JPH09512963A - ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造 - Google Patents
ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造Info
- Publication number
- JPH09512963A JPH09512963A JP8516946A JP51694695A JPH09512963A JP H09512963 A JPH09512963 A JP H09512963A JP 8516946 A JP8516946 A JP 8516946A JP 51694695 A JP51694695 A JP 51694695A JP H09512963 A JPH09512963 A JP H09512963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ferroelectric
- strontium
- titanate
- heterostructure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 4
- GGGMJWBVJUTTLO-UHFFFAOYSA-N [Co]=O.[Sr].[La] Chemical compound [Co]=O.[Sr].[La] GGGMJWBVJUTTLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AZJLMWQBMKNUKB-UHFFFAOYSA-N [Zr].[La] Chemical compound [Zr].[La] AZJLMWQBMKNUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021320 cobalt-lanthanum-strontium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SOEAEIPGNGLRLL-UHFFFAOYSA-N strontium chromium(3+) lanthanum(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Cr+3].[Sr++].[La+3] SOEAEIPGNGLRLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000834695 Auchenoglanis occidentalis Species 0.000 description 1
- -1 CO) Chemical class 0.000 description 1
- 241000723368 Conium Species 0.000 description 1
- XJQGZDLLLTXKCQ-UHFFFAOYSA-N [Co+2].[Sr+2].[O-2].[La+3] Chemical compound [Co+2].[Sr+2].[O-2].[La+3] XJQGZDLLLTXKCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000009089 cytolysis Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000411 inducer Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/36—Unipolar devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/692—Electrodes
- H10D1/696—Electrodes comprising multiple layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
- H10D1/682—Capacitors having no potential barriers having dielectrics comprising perovskite structures
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
優れた信頼性と疲労や痕跡に対する耐性を有する強誘電体コンデンサーのヘテロ構造は、多結晶性金属酸化物を有する高導電性の白金のハイブリッド電極および結晶配向テンプレートの挿入が必須でないＳｉ−ＣＭＯＳ−適合可能な基板上に堆積した強誘電体材料を具備する。
Description
【発明の詳細な説明】
ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造
発明の背景
近年、バッファ層とテンプレート(template)とを適当に組合せることにより、
高品質結晶の強誘電体薄膜をシリコン基板上に成長させて、適切な結晶配向で所
望の物質相の結晶化や形成を開始させることが行われている。例えば、（略称）
ＹＳＺ(yttria-stabilized zirconia)は、化学洗浄された、［１００］Ｓｉウエ
ハー上のバッファ層として用いて、（略称）ＹＢＣＯ(yttrium-barium-cuprate)
のようなキュプレート(cuprate)超伝導体の後続層を成長させるための結晶テン
プレートを提供している。米国特許第５，１５５，６５８号では、高結晶品質の
、Ｃ軸配向された（略称）ＹＢＣＯを、（略称）ＰＺＴ(pseudo-cubic lead zir
conium titanate)ペロブスカイト(perovskite)強誘電体層および被覆としてのＹ
ＢＣＯ電極層を後続成長させるための構造テンプレートとして用いて、強誘電体
記憶素子を形成している。しかし、成長温度が高いので、Ｓｉ−ＣＭＯＳ加工に
おいては問題が生じていた。
改良された低温結晶成長が、酸化ランタン−ストロンチウム−コバルト（ＬＳ
ＣＯ）のような立方晶金属酸化物で後に成し遂げられたが、これは、（米国特許
第５，２７０，２９８号）、例えばビスマスチタン酸塩（ＢＴＯ）、積層ペロブ
スカイトのテンプレート層を用いてＬＳＣＯおよびＰＺＴ強誘電体オーバー層で
Ｃ軸配向を開始させて行ったものである。米国特許第５，２４８，５６４号では
、強誘電体装置の成長をさらに改善しているが、これは積層ＢＴＯまたは類似の
