JPH09269508A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- JPH09269508A JPH09269508A JP7728096A JP7728096A JPH09269508A JP H09269508 A JPH09269508 A JP H09269508A JP 7728096 A JP7728096 A JP 7728096A JP 7728096 A JP7728096 A JP 7728096A JP H09269508 A JPH09269508 A JP H09269508A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 白輝度の低下や、コントラスト及び視角特性
の劣化を抑える。 【解決手段】 ＩＰＳ（インプレインスイッチング）方
式液晶表示素子では、２枚の透明基板１１，１２が液晶
層１４を挟んで近接対向して配され、透明基板１２の内
面に画素電極１５及び対向電極１６が各画素に対応して
形成される。この発明では、それらの電極は透明層４０
の上に遮光層４１を重ねるかまたは遮光層４１の両側に
透明層４０が並べられ、遮光層４１の幅が電極幅の２５
〜７５％の範囲に選定される。遮光層として例えばクロ
ムまたは酸化クロム、透明層としてＩＴＯが用いられ
る。
の劣化を抑える。 【解決手段】 ＩＰＳ（インプレインスイッチング）方
式液晶表示素子では、２枚の透明基板１１，１２が液晶
層１４を挟んで近接対向して配され、透明基板１２の内
面に画素電極１５及び対向電極１６が各画素に対応して
形成される。この発明では、それらの電極は透明層４０
の上に遮光層４１を重ねるかまたは遮光層４１の両側に
透明層４０が並べられ、遮光層４１の幅が電極幅の２５
〜７５％の範囲に選定される。遮光層として例えばクロ
ムまたは酸化クロム、透明層としてＩＴＯが用いられ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はＩＰＳ（イン・プ
レイン・スイッチング）方式の液晶表示素子（パッシブ
型及びアクティブ型）に関し、特に白輝度の低下と、コ
ントラスト及び視角特性の劣化の防止に関する。
レイン・スイッチング）方式の液晶表示素子（パッシブ
型及びアクティブ型）に関し、特に白輝度の低下と、コ
ントラスト及び視角特性の劣化の防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子（以下ＬＣＤと言
う）は軽量・薄型・低消費電力などの特性を生かし、各
種情報機器端末やビデオ機器などに使用されている。こ
れらのＬＣＤはＴＮ（ツイスト・ネマチック）やＳＴＮ
（スーパー・ツイスト・ネマチック）形に代表されるＬ
ＣＤが大部分であった。しかしこの従来のＬＣＤは実用
化されているが、視野角が比較的狭いという問題があっ
た。
う）は軽量・薄型・低消費電力などの特性を生かし、各
種情報機器端末やビデオ機器などに使用されている。こ
れらのＬＣＤはＴＮ（ツイスト・ネマチック）やＳＴＮ
（スーパー・ツイスト・ネマチック）形に代表されるＬ
ＣＤが大部分であった。しかしこの従来のＬＣＤは実用
化されているが、視野角が比較的狭いという問題があっ
た。
【０００３】このような点から、イン・プレイン・スイ
ッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ）方式のＬＣＤの提案がなされている（例えば文献
ＪＡＰＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ ’９２−５４７〜５５０
Ｒ．Ｋｉｅｆｅｒ他、“Ｐ２−３０ Ｉｎ−Ｐｌａｎ
ｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｏｆ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ”）。このＩＰＳ方式のＬ
ＣＤは走査電極と信号電極が櫛歯状に形成された基板
と、電極が形成されていない基板との間に液晶が封入さ
れた構造をしている。
ッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ）方式のＬＣＤの提案がなされている（例えば文献
ＪＡＰＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ ’９２−５４７〜５５０
