JPH10335524A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部接続端子に傷や凹みを付けることなく電
気的試験を行える半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１０と、一端が外部接続端
子５に接続され、他端が半導体チップ１０の電極端子８
に電気的に接続される配線パターン９が他端側が絶縁性
フィルム４０の外縁から突出した状態で絶縁性フィルム
４０に支持されると共に、絶縁性フィルム４０の配線パ
ターン９を支持する面側が電気的絶縁性を有する保護膜
１６で被覆されて形成された配線パターンフィルム１２
とを有する。半導体チップ１０の電極端子８が形成され
た領域の内側領域に、配線パターンフィルム１２が絶縁
性の接着層１４を介して配線パターン９を支持する面の
裏面側が接着され、配線パターン９の他端が電極端子８
に接続され、他端側の露出部分が樹脂材１４ａによって
封止されて成る。保護膜１６には配線パターン９の中途
部７４を露出させる透孔７２が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップと略同
サイズに形成する半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体チップを封止して形成する半導体
装置として、半導体チップと略同サイズに形成して成る
製品がある。この半導体装置は半導体チップの電極端子
を形成した面を封止し、この面上に実装基板に接続する
ための外部接続端子を配置して半導体チップと略同等の
大きさに形成したものである。図１３はチップサイズに
形成した半導体装置の従来例を実装面側から見た状態を
示す。５が外部接続端子、６が外部接続端子５と半導体
チップの電極端子とを電気的に接続するリードである。
電極端子は半導体チップの周縁部に配置されており、リ
ード６は外部接続端子５から配線パターンを介して外周
縁側に引き出され電極端子と電気的に接続されている。
７は半導体チップを保持するためのカンである。

【０００３】図１４はリード６と半導体チップ１０の電
極端子８との接続状態、および半導体チップ１０上にお
ける外部接続端子５の支持状態等を示す。この半導体装
置は一端に外部接続端子５が接合され他端がリード６と
して形成された配線パターン９を絶縁性フィルム４０に
より支持した配線パターンフィルム１２をエラストマー
等の接着層１４を介して半導体チップ１０に接着し、配
線パターンフィルム１２の周縁から延出させたリード６
を電極端子８にボンディングして形成される。１４ａは
接着層１４と同じ樹脂材で、リード６をボンディングし
た後、リード６および電極端子８の露出部分を封止して
いる。１６は外部接続端子５を除いて配線パターンフィ
ルム１２の表面を被覆した保護膜としてのソルダレジス
トである。なお、配線パターンフィルム１２を半導体チ
ップ１０に接着する場合、接着性を有する絶縁性フィル
ム４０を用いることにより接着層１４を介さずに接着す
ることも可能である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】半導体装置は、通常出
荷する前に電気的試験（例えば外部接続端子と半導体チ
ップ１０の電極端子８との導通試験や半導体チップの動
作試験等）を行い、不良品が出荷されるのを防止してい
る。この場合に、半導体装置へ試験用の電気信号を送り
込み、半導体装置から出力される電気信号を読み取って
半導体装置の電気的性能の良否を判定するのであるが、
半導体装置においては外部接続端子しか露出する部分は
ない。よって、電気信号の入出力を行うための試験装置
側のピンまたはプローブはこの外部接続端子に接触させ
ている。なお、一般的に外部接続端子とピン等との間の
接触不良を防止するためにピン等に所定の圧力をかけな
がら接触させている。

【０００５】しかしながら、外部接続端子（はんだバン
プ等）が所定の圧力で上記ピンやプローブで押された際
に、その表面に傷が付いたり、凹んだりする場合があ
る。そして、表面の傷や凹みの程度は複数有る外部接続
端子個々にばらばらであり、外部接続端子の下端の平面
性が劣化する。このため、出荷後にユーザが半導体装置
を回路基板に実装する際に、各外部接続端子と回路基板
上のパターンとの間の密着度にバラツキが生じ、ひどい
場合には接続不良となる場合があるという課題がある。
また、傷や凹みの程度が軽く、回路基板への実装につい
て実際には問題のないような場合でも、上記のような実
装信頼性が低下する可能性があるという事実からユーザ
は外部接続端子に付く傷や凹みを非常に嫌っており、傷
や凹みが少しでもあると半導体装置の製品価値が低下す
る。また、ユーザに対する製造メーカの信頼性評価が下
がるという課題もある。

