JPH10116846A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型Info
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- JPH10116846A JPH10116846A JP8269989A JP26998996A JPH10116846A JP H10116846 A JPH10116846 A JP H10116846A JP 8269989 A JP8269989 A JP 8269989A JP 26998996 A JP26998996 A JP 26998996A JP H10116846 A JPH10116846 A JP H10116846A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】工程追加等によるコストアップを招くことなく
良好なワイヤボンディング領域を確保することができる
ようにする。 【解決手段】上金型１１の凹部１５で囲まれた領域がワ
イヤボンディング領域に対応する部位、即ち、窪み部形
成用突部１６となっている。窪み部形成用突部１６の先
端面１６ａは鏡面加工（平滑加工）が施されているとと
もに、凹部１５の外周部よりも１０μｍだけ下方に突出
している。窪み部形成用突部１６の先端面１６ａには凹
部１７が形成され、凹部１７の位置はリードフレーム１
でのワイヤボンディング領域に対応している。上金型１
１と下金型１２との間にリードフレーム１をクランプ
し、樹脂注入口１９からモールド樹脂２０を注入する。
良好なワイヤボンディング領域を確保することができる
ようにする。 【解決手段】上金型１１の凹部１５で囲まれた領域がワ
イヤボンディング領域に対応する部位、即ち、窪み部形
成用突部１６となっている。窪み部形成用突部１６の先
端面１６ａは鏡面加工（平滑加工）が施されているとと
もに、凹部１５の外周部よりも１０μｍだけ下方に突出
している。窪み部形成用突部１６の先端面１６ａには凹
部１７が形成され、凹部１７の位置はリードフレーム１
でのワイヤボンディング領域に対応している。上金型１
１と下金型１２との間にリードフレーム１をクランプ
し、樹脂注入口１９からモールド樹脂２０を注入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、樹脂封止型半導
体装置の製造方法および装置製造のためのモールド金型
に関するものである。
体装置の製造方法および装置製造のためのモールド金型
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１８に示すように、モールドＩＣ、即
ち、樹脂４０を用いたトランスファ成形法により樹脂封
止されたモールド形パッケージ（樹脂封止型半導体装
置）において、モールド樹脂４０に封止できない素子４
３がある場合には、モールド成形後に窪み部４１に素子
４３を配置するとともに窪み部４１において露出させた
リードフレーム４２と素子４３とをワイヤボンディング
して結線することとなる。
ち、樹脂４０を用いたトランスファ成形法により樹脂封
止されたモールド形パッケージ（樹脂封止型半導体装
置）において、モールド樹脂４０に封止できない素子４
３がある場合には、モールド成形後に窪み部４１に素子
４３を配置するとともに窪み部４１において露出させた
リードフレーム４２と素子４３とをワイヤボンディング
して結線することとなる。
【０００３】その場合、一般に以下の不具合が発生し良
好なワイヤボンディングができないことがある。 （１）モールド成形後、露出したリードフレーム４２上
にモールド樹脂のバリが付着し、ワイヤボンディングが
できない。 （２）モールド成形時にリードフレーム４２上にモール
ド金型が直接接触するため、金型に付いている離型剤が
リードフレーム４２に転写され、ワイヤボンディングが
できない。 （３）モールド成形時にリードフレーム４２上にモール
ド金型が直接接触するため、リードフレーム４２に傷が
付き、良好なワイヤボンディングができない。
好なワイヤボンディングができないことがある。 （１）モールド成形後、露出したリードフレーム４２上
にモールド樹脂のバリが付着し、ワイヤボンディングが
できない。 （２）モールド成形時にリードフレーム４２上にモール
ド金型が直接接触するため、金型に付いている離型剤が
リードフレーム４２に転写され、ワイヤボンディングが
できない。 （３）モールド成形時にリードフレーム４２上にモール
ド金型が直接接触するため、リードフレーム４２に傷が
付き、良好なワイヤボンディングができない。
【０００４】この不具合を解消するために、以下の工程
を追加することで対応することが可能である。 （１）例えば特開平６−８５２２２号公報にて示されて
いる技術を用いて、モールド成形工程後に、リードフレ
ーム４２上のモールド樹脂４０のバリの除去を行った
り、離型剤の洗浄を行って良好なワイヤボンディング領
域をリードフレーム４２上に確保する。 （２）例えば特開平６−３０２７４４号公報にて示され
ている技術を用いて、事前にリードフレーム４２上のワ
イヤボンディング領域に保護膜を形成しておき、モール
ド成形後にその保護膜をエッチング除去し、良好なワイ
ヤボンディング領域を確保する。
を追加することで対応することが可能である。 （１）例えば特開平６−８５２２２号公報にて示されて
いる技術を用いて、モールド成形工程後に、リードフレ
ーム４２上のモールド樹脂４０のバリの除去を行った
り、離型剤の洗浄を行って良好なワイヤボンディング領
域をリードフレーム４２上に確保する。 （２）例えば特開平６−３０２７４４号公報にて示され
ている技術を用いて、事前にリードフレーム４２上のワ
イヤボンディング領域に保護膜を形成しておき、モール
