JPH10242215A - Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁信頼性、ワイヤボンディング接続性につ
ながる耐熱変形性を向上させるために接着剤の架橋度お
よび接着剤層弾性率を高めた結果生じる絶縁フィルムと
の接着力が低下する現象を防ぎ、より高度な半導体装置
に使用できる新規なＴＡＢ用接着剤付きテープの製造方
法を見出し、これから得たＴＡＢ用接着剤付きテープを
用いた半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】あらかじめ易接着剤を塗工した絶縁フィル
ムに接着剤層を塗工あるいは接着剤単膜を積層すること
を特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープおよびＴＡＢテ
ープ並びに半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（テープ・
オートメーテッド・ボンディング）方式と称する半導体
集積回路実装用テープ（以下、ＴＡＢテープと略す）に
使用されるＴＡＢ用接着剤付きテープおよび半導体接続
基板並びに半導体装置に関する。さらに詳しくは、高絶
縁、高接着でワイヤーボンディング性が要求されるテー
プ・ボール・グリッドアレイ（Ｔ−ＢＧＡ）、チップ・
スケール・パッケージ（ＣＳＰ）などの半導体接続基板
に適応可能なＴＡＢ用接着剤付きテープに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常のＴＡＢ用テープは、ポリイミドフ
ィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、接
着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリ
エステルフィルム等を積層した３層構造より構成されて
いる。

【０００３】ＴＡＢ用テープは、（１）スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネート、
（３）パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジ
スト除去）、（４）スズまたは金−メッキ処理などの加
工工程を経てＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工さ
れる。図１にパターンテープの形状を示す。図２に本発
明の半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテー
プのインナーリード部６を、半導体集積回路８の金バン
プ１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、半
導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による樹
脂封止工程を経て半導体装置が作成される。また、イン
ナーリード部を有さないパターンテープを用いて、その
導体と半導体集積回路の金バンプとの間をワイヤーリー
ドボンディングで接続する半導体集積回路の搭載方法も
採用されている。このような半導体装置をテープキャリ
アパッケージ（ＴＣＰ）型半導体装置と称する。ＴＣＰ
型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウ
ターリード７を介して接続（アウターリードボンディン
グ）され、電子機器への実装がなされる。

【０００４】一方、近年の電子機器の小型化・軽量化に
伴い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来
の接続端子（アウターリード）をパッケージ側面に配列
したＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）、ＳＯ
Ｐ（スモール・アウトライン・パッケージ）に代わり、
パッケージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボール
・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パ
ッケージ）が、一部用いられるようになってきた。ＢＧ
Ａ、ＣＳＰがＱＦＰ、ＳＯＰと構造的に最も大きく異な
る点は、前者は、インターポーザーと称される基板を必
要とするのに対し、後者は金属製のリードフレームを用
いることにより必ずしも基板を用いることにより必ずし
も基板を必要としない点にある。ここでいうインターポ
ーザーは、ガラスエポキシ基板やポリイミド等の有機絶
縁性フィルムに銅箔を貼り合わせたものが、一般的に用
いられる。したがって、これらＢＧＡ、ＣＳＰなどの半
導体装置にも本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを使用
することができ、得られたＢＧＡ、ＣＳＰも本発明の半
導体装置に含まれる。図３および図４に本発明の半導体
装置（ＢＧＡ、ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。

【０００５】上記のパッケージ形態では、いずれも最終
的にＴＡＢ用テープの接着剤層はパッケージ内に残留す
るため、絶縁性、耐熱性、接着性が要求される。近年、
電子機器の小型化に伴う高密度実装化が進行するにした
がって、ＴＡＢ方式における導体幅が非常に狭くなって
きており、高い絶縁信頼性を有する接着剤の必要性が高
まっている。最近は、特に絶縁信頼性の加速試験とし
て、１２５℃〜１５０℃の高温で連続した電圧印可状態
における絶縁性の低下速度が重要視されるようになって
きた。また、パッケージの樹脂封止に、比較的温度と圧
力の高い、トランスファーモールドが使用される場合
や、ワイヤーボンディングによるインナーリードボンデ
ィングがなされる場合は、耐熱変形性が重要視される。

【０００６】ＴＡＢ用接着剤付きテープは、一般に、接
着剤層にエポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂と
ポリアミド樹脂の混合組成物を用いて、絶縁フィルム上
に接着剤層を直接コーティングまたはラミネートする方
法で作成されている（特開平２−１４３４４７号公報、
特開平３−２１７０３５号公報等）。