Ｒ．Ｋｉｅｆｅｒ他、“Ｐ２−３０ Ｉｎ−Ｐｌａｎ
ｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｏｆ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ”）。このＩＰＳ方式のＬ
ＣＤは走査電極と信号電極が櫛歯状に形成された基板
と、電極が形成されていない基板との間に液晶が封入さ
れた構造をしている。
【０００４】例えば図３に示すように、ガラスのような
透明基板１１，１２の周囲がシール材１３で封止固定さ
れ、これら基板１１，１２、シール材１３によって形成
された空間内にｎ形液晶（誘電率異方性が負の液晶）１
４が封入される。一方の基板１２の内面に、図４Ａに示
すような一対の櫛歯状の画素電極１５と対向電極１６と
が互いに噛みあった状態で形成され、他方の基板１１に
は電極は形成されていない。基板１１，１２の各内面に
配向膜１７，１８がそれぞれ形成され、これら配向膜１
７，１８はそれぞれ、電極１５，１６の各歯の長手方向
と直交する方向に配向処理がなされている。その配向方
向をそれぞれ印１９，２０で示す。従って液晶１４の液
晶分子１４ａの長軸は電極１５，１６の各歯の長手方向
と直角な方向で、かつ基板１１，１２とそれぞれ平行に
配向されている。基板１１，１２の外面にそれぞれ偏光
板２１，２２が形成され、一方の偏光板２１の偏光方向
２３は配向方向１９と同一とされているが、他方の偏光
板２２の偏光方向２４は配向方向２０、偏光方向２３と
直交する方向とされている。また、液晶は電極１５，１
６の各歯の長手方向と平行な方向で、かつ基板１１，１
２とそれぞれ平行に配向されたｐ形液晶（誘電率異方性
が正の液晶）でもよい。
透明基板１１，１２の周囲がシール材１３で封止固定さ
れ、これら基板１１，１２、シール材１３によって形成
された空間内にｎ形液晶（誘電率異方性が負の液晶）１
４が封入される。一方の基板１２の内面に、図４Ａに示
すような一対の櫛歯状の画素電極１５と対向電極１６と
が互いに噛みあった状態で形成され、他方の基板１１に
は電極は形成されていない。基板１１，１２の各内面に
配向膜１７，１８がそれぞれ形成され、これら配向膜１
７，１８はそれぞれ、電極１５，１６の各歯の長手方向
と直交する方向に配向処理がなされている。その配向方
向をそれぞれ印１９，２０で示す。従って液晶１４の液
晶分子１４ａの長軸は電極１５，１６の各歯の長手方向
と直角な方向で、かつ基板１１，１２とそれぞれ平行に
配向されている。基板１１，１２の外面にそれぞれ偏光
板２１，２２が形成され、一方の偏光板２１の偏光方向
２３は配向方向１９と同一とされているが、他方の偏光
板２２の偏光方向２４は配向方向２０、偏光方向２３と
直交する方向とされている。また、液晶は電極１５，１
６の各歯の長手方向と平行な方向で、かつ基板１１，１
２とそれぞれ平行に配向されたｐ形液晶（誘電率異方性
が正の液晶）でもよい。
【０００５】図３に示した電極１５，１６間に電圧を印
加しない状態では、このＬＣＤに入射された光はその入
射側の偏光板例えば２１により直線偏光とされ、その偏
光方向と液晶分子１４ａの長軸方向とが一致しているか
ら、偏光方向を変えられることなく液晶１４を透過する
ため、出射側の偏光板２２に達した光の偏向方向はその
偏光板２２の偏向方向と直交し、遮断される。
加しない状態では、このＬＣＤに入射された光はその入
射側の偏光板例えば２１により直線偏光とされ、その偏
光方向と液晶分子１４ａの長軸方向とが一致しているか
ら、偏光方向を変えられることなく液晶１４を透過する
ため、出射側の偏光板２２に達した光の偏向方向はその
偏光板２２の偏向方向と直交し、遮断される。
【０００６】しかし電極１５，１６間に電圧を印加する
と、これら電極１５，１６の間の電界により液晶分子１
４ａの長軸方向が、図４Ｂに示すように電極の歯の長手
方向と平行する方向に曲げられる。よって基板１１側か
ら入射され、偏光板２１により直線偏光とされた光は液
晶１４を透過中に液晶１４の複屈折により楕円偏光に変
化し、偏光板２２を透過する。
と、これら電極１５，１６の間の電界により液晶分子１
４ａの長軸方向が、図４Ｂに示すように電極の歯の長手
方向と平行する方向に曲げられる。よって基板１１側か
ら入射され、偏光板２１により直線偏光とされた光は液
晶１４を透過中に液晶１４の複屈折により楕円偏光に変