ド成形後にその保護膜をエッチング除去し、良好なワイ
ヤボンディング領域を確保する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
手法を用いると工程の追加が必要となり、コストアップ
を招いてしまう。
手法を用いると工程の追加が必要となり、コストアップ
を招いてしまう。
【０００６】そこで、この発明の目的は、工程追加等に
よるコストアップを招くことなく良好なワイヤボンディ
ング領域を確保することができるようにすることにあ
る。
よるコストアップを招くことなく良好なワイヤボンディ
ング領域を確保することができるようにすることにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、モールド金型におけるリードフレームでのワイ
ヤボンディング領域に対応する部位がリードフレームと
非接触状態となる状態で、リードフレームをモールド金
型にてクランプする。この状態から、モールド金型内に
モールド樹脂を注入する。
よれば、モールド金型におけるリードフレームでのワイ
ヤボンディング領域に対応する部位がリードフレームと
非接触状態となる状態で、リードフレームをモールド金
型にてクランプする。この状態から、モールド金型内に
モールド樹脂を注入する。
【０００８】よって、リードフレームでのワイヤボンデ
ィング領域がモールド金型と非接触状態となっているの
で、モールド成形後においてリードフレーム上のモール
ド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤の洗浄を行った
り、又、リードフレーム上のワイヤボンディング領域に
保護膜の形成および除去を行うことなく、良好なワイヤ
ボンディング領域を得ることができる。その結果、良好
なワイヤボンディング領域を得るための工程追加が必要
なくコストアップを回避できる。
ィング領域がモールド金型と非接触状態となっているの
で、モールド成形後においてリードフレーム上のモール
ド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤の洗浄を行った
り、又、リードフレーム上のワイヤボンディング領域に
保護膜の形成および除去を行うことなく、良好なワイヤ
ボンディング領域を得ることができる。その結果、良好
なワイヤボンディング領域を得るための工程追加が必要
なくコストアップを回避できる。
【０００９】請求項２に記載のように、モールド金型
は、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの
接触部が、他の領域でのリードフレームとの接触部に比
べ、突出しているものとすると、窪み部の形成のための
領域でのリードフレームとの接触部は突出分だけ押圧力
が加わりシールすることができる。
は、窪み部の形成のための領域でのリードフレームとの
接触部が、他の領域でのリードフレームとの接触部に比
べ、突出しているものとすると、窪み部の形成のための
領域でのリードフレームとの接触部は突出分だけ押圧力
が加わりシールすることができる。
【００１０】請求項３に記載のように、リードフレーム
においてその表面にシール性向上膜を形成すると、この
膜の潰し代にてシール性の向上を図ることができる。請
求項４に記載のように、シール性向上膜をメッキ層とす
るとワイヤボンディングのための下地膜をシール性向上
膜として使用することができる。
においてその表面にシール性向上膜を形成すると、この
膜の潰し代にてシール性の向上を図ることができる。請
求項４に記載のように、シール性向上膜をメッキ層とす
るとワイヤボンディングのための下地膜をシール性向上
膜として使用することができる。
【００１１】請求項５に記載のように、モールド金型と
して、リードフレームでのワイヤボンディング領域に対
応する部位に当該ワイヤボンディング領域が開口部とな
る凹部又は貫通孔を設けたものを用いると、請求項１に
記載の製造方法を容易に実現できる。
して、リードフレームでのワイヤボンディング領域に対
応する部位に当該ワイヤボンディング領域が開口部とな
る凹部又は貫通孔を設けたものを用いると、請求項１に
記載の製造方法を容易に実現できる。
【００１２】請求項７に記載のように、窪み部の形成の
ための領域でのリードフレームとの接触面を平滑加工面
とすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレー
ムとの接触部におけるシール性が向上する。
ための領域でのリードフレームとの接触面を平滑加工面
とすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレー
ムとの接触部におけるシール性が向上する。
【００１３】請求項８に記載のように、窪み部の形成の
ための領域でのリードフレームとの接触面を鏡面加工面
とすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレー
ムとの接触部におけるシール性が向上する。
ための領域でのリードフレームとの接触面を鏡面加工面
とすると、窪み部の形成のための領域でのリードフレー
ムとの接触部におけるシール性が向上する。
【００１４】請求項９に記載のように、リードフレーム
を挟み込む第１と第２の金型を備え、第１の金型にはリ
ードフレームの表面に接する窪み部形成用突部を形成す
るとともに、第２の金型には少なくともリードフレーム
のワイヤボンディング領域の裏面に接する突起を形成す
ると、凹部又は貫通孔の開口部でのリードフレームとの
接触部におけるシール性が向上する。
を挟み込む第１と第２の金型を備え、第１の金型にはリ
ードフレームの表面に接する窪み部形成用突部を形成す
るとともに、第２の金型には少なくともリードフレーム
のワイヤボンディング領域の裏面に接する突起を形成す