【０００７】また上記、絶縁性、接着性の向上を目的と
して、接着剤層を２層とし、可撓性絶縁フィルムと接す
る側と保護フィルムと接する側に機能分割することすな
わち、銅箔パターンの形成される側に絶縁信頼性の高い
接着剤を積層し、可撓性絶縁フィルム側に接着性の高い
接着層を１μｍ以上の厚みで積層することが提案されて
いる（特開平３−２２５９３５号公報等）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、種々の
方法で改良されたＴＡＢ用接着剤付きテープは少しずつ
効果をあげてきているが、接着性、絶縁信頼性、耐熱変
形性について十分ではなかった。

【０００９】また、接着剤層を２層構造にする提案で
は、製造方法が複雑になるだけではなく、ワイヤボンデ
ィング時に接着層にかかるストレスが大きく１層目と２
層目の接着剤層間に剥離が生じたり、十分なボンディン
グ強度が得られないなどの問題があった。特に、Ｔ−Ｂ
ＧＡやＣＳＰといったより高い絶縁信頼性が要求される
用途で顕著であり、半導体素子と基板上のパターンがワ
イヤボンディングで接続される場合に要求される耐熱変
形性（弾性率）、高温での接着力について応えるには至
っていなかった。

【００１０】本発明の目的は、ワイヤボンディングが容
易であり絶縁信頼性に優れた半導体接続基板（ＴＡＢテ
ープ）を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため鋭意検討した結果、有機絶縁フィルム
上を接着剤溶液で前処理、硬化した後、接着剤層をコー
ティングあるいはラミネートにより形成することによ
り、接着性、絶縁性、ワイヤーボンディング性に優れた
ＴＡＢ用テープが得られることを見出し、本発明に至っ
たものである。

【００１２】すなわち、本発明は少なくとも可撓性絶縁
フィルムおよび接着剤層を有するＴＡＢ用接着剤付きテ
ープにおいて、前記可撓性絶縁フィルム表面が予め易接
着剤でコーティング処理されていることを特徴とするＴ
ＡＢ用接着剤付きテープ、半導体接続基板または半導体
装置である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明でいう絶縁フィルムとは、
ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、芳香族ポリアミド、ポリカーボネート、ポリア
リレートなどのいわゆる耐熱性フイルム、あるいはフレ
キシブルエポキシ／ガラスクロスなどの複合材料からな
る厚さ２５〜１２５μｍのフィルムであり、これらから
選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良い。最も
好ましくはポリイミドフィルムが用いられる。また、必
要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物
理的粗面化等の表面処理を施すことができる。

【００１４】本発明では、絶縁フィルム上に、予め易接
着剤をコーティング処理することが重要である。用いら
れる接着剤は、最終コーティングあるいはラミネートさ
れる接着剤と同組成でも異なっていてもよいが、好まし
くは、絶縁フィルムとの接着性に優れる組成がよい。例
えば、絶縁フィルムにポリイドフィルムを用いる場合に
は、ポリアミド樹脂を含有するエポキシ系の接着剤など
が挙げられる。これら易接着剤を塗工しない場合は、接
着性と絶縁性を両立し、ワイヤーボンディング可能なＴ
ＡＢテープは得られない。

【００１５】絶縁フィルム上に易接着剤処理を施すこと
によって、絶縁フィルム上の接着剤に対する表面エネル
ギーが変化するためか、なじみ性が良くなり接着剤層を
積層させる際の塗工性、ラミネート性を向上させること
ができる。

【００１６】また、上述の絶縁フィルムへの処理はいず
れも外観上変化がない程度であれば特に限定されない
が、好ましくは樹脂による接着剤のコーティング厚みす
なわち易接着層の厚さが１μｍ未満、さらに好ましくは
０．５μｍ以下である。易接着層が１μｍを越えると外
観の他、銅箔ラミネート工程で接着剤がニップロール表
面に付着するなどの工程上の問題があるばかりか、要求
される絶縁性、耐熱変形性等の特性低下の原因となる。
さらには、工程上の取り扱いを容易にし、特性を向上す
る上で易接着剤層を十分に硬化させるのが好ましい。

