JPH10163304A - Thin plate support - Google Patents
Thin plate supportInfo
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- JPH10163304A JPH10163304A JP32323096A JP32323096A JPH10163304A JP H10163304 A JPH10163304 A JP H10163304A JP 32323096 A JP32323096 A JP 32323096A JP 32323096 A JP32323096 A JP 32323096A JP H10163304 A JPH10163304 A JP H10163304A
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- semiconductor wafer
- supporting
- thin plate
- thin
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 隣接する半導体ウエハA同士が接触するのを
防止する。
【解決手段】 半導体ウエハAを多数枚同時に支持する
半導体ウエハキャリア1である。2枚対向して設けられ
る端壁2,3と、各端壁2,3をつないだ状態で対向して
設けられ内側面に多数の半導体ウエハAを相互に一定間
隔を保って支持する水平支持用リブ4を備えた側壁5,
6と、各側壁5,6をつないだ状態で側壁5,6の奥側に
設けられ内側面に多数の半導体ウエハAを相互に一定間
隔を保って支持する両方向支持用リブ7を備えた奥側支
持部8,9とを有して構成した。水平支持用リブ4は、
半導体ウエハAを水平に正確に支持するように、ウエハ
支持面4Aをほぼ水平に形成し、両方向支持用リブ7
を、入口部7Aと奥部7Bとから構成し、入口部7Aを
水平に形成すると共に、奥部7BをV溝状に形成した。
(57) Abstract: To prevent adjacent semiconductor wafers A from contacting each other. SOLUTION: The semiconductor wafer carrier 1 supports a large number of semiconductor wafers A at the same time. Two end walls 2, 3 provided facing each other, and a horizontal support which is provided opposite to each other while connecting the end walls 2, 3 and supports a large number of semiconductor wafers A on the inner side surface at a constant interval from each other. Side walls 5 with ribs 4 for
6 and a bidirectional support rib 7 provided on the inner side of the side walls 5, 6 with the side walls 5, 6 connected to each other to support a large number of semiconductor wafers A at a constant interval from each other. And side support portions 8 and 9. The horizontal support ribs 4
The wafer supporting surface 4A is formed substantially horizontally so as to accurately support the semiconductor wafer A horizontally.
Was composed of an inlet 7A and a back 7B, the inlet 7A was formed horizontally, and the back 7B was formed in a V-groove shape.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
薄板を複数枚同時に支持し、保管、搬送、洗浄等をまと
めて行う薄板用支持器に関し、特に大型の半導体ウエハ
等の薄板に用いて好適な薄板用支持器に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-plate support for simultaneously supporting a plurality of thin plates such as semiconductor wafers and carrying out storage, transportation, cleaning, etc., and more particularly to a thin-plate support for large semiconductor wafers. It relates to a suitable thin plate support.
【0002】[0002]
【従来の技術】薄板を複数枚同時に支持して保管や搬送
等を行う薄板用支持器としては、例えば薄板として半導
体ウエハを用いた半導体ウエハキャリアが知られてい
る。この半導体ウエハキャリアは主に、2枚対向して設
けられる端壁と、各端壁をつないだ状態で対向して設け
られた側壁と、各端壁をつないだ状態で側壁の奥側に設
けられた奥側支持部とを備えて構成されている。2. Description of the Related Art A semiconductor wafer carrier using a semiconductor wafer as a thin plate, for example, is known as a thin plate support for simultaneously storing and transporting a plurality of thin plates. The semiconductor wafer carrier is mainly provided with two end walls provided facing each other, a side wall provided facing each other in a state where each end wall is connected, and a back wall provided in a state where each end wall is connected. And a rear support portion provided.