ると、凹部又は貫通孔の開口部でのリードフレームとの
接触部におけるシール性が向上する。
【００１５】
（第１の実施の形態）以下、この発明を具体化した第１
の実施の形態を図面に従って説明する。
の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１６】図１にはモールドＩＣの平面図を示し、図
２は図１のII−II断面を示す。本実施形態においては気
圧測定用圧力センサに具体化している。リードフレーム
（金属板）１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ
は４２アロイよりなり、厚さは２５０μｍである。リー
ドフレーム１ａ〜１ｇの表面には、図２に示すように、
ワイヤボンディングに必要なメッキ層２が形成されてい
る。より詳しくは、メッキ層２は厚さ１〜５μｍのＡｕ
（金）のメッキ層よりなる。ここで、リードフレーム１
ａ〜１ｇはＣｕ（銅）を用いてもよい。又、メッキ層２
は、Ａｇメッキ層やＮｉメッキ層やＡｇ／Ｎｉメッキ層
やＡｕ／Ｎｉメッキ層を用いてもよい。さらに、メッキ
層２は必ずしもリードフレーム１ａ〜１ｇの全域に形成
する必要はなくボンディング箇所のみに形成してもよ
い。
２は図１のII−II断面を示す。本実施形態においては気
圧測定用圧力センサに具体化している。リードフレーム
（金属板）１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ
は４２アロイよりなり、厚さは２５０μｍである。リー
ドフレーム１ａ〜１ｇの表面には、図２に示すように、
ワイヤボンディングに必要なメッキ層２が形成されてい
る。より詳しくは、メッキ層２は厚さ１〜５μｍのＡｕ
（金）のメッキ層よりなる。ここで、リードフレーム１
ａ〜１ｇはＣｕ（銅）を用いてもよい。又、メッキ層２
は、Ａｇメッキ層やＮｉメッキ層やＡｇ／Ｎｉメッキ層
やＡｕ／Ｎｉメッキ層を用いてもよい。さらに、メッキ
層２は必ずしもリードフレーム１ａ〜１ｇの全域に形成
する必要はなくボンディング箇所のみに形成してもよ
い。
【００１７】リードフレーム１ｄの上面（主表面）には
ＩＣチップ３が実装されており、ボンディングワイヤ４
ａ，４ｂにてリードフレーム１ａ，１ｆと電気的に接続
されている。ワイヤ４ａ，４ｂはＡｕ（金）ワイヤ或い
はＡｌ（アルミ）ワイヤを用いている。又、リードフレ
ーム１ｃ，１ｄの下面（裏面）にはコンデンサチップ５
が実装されており、同チップ５はリードフレーム１ｃ，
１ｄと電気的に接続されている。ＩＣチップ３、ボンデ
ィングワイヤ４ａ，４ｂ、コンデンサチップ５を含めて
リードフレーム１ａ〜１ｇが樹脂（エポキシ系熱硬化性
樹脂）６にてモールドされている。
ＩＣチップ３が実装されており、ボンディングワイヤ４
ａ，４ｂにてリードフレーム１ａ，１ｆと電気的に接続
されている。ワイヤ４ａ，４ｂはＡｕ（金）ワイヤ或い
はＡｌ（アルミ）ワイヤを用いている。又、リードフレ
ーム１ｃ，１ｄの下面（裏面）にはコンデンサチップ５
が実装されており、同チップ５はリードフレーム１ｃ，
１ｄと電気的に接続されている。ＩＣチップ３、ボンデ
ィングワイヤ４ａ，４ｂ、コンデンサチップ５を含めて
リードフレーム１ａ〜１ｇが樹脂（エポキシ系熱硬化性
樹脂）６にてモールドされている。
【００１８】リードフレーム１ａ〜１ｇの上面における
所定領域にはモールド樹脂６が形成されていない窪み部
７が形成され、この窪み部７における底面には圧力セン
サチップ８が搭載されている。又、窪み部７における底
面においてはリードフレーム１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅ，
１ｆ，１ｇの一端部が露出しており、ボンディングワイ
ヤ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆにて圧力センサ
チップ８とリードフレーム１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅ，１
ｆ，１ｇとが電気的に接続されている。ワイヤ９ａ〜９
ｆはＡｕ（金）ワイヤ或いはＡｌ（アルミ）ワイヤを用
いている。窪み部７内には保護材としてのシリコーンゲ
ル１０が配置され、このシリコーンゲル１０によりセン
サチップ８及びボンディングワイヤ９ａ〜９ｆが外気と
遮断されている。そして、圧力センサチップ８により印
加圧力が電気信号に変換されるとともに、ＩＣチップ３
及びコンデンサチップ５により増幅等の信号処理が行わ
れる。
所定領域にはモールド樹脂６が形成されていない窪み部
７が形成され、この窪み部７における底面には圧力セン
サチップ８が搭載されている。又、窪み部７における底
面においてはリードフレーム１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅ，
１ｆ，１ｇの一端部が露出しており、ボンディングワイ
ヤ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆにて圧力センサ
チップ８とリードフレーム１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅ，１
ｆ，１ｇとが電気的に接続されている。ワイヤ９ａ〜９
ｆはＡｕ（金）ワイヤ或いはＡｌ（アルミ）ワイヤを用
いている。窪み部７内には保護材としてのシリコーンゲ
ル１０が配置され、このシリコーンゲル１０によりセン
サチップ８及びボンディングワイヤ９ａ〜９ｆが外気と
遮断されている。そして、圧力センサチップ８により印
加圧力が電気信号に変換されるとともに、ＩＣチップ３
及びコンデンサチップ５により増幅等の信号処理が行わ
れる。
【００１９】次に、このように構成した半導体装置の製