【００１７】本発明の易接着層、接着剤層に使用される
接着剤は特に限定されないが、熱硬化型のものであるこ
とが好ましい。例えば、ポリアミド樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、硬化促進剤からなる接着剤があげ
られる。特に、易接着剤がポリアミド樹脂およびエポキ
シ樹脂を含有することが好ましい。ここで、易接着剤に
含まれるポリアミド樹脂は２〜５０重量％の範囲である
ことが好ましい。また、易接着剤に含まれるエポキシ樹
脂は２〜４０重量％の範囲であることが好ましい。

【００１８】本発明の積層体を形成する接着剤層は、熱
硬化性樹脂成分のエポキシ樹脂に低応力化剤として熱可
塑性樹脂を含有せしめた組成物であることが好ましい。

【００１９】接着剤層に用いられるポリアミド樹脂は、
酸とジアミンの混合物を熱重合することによって得られ
るもので、メタノールなどのアルコール類を主要成分と
する混合溶剤に溶解可能なものがすべて使用できる。と
りわけ、ポリアミド樹脂の原料として炭素数が３６個で
あるジカルボン酸（いわゆる「ダイマー酸」）が主要成
分となっているもの（通称「ダイマー酸系ポリアミ
ド」）が好ましい。ポリアミド樹脂は一般的に吸水率が
大きいため絶縁抵抗が低くなる傾向があるが、ダイマー
酸を使用することによって、吸水率を小さくし電気絶縁
性を高くすることが可能になるためである。

【００２０】ダイマー酸系ポリアミドは、ダイマー酸と
ジアミンの等モル混合物を熱重合することによって得る
ことができる。ジカルボン酸成分としてダイマー酸だけ
でなく、アゼライン酸、セバシン酸などの他のジカルボ
ン酸を共重合成分として含有していてもかまわない。こ
のときダイマー酸が、酸成分中で７０mol%以上であるこ
とがより好ましい。ダイマー酸系ポリアミドの中では、
高重合度のものの方が、吸水率が比較的低く、高湿度の
雰囲気でも電気絶縁性が高くなりやすいので好ましい。

【００２１】ジアミン成分としては、ヘキサメチレンジ
アミン、エチレンジアミン、ピペラジン、ビス（４−ア
ミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−１,
２−ジメチルシクロヘキシル）メタンなどがあげられる
が、特に好ましいものは、ヘキサメチレンジアミンであ
る。ヘキサメチレンジアミンを主成分としたダイマー酸
系ポリアミドは、総合性能において優れた特性を発揮す
るため特に好ましい。また、ジアミン成分も一種だけで
なく、二種以上混合したものも使用することができる。

【００２２】本発明の積層体を形成する接着剤層に用い
られるエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ
基を有するものなら特に限定されず、これらの具体例と
しては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、下記式
（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表され
るエポキシ樹脂、

【化５】 （ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁸は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級
アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

【化６】 （ただし、Ｒ⁹〜Ｒ¹⁶のうち２つは２，３−エポキシプ
ロポキシ基であり、残りは各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

【化７】 （ただし、Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）

【化８】 （ただし、Ｒ²¹〜Ｒ³⁰は各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）線状脂肪族
エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ
樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、およびハロゲン化エ
ポキシ樹脂などが挙げられる。

【００２３】これらのエポキシ樹脂の中で特に本発明に
おいて好ましく使用されるものは、接着性、耐薬品性、
絶縁性に優れる点で、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ
Ｉ）または（ＩＶ）で表されるエポキシ樹脂を含有する
ものである。そして、エポキシ樹脂は、上記（Ｉ）、
（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表されるエポキ
シ樹脂の少なくとも１つを２０重量％以上、特に５０重
量％以上含有することが好ましい。

【００２４】上記式（Ｉ）において、Ｒ¹〜Ｒ⁸の好まし
い具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、塩素原子、臭素原子な
どが挙げられる。

【００２５】上記（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂の好ま
しい具体例としては、４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメ
チルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプ
ロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチル−２−
クロロビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチル−２
−ブロモビフェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラエチルビ
フェニル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキ
シ）−３，３’，５，５’−テトラブチルビフェニルな
どが挙げられる。

【００２６】上記式（ＩＩ）で表されるエポキシ樹脂の
好ましい具体例としては、１，５−ビス（２，３−エポ
キシプロポキシ）ナフタレン、１，５−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−７−メチルナフタレン、１，６
−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ナフタレン、
１，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−２−メ
チルナフタレン、１，６−ビス（２，３−エポキシプロ
ポキシ）−８−メチルナフタレン、１，６−ビス（２，
３−エポキシプロポキシ）−４，８−ジメチルナフタレ
ン、１，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−２
−ブロモナフタレン、１，６−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）−８−ブロモナフタレンなどが挙げられ
る。

