己インダクタンス及
び自己キャパシタンスを増大させることなく、リードの
強度を増強させる事により、高歩留まり、かつ、高性能
な樹脂封止型半導体装置を提供する事を目的とする。
び自己キャパシタンスを増大させることなく、リードの
強度を増強させる事により、高歩留まり、かつ、高性能
な樹脂封止型半導体装置を提供する事を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述のような目的を達成
するために、本発明は、前記インナーリードの前記接着
剤の付いていない部分に捻り加工が施されている事を特
徴とする。本発明は、インナーリードの一部分が捻り加
工されているのでリードの上下方向の強度を増強する事
ができ、インナーリードの幅が捻り加工によって見かけ
上細くなるので、自己インダクタンス及び自己キャパシ
タンスを低減する事が出来る。その上、捻り加工により
隣接するインナーリードの間隔も広くなるので、隣接す
るリード間の相互インダクタンス及び相互キャパシタン
スも低減する事が出来る。
するために、本発明は、前記インナーリードの前記接着
剤の付いていない部分に捻り加工が施されている事を特
徴とする。本発明は、インナーリードの一部分が捻り加
工されているのでリードの上下方向の強度を増強する事
ができ、インナーリードの幅が捻り加工によって見かけ
上細くなるので、自己インダクタンス及び自己キャパシ
タンスを低減する事が出来る。その上、捻り加工により
隣接するインナーリードの間隔も広くなるので、隣接す
るリード間の相互インダクタンス及び相互キャパシタン
スも低減する事が出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図を用いて詳
細に説明する。インナーリードの捻り加工の方法を説明
する。図１の（１）に示すように、インナーリード１０
３の先端部分と、その先端部分からある程度間隔をあけ
た部分の二箇所にストリッパー１１１により上下方向か
ら加圧する事によりインナーリード１０３を固定し、ロ
ーラーポンチ１１２を通す。
細に説明する。インナーリードの捻り加工の方法を説明
する。図１の（１）に示すように、インナーリード１０
３の先端部分と、その先端部分からある程度間隔をあけ
た部分の二箇所にストリッパー１１１により上下方向か
ら加圧する事によりインナーリード１０３を固定し、ロ
ーラーポンチ１１２を通す。
【００１４】次に、図１の（２）に示すように、ローラ
ーポンチ１１２を上下より押す事により、インナーリー
ド１０３に捻り加工を施す。また、インナーリード１０
３の捻り加工が施されていない先端部分は、後述のワイ
ヤーボンディング工程の信頼性の確保のため、０．４ｍ
ｍ以上ある方が望ましい。
ーポンチ１１２を上下より押す事により、インナーリー
ド１０３に捻り加工を施す。また、インナーリード１０
３の捻り加工が施されていない先端部分は、後述のワイ
ヤーボンディング工程の信頼性の確保のため、０．４ｍ
ｍ以上ある方が望ましい。
【００１５】次に、図２に示すように、捻り加工された
インナーリード２０３の先端部分に接着剤２０２をが張
り付けられ、半導体チップ２０４の上に固定される。そ
の後、このインナーリード２０３と半導体チップ２０４
の上の電極となるパッド２０５がワイヤー２０６によっ
て電気的に接続される。その後、前述の樹脂封止工程に
よって樹脂封止型半導体装置が形成される。
インナーリード２０３の先端部分に接着剤２０２をが張
り付けられ、半導体チップ２０４の上に固定される。そ
の後、このインナーリード２０３と半導体チップ２０４
の上の電極となるパッド２０５がワイヤー２０６によっ
て電気的に接続される。その後、前述の樹脂封止工程に
よって樹脂封止型半導体装置が形成される。
【００１６】また、ワイヤー２０６とインナーリード２
０３とのボンディング性を考慮して、上述の捻り加工の
後に、インナーリード２０３の先端部分にのみ金または
銀メッキを施しても良い。更に、インナーリード２０３
の先端部分はフラットであるので、ワイヤー２０６を形
成する際のボンディング性には全く影響を与えない。
０３とのボンディング性を考慮して、上述の捻り加工の
後に、インナーリード２０３の先端部分にのみ金または
銀メッキを施しても良い。更に、インナーリード２０３
の先端部分はフラットであるので、ワイヤー２０６を形
成する際のボンディング性には全く影響を与えない。
【００１７】また、従来はインナーリード２０３の下面
（先端部分）に張り付けられた接着剤２０２は、多数本
のリード毎に張り付けられているのが一般的であるが、
捻り加工されたリードは上下方向の強度が向上するの
で、多数本のリードを一つの接着剤に張り付ける必要は
無く、複数本（多くとも２、３本）のリードを張り付け
ることがかのうとなる。この為、半導体チップ上におけ
る接着剤の塗布面積を節約する事が出来るので、該面積
を他に有効に使用する事が出来る。また、更にリードと
半導体チップとの接着安定性を確保したい場合、接着剤
はインナーリード２０３の先端部分だけでなく捻り加工
した部分を除いた他の部分にも張り付けても良い。
（先端部分）に張り付けられた接着剤２０２は、多数本
のリード毎に張り付けられているのが一般的であるが、
捻り加工されたリードは上下方向の強度が向上するの
で、多数本のリードを一つの接着剤に張り付ける必要は
無く、複数本（多くとも２、３本）のリードを張り付け
ることがかのうとなる。この為、半導体チップ上におけ
る接着剤の塗布面積を節約する事が出来るので、該面積
を他に有効に使用する事が出来る。また、更にリードと
半導体チップとの接着安定性を確保したい場合、接着剤
はインナーリード２０３の先端部分だけでなく捻り加工
した部分を除いた他の部分にも張り付けても良い。
【００１８】また、インナーリードのねじれ加工の際の
ねじれの角度は９０度のとき最も上下方向の強度が強い
が、物理的なひねりを加えるため金属疲労を引き起こす
事が考えられる。そのため、十分上下方向の強度が取れ
れば、ひねる角度は９０度でなくでなく、例えば８０
度、７０度、６０度等でも良い。
ねじれの角度は９０度のとき最も上下方向の強度が強い
が、物理的なひねりを加えるため金属疲労を引き起こす
事が考えられる。そのため、十分上下方向の強度が取れ
れば、ひねる角度は９０度でなくでなく、例えば８０
度、７０度、６０度等でも良い。
【００１９】また、インナーリード２０３の捻り加工を
施す部分にローラポンチ１１２を上下から押す事により
捻り加工する方法は、前述のアウターリードを曲げ加工
するのと同様な方法であるので、最も簡便で、かつ、現
状の組立技術を何等変更せず製造コストの増加を必要と
しない。
施す部分にローラポンチ１１２を上下から押す事により
捻り加工する方法は、前述のアウターリードを曲げ加工
するのと同様な方法であるので、最も簡便で、かつ、現
状の組立技術を何等変更せず製造コストの増加を必要と
しない。
【００２０】本発明は、インナーリード２０３が捻り加
工されているので、インナーリード２０３の上下方向の