【0003】各側壁と奥側支持部の内側面には、多数の
薄板を相互に一定間隔を保って支持する支持用リブが設
けられている。この支持用リブは、側壁と奥側支持部と
で同様の断面形状を有している。即ち、大型の半導体ウ
エハに対しては、水平状態に正確に支持することが優先
されるため、各支持用リブは全部、その上側面をほぼ水
平面になるように、正確には1°の傾斜角を設けて、形
成されている。各支持用リブの間に基端部は、半導体ウ
エハの出し入れの際に、半導体ウエハと各リブとが互い
に接触しないように、一定間隔を空けて形成されてい
る。例えば、直径30cmの半導体ウエハの場合には、
半導体ウエハがウエハキャリア内に収納されたときに、
半導体ウエハの上側面と支持用リブの下側面との間隔が
6mm程度になるように設定されている。[0003] Support ribs are provided on each side wall and on the inner side surface of the back side support portion to support a large number of thin plates at a constant distance from each other. The supporting rib has a similar cross-sectional shape between the side wall and the back side supporting portion. That is, for a large-sized semiconductor wafer, it is important to accurately support the semiconductor wafer in a horizontal state. Therefore, all the supporting ribs are inclined exactly by 1 ° so that the upper surface thereof is substantially horizontal. It is formed with corners. The base ends are formed at regular intervals between the supporting ribs so that the semiconductor wafer and the ribs do not contact each other when the semiconductor wafer is taken in and out. For example, in the case of a semiconductor wafer having a diameter of 30 cm,
When a semiconductor wafer is stored in a wafer carrier,
The distance between the upper surface of the semiconductor wafer and the lower surface of the supporting rib is set to about 6 mm.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述のよう
に、各側壁と奥側支持部に設けられた支持用リブの基端
部が一定間隔を空けて形成されていると、ウエハキャリ
アを縦に配置したときに、収納された半導体ウエハが、
左右にばらつくことがある。即ち、各半導体ウエハの下
端部は、奥側支持部の基端部でその位置決めがなされる
ことなく、ばらばらに支持される。この状態では、各半
導体ウエハは、ばらばらの角度で各支持用リブに支持さ
れるため、その上部が大きく左右にずれて、最悪の場
合、互いに接触することがあるという問題点がある。However, as described above, if the base ends of the support ribs provided on each side wall and the back side support portion are formed at a fixed interval, the wafer carrier may be vertically moved. When placed in the semiconductor wafer stored,
May vary from side to side. That is, the lower end of each semiconductor wafer is supported separately without being positioned at the base end of the back support. In this state, since the semiconductor wafers are supported by the supporting ribs at different angles, there is a problem that the upper part is largely shifted left and right, and in the worst case, they come into contact with each other.
【0005】本発明は以上の問題点に鑑みなされたもの
で、水平状態で半導体ウエハ等の薄板を正確に水平に支
持すると共に、垂直状態で薄板を互いに接触することな
く一定間隔を保って支持できる薄板用支持器を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and supports a thin plate such as a semiconductor wafer accurately horizontally in a horizontal state, and supports the thin plates in a vertical state at constant intervals without contacting each other. It is an object of the present invention to provide a support for a thin plate that can be used.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に第1の発明は、薄板を多数枚同時に支持する薄板用支
持器において、2枚対向して設けられる端壁と、各端壁
をつないだ状態で対向して設けられ内側面に前記多数の
薄板を相互に一定間隔を保って支持する支持用リブを備
えた側壁と、各端壁をつないだ状態で前記側壁の奥側に
設けられ内側面に前記多数の薄板を相互に一定間隔を保
って支持する支持用リブを備えた奥側支持部とを有し、
前記側壁の支持用リブが、薄板を水平に正確に支持する
ように、水平状態での上側面をほぼ水平に形成され、前
記奥側支持部の支持用リブが、入口部と奥部とを有し、
入口部が、前記側壁の支持用リブと共に、前記薄板を水
平に正確に支持するように、水平状態での上側面をほぼ
水平に形成されると共に、奥部が、薄板を垂直に支持す
るときに、各薄板の下端部を位置決めして支持し薄板が
大きく傾斜するのを抑えるように、V溝状に形成された
ことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a thin plate supporter for supporting a plurality of thin plates at the same time, comprising two end walls provided opposite to each other, and each end wall being provided. A side wall provided with support ribs provided opposite to each other in a connected state and supporting the plurality of thin plates at a constant interval from each other on the inner side, and provided on the inner side of the side wall with each end wall connected. A back support portion provided with support ribs for supporting the plurality of thin plates at a constant interval from each other on the inner surface thereof,
The supporting ribs of the side walls are formed so that the upper side surface in a horizontal state is substantially horizontal so as to accurately support the thin plate horizontally, and the supporting ribs of the back side support portion define an inlet portion and a back portion. Have
When the inlet portion is formed substantially horizontally on the upper side surface in a horizontal state so as to accurately support the thin plate horizontally together with the supporting ribs on the side wall, and the back portion vertically supports the thin plate. The thin plate is formed in a V-groove shape so as to position and support the lower end of the thin plate and to suppress the thin plate from being greatly inclined.
【0007】前記構成により、薄板用支持器を水平に配
置して水平状態にするときには、側壁の支持用リブの上
側面と、奥側支持部の支持用リブの入口部の上側面とに
薄板が載置される。これにより、薄板は正確に水平に支
持される。[0007] With the above arrangement, when the thin plate support is horizontally arranged and placed in a horizontal state, the thin plate is provided on the upper surface of the support rib on the side wall and the upper surface of the inlet portion of the support rib on the rear support portion. Is placed. Thus, the thin plate is accurately supported horizontally.