【００２７】上記式（ＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂
の好ましい具体例としては、ＥＸＡ−７２００（大日本
インキ工業（株）製）、ＺＸ−１２５７（東都化成
（株）製）などが挙げられる。

【００２８】上記式（ＩＶ）においてＲ²¹〜Ｒ³⁰の好ま
しい具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、
塩素原子、臭素原子などが挙げられる。上記式（ＩＶ）
で表されるエポキシ樹脂の好ましい具体例としては、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、
臭素化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられ
る。

【００２９】本発明の接着剤層中に含有されるエポキシ
樹脂の配合量は、ポリアミド樹脂１００重量部に対して
２〜１００重量部、好ましくは５〜７０重量部である。

【００３０】本発明の接着剤層にフェノール樹脂を添加
することにより、一層の接着性および絶縁性を向上させ
ることができる。フェノール樹脂の具体例としては、例
えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ｐ−ｔ−ブチルフェノ
ール樹脂、レゾールフェノール樹脂、ビスＡ型レゾール
樹脂、ｐ−ｔ−ブチルレゾール樹脂や各種レゾール樹脂
などが挙げられる。

【００３１】フェノール樹脂の配合割合は、通常エポキ
シ樹脂１当量に対してフェノール性水酸基０．５〜１
０．０当量、好ましくは０．７〜７．０当量となる範囲
であることが望ましい。

【００３２】本発明の接着剤層にはエポキシ樹脂の単独
反応、エポキシ樹脂とポリアミド樹脂やフェノール樹脂
との反応を促進させる硬化促進剤を含有することができ
る。

【００３３】硬化促進剤は硬化反応を促進するものなら
ば特に限定されず、その具体例としては、たとえば、２
−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾー
ルおよび２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾ
ール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン、α−メチルベンジルジメチルアミン、２−（ジメチ
ルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジ
メチルアミノメチル）フェノールおよび１，８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミ
ン化合物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウ
ムテトラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナ
ト）ジルコニウムおよびトリ（アセチルアセトナト）ア
ルミニウムなどの有機金属化合物、およびトリフェニル
ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニ
ル）ホスフィンおよびトリ（ノニルフェニル）ホスフィ
ンなどの有機ホスフィン化合物が挙げられる。

【００３４】また、硬化促進剤の添加量は、ポリアミド
樹脂を１００重量部とした場合、０.１〜１０重量部の
範囲で使用されることが好ましい。

【００３５】また、接着剤の諸特性を劣化させない範囲
で、シリカ、アルミナなどの微粒子を添加してもよく、
さらには、添加する微粒子の表面をシランカップリング
剤やチタネート系カップリング剤で表面処理して用いて
もよい。

【００３６】また、本発明の積層体を生成する接着剤層
単体を硬化させた際の弾性率が、４５０〜２，０００Ｍ
Ｐａの範囲にあることが好ましい。

【００３７】そして、本発明の可撓性絶縁フィルムと接
着剤層からなる積層体の弾性率は、次の条件を満たすこ
とが好ましい。

【００３８】弾性率：可撓性絶縁フィルムと接着剤層か
らなる積層体の２０℃における弾性率が、下記測定条件
において１，０００〜３０，０００ＭＰａの範囲にある
こと。

【００３９】同積層体の弾性率が、３０，０００ＭＰａ
以上だとＴＡＢ用接着剤付きテープをパンチングするこ
とができない。また、１，０００ＭＰａ以下だと半田リ
フロー時の接着力低下が著しい。

【００４０】ここでいう弾性率は、以下の条件で測定し
たＤＭＡの２０℃における貯蔵弾性率である。

【００４１】測定機 ；ＲＨＥＯ ＶＩＢＲＯＮ ＤＤ
Ｖ−II−ＥＡ［（株）ＯＲＩＥＮＴＥＣ製］ 測定条件；−１００℃〜３００℃（測定温度間隔：２
℃） 駆動周波数；１１０Ｈｚ。

【００４２】また、本発明においては接着剤層表面をフ
イルムで保護してもよい。用いられる保護フィルムは、
通常、可撓性プラスチックフィルムが用いられ、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイドフ
イルムがとくに好ましく用いられる。