化し、偏光板２２を透過する。
【０００７】このようなＬＣＤにより画像を表示するに
は、例えば図４Ａに示した一対の電極１５，１６を、各
画素対応に設け、その各一対の電極の一方を走査電極と
し、他方を信号電極とする。即ち従来の単純マトリクス
（ＸＹマトリックス）方式と同様の表示方法である。こ
の他図５に示すように各画素に対応して電極１５，１６
と共にスイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）３３を形成し、列状のソースバス３５を信号電極、
行状のゲートバス３６を走査電極として各画素を選択的
に表示する現行のＴＦＴアクティブマトリクス方式と同
様の表示方法もある。また、ＴＦＴのような三端子スイ
ッチング素子以外にダイオードやバリスタ等の二端子ス
イッチング素子を用いる場合もある。
は、例えば図４Ａに示した一対の電極１５，１６を、各
画素対応に設け、その各一対の電極の一方を走査電極と
し、他方を信号電極とする。即ち従来の単純マトリクス
（ＸＹマトリックス）方式と同様の表示方法である。こ
の他図５に示すように各画素に対応して電極１５，１６
と共にスイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）３３を形成し、列状のソースバス３５を信号電極、
行状のゲートバス３６を走査電極として各画素を選択的
に表示する現行のＴＦＴアクティブマトリクス方式と同
様の表示方法もある。また、ＴＦＴのような三端子スイ
ッチング素子以外にダイオードやバリスタ等の二端子ス
イッチング素子を用いる場合もある。
【０００８】このＩＰＳ方式ＬＣＤは図３Ｂに示すよう
に、基板１１，１２間の真中における基板１１，１２と
平行な面に対し、対称構造になっているため、視野角が
広いと云われ、前記英文の文献において、電子計算機に
よるシミュレーションの結果は従来のＴＮやＳＴＮ形の
ＬＣＤよりも視角依存性が小さいことが示されている。
に、基板１１，１２間の真中における基板１１，１２と
平行な面に対し、対称構造になっているため、視野角が
広いと云われ、前記英文の文献において、電子計算機に
よるシミュレーションの結果は従来のＴＮやＳＴＮ形の
ＬＣＤよりも視角依存性が小さいことが示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】 （１）画素電極１５及び対向電極１６をクロムまたは酸
化クロムなどを用いた遮光層で形成した場合には、透明
基板１２上に画素電極１５と対向電極１６とが各画素に
対応して形成されているため、両電極間の表示領域（１
画面分の合計）の画面全体に対する割合、つまり開口率
が従来のＩＰＳ方式でない普通のＬＣＤ（対向電極が透
明基板１１の内面に形成されている）に比べて可なり小
さいので、白輝度が低くなる問題があった。
化クロムなどを用いた遮光層で形成した場合には、透明
基板１２上に画素電極１５と対向電極１６とが各画素に
対応して形成されているため、両電極間の表示領域（１
画面分の合計）の画面全体に対する割合、つまり開口率
が従来のＩＰＳ方式でない普通のＬＣＤ（対向電極が透
明基板１１の内面に形成されている）に比べて可なり小
さいので、白輝度が低くなる問題があった。
【００１０】即ち、図２のＢに示すように、画素電極１
５及び対向電極１６の幅及び両電極の間隔をいずれも１
０μｍとした実験モデルでは、黒輝度は０．５ｃｄ／ｍ
2 と低く問題ないが、白輝度が８４ｃｄ／ｍ2 と低い値
を示している。 （２）一方、両電極をＩＴＯなどの透明層で形成した場
合には、開口率は上述と変らないが、両電極を光が透過
するので白輝度が高くなる。しかし黒輝度も同時に高く
なり、コントラストが低下する問題があった。即ち、図
２のＣに示すように、上記と同じ寸法で両電極を形成し
たモデルでは、白輝度が１１０ｃｄ／ｍ 2 、黒輝度が
１．０ｃｄ／ｍ2 と両者共高い値を示し、これらの比で
与えられるコントラストは１１０となり、Ｂの場合のコ
ントラスト１６８に比べて可なり低いことが分る。
５及び対向電極１６の幅及び両電極の間隔をいずれも１
０μｍとした実験モデルでは、黒輝度は０．５ｃｄ／ｍ
2 と低く問題ないが、白輝度が８４ｃｄ／ｍ2 と低い値
を示している。 （２）一方、両電極をＩＴＯなどの透明層で形成した場
合には、開口率は上述と変らないが、両電極を光が透過
するので白輝度が高くなる。しかし黒輝度も同時に高く
なり、コントラストが低下する問題があった。即ち、図