【0008】薄板用支持器を垂直に配置して垂直状態に
するときには、奥側支持部の支持用リブの奥部で、薄板
が支持される。これにより、薄板の下端部は、奥部のV
溝部に入り込んでその位置が固定される。この結果、薄
板は、その下部をずれないように支持された状態で、上
下方向中央付近が側壁の支持用リブに支持される。これ
により、薄板が大きく傾斜することはなく、隣接する薄
板の上端部が互いに接触するのを防止することができ
る。[0008] When the thin plate support is vertically arranged to be in a vertical state, the thin plate is supported by the back portion of the support rib of the back support portion. As a result, the lower end of the thin plate is
It enters the groove and its position is fixed. As a result, the thin plate is supported by the supporting rib on the side wall in the vicinity of the center in the up-down direction while the lower portion is supported so as not to shift. Accordingly, the thin plates are not greatly inclined, and the upper ends of the adjacent thin plates can be prevented from contacting each other.
【0009】第2の発明は、前記奥側支持部が、棒状ま
たは板状に形成され、前記側壁の奥側に1本または2本
以上設けられたことを特徴とする。A second aspect of the present invention is characterized in that the back support portion is formed in a rod shape or a plate shape, and one or more back support portions are provided on the back side of the side wall.
【0010】前記構成により、奥側支持部が薄板を薄板
用支持器に奥側から確実に支持することができる。[0010] According to the above configuration, the back support portion can reliably support the thin plate from the back side to the thin plate support.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づいて説明する。本発明の薄板用支持器は、半導
体ウエハ、記憶ディスク、液晶板等の薄板を複数枚並列
に支持するものである。以下、薄板として半導体ウエハ
を、薄板用支持器として半導体ウエハキャリアを用いた
場合を例に説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The thin plate support of the present invention supports a plurality of thin plates such as a semiconductor wafer, a storage disk, and a liquid crystal plate in parallel. Hereinafter, a case where a semiconductor wafer is used as a thin plate and a semiconductor wafer carrier is used as a thin plate support will be described as an example.
【0012】本実施形態の半導体ウエハキャリア1は、
特に30cm程の大型の半導体ウエハを収納するのに適
したキャリアである。図1から図5に示すように、2枚
対向して設けられる端壁2,3と、各端壁2,3をつない
だ状態で対向して設けられ内側面に水平支持用リブ4を
備えた側壁5,6と、各端壁2,3をつないだ状態で側壁
5,6の奥側(図2中の左側)に設けられその内側面
(図2中の右側面)に両方向支持用リブ7を備えた奥側
支持部8,9とを有して構成されている。The semiconductor wafer carrier 1 of the present embodiment comprises:
Particularly, the carrier is suitable for storing a large semiconductor wafer of about 30 cm. As shown in FIGS. 1 to 5, two end walls 2 and 3 are provided opposite each other, and a horizontal support rib 4 is provided on the inner side surface and provided opposite to each other while connecting the end walls 2 and 3. The side walls 5, 6 and the end walls 2, 3 are connected to each other and provided on the inner side (the right side in FIG. 2) of the inner side (the right side in FIG. 2). It has a back support portion 8, 9 provided with a rib 7.
【0013】端壁2,3は、ほぼ円盤状に形成されてい
る。一方の端壁3の外側面には、図2、図4及び図6に
示すように、半導体ウエハキャリア1の位置決めを行う
ための位置決め用嵌合部11が形成されている。この位
置決め用嵌合部11は、3つの嵌合片から構成されてい
る。各嵌合片は、V型溝11Aを有して構成され、各溝
11Aがほぼ120°間隔で3方向に配設されている。
なお、突起片12は、半導体ウエハキャリア1の位置決
めのときに、大きくずれるのを防止するストッパーであ
る。The end walls 2, 3 are formed in a substantially disk shape. As shown in FIGS. 2, 4, and 6, a positioning fitting portion 11 for positioning the semiconductor wafer carrier 1 is formed on the outer surface of the one end wall 3. The positioning fitting portion 11 is composed of three fitting pieces. Each fitting piece is configured to have a V-shaped groove 11A, and each groove 11A is arranged in three directions at intervals of approximately 120 °.
The projection 12 is a stopper for preventing the semiconductor wafer carrier 1 from being largely displaced when the semiconductor wafer carrier 1 is positioned.
【0014】側壁5,6は、各端壁2,3の張り出し部2
A,3Aに一体に接続されて、各端壁2,3を互いにつな
いでいる。この側壁5,6は、張り出し部2A,3Aに沿
って湾曲して形成されている。正確には、奥側(図2中
の左側)が、半導体ウエハキャリア1内に収納された半
導体ウエハAの外周縁に沿うように大きく湾曲して形成
されている。側壁5,6の入口側(図2中の右側)は、
その端部が開いて形成され、半導体ウエハAの出し入れ
を容易にしている。The side walls 5 and 6 are provided with the projecting portions 2 of the end walls 2 and 3 respectively.