造工程を、図３〜図１０に基づいて説明する。尚、工程
説明においては図１のII−II断面である図２〜図１０を
用いている。
造工程を、図３〜図１０に基づいて説明する。尚、工程
説明においては図１のII−II断面である図２〜図１０を
用いている。
【００２０】まず、図３に示すように、表面にＡｕメッ
キ層２を有するリードフレーム１ａ〜１ｇを用意する。
ここで、リードフレームは複数の圧力センサを製造すべ
く多連となっている。
キ層２を有するリードフレーム１ａ〜１ｇを用意する。
ここで、リードフレームは複数の圧力センサを製造すべ
く多連となっている。
【００２１】そして、図４に示すように、リードフレー
ム１ａ〜１ｇの上に、エポキシ系ダイボンド材１８をデ
ィスペンサ或いはスタンピングで必要量塗布し、ＩＣチ
ップ３をマウントし、その後、ダイボンド材１８の硬化
を行う。さらに、リードフレーム１ａ〜１ｇにコンデン
サチップ５をマウントする。
ム１ａ〜１ｇの上に、エポキシ系ダイボンド材１８をデ
ィスペンサ或いはスタンピングで必要量塗布し、ＩＣチ
ップ３をマウントし、その後、ダイボンド材１８の硬化
を行う。さらに、リードフレーム１ａ〜１ｇにコンデン
サチップ５をマウントする。
【００２２】引き続き、図５に示すように、ワイヤ４
ａ，４ｂによるボンディングを行いＩＣチップ３とリー
ドフレーム１ａ，１ｆを結線する。そして、図６に示す
ように、上下の金型１１，１２の間にリードフレーム１
ａ〜１ｇを挟み込んでリードフレーム１ａ〜１ｇをクラ
ンプする。この状態から樹脂を注入して図７に示すよう
に樹脂６によるモールドを行う。この工程を図１１〜図
１３を用いて詳細に説明する。
ａ，４ｂによるボンディングを行いＩＣチップ３とリー
ドフレーム１ａ，１ｆを結線する。そして、図６に示す
ように、上下の金型１１，１２の間にリードフレーム１
ａ〜１ｇを挟み込んでリードフレーム１ａ〜１ｇをクラ
ンプする。この状態から樹脂を注入して図７に示すよう
に樹脂６によるモールドを行う。この工程を図１１〜図
１３を用いて詳細に説明する。
【００２３】図１１に示すように、金型は上金型１１と
下金型１２とからなり、下金型１２には凹部１３が形成
されるとともに凹部１３の外周部には突条１４が形成さ
れている。又、上金型１１には凹部１５が環状に形成さ
れ、その凹部１５で囲まれた領域が図２の窪み部７に対
応する部位、即ち、窪み部形成用突部１６となってい
る。窪み部形成用突部１６の先端面（図１１では下面）
１６ａは鏡面加工が施され平滑化されている。より具体
的には、表面粗さは、Ｒz （１０点平均粗さ）＝０．８
μｍ以下となっている。
下金型１２とからなり、下金型１２には凹部１３が形成
されるとともに凹部１３の外周部には突条１４が形成さ
れている。又、上金型１１には凹部１５が環状に形成さ
れ、その凹部１５で囲まれた領域が図２の窪み部７に対
応する部位、即ち、窪み部形成用突部１６となってい
る。窪み部形成用突部１６の先端面（図１１では下面）
１６ａは鏡面加工が施され平滑化されている。より具体
的には、表面粗さは、Ｒz （１０点平均粗さ）＝０．８
μｍ以下となっている。
【００２４】さらに、窪み部形成用突部１６はそれ以外
の領域におけるリードフレーム１ａ〜１ｇとの接触部分
よりも１０μｍだけ突出している。即ち、窪み部形成用
突部１６の先端面１６ａはそれ以外の領域におけるリー
ドフレーム１ａ〜１ｇとの接触面（図１１では凹部１５
の外周側）よりも１０μｍだけ下方に位置している。さ
らに、窪み部形成用突部１６の先端面１６ａには凹部１
７が形成され、凹部１７の開口部位置はリードフレーム
１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域に対応してい
る。
の領域におけるリードフレーム１ａ〜１ｇとの接触部分
よりも１０μｍだけ突出している。即ち、窪み部形成用
突部１６の先端面１６ａはそれ以外の領域におけるリー
ドフレーム１ａ〜１ｇとの接触面（図１１では凹部１５
の外周側）よりも１０μｍだけ下方に位置している。さ
らに、窪み部形成用突部１６の先端面１６ａには凹部１
７が形成され、凹部１７の開口部位置はリードフレーム
１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域に対応してい
る。
【００２５】このような金型１１，１２を用いて、図１
２に示すように、モールドプレス機にセットされた上金
型１１と下金型１２との間にリードフレーム１をクラン
プする。このクランプ状態において、リードフレーム１
上のワイヤボンディング領域が上金型１１に設けた凹部
（逃がし部）１７の開口部となる。このクランプ時に、
上金型１１の窪み部形成用突部１６がリードフレーム１
上のメッキ層２に食い込む。つまり、上金型１１の窪み
部形成用突部１６の先端面１６ａがリードフレーム１に
接触する他の金型面よりも１０μｍ突き出ているので、
リードフレーム１は変形せずに窪み部形成用突部１６が
メッキ層２に食い込む。このように凹部（逃がし部）１
７によりリードフレーム１と上金型１１との間に閉空間
が形成され、リードフレーム１のワイヤボンディング領
域が保護される。
２に示すように、モールドプレス機にセットされた上金
型１１と下金型１２との間にリードフレーム１をクラン
プする。このクランプ状態において、リードフレーム１
上のワイヤボンディング領域が上金型１１に設けた凹部
（逃がし部）１７の開口部となる。このクランプ時に、
上金型１１の窪み部形成用突部１６がリードフレーム１
上のメッキ層２に食い込む。つまり、上金型１１の窪み
部形成用突部１６の先端面１６ａがリードフレーム１に
接触する他の金型面よりも１０μｍ突き出ているので、
リードフレーム１は変形せずに窪み部形成用突部１６が
メッキ層２に食い込む。このように凹部（逃がし部）１
７によりリードフレーム１と上金型１１との間に閉空間