【０００６】本発明は、上述したような半導体装置の電
気的試験を行う際における課題を解消すべくなされたも
のであり、外部接続端子に傷や凹みを付けることなく電
気的試験を行える半導体装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のうち請求項１記載の発明は、半導体チップ
と、一端が外部接続端子に接続され、他端が前記半導体
チップの電極端子に電気的に接続される配線パターンが
前記他端側が絶縁性フィルムの外縁から突出した状態で
該絶縁性フィルムに支持されると共に、絶縁性フィルム
の前記配線パターンを支持する面側が電気的絶縁性を有
する保護膜で被覆されて形成された配線パターンフィル
ムとを有し、前記半導体チップの電極端子が形成された
領域の内側領域に、前記配線パターンフィルムが電気的
絶縁性を有する接着層を介して前記配線パターンを支持
する面の裏面側が接着され、前記配線パターンの他端が
前記電極端子に接続されると共に、該他端側の露出部分
が樹脂材によって封止されてなる半導体装置において、
前記保護膜には、前記配線パターンの中途部を露出させ
る透孔が形成されていることを特徴とする。これによ
り、保護膜に設けられた透孔から露出する配線パターン
の中途部へ試験装置側のピンまたはプローブを接触させ
ることができ、外部接続端子に傷や凹みが付くことはな
い。

【０００８】また、本発明のうち請求項２記載の発明
は、半導体チップと、一端が外部接続端子に接続され、
他端が前記半導体チップの電極端子に電気的に接続され
る配線パターンが前記他端側が絶縁性フィルムの外縁か
ら突出した状態で該絶縁性フィルムに支持されて形成さ
れた配線パターンフィルムとを有し、前記半導体チップ
の電極端子が形成された領域の内側領域に、前記配線パ
ターンフィルムが電気的絶縁性を有する接着層を介して
前記配線パターンを支持する面側が接着され、前記配線
パターンの他端が前記電極端子に接続されると共に、該
他端側の露出部分が樹脂材によって封止されてなる半導
体装置において、前記絶縁性フィルムには、前記配線パ
ターンの中途部を露出させる透孔が形成されていること
を特徴とする。これにより、絶縁性フィルムに設けられ
た透孔から露出する配線パターンの中途部へ試験装置側
のピンまたはプローブを接触させることができ、外部接
続端子に傷や凹みが付くことはない。また、前記配線パ
ターンの中途部は、他の部分よりも幅広に形成する構成
とすると、試験装置側のピンまたはプローブを接触させ
易い。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について説明する。 （第１の実施の形態）本実施の形態の特徴点は、半導体
装置の電気的試験を行うべく、試験装置側のピンまたは
プローブを接触させて試験用の電気信号を半導体装置に
入出力できる部位を外部接続端子５以外に設けて、外部
接続端子５の表面にピンやプローブによる傷や凹みを付
けないようにする点である。このため、図１に示すよう
に半導体装置に、保護膜としてのソルダレジスト１６に
透孔７２を設けて、配線パターン９（リード６も含む。
以下同様。）の中途部７４を露出させている。以下、配
線パターン９の中途部７４が露出した半導体装置の製法
と共にその構造について説明する。

【００１０】まず、図２において本発明に係る半導体装
置に用いられる配線パターンフィルム１２の一実施形態
の構成と、配線パターンフィルム１２のリード６を半導
体チップ１０の電極端子８にボンディングするボンディ
ングツール２２等の構成を示す。配線パターンフィルム
１２の全体構成は従来の配線パターンフィルムの構成と
と同様で、配線パターン９の一端に外部接続端子５が形
成され、配線パターン９の他端が半導体チップ１０の電
極端子８に接合されるリード６として形成され、絶縁性
フィルム４０によって配線パターン９が支持されてい
る。配線パターンフィルム１２はエラストマー等の柔軟
性を有する接着層１４を介して半導体チップ１０に接着
されている。