A, 3A are integrally connected to each other to connect the end walls 2, 3 to each other. The side walls 5, 6 are formed to be curved along the overhangs 2A, 3A. To be more precise, the back side (the left side in FIG. 2) is formed so as to be greatly curved along the outer peripheral edge of the semiconductor wafer A housed in the semiconductor wafer carrier 1. The entrance side of the side walls 5 and 6 (the right side in FIG. 2)
The end is formed to be open to facilitate the taking in and out of the semiconductor wafer A.
【0015】水平支持用リブ4は、多数の半導体ウエハ
Aを相互に一定間隔を保って支持するもので、各側壁
5,6の内側面に沿って形成されている。即ち、全体が
湾曲し、入口側に向けて開いた状態に形成されている。
この水平支持用リブ4は、入口側と奥側とでその断面形
状を異にしている。入口側では、図7に示すように、半
導体ウエハAを水平状態に支持するときに、半導体ウエ
ハAと接触する上側面となるウエハ支持面4Aはほぼ水
平状態に、正確には1°の傾斜を設けて形成されてい
る。下側面4Bは、半導体ウエハAを半導体ウエハキャ
リア1に対して出し入れする際の障害にならないよう
に、多少傾斜して(ウエハ支持面4Aとの間が開くよう
に傾斜して)形成されている。さらに、ウエハ支持面4
A及び下側面4Bの底部4Cは、下側面4B側からウエ
ハ支持面4A側へ向けて、かつ内側へ向けて大きな角度
(例えば、水平に対して60°〜80°程度の角度)に
形成されている。これは、半導体ウエハキャリア1に挿
入された半導体ウエハAが内部で左右にずれても傾斜面
に乗り上げて、半導体ウエハAの水平状態が損なわれな
いようにするためである。The horizontal support ribs 4 support a large number of semiconductor wafers A at a constant distance from each other, and are formed along the inner surfaces of the side walls 5 and 6. That is, the whole is curved and formed to be open toward the entrance side.
The horizontal support ribs 4 have different cross-sectional shapes on the inlet side and the inner side. On the entrance side, as shown in FIG. 7, when the semiconductor wafer A is supported in a horizontal state, the wafer supporting surface 4A, which is the upper surface in contact with the semiconductor wafer A, is almost in a horizontal state. Are formed. The lower side surface 4B is formed to be slightly inclined (inclined so as to open between the wafer supporting surface 4A) so as not to be an obstacle when the semiconductor wafer A is taken in and out of the semiconductor wafer carrier 1. . Further, the wafer support surface 4
A and the bottom 4C of the lower side surface 4B are formed at a large angle (for example, an angle of about 60 ° to 80 ° with respect to the horizontal) from the lower side surface 4B side toward the wafer support surface 4A side and inward. ing. This is to prevent the semiconductor wafer A inserted into the semiconductor wafer carrier 1 from riding on the inclined surface even if the semiconductor wafer A is shifted left and right inside, so that the horizontal state of the semiconductor wafer A is not damaged.
【0016】水平支持用リブ4の奥側では、図8に示す
ように形成されている。即ち、ウエハ支持面13Aは、
前記ウエハ支持面4Aと同様に、ほぼ水平に形成されて
いる。下側面13Bは、前記下側面4Bよりも小さい角
度(水平に対して小さい角度)に形成されている。さら
に、ウエハ支持面13A及び下側面13Bの底部13C
は、入口側と異なり、V溝状に形成されている。これ
は、半導体ウエハキャリア1を縦に配置して、半導体ウ
エハAを垂直に支持する際に、後述する両方向支持用リ
ブ7の奥部7BのV溝と相まって半導体ウエハAの下端
部を位置決めして支持するためである。The rear side of the horizontal support rib 4 is formed as shown in FIG. That is, the wafer support surface 13A is
Like the wafer support surface 4A, it is formed substantially horizontally. The lower side surface 13B is formed at an angle smaller than the lower side surface 4B (a smaller angle with respect to the horizontal). Further, the bottom portion 13C of the wafer support surface 13A and the lower side surface 13B
Are formed in a V-groove shape unlike the inlet side. This means that when the semiconductor wafer carrier 1 is vertically arranged and the semiconductor wafer A is vertically supported, the lower end of the semiconductor wafer A is positioned in conjunction with a V-groove at the back 7B of the bidirectional support rib 7 described later. It is to support.