が形成され、リードフレーム１のワイヤボンディング領
域が保護される。
【００２６】図１２の状態から図１３に示すように、樹
脂注入口１９からモールド樹脂（エポキシ系熱硬化性樹
脂）２０を注入し加圧充填する（注入圧；７０〜１１０
ｋｇ／ｃｍ2 ）。このとき、凹部（逃がし部）１７によ
り形成された閉空間によりワイヤボンディング領域への
傷及び離型剤の付着・樹脂バリの発生を防止でき、良好
なワイヤボンディング面を得ることができる。さらに、
モールド樹脂２０が硬化するまで加圧状態を保持した後
（具体的には１分３０秒〜５分間）、金型１１，１２を
開き成形品を取り出す。このようにして、図７に示すモ
ールド成形が行われる。
脂注入口１９からモールド樹脂（エポキシ系熱硬化性樹
脂）２０を注入し加圧充填する（注入圧；７０〜１１０
ｋｇ／ｃｍ2 ）。このとき、凹部（逃がし部）１７によ
り形成された閉空間によりワイヤボンディング領域への
傷及び離型剤の付着・樹脂バリの発生を防止でき、良好
なワイヤボンディング面を得ることができる。さらに、
モールド樹脂２０が硬化するまで加圧状態を保持した後
（具体的には１分３０秒〜５分間）、金型１１，１２を
開き成形品を取り出す。このようにして、図７に示すモ
ールド成形が行われる。
【００２７】引き続き、図８に示すように、窪み部７の
底面における樹脂６の表面にディスペンサ或いはスタン
ピングで接着剤２１を必要量塗布し、さらに、センサチ
ップ８をマウントし、さらに接着剤２１を硬化する。こ
のようにして窪み部７の内部でのセンサチップ８のマウ
ントが行われる。
底面における樹脂６の表面にディスペンサ或いはスタン
ピングで接着剤２１を必要量塗布し、さらに、センサチ
ップ８をマウントし、さらに接着剤２１を硬化する。こ
のようにして窪み部７の内部でのセンサチップ８のマウ
ントが行われる。
【００２８】次に、図９に示すように、ワイヤ９ａ〜９
ｆのボンディングを行ってセンサチップ８と窪み部７内
のワイヤボンディング領域をワイヤ９ａ〜９ｆにより結
線する。
ｆのボンディングを行ってセンサチップ８と窪み部７内
のワイヤボンディング領域をワイヤ９ａ〜９ｆにより結
線する。
【００２９】そして、図１０に示すように、リードカッ
ト・成形用金型にリードフレーム状ワーク（中間製品）
をセットし、各センサ毎にリードフレーム１ａ〜１ｇを
カットするとともに、リードフレーム１ａ〜１ｇの先端
を所定の形状に成形する。
ト・成形用金型にリードフレーム状ワーク（中間製品）
をセットし、各センサ毎にリードフレーム１ａ〜１ｇを
カットするとともに、リードフレーム１ａ〜１ｇの先端
を所定の形状に成形する。
【００３０】その後、図２に示すように、窪み部７にシ
リコーンゲル１０をディスペンサにより注入して、保護
剤コートを行う。このように本実施形態は、下記の特徴
を有する。 （イ）図１２に示すように、上金型１１に凹部１７を設
けることにより、モールド金型におけるリードフレーム
１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域に対応する部位
がリードフレーム１ａ〜１ｇと非接触状態となった状態
で、リードフレーム１ａ〜１ｇを金型１１，１２にてク
ランプする。この状態から、図１３に示すように、金型
１１，１２内にモールド樹脂２０を注入する。
リコーンゲル１０をディスペンサにより注入して、保護
剤コートを行う。このように本実施形態は、下記の特徴
を有する。 （イ）図１２に示すように、上金型１１に凹部１７を設
けることにより、モールド金型におけるリードフレーム
１ａ〜１ｇでのワイヤボンディング領域に対応する部位
がリードフレーム１ａ〜１ｇと非接触状態となった状態
で、リードフレーム１ａ〜１ｇを金型１１，１２にてク
ランプする。この状態から、図１３に示すように、金型
１１，１２内にモールド樹脂２０を注入する。
【００３１】よって、クランプ時に凹部（逃がし部）１
７により閉空間に形成され、リードフレーム１ａ〜１ｇ
でのワイヤボンディング領域がモールド金型１１，１２
と非接触状態となっているので、ワイヤボンディング領
域への傷及び離型剤の付着・樹脂バリの発生を防止で
き、良好なワイヤボンディング面を得ることができる。
その結果、モールド成形後においてリードフレーム１ａ
〜１ｇ上のモールド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤
の洗浄を行ったり、又、リードフレーム１ａ〜１ｇ上の
ワイヤボンディング領域に保護膜の形成および除去を行
う必要がなく、工程追加に伴うコストアップを回避でき
ることとなる。 （ロ）図１１に示すように、モールド金型１１，１２
は、窪み部７の形成のための領域でのリードフレームと
の接触部１６ａが、他の領域でのリードフレームとの接
触部に比べ１０μｍだけ突出しているので、接触部１６
ａは突出分だけ押圧力が加わりシールすることができ
る。 （ハ）リードフレーム１ａ〜１ｇにシール性向上膜とし
てのメッキ層２を形成したので、図１２に示すように、
この膜の潰し代にてシール性の向上を図ることができ
る。 （ニ）シール性向上膜をメッキ層２としたので、ワイヤ
ボンディングのため下地膜をシール性向上膜として使用
することができる。 （ホ）上金型１１における窪み部７の形成のための領域
でのリードフレームとの接触面１６ａを平滑加工面（鏡
面加工面）としたので、窪み部７の形成のための領域で
のリードフレームとの接触部１６ａにおけるシール性が
向上する。（第２の実施の形態）次に、第２の実施の形
態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
７により閉空間に形成され、リードフレーム１ａ〜１ｇ
でのワイヤボンディング領域がモールド金型１１，１２
と非接触状態となっているので、ワイヤボンディング領