【００４３】また、本発明においては、絶縁フィルムの
両面が易接着剤処理の後でも前でもよいが、処理前後に
かかわらず、放電処理されたことることが好ましい。

【００４４】ＴＡＢ用接着剤付きテープは、通常、次に
示すいずれかの方法で作成される。

【００４５】まず、第１の離型フイルムに、接着剤樹脂
混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第２の離型
フイルムを貼り合わせる。次に、目的とする幅にスリッ
トする。これをあらかじめ易接着剤を塗工、硬化したポ
リイミドなどの可撓性絶縁フイルムに、第１もしくは第
２の離型フイルムを剥がして接着剤面を貼り合わせる。
また、別の方法として、可撓性絶縁フイルム上に易接着
層を塗工、硬化した後、直接所定の幅に接着剤樹脂混合
溶液を塗布、乾燥し、離型フイルム（保護フイルム）を
貼り合わせてもよい。なお、接着剤樹脂混合溶液は、前
記接着剤成分を溶媒に溶解して得られるものであり、接
着剤各成分を溶解する溶媒としては、トルエン、キシレ
ン、クロロベンゼン、ベンジルアルコールなどの芳香族
系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、ブチルアルコールなどのアルコール系溶媒などが
挙げられ、それぞれ単独あるいは二種以上の混合溶媒と
して使用できる。

【００４６】かくして得られたＴＡＢ用接着剤付きテー
プは常法により半導体接着基板とすることができ、さら
に除法により半導体装置とすることができる。

【００４７】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。

【００４８】評価方法 （１）評価用サンプル作成方法 ＴＡＢ用接着剤付きテープの保護フイルムを除去し、厚
みが１８μｍの電解銅箔と接着面とを１２０℃、１ｋｇ
／ｃｍ²、１ｍ／分でラミネートした。続いてエアオ−
ブン中で、８０℃、５時間、１００℃、５時間、１５０
℃、５時間の条件で順次加熱処理を行い、銅箔付きＴＡ
Ｂ用テープを作成した。

【００４９】得られた銅箔付きＴＡＢ用テープの銅箔面
に常法によりフォトレジスト塗布、パターン露光、現像
・銅箔パターンエッチング、フォトレジスト剥離工程を
経て、接着強度および絶縁性の評価用サンプルを作成し
た。

【００５０】（２）スズメッキ処理 上記（１）の方法で得られたサンプルを、ホウフッ酸系
の無電解スズメッキ液に７０℃、５分浸漬処理し、０.
５μｍ厚のメッキを施した。

【００５１】（３）剥離強度 上記（１）で得られた導体幅２ｍｍの評価用サンプルと
上記（１）および（２）の方法で得られた導体幅５０μ
ｍの評価用サンプルを用いて、導体を９０度方向に５０
ｍｍ／分の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。

【００５２】（４）絶縁信頼性 上記（１）および（２）の方法で得られた導体幅２００
μｍ、導体間距離５０μｍの櫛形形状の評価用サンプル
を用いて、エアオーブン中で１５０℃、１００Ｖの電圧
を連続的に印加した状態において、抵抗値が初期値の１
／１０以下となる時間を測定した。

【００５３】（５）耐熱変形性 熱押圧試験装置（日本アビオニクス（株）製、ＴＣＷ−
１２５型）に３×３０ｍｍのヒーターチップを取り付
け、ヘッド圧力２５ｋｇ、加熱時間６秒の条件で、１０
℃刻みに熱押圧試験を実施した。導体幅１５０μｍ、パ
ターンピッチ２５０μｍ、導体数６本のサンプルを用い
て、導体が接着剤に埋没し始める温度を熱変形温度とし
た。

【００５４】参考例（絶縁フィルムの易接着処理Ａの製
造方法） ポリアミド樹脂（ヘンケル白水（株）製、”マクロメル
ト”６９０１）、エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業
（株）製、ナフタレン型エポキシ樹脂”ＨＰ−４０３
２”、エポキシ当量１５０）、レゾールフェノール樹脂
（住友デュレズ（株）製、ＰＲ５００８７）、ＢＦ₃・
モノエチルアミン塩をそれぞれ表１の組成比となるよう
に配合し、濃度０．０５重量％となるようにメタノール
／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で攪拌、混合し
て接着剤溶液を作成した。この接着剤をリバースロール
塗工機で、絶縁フィルムである厚さ７５μｍのポリイミ
ドフィルム（宇部興産（株）製”ユーピレックス”Ｓタ
イプ）に干渉縞が生じないように塗布（厚さ１μｍ未
満）し、１００℃で１分、１５０℃で２分乾燥した後、
１５０℃で３時間後硬化して易接着処理を施した。