【0017】奥側支持部8,9は、各端壁2,3をつない
でこれらを支持すると共に、半導体ウエハキャリア1を
垂直に配置した状態で、半導体ウエハキャリア1の脚部
として機能する。即ち、奥側支持部8,9の外側面は、
載置台に安定して載置されるように、平坦に形成されて
いる。そして、この奥側支持部8,9の内側面に両方向
支持用リブ7が形成されている。この両方向支持用リブ
7は、多数の半導体ウエハAを相互に一定間隔を保って
支持するもので、入口部7Aと奥部7Bとから構成され
ている。入口部7Aのウエハ支持面14Aは、側壁5,
6の水平支持用リブ4のウエハ支持面4Aと相まって、
半導体ウエハAを水平に正確に支持するように、ほぼ水
平状態に、正確には1°の傾斜を設けて形成されてい
る。下側面14Bもウエハ支持面14Aと同様に、ほぼ
水平状態に形成されている。なお、各面14A,14B
の傾斜方向は、それらの面が開くように、互いに逆方向
に設定されている。The back support portions 8, 9 connect the end walls 2, 3 to support them, and function as legs of the semiconductor wafer carrier 1 with the semiconductor wafer carrier 1 arranged vertically. That is, the outer side surfaces of the back side support portions 8 and 9
It is formed flat so as to be stably mounted on the mounting table. Further, a bidirectional support rib 7 is formed on the inner side surface of each of the back support portions 8 and 9. The bidirectional support ribs 7 support a large number of semiconductor wafers A at a constant interval from each other, and are composed of an entrance 7A and a depth 7B. The wafer supporting surface 14A of the entrance 7A is
6 and the wafer support surface 4A of the horizontal support rib 4
In order to accurately support the semiconductor wafer A horizontally, the semiconductor wafer A is formed in a substantially horizontal state, exactly at an inclination of 1 °. The lower side surface 14B is also formed in a substantially horizontal state similarly to the wafer support surface 14A. In addition, each surface 14A, 14B
Are set in opposite directions to each other so that their surfaces open.
【0018】両方向支持用リブ7の奥部7Bは、V溝状
に形成されている。この形状により、半導体ウエハキャ
リア1を垂直に配置して、半導体ウエハAを垂直状態に
支持するときに、その半導体ウエハAの下端部がV溝部
の最奥まではまり込んで位置決めして支持されるように
なっている。これにより、半導体ウエハAは、その下端
部を奥部7Bで支持され、上下方向中央付近を水平支持
用リブ4で支持されて、大きく傾斜しないようになって
いる。The back portion 7B of the bidirectional support rib 7 is formed in a V-groove shape. With this shape, when the semiconductor wafer carrier 1 is vertically arranged to support the semiconductor wafer A in a vertical state, the lower end portion of the semiconductor wafer A fits into the deepest portion of the V-groove and is positioned and supported. It has become. Thus, the semiconductor wafer A is supported at its lower end by the back portion 7B, and is supported by the horizontal support ribs 4 near the center in the vertical direction, so that the semiconductor wafer A does not tilt greatly.
【0019】以上のように構成された半導体ウエハキャ
リア1は、内部に半導体ウエハAを挿入して、保管、搬
送、洗浄等の用に供される。半導体ウエハAを半導体ウ
エハキャリア1内に挿入するときは、まず半導体ウエハ
キャリア1が載置台(図示せず)に正確に位置決めされ
て載置される。具体的には、端壁3の位置決め用嵌合部
11が載置台側に設けられた位置決め用被嵌合部に嵌合
するように載置される。これにより、半導体ウエハキャ
リア1がその位置及び方向を正確に調整されて、載置台
上に載置される。The semiconductor wafer carrier 1 configured as described above has a semiconductor wafer A inserted therein and is used for storage, transport, cleaning and the like. When inserting the semiconductor wafer A into the semiconductor wafer carrier 1, first, the semiconductor wafer carrier 1 is accurately positioned and mounted on a mounting table (not shown). Specifically, it is mounted so that the positioning fitting part 11 of the end wall 3 is fitted to the positioning fitting part provided on the mounting table side. Thus, the position and direction of the semiconductor wafer carrier 1 are accurately adjusted, and the semiconductor wafer carrier 1 is mounted on the mounting table.
【0020】次いで、搬送ロボット(図示せず)が、ア
ームに載置した半導体ウエハAを半導体ウエハキャリア
1内に挿入する。このとき、水平支持用リブ4のウエハ
支持面4A及び下側面4Bは外側に向けて開いていると
共にそれらの間隔が広いので、容易に出し入れすること
ができる。さらに、水平支持用リブ4のウエハ支持面4
A及び両方向支持用リブ7のウエハ支持面14Aに確実
に載置され、傾斜面に乗り上げて傾くこともないので、
半導体ウエハAは、正確に水平状態に保たれる。Next, a transfer robot (not shown) inserts the semiconductor wafer A placed on the arm into the semiconductor wafer carrier 1. At this time, since the wafer support surface 4A and the lower side surface 4B of the horizontal support rib 4 are open outward and their distance is wide, they can be easily taken in and out. Furthermore, the wafer support surface 4 of the horizontal support rib 4
A and the two-way support rib 7 are securely mounted on the wafer support surface 14A, and do not climb on the inclined surface and tilt.
The semiconductor wafer A is accurately kept in a horizontal state.