【００１１】ボンディングツール２２を用いて配線パタ
ーンフィルム１２のリード６を電極端子８にボンディン
グする方法は、リード６を切断する位置の上方からボン
ディングツール２２を突き降ろし、リード６を突き切り
し、ボンディングツール２２でリード６を押し曲げるよ
うにして電極端子８にボンディングする。これにより、
一端側が絶縁性フィルム４０により支持され、配線パタ
ーン９の当該他端側が絶縁性フィルム４０の外縁から側
方へ突出した状態で電極端子８へ電気的に接続される。

【００１２】次に、この配線パターンフィルム１２の製
法およびこの配線パターンフィルム１２を用いた半導体
装置の製法について詳細に説明しつつ、本発明に係る半
導体装置の構成について説明する。

【００１３】図３は配線パターン９およびリード６の導
体コアとして銅を使用する配線パターンフィルム１２の
製造工程を示す。図３(a) は配線パターンフィルム１２
の支持体として用いるポリイミドフィルム等の絶縁性フ
ィルム４０である。まず第１工程は、この絶縁性フィル
ム４０は片面に接着剤が被着したフィルムで、これにパ
ンチングを施して窓４２をあけた後、絶縁性フィルム４
０の片面に銅箔４４を接着する（図３(b) ）。窓４２は
半導体チップ１０の電極端子８に接合するリード６を形
成する部分で、半導体チップ１０の電極端子８の配置位
置に合わせて形成する。

【００１４】次いで第２工程は、銅箔４４をエッチング
し、配線パターン９、リード６およびランドを形成す
る。ランドははんだボール等の外部接続端子５を接合し
て支持する部位であり、外部接続端子５の大きさに合わ
せて配線パターン９と一体に接続して設ける。銅箔４４
をエッチングしてこれらの配線パターン９等を形成する
方法は、いわゆるフォトリソグラフィ法による。

【００１５】すなわち、銅箔４４の表面にレジスト４５
を塗布し、所定のパターンで露光、現像して銅箔４４を
除去する部分のみ露出させたレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをマスクとして銅箔４４をエ
ッチングする（図３(c) ）。第３工程は、銅箔４４をエ
ッチングした後、レジスト４５とレジスト４６を除去す
る。これにより、配線パターン９、リード６が形成され
る（図３(d) ）。リード６は図のように、窓４２の部分
でかけ渡すようにして支持される。

【００１６】次に第４工程は、配線パターン９の表面と
配線パターン９が形成された面の絶縁性フィルム４０の
表面に配線パターンフィルム１２を保護するためと外部
接続端子５を取り付けるために絶縁性を有する保護膜の
一例としてソルダレジスト４８を塗布する。ソルダレジ
スト４８をパターニングして、ランド９ａが形成された
部位と配線パターン９の中途部７４に対応した部位のソ
ルダレジスト４８のみを除去する。これによって外部接
続端子５を接合するランド部分と試験装置のピンまたは
プローブを接触させる部分のみがソルダレジスト４８の
領域内で露出し、ランド９ａ上には外部接続端子５を取
り付けることが可能になる。また配線パターン９の中途
部７４を露出させる透孔７２が形成される（図３(e)
）。

【００１７】次に第５工程は、金めっきを施し、リード
６の外表面、ランド９ａの表面および透孔７２内に露出
する配線パターン９の中途部７４の表面に金めっき層５
０を設ける。この金めっきによりリード６は銅のコア層
の表面が金めっき層５０によって被覆されたものとなる
（図３(f))。

【００１８】次に、本実施形態ではボンディングツール
２２の端面形状に対応させるべく、リード６に係合突起
３０を形成する。係合突起３０はリード６をレジストで
被覆し、係合突起３０を形成する部位のみ露出させて金
めっきを施し、金めっきを盛り上げ形成することによっ
て形成することができる。なお、この操作では外部接続
端子５等の所要部位をレジストで遮蔽して行うようにす
る。図３(f) はリード６に係合突起３０を形成した配線
パターンフィルム１２を示す。なお、係合突起３０を設
けるかわりに、リード６に係合凹部３２あるいは係合孔
３４を形成する場合は、リード６をエッチングして形成
するか、あるいは配線パターン９とリード６を形成する
工程（図３(d))で、同時に形成することもできる。ま
た、本実施形態のように、ボンディングツール２２の端
面とリード６の当接面とを凹凸係合させない場合には、
この係合突起３０や係合凹部３２や係合孔３４等を形成
する工程は必要でない。