【００５５】実施例１ ポリアミド樹脂（ユニケマ（株）製、”ＰＲＩＡＤＩ
Ｔ”２０５３）、エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
（株）製、ビスＡ型エポキシ樹脂”エピコート”８２
８、エポキシ当量１８６）、フェノール樹脂（昭和高分
子（株）製、ＣＫＭ１２８２）、トリフェニルホスフィ
ンをそれぞれ表２の組成比となるように配合し、濃度２
０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン
混合溶液に溶解した後、離型処理を施した厚さ２５μｍ
のポリエチレンテレフタレートフイルム（東レ（株）製
“ルミラー”）に、約１２μｍの乾燥膜厚となるように
塗布し、エアオーブンを使用し１００℃で１分、１５０
℃で５分間の乾燥を行い、接着剤シートを作成した。得
られた接着剤シートをロールラミネート方式により、１
２０℃、１ｋｇ／ｃｍ²の条件で参考例で得た易接着処
理Ａを施した厚さ７５μｍのポリイミドフイルムにラミ
ネートして、ＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。特
性を表２に示す。

【００５６】上記の手順で得られたＴＡＢ用接着剤付き
テープを用いて、前述の評価方法（１）と（２）と同一
の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、図
１に示すパターンテープを得た。

【００５７】さらにこのパターンテープを用いて、４５
０℃、１分の条件でインナーリードボンディングを行
い、半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポキ
シ系液状封止材（北陸塗料株式会社製“チップコート”
１３２０−６１７）で樹脂封止を行い、半導体装置を得
た。図２は得られた半導体装置の断面を示したものであ
る。

【００５８】実施例２ 参考例で得た易接着処理Ａを施した絶縁フィルムにアル
ゴン雰囲気中で低温プラズマ処理した以外は、実施例１
と同様の方法でＴＡＢ用接着剤付きテープを得た。特性
を表３に示す。

【００５９】実施例３ ポリアミド樹脂（ヘンケル白水（株）製、”マクロメル
ト”６９００）、エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業
（株）製、ナフタレン型エポキシ樹脂”ＨＰ−４０３
２”、エポキシ当量１５０）、フェノール樹脂（群栄化
学（株）製、ＰＳＭ４３２６）、３、３−ＤＤＳをそれ
ぞれ表１の組成比となるように配合し、濃度０．０５重
量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合
溶媒に３０℃で攪拌、混合して接着剤溶液を作成した接
着剤を用いて参考例と同様の方法で易接着処理Ｂを施し
た絶縁フィルムと実施例１と同様の方法で、それぞれ表
２に示した原料および組成比で調合した接着剤を用いて
得た接着シートをラミネートしＴＡＢ用接着剤付きテー
プを得た。特性を表３に示す。

【００６０】実施例４ ポリアミド樹脂（ユニケマ（株）製、”ＰＲＩＡＤＩ
Ｔ”２０５３）、エポキシ樹脂（東都化成（株）製、ジ
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂”ＺＸ１２５７”、
エポキシ当量２６０）、フェノール樹脂（昭和高分子
（株）製、ＣＫＭ１６３４）、２−ヘプタデシルイミダ
ゾールを表２の組成比となるように配合し、後は実施例
１と同様の方法を用いてＴＡＢ用接着剤付きテープを得
た。特性を表３に示す。

【００６１】実施例５ 絶縁フィルムへ易接着層を３μｍの厚みにした以外は、
実施例１と同様の方法でＴＡＢ用接着剤付きテープを得
た。特性を表３に示す。

【００６２】比較例１ 絶縁フィルムをそのまま用いた以外は、実施例１と同様
の方法でそれぞれ表２に示した原料および組成比で調合
した接着剤を用いてＴＡＢ用接着剤付きテープを得た。
特性を表３に示す。

【００６３】比較例２ 絶縁フィルムをそのまま用いた以外は、実施例４と同様
の方法でそれぞれ表２に示した原料および組成比で調合
した接着剤を用いてＴＡＢ用接着剤付きテープを得た。
特性を表３に示す。

【００６４】上記で得られたＴＡＢ用接着剤付きテープ
の可撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積層体の２０
℃における弾性率を表３に示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】