【0021】一方、半導体ウエハキャリア1は、縦方向
にして載置されたり、搬送されることもある。このとき
には、半導体ウエハAが垂直に支持される。即ち、半導
体ウエハキャリア1が縦に配置されることで、半導体ウ
エハAは、奥側支持部8,9の両方向支持用リブ7に直
接に接触する。これにより、半導体ウエハAの周縁部が
奥部7BのV溝部にはまり込み、位置決め支持される。
さらに、半導体ウエハAの中間位置は、水平支持用リブ
4に支持される。この状態で、半導体ウエハキャリア1
が搬送されたり、処理されたりする。このとき、半導体
ウエハAが多少傾いたり、揺れてたりすることがある
が、その半導体ウエハAは、両方向支持用リブ7でその
下端部が確実に位置決め支持された状態で、水平支持用
リブ4で中間部が支持されているので、半導体ウエハA
が大きく左右に揺れることはなくなる。On the other hand, the semiconductor wafer carrier 1 may be placed or transported in a vertical direction. At this time, the semiconductor wafer A is supported vertically. That is, when the semiconductor wafer carrier 1 is disposed vertically, the semiconductor wafer A directly contacts the bidirectional support ribs 7 of the back support portions 8 and 9. As a result, the peripheral portion of the semiconductor wafer A fits into the V-groove portion of the back portion 7B, and is positioned and supported.
Further, the intermediate position of the semiconductor wafer A is supported by the horizontal support ribs 4. In this state, the semiconductor wafer carrier 1
Are transported or processed. At this time, the semiconductor wafer A may be slightly tilted or shaken, but the semiconductor wafer A is placed in a state where the lower end thereof is securely positioned and supported by the bidirectional support ribs 7, and the horizontal support ribs 4. The intermediate part is supported by the semiconductor wafer A
Will no longer sway left and right.
【0022】これにより、隣接する半導体ウエハA同士
がその上端部で接触することがなくなり、半導体ウエハ
Aの表面の損傷を確実に防止することがきでるようにな
る。As a result, the adjacent semiconductor wafers A do not come into contact with each other at the upper ends thereof, and the surface of the semiconductor wafer A can be reliably prevented from being damaged.
【0023】[変形例]前記実施形態では、両方向支持
用リブ7を奥側に1本設けたが、2本以上設けてもよ
い。これによっても、前記実施形態同様の効果を奏する
ことができる。[Modification] In the above embodiment, one bidirectional support rib 7 is provided on the back side, but two or more ribs may be provided. With this, the same effect as in the above embodiment can be obtained.
【0024】また、前記実施形態では、奥側支持部8,
9を棒状に形成したが、板状に形成してもよい。Further, in the above-described embodiment, the back support portions 8,
Although 9 is formed in a rod shape, it may be formed in a plate shape.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の薄板用支
持器によれば、次のような効果を奏することができる。As described in detail above, according to the thin-plate support of the present invention, the following effects can be obtained.
【0026】側壁の支持用リブの、水平状態での上側面
を、ほぼ水平に形成すると共に、奥側支持部の支持用リ
ブの入口部を水平に形成し、奥部をV溝状に形成したの
で、薄板を垂直状態に確実に支持することができ、隣接
する薄板同士がその上端部で接触するのを確実に防止す
ることができるようになる。The upper side surface of the support rib on the side wall in a horizontal state is formed substantially horizontally, the entrance of the support rib on the back side support portion is formed horizontally, and the back portion is formed in a V-groove shape. Therefore, the thin plates can be reliably supported in a vertical state, and the adjacent thin plates can be reliably prevented from contacting at the upper end.
【図1】本発明に係る半導体ウエハキャリアを示す側面
図である。FIG. 1 is a side view showing a semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図2】本発明に係る半導体ウエハキャリアを示す正面
断面図である。FIG. 2 is a front sectional view showing a semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図3】本発明に係る半導体ウエハキャリアを示す正面
図である。FIG. 3 is a front view showing a semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図4】本発明に係る半導体ウエハキャリアを示す背面
図である。FIG. 4 is a rear view showing a semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図5】本発明に係る半導体ウエハキャリアを示す平面
図である。FIG. 5 is a plan view showing a semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図6】本発明に係る半導体ウエハキャリアの位置決め
用嵌合部を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a positioning fitting portion of the semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図7】本発明に係る半導体ウエハキャリアの水平支持
用リブの入口側を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing an inlet side of a horizontal support rib of the semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図8】本発明に係る半導体ウエハキャリアの水平支持
用リブの奥側を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a back side of a horizontal support rib of the semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【図9】本発明に係る半導体ウエハキャリアの両方向支
持用リブを示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a bidirectional support rib of the semiconductor wafer carrier according to the present invention.