域への傷及び離型剤の付着・樹脂バリの発生を防止で
き、良好なワイヤボンディング面を得ることができる。
その結果、モールド成形後においてリードフレーム１ａ
〜１ｇ上のモールド樹脂のバリの除去を行ったり離型剤
の洗浄を行ったり、又、リードフレーム１ａ〜１ｇ上の
ワイヤボンディング領域に保護膜の形成および除去を行
う必要がなく、工程追加に伴うコストアップを回避でき
ることとなる。 （ロ）図１１に示すように、モールド金型１１，１２
は、窪み部７の形成のための領域でのリードフレームと
の接触部１６ａが、他の領域でのリードフレームとの接
触部に比べ１０μｍだけ突出しているので、接触部１６
ａは突出分だけ押圧力が加わりシールすることができ
る。 （ハ）リードフレーム１ａ〜１ｇにシール性向上膜とし
てのメッキ層２を形成したので、図１２に示すように、
この膜の潰し代にてシール性の向上を図ることができ
る。 （ニ）シール性向上膜をメッキ層２としたので、ワイヤ
ボンディングのため下地膜をシール性向上膜として使用
することができる。 （ホ）上金型１１における窪み部７の形成のための領域
でのリードフレームとの接触面１６ａを平滑加工面（鏡
面加工面）としたので、窪み部７の形成のための領域で
のリードフレームとの接触部１６ａにおけるシール性が
向上する。（第２の実施の形態）次に、第２の実施の形
態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３２】本実施形態においては、図１４の（ａ）に
示すように、上金型１１に凹部１７を有する窪み部形成
用突部２５を設けるとともに、下金型１２に凹部１７を
有する窪み部形成用突部２６を設けている。この場合、
図１４の（ｂ）に示すように、リードフレーム１の上面
と下面の両面にチップ２７，２８を配置した両面タイプ
のモールドＩＣが形成される。 （第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
示すように、上金型１１に凹部１７を有する窪み部形成
用突部２５を設けるとともに、下金型１２に凹部１７を
有する窪み部形成用突部２６を設けている。この場合、
図１４の（ｂ）に示すように、リードフレーム１の上面
と下面の両面にチップ２７，２８を配置した両面タイプ
のモールドＩＣが形成される。 （第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３３】図１５の（ａ）に示すように、上金型１１
において窪み部形成用突部１６の先端面に突起２９が形
成されている。この金型を用いてモールド成形すること
により、図１５の（ｂ）に示すように、高さＨが大きな
チップ３０をモールドする場合にリードフレーム１の高
さよりも低い位置にチップ３０の底面を位置させること
ができる。いわゆる嵌め込み穴タイプのモールドＩＣに
適用できる。 （第４の実施の形態）次に、第４の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
において窪み部形成用突部１６の先端面に突起２９が形
成されている。この金型を用いてモールド成形すること
により、図１５の（ｂ）に示すように、高さＨが大きな
チップ３０をモールドする場合にリードフレーム１の高
さよりも低い位置にチップ３０の底面を位置させること
ができる。いわゆる嵌め込み穴タイプのモールドＩＣに
適用できる。 （第４の実施の形態）次に、第４の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３４】図１６の（ａ）に示すように、リードフレ
ーム１を挟み込む上下の金型１１，１２において、上金
型１１にはリードフレーム１の表面に接する窪み部形成
用突部１６が形成され、下金型１２には少なくともリー
ドフレーム１のワイヤボンディング領域の裏面に接する
突起３１が形成されている。この金型を用いたクランプ
の際には、リードフレーム１の剛性によりシールするの
ではなく下金型１２の突起３１によりリードフレーム１
のワイヤボンディング領域を受けることとなり、シール
性が向上して樹脂の漏れがない。
ーム１を挟み込む上下の金型１１，１２において、上金
型１１にはリードフレーム１の表面に接する窪み部形成
用突部１６が形成され、下金型１２には少なくともリー
ドフレーム１のワイヤボンディング領域の裏面に接する
突起３１が形成されている。この金型を用いたクランプ
の際には、リードフレーム１の剛性によりシールするの
ではなく下金型１２の突起３１によりリードフレーム１
のワイヤボンディング領域を受けることとなり、シール
性が向上して樹脂の漏れがない。
【００３５】モールド成形後のモールドＩＣにおいて
は、図１６の（ｂ）に示すように、突起３１に対応する
部位には空間３２が形成されることになる。このように
本実施形態は、下記の特徴を有する。 （イ）上金型（第１の金型）１１の窪み部形成用突部１
６に対応して下金型（第２の金型）１２に少なくともリ
ードフレーム１のワイヤボンディング領域の裏面に接す
る突起３１を形成したので、凹部１７の開口部でのリー
ドフレーム１との接触部におけるシール性を向上させる
ことができる。
は、図１６の（ｂ）に示すように、突起３１に対応する
部位には空間３２が形成されることになる。このように
本実施形態は、下記の特徴を有する。 （イ）上金型（第１の金型）１１の窪み部形成用突部１
６に対応して下金型（第２の金型）１２に少なくともリ
ードフレーム１のワイヤボンディング領域の裏面に接す
る突起３１を形成したので、凹部１７の開口部でのリー
ドフレーム１との接触部におけるシール性を向上させる
ことができる。
【００３６】本実施の形態において、図１６の（ａ）の
凹部１７の代わりに図１７の（ａ）に示すように上金型
１１を貫通する貫通孔３３を用いてもよい。この貫通孔