タングステン酸ビスマス（ＢＷＯ）のテンプレートを用いてＣＭＯＳ ＳｉＯ2
／Ｓｉ基板上に適合して形成することができるＬＳＣＯ／ＰＬＺＴ／ＬＳＣＯヘ
テロ構造中にチタン酸鉛−ランタン−ジルコニウム（ＰＬＺＴ）を使用して、実
現したものである。
このように温度限界を克服してＣＭＯＳ適合を達成することができたものの、
ＳｉＯ2／Ｓｉ基板上のヘテロ構造の電気導電率は、実際に集積回路に適用する
ためには不十分であった。１９９４年１０月５日に出願され、本願の譲受人と同
一の譲受人に譲渡された本願と同時係属の米国特許出願第０８／３１８，５８７
号に開示された方法に従って、積層ペロブスカイトテンプレート上に配向した白
金を中間エピタキシャル堆積することによって、この欠陥を取り除いた。しかし
ながら、テンプレートと結晶層成長の操作が追加されるため、デバイス加工が顕
著に長びくこととなった。
発明の概要
本発明で見出されたのは、意外にも、積層ペロブスカイト（例えばＢＴＯ等）
のテンプレート中間層はなくてもよいこと、そして白金等の金属の薄膜は、Ｔｉ
、ＴａまたはＴｉＯ2を下塗りした非晶質ＳｉＯ2表面を有する実用化グレード(c
ommercial-grade)のＳｉウエハー基板上に慣用手順により成長すると、所要の電
気シート導電率が得られ、また任意数の金属酸化物コンデンサー電極材料、例え
ばＬＳＣＯ、ＬａＳｒＣｒＯ3、ＲｕＯx、およびＳｒＲｕＯ3、の多結晶成長も
十分に支持され、その上、例えばＰＬＺＴやＰＺＴのペロブスカイト強誘電体中
間層を少なくとも１層同様に後続成長するのが支持されることである。このよう
な材料の望ましい強誘電体性能、特に、疲労や痕跡(imprint)に対する耐性、に
ついての性能は、多結晶成長によって害されることはなく、ランタンまたはニオ
ブを１％〜１０％ドーピングすることによって、さらに最適化することができる
。
初期に見出された、積層ヘテロ構造加工方法、例えば酸素雰囲気中で操作環境
温度まで成長層を制御冷却することによる方法では、得られた装置の強誘電体性
能に対して、特に、疲労、エージング、保持力および痕跡のような特性に関して
明らかである信頼性に、顕著な正の効果を持ち続ける。
図面の簡単な説明
本発明を、添付図を参照して説明する。
図１は、本発明の強誘電体ヘテロ構造の代表的な立断面図であり、
図２は、本発明によりＳｉ／ＳｉＯ2基板上への成長で得られた強誘電性の高
いヘテロ構造の代表的なＸ線回折パターンであり、
図３は、ＳｉＯ2層を有しない基板上への成長で得られた強誘電性の弱いヘテ
ロ構造の代表的なＸ線回折パターンであり、
図４は、ＬＳＣＯ電極下引き層上への成長で得られた強誘電性の高いヘテロ構
造の代表的なＸ線回折パターンであり、
図５は、ＬＳＣＯ電極下引き層なしでの成長で得られた強誘電性の弱いヘテロ
構造の代表的なＸ線回折パターンであり、
図６は、図２および図３で特徴づけられたヘテロ構造の試験で得られた比較用
ヒステリシスループのグラフであり、そして、
図７は、図４および図５で特徴づけられたヘテロ構造の試験で得られた比較用
ヒステリシスループのグラフである。
発明の詳細な説明
本発明により得られた典型的な強誘電体ヘテロ構造の記憶素子１０を図１に示
すが、これは［００１］に配向した単結晶シリコンウエハー１１を基板として備
え、その表面は熱ウエット酸化されて約１００ｎｍ厚の電子グレードの非晶質Ｓ
ｉＯ2層１２を形成している。圧電装置に特に有用な別のシリコンコーティング
層材料は、窒化珪素、ＳｉＮ4である。約２〜２．５Ｊ／ｃｍ2の範囲のエネルギ
ー密度でエキシマレーザ（２４８ｎｍ）を用いたパルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）
を使用して、約６００〜６８０℃の温度でＳｉＯ2層表面に、約５０ｎｍのチタ
ンの下塗り層１３を成長した。次いで、５０〜１５０ｎｍの白金金属層を同様に
、Ｔｉ層１３上に成長した。他の通常の成長技術、例えばスパッタリング、化学
蒸着（ＣＶＤ）および電子ビーム蒸着を、同様に採用することができ
る。
適切な組成のターゲットで、ＰＬＤ装置を用いて電極と強誘電体層を連続的に
蒸着した。約５５０℃から７００℃の通常の温度範囲で、かつ約１３．３Ｐａの
酸素分圧の雰囲気中で、ＬＳＣＯの第１電極層１５、典型的にはＬ1-xＳｒxＣｏ
Ｏ3（ここで、ｘは約０．１５から０．８５まで、好ましくは約０．５である）
の組成が、約５０〜１５０ｎｍ厚、好ましくは約１００ｎｍ厚、になるまで、Ｐ
ｔ層１４上に成長した。他の公知の金属酸化物電極材料、例えば、ＲｕＯx、Ｓ
ｒＲｕＯ3およびＬａＳｒＣｒＯ3、を同じく使用できる。
次に、ＰＬＺＴの強誘電体層１６を約１００〜５００ｎｍ、典型的には３００
ｎｍになるように設けた。ＰＬＺＴ材料の組成は、本実施例では、Ｐｂ0.9Ｌａ0 .1
Ｚｒ0.2Ｔｉ0.8Ｏ3であるが、何に応用することを意図しているかに応じて、
広い範囲で変化させることができる。また、１％から１０％までの範囲で、好ま
しくは約４％から６％の範囲で、ランタンまたはニオブをドーピングすることは
、強誘電体特性を最適化するのに有用である。他の強誘電体または常誘電(parae
lectric)材料、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、
チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、タンタル酸ビスマスストロンチウム、ニオブ酸
ビスマスストロンチウムおよびタンタル酸ニオブ酸カリウムは、高誘電率コンデ
ンサーへの応用において、また焦電装置および圧電装置において、層１６に同様
に使用できる。次いで、約１００ｎｍのＬＳＣＯの電極最上層１７を成長し、ヘ
テロ構造全体を約１×１０2〜約１×１０5Ｐａの範囲内の酸素分圧を有する雰囲
気中において約５〜２０℃／分の最適速度で周囲温度まで冷却した。完成した多
結晶ヘテロ構造をＸ線回折実験することにより、強誘電スタックがペロブスカイ
ト相中では十分であることを確認した。
通常のホトリソグラフィー法を用いて、直径５０μｍの試験コンデンサー電極
１８を上部ＬＳＣＯ層１７から形成し、その上にＰｔ／Ａｕ電気コンタクト１９
を堆積した。ボトム電極層１５との相補コンタクトが、この構造体のどこか他の
表面上で、大きな導電パッド（図示せず）を介して容量結合することによって実
現された。コンデンサーヘテロ構造の典型的な強誘電体試験を行ったところ、非
常に望ましい、疲労特性、エージング特性、および保持力特性を示し、