1:半導体ウエハキャリア、2,3:端壁、4:水平支
持用リブ、5,6:側壁、7:両方向支持用リブ、8,
9:奥側支持部、11:位置決め用嵌合部。1: semiconductor wafer carrier, 2: 3: end wall, 4: horizontal support rib, 5,6: side wall, 7: bidirectional support rib, 8,
9: back side support part, 11: positioning fitting part.
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成9年3月7日[Submission date] March 7, 1997
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0012】本実施形態の半導体ウエハキャリア1は、
特に30cm程の大型の半導体ウエハを収納するのに適
したキャリアである。この半導体ウエハキャリア1は、
図1から図5及び図10に示すように、2枚対向して設
けられる端壁2, 3と、各端壁2, 3をつないだ状態で
対向して設けられ内側面に水平支持用リブ4を備えた側
壁5, 6と、各端壁2, 3をつないだ状態で側壁5, 6
の奥側(図2中の左側)に設けられその内側面(図2中
の右側面)に両方向支持用リブ7を備えた奥側支持部
8, 9とを有して構成されている。The semiconductor wafer carrier 1 of the present embodiment comprises:
Particularly, the carrier is suitable for storing a large semiconductor wafer of about 30 cm. This semiconductor wafer carrier 1
As shown in FIG. 1 to FIG. 5 and FIG. 10 , two end walls 2, 3 are provided facing each other, and horizontal support ribs are provided on the inner side surface which are provided facing each other while connecting the end walls 2, 3. 4 and the side walls 5, 6 with the end walls 2, 3 connected.
Are provided on the inner side (the right side in FIG. 2) of the rear side (left side in FIG. 2).
【手続補正2】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0013[Correction target item name] 0013
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0013】端壁2, 3は、ほぼ円盤状に形成されてい
る。一方の端壁3の外側面には、図2、図4、図6及び
図10に示すように、半導体ウエハキャリア1の位置決
めを行うための位置決め用嵌合部11が形成されてい
る。この位置決め用嵌合部11は、3つの嵌合片から構
成されている。各嵌合片は、V型溝11Aを有して構成
され、各溝11Aがほぼ120°間隔で3方向に配設さ
れている。なお、突起片12は、半導体ウエハキャリア
1の位置決めのときに、大きくずれるのを防止するスト
ッパーである。The end walls 2 and 3 are formed in a substantially disk shape. On the outer surface of one end wall 3 , FIG.
As shown in FIG. 10 , a positioning fitting portion 11 for positioning the semiconductor wafer carrier 1 is formed. The positioning fitting portion 11 is composed of three fitting pieces. Each fitting piece is configured to have a V-shaped groove 11A, and each groove 11A is arranged in three directions at intervals of approximately 120 °. The projection 12 is a stopper for preventing the semiconductor wafer carrier 1 from being largely displaced when the semiconductor wafer carrier 1 is positioned.
【手続補正3】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0017[Correction target item name] 0017
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0017】奥側支持部8, 9は、図3及び図4に示す
ように、各端壁2, 3をつないでこれらを支持すると共
に、半導体ウエハキャリア1を垂直に配置した状態で、
半導体ウエハキャリア1の脚部として機能する。即ち、
奥側支持部8, 9の外側面は、載置台に安定して載置さ
れるように、平坦に形成されている。そして、この奥側
支持部8, 9の内側面に両方向支持用リブ7が形成され
ている。この両方向支持用リブ7は、多数の半導体ウエ
ハAを相互に一定間隔を保って支持するもので、図9に
示すように、入口部7Aと奥部7Bとから構成されてい
る。入口部7Aのウエハ支持面14Aは、側壁5, 6の
水平支持用リブ4のウエハ支持面4Aと相まって、半導
体ウエハAを水平に正確に支持するように、ほぼ水平状
態に、正確には1°の傾斜を設けて形成されている。下
側面14Bもウエハ支持面14Aと同様に、ほぼ水平状
態に形成されている。なお、各面14A, 14Bの傾斜
方向は、それらの面が開くように、互いに逆方向に設定
されている。The back support parts 8, 9 are shown in FIGS. 3 and 4.
As described above, while connecting the end walls 2 and 3 to support them and the semiconductor wafer carrier 1 is arranged vertically,
It functions as a leg of the semiconductor wafer carrier 1. That is,
The outer surfaces of the back support portions 8 and 9 are formed flat so as to be stably mounted on the mounting table. Further, a bidirectional support rib 7 is formed on the inner side surface of each of the back side support portions 8 and 9. The bidirectional support ribs 7 support a large number of semiconductor wafers A at a constant interval from each other .