【００１９】図４は上記方法によって得られた配線パタ
ーンフィルム１２の平面形状とその要部拡大図を示す。
配線パターンフィルム１２は外部接続端子５を支持する
ための中央部の絶縁性フィルム４０ａと、その周囲に枠
状に形成された絶縁性フィルム４０ｂとの間にリード６
がかけ渡されて支持されたものとなる。

【００２０】次に、半導体装置の製法について説明す
る。半導体装置を形成する場合は、この配線パターンフ
ィルム１２を半導体チップ１０に対して位置合わせし、
外部接続端子５を接合する面を外面として配線パターン
フィルム１２を半導体チップ１０に接着する。すなわ
ち、配線パターン９を支持する面の裏面側を接着する。
半導体チップ１０に接着する部分は外部接続端子５を取
り付ける絶縁性フィルム４０ａの部分で、半導体チップ
１０では電極端子８が配置される内側領域である（図
５）。配線パターンフィルム１２を接着した後、ボンデ
ィングツール２２で各々のリード６を電極端子８にボン
ディングする。次に、リード６のボンディング部の露出
部分に接着層１４と同じ樹脂材１４ａを塗布して封止す
る。この後、ランド９ａにはんだボールを接合して外部
接続端子５とし最終的に半導体装置製品として得られる
（図５）。また、図１に半導体装置の中途部７４の要部
拡大断面図を示す。また、図９にこの隙間７０部分の要
部平面図を示す。

【００２１】このように、絶縁性フィルム４０ａの領域
内（ソルダレジスト４８の領域内でもある）に、外部接
続端子５以外に配線パターン９の中途部７４に外部から
接触可能な透孔７２を設けることによって、この中途部
７４へ試験装置側のピンまたはプローブを接触させて半
導体チップ１０自体の動作や半導体装置全体の接触の良
否等の電気的試験を行うことができ、外部接続端子５の
表面に傷や凹みを付ける心配がなくなる。

【００２２】（第２の実施の形態）本実施の形態では、
他の製法により製造される配線パターンフィルム１２を
用いて製造する半導体装置について説明する。特徴点
は、第１の実施の形態と同様であり、試験装置側のピン
またはプローブを接触させて試験用の電気信号を半導体
装置に入出力できる部位を外部接続端子５以外に設ける
点である。このため、図６に示すように半導体装置にお
いて、絶縁性フィルム４０に透孔７２を設けて配線パタ
ーン９の中途部７４を露出させている。

【００２３】図７は配線パターンフィルム１２を形成す
る他の製造工程を示す。本方法では絶縁性フィルム４０
の片面に銅箔４４を被着した片面銅張りフィルム６０を
使用する（図７(a) ）。まず、第１工程として、この片
面銅張りフィルム６０の銅箔４４上に配線パターン９と
リード６とを形成するための金めっきを施す。前述した
ように配線パターン９は外部接続端子５とリード６とを
電気的に接続するためのものであり、リード６は半導体
チップ１０の電極端子８とボンディングするためのもの
である。

【００２４】詳細には、図７(b) に示すように銅箔４４
上にレジスト４５を塗布し、配線パターン９およびリー
ド６を形成する部位のみを露出させたレジストパターン
を形成する。この状態で銅箔４４に金めっきを施し、銅
箔４４上に金めっき層６２を形成する（図７(c))。次
に、第２工程として、レジスト４５を除去する。これに
より、図７(d) に示すように銅箔４４上に金めっき層６
２が所定のパターンで形成される。次に、第３工程とし
て、外部接続端子５を形成するため、絶縁性フィルム４
０に接続孔６４を形成する。接続孔６４はレーザ光やエ
ッチングを利用して形成することができる。接続孔６４
は外部接続端子５を形成する部位で配線パターン９とな
る銅箔４４を露出させるように形成する（図７(e) ）。