これらの特性は、長期持久記憶装置への応用に対して抜群に適している。この装
置によって示される５Ｖで約１５〜２０μＣ／ｃｍ2の残存分極値(remnant pola
rization value)は、この目的に対しては全く十分である。高温かつ直流バイア
スの存在下という、より極端な条件で行った追加試験でも、同様に十分満足な結
果を示した。例えば、約１００℃で装置は少なくとも１０11サイクル以上の優れ
たリードライト耐久性を示した。
さらにヘテロ構造を成長させて、本発明の加工の有効性を試験するためのサン
プルを用意した。このようなサンプルの１セットにおいて、第１ヘテロ構造はＳ
ｉＯ2層１２を含むように上記の如く調製し、一方、第２サンプルではＳｉＯ2を
省略した。図２および図３に描かれているサンプルの各Ｘ線回折パターンは、Ｓ
ｉＯ2中間層１２とともに成長したＰＬＺＴ層（図２）の優先的な強誘電配向と
、ＳｉＯ2層がないために生じた不純物相（図３）の弱い配向と回折ピークとを
示している。それらのパターンの各強度は特に注目に値する。
図４および図５の比較用Ｘ線回折パターンは、第２セットサンプルから得られ
た。この第２セットのサンプルは、ヘテロ構造スタック（図１）のＰＬＺＴ強誘
電体層１６の下にＰｔ層１４を有するハイブリッド金属／金属酸化物電極を形成
するのに必要なＬＳＣＯ層１５を含むか含まないかでそれぞれ異なっている。Ｌ
ＳＣＯ電極層１５の効果は、回折強度のみならず、ＰＬＺＴ強誘電体ペロブスカ
イト相（図４）のＸ線回折ピークに最も顕著に表れている。ＬＳＣＯ電極層なし
では、ＰＬＺＴの非強誘電性黄緑石相(pyro)のみが形成された（図５）。
引き続き強誘電体特性を測定したところ、これらのサンプルの比較用ヒステリ
シスループ（図６）で観察されるように、Ｓｉウエハー基板上に存在するＳｉＯ2
が有意に寄与していることがはっきりと示された。上述の測定法では、また、
ＬＳＣＯ電極層は強誘電体ペロブスカイト相の優先的な核生成と優れた強誘電性
信頼性特性とを可能にする両表面特性を提供するという別の利点が確認された。
ＬＳＣＯ電極層を設けあるいは設けないで製造されたヘテロ構造の比較用ヒステ
リシスループ（図７）は、後者のサンプルにおいては強誘電体特性が実質的に存
在しないことを示している。
本発明の方法と強誘電体ヘテロ構造コンデンサー材料は、ＤＲＡＭコンデン
サー用誘電体、非破壊読み出し用メモリーの強誘電体ＦＥＴ素子および光集積回
路や焦電探知器用のＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に成長した電気−光ペロブスカイトの
ような広範囲の装置に適用される。これらの強誘電体の別の重要な面において、
ハイブリッド金属／金属酸化物電極を用いた薄膜は、ＦＲＡＭのような持久記憶
貯蔵装置に適用される。
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）および磁気記録感知素子の形の
追加装置は、本発明によって可能にされた強誘電磁気素子やトランジスタ回路を
集積化することにより実現することができる。このような構造は、強誘電体材料
の圧電特性を利用した集積化超小型電気機械システムへの使用にも特に価値があ
る。これらの応用例や他の応用例は上述の説明からいわゆる当業者にとって明ら
かであり、また添付した請求項で明示される本発明の範囲内のものとして考慮さ
れるべきである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 27/108
29/788
29/792
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．下塗りされたシリコン化合物表面を有するシリコン基板と、前記表面上に成 長した少なくとも１つの結晶性強誘電体材料層とを具備する強誘電体コンデンサ ーヘテロ構造であって、前記表面上に成長した金属層が前記ヘテロ構造に導電性 を与え、かつ該金属層上に成長した金属酸化物層が前記強誘電体層のためのハイ ブリッドコンデンサー電極基板を形成していることを特徴とする強誘電体コンデ ンサーヘテロ構造。 ２．前記シリコン化合物が二酸化珪素および窒化珪素からなる群から選ばれ、か つチタン、タンタルおよび二酸化チタンからなる群から選ばれる化合物で下塗り されていることを特徴とする請求項１に記載の構造。 ３．前記金属層が本質的に白金からなることを特徴とする請求項１に記載の構造 。 ４．前記金属酸化物層が、酸化ランタンストロンチウムコバルト、酸化ランタン ストロンチウムクロム、酸化ルテニウムおよび酸化ストロンチウムルテニウムか らなる群から選ばれる物質の多結晶成長物を含むことを特徴とする請求項１に記 載の構造。 ５．前記強誘電体層が、チタン酸鉛ランタンジルコニウム、チタン酸バリウム、 チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、タンタル酸 ビスマスストロンチウム、ニオブ酸ビスマスストロンチウムおよびタンタル酸ニ オブ酸カリウムからなる群から選ばれる物質の多結晶成長物を含むことを特徴と する請求項１に記載の構造。 ６．前記強誘電体層材料が、ランタンおよびニオブからなる群から選ばれるドー ピング物質を１％〜１０％含有することを特徴とする請求項４に記載の構造。 ７．下塗りされたシリコン化合物表面層を有するシリコン基板上に少なくとも１ 層の結晶性強誘電体材料層を成長させた強誘電体コンデンサーのヘテロ構造を製 造するための方法であって、前記表面層上に金属層を成長して前記ヘテロ構造に 導電性を与え、かつ前記金属上に金属酸化物層を成長して該金属酸化物で前記強 誘電体層のためにハイブリッドコンデンサー電極基板を形成することを特徴とす る強誘電体コンデンサーヘテロ構造を製造する方法。 ８．前記シリコン化合物が、チタン、タンタルおよび二酸化チタンからなる群か ら選ばれる化合物で下塗りされており、かつ前記金属層が本質的に白金からなる ことを特徴とする請求項７に記載の方法。 ９．前記金属酸化物層が、酸化ランタンストロンチウムコバルト、酸化ランタン ストロンチウムクロム、ルテニウム酸化物および酸化ストロンチウムルテニウム からなる群から選ばれる物質の多結晶成長によって形成されることを特徴とする 請求項７に記載の方法。 １０．前記強誘電体層が、前記金属酸化物層上に多結晶成長させることによって 形成されることを特徴とする請求項７に記載の方法。 １１．