２のＣに示すように、上記と同じ寸法で両電極を形成し
たモデルでは、白輝度が１１０ｃｄ／ｍ 2 、黒輝度が
１．０ｃｄ／ｍ2 と両者共高い値を示し、これらの比で
与えられるコントラストは１１０となり、Ｂの場合のコ
ントラスト１６８に比べて可なり低いことが分る。
【００１１】また透明層で電極を形成した場合、画面の
光の透過率が高いため、偏光板特性（２枚の偏光板の軸
角度を直交させる構造では、画面の斜め方向から見た場
合光ぬけが起こる性質がある）の影響を受け易くなり、
この結果視角特性が劣化する問題があった。 （３）この発明は、従来の電極に遮光層のみを用いる場
合のような白輝度の低下や、透明層のみを用いる場合の
ようなコントラスト及び視角特性の劣化のないＬＣＤを
提供することを目的としている。
光の透過率が高いため、偏光板特性（２枚の偏光板の軸
角度を直交させる構造では、画面の斜め方向から見た場
合光ぬけが起こる性質がある）の影響を受け易くなり、
この結果視角特性が劣化する問題があった。 （３）この発明は、従来の電極に遮光層のみを用いる場
合のような白輝度の低下や、透明層のみを用いる場合の
ようなコントラスト及び視角特性の劣化のないＬＣＤを
提供することを目的としている。
【００１２】
（１）この発明は、２枚の透明基板が液晶層を挟んで近
接対向して配され、その一方の透明基板の内面に画素電
極及び対向電極が各画素に対応して形成されているＩＰ
Ｓ（イン・プレイン・スイッチング）方式液晶表示素子
に関する。請求項１の発明では特に、画素電極及び対向
電極が、透明層の上に遮光層を重ねた二層構造とされ、
その遮光層の幅が透明層の幅の２５〜７５％の範囲に選
定される。
接対向して配され、その一方の透明基板の内面に画素電
極及び対向電極が各画素に対応して形成されているＩＰ
Ｓ（イン・プレイン・スイッチング）方式液晶表示素子
に関する。請求項１の発明では特に、画素電極及び対向
電極が、透明層の上に遮光層を重ねた二層構造とされ、
その遮光層の幅が透明層の幅の２５〜７５％の範囲に選
定される。
【００１３】（２）請求項２の発明では、画素電極及び
対向電極は、幅方向の中心部に遮光層が、その両端に透
明層がそれぞれ形成され、その遮光層の幅の合計が電極
幅（全体の幅）の２５〜７５％の範囲に選定される。
対向電極は、幅方向の中心部に遮光層が、その両端に透
明層がそれぞれ形成され、その遮光層の幅の合計が電極
幅（全体の幅）の２５〜７５％の範囲に選定される。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１の実施例を参照して発明の実
施の形態を説明する。ただし図１には図３、図４と対応
する部分に同じ符号を付け、重複説明を省略する。請求
項１の発明では、画素電極１５及び対向電極１６が、透
明層４０の上に遮光層４１を重ねた二層構造とされ、そ
の遮光層４１の幅が電極幅（この場合は透明層の幅に等
しい）の２５〜７５％の範囲に選定される。
施の形態を説明する。ただし図１には図３、図４と対応
する部分に同じ符号を付け、重複説明を省略する。請求
項１の発明では、画素電極１５及び対向電極１６が、透
明層４０の上に遮光層４１を重ねた二層構造とされ、そ
の遮光層４１の幅が電極幅（この場合は透明層の幅に等
しい）の２５〜７５％の範囲に選定される。
【００１５】このようにすると、図２Ａに示すように白
輝度、黒輝度及びコントラストがＢの従来の遮光層のみ
の場合とＣの従来の透明層のみの場合のほぼ中間の値と
なるので、遮光層のみの場合の白輝度の低下や透明層の
みの場合のコントラスト及び視角特性の劣化が抑えられ
る。図２Ａは遮光層４１の幅を５μｍ、透明層４０の幅
及び両層の間隔を共に１０μｍとしている。遮光層４１
の幅を電極幅の２５％以下にすると遮光層４１を併用し
た効果が小さくなりすぎ、また７５％以上にすると透明
層４０を併用した効果が小さくなりすぎ、いずれの場合
も中間の特性が得られなくなる。
輝度、黒輝度及びコントラストがＢの従来の遮光層のみ
の場合とＣの従来の透明層のみの場合のほぼ中間の値と
なるので、遮光層のみの場合の白輝度の低下や透明層の
みの場合のコントラスト及び視角特性の劣化が抑えられ
る。図２Ａは遮光層４１の幅を５μｍ、透明層４０の幅
及び両層の間隔を共に１０μｍとしている。遮光層４１
の幅を電極幅の２５％以下にすると遮光層４１を併用し
た効果が小さくなりすぎ、また７５％以上にすると透明