強度を増強する事が出来る。この為、従来樹脂封止工程
の際に起きていた注入樹脂の応力によるリードの変形を
抑制する事が出来る。また、インナーリード２０３が捻
り加工されているので、インナーリード２０３の幅が見
かけ上細くなる（Ｗ１＞Ｗ２、図２参照）ので、インナ
ーリード２０３の自己インダクタンス及び自己キャパシ
タンスを低減する事が出来る。その上、捻り加工により
隣接するインナーリードの間隔も広くなる（Ｘ＞Ｙ、図
２参照）ので、隣接するリード間の相互インダクタンス
及び相互キャパシタンスも低減する事ができ、高歩留ま
り、かつ、高性能な樹脂封止型半導体装置を提供する事
が出来る。
工されているので、インナーリード２０３の上下方向の
強度を増強する事が出来る。この為、従来樹脂封止工程
の際に起きていた注入樹脂の応力によるリードの変形を
抑制する事が出来る。また、インナーリード２０３が捻
り加工されているので、インナーリード２０３の幅が見
かけ上細くなる（Ｗ１＞Ｗ２、図２参照）ので、インナ
ーリード２０３の自己インダクタンス及び自己キャパシ
タンスを低減する事が出来る。その上、捻り加工により
隣接するインナーリードの間隔も広くなる（Ｘ＞Ｙ、図
２参照）ので、隣接するリード間の相互インダクタンス
及び相互キャパシタンスも低減する事ができ、高歩留ま
り、かつ、高性能な樹脂封止型半導体装置を提供する事
が出来る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、以上の様に構成されているの
で、従来の組立技術の変更及び製造コストの増加を伴わ
ずに、インナーリードの上下方向の強度を増強する事が
でき、従来樹脂封止工程の際に起きていた注入樹脂の応
力によるリードの変形を抑制する事が出来る。また、イ
ンナーリードが捻り加工されているので、インナーリー
ドの幅が見かけ上細くなるので、インナーリードの自己
インダクタンス及び自己キャパシタンスを低減する事が
出来る。その上、捻り加工により隣接するインナーリー
ドの間隔も広くなるので、隣接するリード間の相互イン
ダクタンス及び相互キャパシタンスも低減する事がで
る。また、プロセスマージンも向上させる事で高歩留ま
り、かつ、高性能な樹脂封止型半導体装置を提供する事
が出来る。
で、従来の組立技術の変更及び製造コストの増加を伴わ
ずに、インナーリードの上下方向の強度を増強する事が
でき、従来樹脂封止工程の際に起きていた注入樹脂の応
力によるリードの変形を抑制する事が出来る。また、イ
ンナーリードが捻り加工されているので、インナーリー
ドの幅が見かけ上細くなるので、インナーリードの自己
インダクタンス及び自己キャパシタンスを低減する事が
出来る。その上、捻り加工により隣接するインナーリー
ドの間隔も広くなるので、隣接するリード間の相互イン
ダクタンス及び相互キャパシタンスも低減する事がで
る。また、プロセスマージンも向上させる事で高歩留ま
り、かつ、高性能な樹脂封止型半導体装置を提供する事
が出来る。
【図１】本発明の実施形態図。
【図２】本発明の実施形態図。
【図３】従来の樹脂封止工程図。
【図４】従来の樹脂封止工程図。
【図５】従来の樹脂封止工程図。
【図６】従来の樹脂封止工程図。
３０１、６０１ 半導体チップ ２０２ 接着剤 １０３、２０３ インナーリード ２０４ 半導体チップ ２０５、３０５ パッド ２０６、３０６、６０６ ワイヤー ５０７ 樹脂 ５０８ アウターリード ３１０、５１０、６１０ リード １１２ ローラーポンチ ４１５、６１５ 型 ６２０ 応力 ４２５ 樹脂注入穴
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子が形成されている半導体チッ
プと、前記半導体チップ上に形成され、前記半導体チッ
プ内の半導体素子と電気的に接続された電極として使用
するパッドと、ワイヤーにより前記半導体チップ上に形
成されたパッドと電気的に接続され、かつ、前記半導体
チップ上に接着材料により固定されたリードと、前記半
導体チップ表面と前記リードの一部が樹脂により封止さ
れている樹脂封止型半導体装置において、樹脂に封止さ
れている部分の先端を除いた部分のリードがひねり加工
されている事を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 捻り加工されたリードに張り付けられた
接着材料が複数本のリードを固定してる事を特徴とする
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067626A JPH09260569A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8067626A JPH09260569A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260569A true JPH09260569A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13350389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8067626A Pending JPH09260569A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260569A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008140861A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Intersil Americas Inc. | Rf - coupled digital isolator |
| US8976561B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-03-10 | Power Integrations, Inc. | Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication |
| US9019728B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-04-28 | Power Integrations, Inc. | Power converter output voltage clamp and supply terminal |
| US9035435B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-05-19 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
| US9071146B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-06-30 | Power Integrations, Inc. | AC voltage sensor with low power consumption |