前記強誘電体層の物質が、チタン酸鉛ランタンジルコニウム、チタン酸バ リウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、タ ンタル酸ビスマスストロンチウム、ニオブ酸ビスマスストロンチウムおよびタン タル酸ニオブ酸カリウムからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１０に 記載の方法。 １２．前記金属酸化物の電極層が前記強誘電体層上に成長することを特徴とする 請求項１０に記載の方法。 １３．前記強誘電体層が、約５５０℃から７００℃の範囲の温度で、前記ハイブ リッドコンデンサー電極基板上に成長し、かつ前記成長温度から操作周囲温度ま で、約１×１０2から１×１０5ａの範囲の酸素分圧を有する雰囲気中で、約５℃ ／分から２５℃／分の速度で冷却されることを特徴とする請求項７に記載の方法 。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/341,728 | 1994-11-18 | ||
| US341,728 | 1994-11-18 | ||
| US08/341,728 US5519235A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Polycrystalline ferroelectric capacitor heterostructure employing hybrid electrodes |
| PCT/US1995/014740 WO1996016447A1 (en) | 1994-11-18 | 1995-11-03 | Polycrystalline ferroelectric capacitor heterostructure employing hybrid electrodes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09512963A true JPH09512963A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3040483B2 JP3040483B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=23338770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8516946A Expired - Lifetime JP3040483B2 (ja) | 1994-11-18 | 1995-11-03 | ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5519235A (ja) |
| EP (1) | EP0792524B1 (ja) |
| JP (1) | JP3040483B2 (ja) |
| KR (1) | KR100296236B1 (ja) |
| AU (1) | AU684407B2 (ja) |
| DE (1) | DE69527642T2 (ja) |
| IL (1) | IL115893A (ja) |
| MX (1) | MX9703547A (ja) |
| MY (1) | MY117284A (ja) |
| NZ (1) | NZ296461A (ja) |
| TW (1) | TW283234B (ja) |
| WO (1) | WO1996016447A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187004A (ja) * | 2004-07-22 | 2010-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ２安定抵抗値取得装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2703206B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-01-26 | 三星電子株式会社 | 強誘電体キャパシタ及びその製造方法 |
| US5821598A (en) * | 1995-02-01 | 1998-10-13 | Research Corporation Technologies, Inc. | Uncooled amorphous YBaCuO thin film infrared detector |
| US5572060A (en) * | 1995-02-01 | 1996-11-05 | Southern Methodist University | Uncooled YBaCuO thin film infrared detector |
| WO1997001854A1 (en) * | 1995-06-28 | 1997-01-16 | Bell Communication Research, Inc. | Barrier layer for ferroelectric capacitor integrated on silicon |
| US5798903A (en) * | 1995-12-26 | 1998-08-25 | Bell Communications Research, Inc. | Electrode structure for ferroelectric capacitor integrated on silicon |
| KR100199095B1 (ko) | 1995-12-27 | 1999-06-15 | 구본준 | 반도체 메모리 셀의 캐패시터 구조 및 그 제조방법 |
| US5593914A (en) * | 1996-03-19 | 1997-01-14 | Radiant Technologies, Inc. | Method for constructing ferroelectric capacitor-like structures on silicon dioxide surfaces |
| KR100303682B1 (ko) | 1996-04-19 | 2001-11-02 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| JP3594061B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2004-11-24 | ソニー株式会社 | 層状結晶構造酸化物およびその製造方法 |