層４０を併用した効果が小さくなりすぎ、いずれの場合
も中間の特性が得られなくなる。
【００１６】他の構造として遮光層４１の両側に透明層
４０を設け（図１Ｃ）、遮光層４１の幅を電極幅の２５
〜７５％に選定することによって、前記図１Ａ，Ｂの二
層構造の場合とほぼ同じ特性が得られる。前記いずれの
場合も、透明層４０にＩＴＯを、遮光層４１にクロムま
たは酸化クロムを用いれば、これらの材料は安価に得ら
れるので、画素電極及び対向電極を経済的に形成するこ
とができる。
４０を設け（図１Ｃ）、遮光層４１の幅を電極幅の２５
〜７５％に選定することによって、前記図１Ａ，Ｂの二
層構造の場合とほぼ同じ特性が得られる。前記いずれの
場合も、透明層４０にＩＴＯを、遮光層４１にクロムま
たは酸化クロムを用いれば、これらの材料は安価に得ら
れるので、画素電極及び対向電極を経済的に形成するこ
とができる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、この発明では、画素
電極及び対向電極は、透明層４０と遮光層４１を用いそ
れぞれが電極幅全体の２５〜７５％の範囲に選定されて
いるので、白輝度及びコントラストは従来の遮光層のみ
の場合と、透明層のみの場合との中間の値となる。よっ
て、従来の遮光層のみの場合の白輝度の低下及び透明層
のみの場合のコントラストや視角特性の劣化（斜め方向
の光ぬけ）が防止される。
電極及び対向電極は、透明層４０と遮光層４１を用いそ
れぞれが電極幅全体の２５〜７５％の範囲に選定されて
いるので、白輝度及びコントラストは従来の遮光層のみ
の場合と、透明層のみの場合との中間の値となる。よっ
て、従来の遮光層のみの場合の白輝度の低下及び透明層
のみの場合のコントラストや視角特性の劣化（斜め方向
の光ぬけ）が防止される。
【００１８】この発明は白輝度を高くできるため、バッ
クライトの低消費電力化にも効果がある。
クライトの低消費電力化にも効果がある。
【図１】この発明の実施例を示す図で、Ａは断面図、Ｂ
はＡの画素電極１５及び対向電極１６の１画素分の形状
の一例を示す平面図、ＣはＡの画素電極１５及び対向電
極１６の他の構造を示す断面図。
はＡの画素電極１５及び対向電極１６の１画素分の形状
の一例を示す平面図、ＣはＡの画素電極１５及び対向電
極１６の他の構造を示す断面図。
【図２】図１Ａの実施例の白輝度、黒輝度及びコントラ
スト特性の一例を従来例と比較して示した図。
スト特性の一例を従来例と比較して示した図。
【図３】従来のＩＰＳ方式ＬＣＤの説明に供する図で、
Ａは要部の分解斜視図、Ｂは断面図。
Ａは要部の分解斜視図、Ｂは断面図。
【図４】Ａは図３の透明基板１２上の電極１５，１６の
一例を示す平面図、Ｂは図３Ｂの電極１５，１６間に電
界を印加した状態を示す断面図。
一例を示す平面図、Ｂは図３Ｂの電極１５，１６間に電
界を印加した状態を示す断面図。
【図５】Ａは図３のＬＣＤがＴＦＴアクティブマトリク
スＬＣＤである場合に、透明基板１２の内面に形成され
た電極１５，１６を含むＴＦＴアレイの要部の平面図、
ＢはＡのａ−ａ′断面図。
スＬＣＤである場合に、透明基板１２の内面に形成され
た電極１５，１６を含むＴＦＴアレイの要部の平面図、
ＢはＡのａ−ａ′断面図。
【手続補正書】
【提出日】平成８年５月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
Claims (2)
- 【請求項１】 ２枚の基板が液晶層を挟んで近接対向し
て配され、その一方の基板の内面に画素電極及び対向電
極が各画素に対応して形成されているＩＰＳ（イン・プ
レイン・スイッチング）方式の液晶表示素子において、 前記画素電極及び対向電極が、透明層の上に遮光層を重
ねた二層構造とされ、その遮光層の幅が透明層の幅の２
５〜７５％の範囲に選定されていることを特徴とする液
晶表示素子。 - 【請求項２】 ２枚の透明基板が液晶層を挟んで近接対
向して配され、その一方の透明基板の内面に各画素に対
応して画素電極及び対向電極が形成されているＩＰＳ
（イン・プレイン・スイッチング）方式の液晶表示素子
において、 前記画素電極及び対向電極は、幅方向の中心部に遮光層
が、その両端に透明層がそれぞれ形成され、その遮光層
の幅が電極幅（全体の幅）の２５〜７５％の範囲に選定
されていることを特徴とする液晶表示素子。
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