【表２】

【００６７】

【表３】

【００６８】表３の実施例および比較例から本発明によ
り得られるＴＡＢ用接着剤付きテープは、接着性および
絶縁性に優れることが分かる。

【００６９】

【発明の効果】本発明は絶縁信頼性および耐熱変形性に
優れ、接着力も損なわれない新規なＴＡＢ用接着剤付き
テープおよびそれを用いた半導体装置を工業的に提供す
るものであり、本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープによ
って、高密度実装用の半導体装置の信頼性および経済性
を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＴＡＢ用接着剤テープにパターン加工
して得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープ
の一態様の斜視図。

【図２】本発明のＴＡＢ用接着剤テープを用いた半導体
装置の一態様の断面図。

【図３】本発明のＴＡＢ用接着剤テープを用いた半導体
装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。

【図４】本発明のＴＡＢ用接着剤テープを用いた半導体
装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。

【符号の説明】

１、１２、２０ 可撓性絶縁フィルム（ベースフィル
ム） ２、１３、２１ 接着剤 ３ スプロケットホール ４ デバイスホール ５、１４、２２ 半導体集積回路接続用導体 ６ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８、１５、２３ 半導体集積回路 ９、１６、２４ 封止樹脂 １０、１７、２５ 金バンプ １１ 保護膜 １８、２６ ハンダボール １９ 補強板 ２７ ソルダーレジスト

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも絶縁フィルムおよび接着剤層か
   らなる積層体を有するＴＡＢ用接着剤付きテープにおい
   て、前記絶縁フィルム表面が予め易接着剤でコーティン
   グ処理されていることを特徴とするＴＡＢ用接着剤付き
   テープ。
2. 【請求項２】易接着剤のコーティング厚みが１μｍ未満
   であることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤
   付きテープ。
3. 【請求項３】易接着剤のコーティング厚みが０．５μｍ
   以下であることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接
   着剤付きテープ。
4. 【請求項４】易接着剤がポリアミド樹脂およびエポキシ
   樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ
   用接着剤付きテープ。
5. 【請求項５】易接着剤に含まれるポリアミド樹脂が２〜
   ５０重量％の範囲であることを特徴とする請求項１記載
   のＴＡＢ用接着剤付きテープ。
6. 【請求項６】易接着剤に含まれるエポキシ樹脂が２〜４
   ０重量％の範囲であることを特徴とする請求項１記載の
   ＴＡＢ用接着剤付きテープ。
7. 【請求項７】積層体を形成する接着剤層が、熱可塑性樹
   脂およびエポキシ樹脂を必須成分として含有することを
   特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。
8. 【請求項８】積層体を形成する接着剤層に含まれるエポ
   キシ樹脂が下記式（Ｉ）、（II）、（III ）または（I
   V）で示されるエポキシ樹脂を少なくとも１種類含むこ
   とを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテー
   プ。 【化１】 （ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁸は、各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低
   級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 【化２】 （ただし、Ｒ⁹〜Ｒ¹⁶のうち２つは、２，３−エポキシ
   プロポキシ基であり、残りは各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４
   の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 【化３】 （ただし、Ｒ¹⁷〜Ｒ²⁰は、各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
   低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。） 【化４】 （ただし、Ｒ²¹〜Ｒ³⁰は、各々水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の
   低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
9. 【請求項９】積層体を形成する接着剤層に含有される熱
   可塑性樹脂が、炭素数３６のジカルボン酸を主要構成成
   分として含有するポリアミド樹脂であることを特徴とす
   る請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。
10. 【請求項１０】積層体を形成する接着剤層が、フェノー
    ル樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載のＴＡ
    Ｂ用接着剤付きテープ。
11. 【請求項１１】積層体を生成する接着剤層単体を硬化さ
    せた際の弾性率が、４５０〜２，０００ＭＰａの範囲に
    あることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付
    きテープ。
12. 【請求項１２】絶縁フィルムの両面が易接着剤処理前後
    にかかわらず、放電処理されたことを特徴とする請求項
    １記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。
13. 【請求項１３】絶縁フィルムがポリイミドであることを
    特徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープ。
14. 【請求項１４】請求項１〜１３のいずれか記載のＴＡＢ
    用接着剤付きテープを用いることを特徴とする半導体接
    続基板。
15. 【請求項１５】請求項１〜１３のいずれか記載のＴＡＢ
    用接着剤付きテープを用いることを特徴とする半導体装
    置。