| US9087713B2 (en) | 2012-10-12 | 2015-07-21 | Power Integrations, Inc. | Semiconductor device with shared region |
| US9136765B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-09-15 | Power Integrations, Inc. | Techniques for controlling a power converter using multiple controllers |
| US9166575B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-10-20 | Power Integrations, Inc. | Low threshold voltage comparator |
| US9166486B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-10-20 | Power Integrations, Inc. | Power converter using multiple controllers |
| US9178411B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-11-03 | Power Integrations, Inc. | Charging circuit for a power converter controller |
| US9246392B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-01-26 | Power Integrations, Inc. | Switched mode power converter controller with ramp time modulation |
| US9276479B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-03-01 | Power Integrations, Inc. | Receive circuit for use in a power converter |
| US9331587B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-03 | Power Integrations, Inc. | Power converter controller with multiple power sources |
| US9349717B2 (en) | 2012-11-14 | 2016-05-24 | Power Integrations, Inc. | Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame |
| US9374011B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-06-21 | Power Integrations, Inc. | Secondary controller for use in synchronous flyback converter |
| US9401657B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-07-26 | Power Integrations, Inc. | Input voltage sensor responsive to load conditions |
| US10243442B1 (en) | 2017-11-22 | 2019-03-26 | Power Integrations, Inc. | Controller with frequency to on-time converter |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP8067626A patent/JPH09260569A/ja active Pending
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7468547B2 (en) | 2007-05-11 | 2008-12-23 | Intersil Americas Inc. | RF-coupled digital isolator |
| US8080865B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-12-20 | Intersil Americas, Inc. | RF-coupled digital isolator |
| TWI460919B (zh) * | 2007-05-11 | 2014-11-11 | 英特希爾美國公司 | 射頻耦合之數位隔離器 |
| WO2008140861A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Intersil Americas Inc. | Rf - coupled digital isolator |
| US9087713B2 (en) | 2012-10-12 | 2015-07-21 | Power Integrations, Inc. | Semiconductor device with shared region |
| US12401285B2 (en) | 2012-11-14 | 2025-08-26 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
| US9275946B2 (en) | 2012-11-14 | 2016-03-01 | Power Integrations, Inc. | Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication |
| US10079543B2 (en) | 2012-11-14 | 2018-09-18 | Power Intergrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
| US9831188B2 (en) | 2012-11-14 | 2017-11-28 | Power Integrations, Inc. | Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame |
| US10224292B2 (en) | 2012-11-14 | 2019-03-05 | Power Integrations, Inc. | Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame |
| US8976561B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-03-10 | Power Integrations, Inc. | Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication |
| US10361632B2 (en) | 2012-11-14 | 2019-07-23 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
| US9349717B2 (en) | 2012-11-14 | 2016-05-24 | Power Integrations, Inc. | Noise cancellation for a magnetically coupled communication link utilizing a lead frame |
| US9331004B2 (en) | 2012-11-14 | 2016-05-03 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
| US9035435B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-05-19 | Power Integrations, Inc. | Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame |
| US9276479B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-03-01 | Power Integrations, Inc. | Receive circuit for use in a power converter |
| US10243471B2 (en) | 2013-01-22 | 2019-03-26 | Power Integrations, Inc. | Power converter controller with multiple power sources |
| US9331587B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-03 | Power Integrations, Inc. | Power converter controller with multiple power sources |
| US9178411B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-11-03 | Power Integrations, Inc. | Charging circuit for a power converter controller |
| US9374011B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-06-21 | Power Integrations, Inc. | Secondary controller for use in synchronous flyback converter |
| US11088621B2 (en) | 2013-01-22 | 2021-08-10 | Power Integrations, Inc. | Secondary controller for use in synchronous flyback converter |
| US11824453B2 (en) | 2013-01-22 | 2023-11-21 | Power Integrations, Inc. | Secondary controller for use in synchronous flyback converter |
| US9166575B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-10-20 | Power Integrations, Inc. | Low threshold voltage comparator |
| US10230305B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-03-12 | Power Integrations, Inc. | Techniques for controlling a power converter using multiple controllers |
| US9019728B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-04-28 | Power Integrations, Inc. | Power converter output voltage clamp and supply terminal |
| US11309800B2 (en) | 2013-03-08 | 2022-04-19 | Power Integrations, Inc. | Techniques for controlling a power converter using multiple controllers |
| US9929656B2 (en) | 2013-03-08 | 2018-03-27 | Power Integrations, Inc. | Power converter using multiple controllers |
| US9762129B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-09-12 | Power Integrations, Inc. | Techniques for controlling a power converter using multiple controllers |
| US9627985B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-04-18 | Power Integrations, Inc. | Power converter output voltage clamp and supply terminal |
| US9136765B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-09-15 | Power Integrations, Inc. | Techniques for controlling a power converter using multiple controllers |
| US9166486B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-10-20 | Power Integrations, Inc. | Power converter using multiple controllers |