| KR19980014897A (ko) * | 1996-08-17 | 1998-05-25 | 구자홍 | 커패시터 및 그 제조방법 |
| US5807774A (en) | 1996-12-06 | 1998-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Simple method of fabricating ferroelectric capacitors |
| CN1259227A (zh) | 1997-06-09 | 2000-07-05 | 特尔科迪亚技术股份有限公司 | 晶体钙钛矿铁电单元的退火和呈现阻挡层特性改善的单元 |
| JP3169866B2 (ja) | 1997-11-04 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
| EP1039525A4 (en) * | 1997-11-10 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | DIELECTRIC ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCTION |
| KR100252854B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2000-04-15 | 김영환 | 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법 |
| KR100458084B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 누설전류가 감소된 하부전극을 갖는 강유전체 커패시터 형성 방법 |
| KR100289389B1 (ko) * | 1998-03-05 | 2001-06-01 | 김영환 | 반도체소자의캐패시터제조방법 |
| US6128178A (en) * | 1998-07-20 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Very thin film capacitor for dynamic random access memory (DRAM) |
| US6194754B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-02-27 | Telcordia Technologies, Inc. | Amorphous barrier layer in a ferroelectric memory cell |
| US6312819B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-06 | The Regents Of The University Of California | Oriented conductive oxide electrodes on SiO2/Si and glass |
| US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
| US6392257B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-05-21 | Motorola Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| KR20030011083A (ko) | 2000-05-31 | 2003-02-06 | 모토로라 인코포레이티드 | 반도체 디바이스 및 이를 제조하기 위한 방법 |
| US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
| US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
| US6590236B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure for use with high-frequency signals |
| WO2002009187A2 (en) | 2000-07-24 | 2002-01-31 | Motorola, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| WO2002082510A1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-10-17 | Cova Technologies Incorporated | Single transistor rare earth manganite ferroelectric nonvolatile memory cell |
| US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
| US20020096683A1 (en) | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
| US20020164850A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-11-07 | Gnadinger Alfred P. | Single transistor rare earth manganite ferroelectric nonvolatile memory cell |
| WO2002082551A1 (en) | 2001-04-02 | 2002-10-17 | Motorola, Inc. | A semiconductor structure exhibiting reduced leakage current |
| US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US6531740B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-03-11 | Motorola, Inc. | Integrated impedance matching and stability network |