As shown, it is composed of an entrance 7A and a back 7B. The wafer supporting surface 14A of the entrance 7A is combined with the wafer supporting surface 4A of the horizontal supporting ribs 4 of the side walls 5, 6 so that the semiconductor wafer A can be supported horizontally and accurately. ° is formed. The lower side surface 14B is also formed in a substantially horizontal state similarly to the wafer support surface 14A. The inclination directions of the surfaces 14A and 14B are set to be opposite to each other so that the surfaces open.
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図10[Correction target item name] FIG.
【補正方法】追加[Correction method] Added
【補正内容】[Correction contents]
【図10】本発明に係る半導体ウエハキャリアを示す斜
視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a semiconductor wafer carrier according to the present invention.
【手続補正5】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図1[Correction target item name] Fig. 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図1】 FIG.
【手続補正6】[Procedure amendment 6]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図2[Correction target item name] Figure 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図2】 FIG. 2
【手続補正7】[Procedure amendment 7]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図3[Correction target item name] Figure 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図3】 FIG. 3
【手続補正8】[Procedure amendment 8]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図4[Correction target item name] Fig. 4
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図4】 FIG. 4
【手続補正9】[Procedure amendment 9]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図5[Correction target item name] Fig. 5
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図5】 FIG. 5
【手続補正10】[Procedure amendment 10]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図6[Correction target item name] Fig. 6
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図6】 FIG. 6
【手続補正11】[Procedure amendment 11]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図7[Correction target item name] Fig. 7
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図7】 FIG. 7
【手続補正12】[Procedure amendment 12]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図8[Correction target item name] Fig. 8
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図8】 FIG. 8
【手続補正13】[Procedure amendment 13]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図9[Correction target item name] Fig. 9
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図9】 FIG. 9
【手続補正14】[Procedure amendment 14]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図10[Correction target item name] FIG.
【補正方法】追加[Correction method] Added
【補正内容】[Correction contents]
【図10】 FIG. 10
Claims (2)
器において、 2枚対向して設けられる端壁と、 各端壁をつないだ状態で対向して設けられ内側面に前記
多数の薄板を相互に一定間隔を保って支持する支持用リ
ブを備えた側壁と、 各端壁をつないだ状態で前記側壁の奥側に設けられ内側
面に前記多数の薄板を相互に一定間隔を保って支持する
支持用リブを備えた奥側支持部とを有し、 前記側壁の支持用リブが、薄板を水平に正確に支持する
ように、水平状態での上側面をほぼ水平に形成され、 前記奥側支持部の支持用リブが、入口部と奥部とを有
し、入口部が、前記側壁の支持用リブと共に、前記薄板
を水平に正確に支持するように、水平状態での上側面を
ほぼ水平に形成されると共に、奥部が、薄板を垂直に支
持するときに、各薄板の下端部を位置決めして支持し薄
板が大きく傾斜するのを抑えるように、V溝状に形成さ
れたことを特徴とする薄板用支持器。1. A thin plate supporter for supporting a plurality of thin plates simultaneously, comprising: two end walls provided opposite each other; and said plurality of thin plates provided on an inner surface provided opposite each other while connecting the end walls. A side wall provided with a supporting rib for supporting at a constant interval from each other; and a plurality of thin plates supported on an inner side surface provided at a deep side of the side wall with each end wall connected to each other, supporting the plurality of thin plates at a constant interval from each other A back-side supporting portion provided with a supporting rib to be formed, wherein the supporting rib on the side wall is formed so that an upper side surface in a horizontal state is substantially horizontal so as to support the thin plate accurately and horizontally. The support ribs of the side support portion have an inlet portion and a back portion, and the inlet portion, together with the support ribs of the side wall, supports the upper surface in a horizontal state so as to accurately support the thin plate horizontally. Each sheet is formed almost horizontally, and when the back supports the sheet vertically. So as to suppress the thin plate supporting and positioning the lower end portion is inclined largely, thin supporting device, characterized in that it is formed in a V groove shape.
て、 前記奥側支持部が、棒状または板状に形成され、前記側
壁の奥側に1本または2本以上設けられたことを特徴と
する薄板用支持器。2. The support for a thin plate according to claim 1, wherein the back support is formed in a rod shape or a plate shape, and one or more back support portions are provided on the back side of the side wall. Support for thin plates.
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Cited By (3)
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| KR20140001111A (en) * | 2012-06-26 | 2014-01-06 | 가부시기가이샤 디스코 | Receiving cassette |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP32323096A patent/JP4024333B2/en not_active Expired - Fee Related
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| EP1133437A1 (en) | 1998-07-10 | 2001-09-19 | Fluoroware, Inc. | Cushioned wafer container |
| KR100843732B1 (en) * | 1998-07-10 | 2008-07-04 | 엔테그리스, 아이엔씨. | Cushioned Wafer Containers |
| EP1133437B1 (en) * | 1998-07-10 | 2014-05-14 | Entegris, Inc. | Cushioned wafer container |
| JP2008147535A (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Carrier for substrate |
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