３３を有する金型を用いても、図１６の（ｂ）に示すモ
ールドＩＣと同様な図１７の（ｂ）に示すモールドＩＣ
を製造することができる。
凹部１７の代わりに図１７の（ａ）に示すように上金型
１１を貫通する貫通孔３３を用いてもよい。この貫通孔
３３を有する金型を用いても、図１６の（ｂ）に示すモ
ールドＩＣと同様な図１７の（ｂ）に示すモールドＩＣ
を製造することができる。
【００３７】これまで説明してきた各実施形態の他に
も、樹脂封止型半導体装置として気圧を測定する圧力セ
ンサの他にも、油圧を測定する圧力センサに適用した
り、圧力センサの他にも光センサ、加速度センサ等にも
適用できる。
も、樹脂封止型半導体装置として気圧を測定する圧力セ
ンサの他にも、油圧を測定する圧力センサに適用した
り、圧力センサの他にも光センサ、加速度センサ等にも
適用できる。
【００３８】又、窪み部７内において素子がなく、ワイ
ヤボンディングのみ行った半導体装置に適用することも
できる。
ヤボンディングのみ行った半導体装置に適用することも
できる。
【図１】 第１の実施の形態におけるモールドＩＣの平
面図。
面図。
【図２】 図１のII−II断面図。
【図３】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図４】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図５】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図６】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図７】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図８】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図９】 モールドＩＣの製造工程を説明するための断
面図。
面図。
【図１０】 モールドＩＣの製造工程を説明するための
断面図。
断面図。
【図１１】 モールドＩＣの製造工程を説明するための
断面図。
断面図。
【図１２】 モールドＩＣの製造工程を説明するための
断面図。
断面図。
【図１３】 モールドＩＣの製造工程を説明するための
断面図。
断面図。
【図１４】 第２の実施の形態におけるモールドＩＣを
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図１５】 第３の実施の形態におけるモールドＩＣを
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図１６】 第４の実施の形態におけるモールドＩＣを
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図１７】 第４の実施の形態におけるモールドＩＣを
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図１８】 モールドＩＣを説明するための断面図。
１ａ〜１ｇ…リードフレーム、２…メッキ層、６…樹
脂、７…窪み部、１１…上金型、１２…下金型、１７…
凹部、３１…突起、３３…貫通孔。
脂、７…窪み部、１１…上金型、１２…下金型、１７…
凹部、３１…突起、３３…貫通孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 浩 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (9)
- 【請求項１】 リードフレームが樹脂にてモールドされ
るとともに、樹脂の一部にモールド後のワイヤボンディ
ングのための窪み部が形成され、この窪み部でのリード
フレームの露出面にワイヤボンディングが施された樹脂
封止型半導体装置の製造方法であって、 モールド金型における前記リードフレームでのワイヤボ
ンディング領域に対応する部位がリードフレームと非接
触状態となる状態で、リードフレームをモールド金型に
てクランプする工程と、 前記モールド金型内にモールド樹脂を注入する工程とを
備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記モールド金型は、前記窪み部の形成
のための領域でのリードフレームとの接触部が、他の領
域でのリードフレームとの接触部に比べ、突出している
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記リードフレームにはその表面にシー
ル性向上膜が形成されている請求項２に記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記シール性向上膜はメッキ層である請
求項３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 モールド樹脂の一部にワイヤボンディン
グのための窪み部を形成するとともに、この窪み部にワ
イヤボンディングのためのリードフレームの露出面を形
成するための樹脂封止型半導体装置製造用モールド金型
であって、 前記リードフレームでのワイヤボンディング領域に対応
する部位に、当該ワイヤボンディング領域が開口部とな
る凹部又は貫通孔を設けたことを特徴とするモールド金
型。 - 【請求項６】 前記窪み部の形成のための領域でのリー
ドフレームとの接触部が、他の領域でのリードフレーム
との接触部に比べ、突出している請求項５に記載のモー
ルド金型。 - 【請求項７】 前記窪み部の形成のための領域でのリー
ドフレームとの接触面を平滑加工面とした請求項５に記
載のモールド金型。 - 【請求項８】 前記窪み部の形成のための領域でのリー
ドフレームとの接触面を鏡面加工面とした請求項５に記