【００２５】次に、第４工程として、外部接続端子５を
接続孔６４内にめっきを施すことによってバンプ状に形
成する。銅箔４４は絶縁性フィルム４０の全面に被着形
成されているから、銅箔４４をめっき給電層として電解
めっきによりめっきを盛り上げることができる（図７
(f) ）。次に、第５工程では、リード６をボンディング
するための窓４２と、試験装置側のピンまたはプローブ
を配線パターン９の中途部７４に接触させるための透孔
７２を絶縁性フィルム４０に形成し、さらに銅箔４４の
みを選択的に除去できるエッチング液を使用して銅箔４
４をエッチングする。図７(f) は銅箔４４をエッチング
した後の状態である。窓４２と透孔７２内では金めっき
層６２がボンディング用のリード６として残る。

【００２６】上記のように、リード６は金めっき層６２
によって形成されるから、金めっき層６２はリード６の
所要の強度等が得られるようめっき厚を適宜設定する必
要がある。また、透孔７２の形状に合わせて透孔７２か
ら露出する配線パターン９の中途部７４の形状を試験装
置側のピンまたはプローブを接触させ易いように幅広に
予め形成しておいても良い。この配線パターンフィルム
１２は絶縁性フィルム４０の一方の面に外部接続端子５
が形成され、絶縁性フィルム４０の他方の面に配線パタ
ーン９とリード６が支持されている。

【００２７】この配線パターンフィルム１２を使用して
チップサイズの半導体装置を形成する場合も前述した方
法と同様である。半導体チップ１０に接着層１４を介し
て配線パターンフィルム１２を接着し、ボンディングツ
ール２２によってリード６を突き切るようにしながら半
導体チップ１０の電極端子８に各々のリード６をボンデ
ィングする。

【００２８】次に、半導体装置の製法について説明す
る。半導体装置を形成する場合は、この配線パターンフ
ィルム１２を半導体チップ１０に対して位置合わせし、
外部接続端子５を接合する面を外面として配線パターン
フィルム１２を半導体チップ１０に接着する。すなわ
ち、配線パターン９を支持する面側を接着する。半導体
チップ１０に接着する部分は外部接続端子５が形成され
た絶縁性フィルム４０ａの部分で、半導体チップ１０で
は電極端子８が配置される内側領域である（図７(f)
等）。配線パターンフィルム１２を接着した後、ボンデ
ィングツール２２で各々のリード６を電極端子８にボン
ディングする。次に、リード６のボンディング部の露出
部分に接着層１４と同じ樹脂材１４ａを塗布して封止す
る。これにより、最終的に半導体装置が得られる（図
８）。

【００２９】このように、外部接続端子５以外に配線パ
ターン９の中途部７４に外部から接触可能な透孔７２を
設けることによって、この中途部７４へ試験装置側のピ
ンまたはプローブを接触させて電気的試験を行うことが
でき、外部接続端子５の表面に傷や凹みを付ける心配が
なくなる。本実施の形態の半導体装置では、外部接続端
子５が配置される実装面が絶縁性フィルム４０によって
被覆されて保護されている。

【００３０】また、透孔７２を介して外部に露出する配
線パターン９の中途部７４は、図９に示すように配線パ
ターン９の他の部分と同じ幅のものであっても良いし、
さらに図１０に示すように他の部分よりも幅広（本実施
の形態では一例として円形であるが、楕円や方形等の多
角形であっても良い）に形成し、試験装置側のピンまた
はプローブを接触させ易くすると一層良い。なお、この
場合には配線パターン９の間隔がファインな場合には図
１１に示すように互い違いに配置すると、配線パターン
９の幅広部分が互いに干渉しにくくなる。また、中途部
７４を図１２に示すように分岐させて形成させても良
い。また、透孔７２の形状も円形でも方形等の多角形で
あっても良い。

【００３１】なお、上述した第１の実施の形態、第２の
実施の形態の半導体装置では接着層１４を介して配線パ
ターンフィルム１２を半導体チップ１０に接着したが、
接着層１４を用いずに絶縁性フィルム４０自体の接着性
を利用して配線パターンフィルム１２を半導体チップ１
０に接着することも可能である。また、前記実施形態の
半導体装置ではいずれも半導体チップ１０の縁部近傍に
電極端子８が配置され、配線パターンフィルム１２の周
縁からリード６を延出させてリード６を電極端子８にボ
ンディングしている。半導体チップ１０の電極端子８は
必ずしもこのように縁部近傍にのみ配置されるのではな
く、半導体チップ１０の中央部付近に配置される場合も
ある。