| US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
| US20030015712A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Motorola, Inc. | Fabrication of an optical communication device within a semiconductor structure |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
| US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
| US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
| US20030034491A1 (en) | 2001-08-14 | 2003-02-20 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
| US20030071327A1 (en) | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Motorola, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| JP4708667B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | アクチュエータおよび液体噴射ヘッド |
| US6825517B2 (en) | 2002-08-28 | 2004-11-30 | Cova Technologies, Inc. | Ferroelectric transistor with enhanced data retention |
| US6714435B1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-03-30 | Cova Technologies, Inc. | Ferroelectric transistor for storing two data bits |
| US6888736B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-05-03 | Cova Technologies, Inc. | Ferroelectric transistor for storing two data bits |
| US6762481B2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-07-13 | The University Of Houston System | Electrically programmable nonvolatile variable capacitor |
| WO2004041914A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Eamex Corporation | 導電性高分子複合構造体 |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US7754353B2 (en) * | 2003-10-31 | 2010-07-13 | Newns Dennis M | Method and structure for ultra-high density, high data rate ferroelectric storage disk technology using stabilization by a surface conducting layer |
| TWI244205B (en) * | 2004-06-11 | 2005-11-21 | Univ Tsinghua | A lead barium zirconate-based fatigue resistance ferroelectric and ferroelectric memory device made from the same |
| WO2008133740A2 (en) * | 2006-12-01 | 2008-11-06 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Ferroelectric ultrathin perovskite films |
| US20120232632A1 (en) * | 2009-10-30 | 2012-09-13 | St. Jude Medical Ab | medical implantable lead |
| CA2834891A1 (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | University Of North Texas | Graphene magnetic tunnel junction spin filters and methods of making |
| US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US11996517B2 (en) | 2011-06-29 | 2024-05-28 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| WO2016160917A1 (en) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Segregation resistant perovskite oxides with surface modification |
| WO2019173626A1 (en) | 2018-03-07 | 2019-09-12 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy-storage devices |
| WO2020210257A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Kepler Computing Inc. | Doped polar layers and semiconductor device incorporating same |