載のモールド金型。 - 【請求項９】 リードフレームを挟み込む第１と第２の
金型を備え、第１の金型にはリードフレームの主表面に
接する窪み部形成用突部を形成するとともに、第２の金
型には少なくともリードフレームのワイヤボンディング
領域の裏面に接する突起を形成した請求項５に記載のモ
ールド金型。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26998996A JP4118353B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型 |
| US08/947,866 US6172424B1 (en) | 1996-10-11 | 1997-10-09 | Resin sealing type semiconductor device |
| FR9712718A FR2755539B1 (fr) | 1996-10-11 | 1997-10-10 | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur du type encapsule dans une resine et systeme de matrices pour ce procede |
| DE19745243A DE19745243B4 (de) | 1996-10-11 | 1997-10-13 | Verfahren zum Herstellen eines mit Harz verschlossenen Halbleiterbauelements und Prägevorrichtung dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26998996A JP4118353B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116846A true JPH10116846A (ja) | 1998-05-06 |
| JP4118353B2 JP4118353B2 (ja) | 2008-07-16 |
Family
ID=17480022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26998996A Expired - Fee Related JP4118353B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびモールド金型 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6172424B1 (ja) |
| JP (1) | JP4118353B2 (ja) |
| DE (1) | DE19745243B4 (ja) |
| FR (1) | FR2755539B1 (ja) |
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| KR102564558B1 (ko) * | 2021-11-30 | 2023-08-08 | 해성디에스 주식회사 | 프리 몰드 기판 및 프리 몰드 기판의 제조 방법 |
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| JPS597008A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-14 | Toshiba Corp | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
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| JPH02165643A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体の樹脂封止用金型 |
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| US5328552A (en) | 1993-03-30 | 1994-07-12 | At&T Bell Laboratories | Leadframe processing for molded package arrangements |
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-
1996
- 1996-10-11 JP JP26998996A patent/JP4118353B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-09 US US08/947,866 patent/US6172424B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-10 FR FR9712718A patent/FR2755539B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-13 DE DE19745243A patent/DE19745243B4/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
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| FR2755539A1 (fr) | 1998-05-07 |
| DE19745243B4 (de) | 2007-10-04 |
| US6172424B1 (en) | 2001-01-09 |
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