【００３２】また、本実施の形態では半導体チップを保
持するためのカンは使用していないが、従来例で説明し
たようにカン７を使用する半導体装置にも同様に適用で
きる。

【００３３】

【発明の効果】本発明に係る半導体装置によれば、露出
する配線パターンの中途部へ試験装置側のピンまたはプ
ローブを接触させることができ、外部接続端子にピンま
たはプローブを接触させる必要がなくなるために、外部
接続端子に傷や凹みが付くことを防止でき、はんだ付け
不良が発生しにくくなるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の第１の実施の形態に
おいて、レジストに透孔を設けて配線パターンの中途部
を外方に露出させた構成を示す要部拡大断面図。

【図２】配線パターンフィルムのリードを電極端子にボ
ンディングする方法を示す説明図。

【図３】配線パターンフィルムの製造方法を示す説明
図。

【図４】図３により製造された配線パターンフィルムの
平面図。

【図５】図１の半導体装置の全体の内部構造を示す断面
図。

【図６】本発明に係る半導体装置の第２の実施の形態に
おいて、絶縁性フィルムに透孔を設けて配線パターンの
中途部を外方に露出させた構成を示す要部拡大断面図。

【図７】配線パターンフィルムの他の製造方法を示す説
明図。

【図８】図６の半導体装置の全体の内部構造を示す断面
図。

【図９】透孔から露出させる配線パターンの中途部の形
状を示す半導体装置の要部平面図。

【図１０】透孔から露出させる配線パターンの中途部の
形状の他の実施の形態（幅広に形成した場合）を示す半
導体装置の要部平面図。

【図１１】透孔から露出させる配線パターンの中途部の
形状の他の実施の形態（幅広で互い違いに配置した場
合）を示す半導体装置の要部平面図。

【図１２】透孔から露出させる配線パターンの中途部の
形状の他の実施の形態（配線パターンを分岐させた場
合）を示す半導体装置の要部平面図。

【図１３】従来の半導体装置を外部接続端子形成面から
見た平面図。

【図１４】図１３の半導体装置の半導体チップと配線パ
ターンフィルムのリードとの接合状態を示す断面図。

【符号の説明】

５ 外部接続端子 ６ リード ８ 電極端子 ９ 配線パターン １０ 半導体チップ １２ 配線パターンフィルム １４ 接着層 １４ａ 封止用の樹脂材 １６ 保護膜としてのソルダレジスト ４０ 絶縁性フィルム ７２ 透孔 ７４ 中途部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップと、 一端が外部接続端子に接続され、他端が前記半導体チッ
   プの電極端子に電気的に接続される配線パターンが前記
   他端側が絶縁性フィルムの外縁から突出した状態で該絶
   縁性フィルムに支持されると共に、絶縁性フィルムの前
   記配線パターンを支持する面側が電気的絶縁性を有する
   保護膜で被覆されて形成された配線パターンフィルムと
   を有し、 前記半導体チップの電極端子が形成された領域の内側領
   域に、前記配線パターンフィルムが電気的絶縁性を有す
   る接着層を介して前記配線パターンを支持する面の裏面
   側が接着され、前記配線パターンの他端が前記電極端子
   に接続されると共に、該他端側の露出部分が樹脂材によ
   って封止されてなる半導体装置において、 前記保護膜には、前記配線パターンの中途部を露出させ
   る透孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体チップと、 一端が外部接続端子に接続され、他端が前記半導体チッ
   プの電極端子に電気的に接続される配線パターンが前記
   他端側が絶縁性フィルムの外縁から突出した状態で該絶
   縁性フィルムに支持されて形成された配線パターンフィ
   ルムとを有し、 前記半導体チップの電極端子が形成された領域の内側領
   域に、前記配線パターンフィルムが電気的絶縁性を有す
   る接着層を介して前記配線パターンを支持する面側が接
   着され、前記配線パターンの他端が前記電極端子に接続
   されると共に、該他端側の露出部分が樹脂材によって封
   止されてなる半導体装置において、 前記絶縁性フィルムには、前記配線パターンの中途部を
   露出させる透孔が形成されていることを特徴とする半導
   体装置。
3. 【請求項３】 前記配線パターンの中途部は、他の部分
   よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項１
   または２記載の半導体装置。