| US11289497B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-03-29 | Kepler Computing Inc. | Integration method of ferroelectric memory array |
| US11430861B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-08-30 | Kepler Computing Inc. | Ferroelectric capacitor and method of patterning such |
| US11482528B2 (en) | 2019-12-27 | 2022-10-25 | Kepler Computing Inc. | Pillar capacitor and method of fabricating such |
| US11501905B2 (en) * | 2020-08-31 | 2022-11-15 | Boston Applied Technologies, Inc. | Composition and method of making a monolithic heterostructure of multiferroic thin films |
| US11792998B1 (en) | 2021-06-11 | 2023-10-17 | Kepler Computing Inc. | Process integration flow for embedded memory with multi-pocket masks for decoupling processing of memory areas from non-memory areas |
| CN117548095B (zh) * | 2023-11-24 | 2024-08-06 | 扬州大学 | 钛酸铋b位铌元素掺杂光/压电催化材料的制备方法与应用 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9000602A (nl) * | 1990-03-16 | 1991-10-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met geheugenelementen vormende condensatoren met een ferroelectrisch dielectricum. |
| JP3006053B2 (ja) * | 1990-08-07 | 2000-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
| TW200600B (ja) * | 1991-10-01 | 1993-02-21 | Philips Nv | |
| US5270298A (en) * | 1992-03-05 | 1993-12-14 | Bell Communications Research, Inc. | Cubic metal oxide thin film epitaxially grown on silicon |
| US5155658A (en) * | 1992-03-05 | 1992-10-13 | Bell Communications Research, Inc. | Crystallographically aligned ferroelectric films usable in memories and method of crystallographically aligning perovskite films |
| US5248564A (en) * | 1992-12-09 | 1993-09-28 | Bell Communications Research, Inc. | C-axis perovskite thin films grown on silicon dioxide |
| US5387459A (en) * | 1992-12-17 | 1995-02-07 | Eastman Kodak Company | Multilayer structure having an epitaxial metal electrode |
-
1994
- 1994-11-18 US US08/341,728 patent/US5519235A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-03 DE DE69527642T patent/DE69527642T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-03 JP JP8516946A patent/JP3040483B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-03 KR KR1019970703288A patent/KR100296236B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-03 NZ NZ296461A patent/NZ296461A/xx unknown
- 1995-11-03 EP EP95939139A patent/EP0792524B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-03 WO PCT/US1995/014740 patent/WO1996016447A1/en not_active Ceased
- 1995-11-03 MX MX9703547A patent/MX9703547A/es not_active IP Right Cessation
- 1995-11-03 AU AU41083/96A patent/AU684407B2/en not_active Ceased
- 1995-11-06 IL IL11589395A patent/IL115893A/en active IP Right Grant
- 1995-11-18 MY MYPI95003518A patent/MY117284A/en unknown