| TWI624140B (zh) * | 2013-03-13 | 2018-05-11 | 美商電源整合公司 | 功率轉換器、其控制器及感測一功率轉換器之一輸入之方法 |
| US9246392B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-01-26 | Power Integrations, Inc. | Switched mode power converter controller with ramp time modulation |
| US9401657B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-07-26 | Power Integrations, Inc. | Input voltage sensor responsive to load conditions |
| US10811977B2 (en) | 2013-03-13 | 2020-10-20 | Power Integrations, Inc. | Switched mode power converter controller with ramp time modulation |
| US10158295B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-12-18 | Power Integrations, Inc. | Switched mode power converter controller with ramp time modulation |
| US9866125B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-01-09 | Power Integrations, Inc. | Input voltage sensor responsive to load conditions |
| US11349398B2 (en) | 2013-03-13 | 2022-05-31 | Power Integrations, Inc | Switched mode power converter controller with ramp time modulation |
| US9071146B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-06-30 | Power Integrations, Inc. | AC voltage sensor with low power consumption |
| US9837911B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-12-05 | Power Integrations, Inc. | Switched mode power converter controller with ramp time modulation |
| US10243442B1 (en) | 2017-11-22 | 2019-03-26 | Power Integrations, Inc. | Controller with frequency to on-time converter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09260569A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR970011649B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| US6008073A (en) | Method of manufacturing a bus bar structure on lead frame of semiconductor device package | |
| US6917098B1 (en) | Three-level leadframe for no-lead packages | |
| US7115445B2 (en) | Semiconductor package having reduced thickness | |
| US6692991B2 (en) | Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP4547086B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20040108582A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2008501242A (ja) | 可撓性リードフレーム構造および集積回路パッケージの形成方法 | |
| JPH10270623A (ja) | ボールグリッドアレイ用リードフレームおよびこれを用いた半導体装置、並びにその製造方法 | |
| JP2564596B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06196609A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| KR19990034731A (ko) | 리드 온 칩형 리드 프레임과 그를 이용한 패키지 | |
| JP3545584B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100253314B1 (ko) | 스터드 비지에이 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP3195515B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3468447B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2667901B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2970846B2 (ja) | ワイヤボンディング用ワイヤ | |
| JPH11191608A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2006269719A (ja) | 電子装置 | |
| JPH1131778A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| KR20020024654A (ko) | 적층형 반도체 팩키지 유니트 및, 적층형 반도체 팩키지 | |
| JPH07153895A (ja) | リードフレーム | |
| KR20000020859U (ko) | 반도체 패키지용 리드프레임의 구조 |