- 1995-11-20 TW TW084112387A patent/TW283234B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187004A (ja) * | 2004-07-22 | 2010-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ２安定抵抗値取得装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69527642T2 (de) | 2003-04-03 |
| EP0792524B1 (en) | 2002-07-31 |
| IL115893A (en) | 1998-08-16 |
| US5519235A (en) | 1996-05-21 |
| AU4108396A (en) | 1996-06-17 |
| IL115893A0 (en) | 1996-01-31 |
| KR100296236B1 (ko) | 2001-08-07 |
| DE69527642D1 (de) | 2002-09-05 |
| TW283234B (ja) | 1996-08-11 |
| WO1996016447A1 (en) | 1996-05-30 |
| KR970707588A (ko) | 1997-12-01 |
| MY117284A (en) | 2004-06-30 |
| NZ296461A (en) | 1999-03-29 |
| EP0792524A1 (en) | 1997-09-03 |
| MX9703547A (es) | 1997-08-30 |
| JP3040483B2 (ja) | 2000-05-15 |
| AU684407B2 (en) | 1997-12-11 |
| EP0792524A4 (en) | 1999-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3040483B2 (ja) | ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造 | |
| US5479317A (en) | Ferroelectric capacitor heterostructure and method of making same | |
| EP0747937B1 (en) | Method of forming a substrate coated with a ferroelectric thin film | |
| US7368172B2 (en) | Membrane multi-layer structure, and actuator element, capacitive element and filter element using the same | |
| US6441417B1 (en) | Single c-axis PGO thin film on ZrO2 for non-volatile memory applications and methods of making the same | |
| MXPA97003547A (en) | Heteroestructura of polycrystalline ferroelectric capacitor that uses hybrid electrodes | |
| US5998819A (en) | Thin ferroelectric film element having a multi-layered thin ferroelectric film and method for manufacturing the same | |
| JP3363301B2 (ja) | 強誘電体薄膜被覆基板及びその製造方法及び強誘電体薄膜被覆基板によって構成された不揮発性メモリ | |
| JP4772188B2 (ja) | 強誘電コンデンサの作成方法および基板上にｐｚｔ層を成長させる方法 | |
| US6197600B1 (en) | Ferroelectric thin film, manufacturing method thereof and device incorporating the same | |
| JPH10270654A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP3891603B2 (ja) | 強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜被覆基板の製造方法 | |
| JP2000169297A (ja) | 酸化物強誘電体薄膜の製造方法、酸化物強誘電体薄膜及び酸化物強誘電体薄膜素子 | |
| US6307225B1 (en) | Insulating material, substrate covered with an insulating film, method of producing the same, and thin-film device | |
| JP2001085624A (ja) | 薄膜積層体、薄膜キャパシタ、およびその製造方法 | |
| JPH104181A (ja) | 強誘電体素子及び半導体装置 | |
| JP3138128B2 (ja) | 誘電体薄膜構造物 | |
| JPH08340084A (ja) | 誘電体薄膜の製造方法および該製造方法によって作製された誘電体薄膜 | |
| JPH10223847A (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子及び強誘電体メモリ装置 | |
| JP3405050B2 (ja) | 誘電体薄膜及びその形成方法 | |
| CA2203524C (en) | Polycrystalline ferroelectric capacitor heterostructure employing hybrid electrodes | |
| CN1164295A (zh) | 使用混合电极的多晶铁电电容器异质结构 | |
| JP2001332549A (ja) | 結晶性酸化物膜の形成方法および半導体装置 | |
| JP2002299573A (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法ならびに強誘電体薄膜素子 | |
| JP2002261250A (ja) | 酸化物結晶質膜の製造方法及び半導体装置 |