JPH10510103A

JPH10510103A - Ｘ線画像センサ

Info

Publication number: JPH10510103A
Application number: JP9511785A
Authority: JP
Inventors: ブラオアース，アンドレーアス; シーベル，ウルリヒ
Original assignee: フィリップスエレクトロニクスエヌベー
Priority date: 1995-09-12
Filing date: 1996-09-02
Publication date: 1998-09-29
Also published as: WO1997010616A1; US5729021A; EP0791230B1; EP0791230A1; DE69637638D1

Abstract

(57)【要約】コレクタ電極（３）とコモン電極（２）との間に配置された酸化鉛光導電体層（６）を有するＸ線画像センサ（１）は、コモン電極の金属と酸化鉛との間の化学反応による光導電体層の劣化を阻止するため酸化鉛をコモン電極の金属から分離するパッシベーション層（７）が設けられている。電荷の光導電体層への注入を防止するため、バイアス層（８）がコモン電極（２）と光導電体層（６）との間に設けられ、クラッド層（９）がコレクタ電極（３）と光導電体層（６）との間に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】Ｘ線画像センサ本発明は、コモン電極と、各センサ素子がコレクタ電極からなる腹数のＸ線感応センサ素子と、酸化鉛類（ＰｂＯ_x）を含みコモン電極とコレクタ電極との間に設けられた光導電体層とを含むＸ線画像センサに関する。本発明は、更に、Ｘ線像を形成するため対象物を照射するＸ線ビームを放射するＸ線源と、上記のＸ線画像センサが設けられ、Ｘ線像から電子像信号を得るＸ線検出器とからなるＸ線検査装置に関する。かかるＸ線画像センサは欧州特許出願第ＥＰ０５８８３９７号により公知である。従来のＸ線画像センサは、行及び列の形に配置された複数のＸ線感応素子のマトリックスにより構成される。各列は、低ノイズ増幅器に接続された読み出し線が設けられる。低ノイズ増幅器の出力は多重化回路に結合される。従来のＸ線画像センサの光導電体層は、アモルファスセレン（α−Ｓｅ）により構成される。入射Ｘ線放射線は光導電体層で吸収され、電子−正孔対を発生する。コモン電極を用いて光導電体層の両端間に加えられた静電界の影響下で、正孔はコモン電極に移動し、電子はコレクタ電極に集められ、或いは、逆に静電界の極性に依存して、正孔がコレクタ電極に集められ、電子がコモン電極に移動する。各コレクタ電極は、コレクタキャパシタンスの一部分である。個々のセンサ素子は、関連したコレクタ電極を読み出し線に接続する夫々のスイッチング素子からなる。Ｘ線照射時に開かれたままのスイッチング素子は、集められた電荷を読み出すため閉じられ、集められた電子は、夫々の読み出し線に供給され、読み出し線に沿って夫々の低ノイズ増幅器に流れ、低ノイズ増幅器は夫々の読み出し線の電流を積分し、実質的に電荷信号を多重化回路に供給し、多重化回路は夫々の読み出し線の電荷信号を電子像信号に変換する。アモルファスセレンにおいて、大多数の電荷担体は、再結合又は捕捉のため失われる。従って、像を伝播するＸ線放射の大部分は、電子像信号の形成に関する限り失われるので、従来のＸ線画像センサは、低強度のＸ線放射から電子像信号を高いＳＮ比で取り出すために適当ではない。更に、電荷担体の捕捉のため、光導電体層内の電荷のコレクタ電極への転送は非常に遅いので、従来のＸ線画像センサは、対応した電子像信号に擾乱を生じさせずに、間断無くＸ線画像のシーケンスを処理するために適当ではない。引用文献には酸化鉛の光導電体層を利用してもよいことが指摘されている。しかし、酸化鉛は、注入中心を形成する表面の汚れのような種々の原因のため生じる劣化と、Ｘ線吸収に起因して生じる電流との影響を非常に受けやすい。本発明の目的は、特に、Ｘ線放射に対し高感度を有し、光導電体層内の電荷担体の高速移転が行われるＸ線画像センサを提供することである。上記目的は、パッシベーション層が光導電体層とコモン電極との間に設けられた本発明のＸ線画像センサにより達成される。酸化鉛は、Ｘ線に対し高い吸収電力を有すると同時に、Ｘ線を電荷担体に変換する高い変換効率を有する。更に、酸化鉛は（多）結晶材料であるため、光導電体層の中を転送される間の電荷担体の損失は、α−Ｓｅのようなアモルファス光導電体層よりも非常に少ない。パッシベーション層はコモン電極を光導電体層から分離するので、パッシベーション層は酸化鉛光導電体層の劣化を防止する。パッシベーション層は酸化鉛の酸化を防止し、これにより、特に、ｐ形の導電性の低下が妨げられる。本発明によるＸ線画像センサの好ましい一実施例は、パッシベーション層が電気抵抗層であることを特徴とする。電気抵抗性パッシベーション層は、光導電体層をコモン電極から分離する。パッシベーション層の電気抵抗は、光導電体層のＸ線の吸収により発生された電荷担体がパッシベーション層を通過し得るように設けられている。ポリマーパッシベーション層又はラッカーパッシベーション層は、大きい表面層の形で光導電体層上に非常に容易に堆積させ得る。特に、ポリ−ｐ−キシリレンは、その製造法が酸化鉛光導電体層の気相成長法と良い互換性があるので、パッシベーション層を形成するため好ましいポリマーである。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、パッシベーション層が半導体層であることを特徴とする。半導体層は、酸化鉛光導電体層のコモン電極との化学反応を妨げ、コモン電極と光導電体層との間にバイアスされた接点を与える。バイアスされた接点はコモン電極から光導電体層への電荷担体の注入を阻止するので、光導電体層の両端間に高電圧が維持される。好ましくは、半導体パッシベーション層は、高い暗抵抗を有するアモルファルセレン半導体層である。アモルファスセレンの再結晶化を防止するため、好ましくは、セレンは０．１％乃至０．５％の砒素がドープされる。更に、セレンの適当なドーピングにより、電荷担体の一方のタイプ（ｎ又はｐ）に対するパッシベーション層の導電性は著しく低下する。パッシベーション層は、ｎ形及びｐ形の導電性が適当なドーピング又は欠陥の含有により調整された他の半導体材料から形成してもよい。半導体パッシベーション層は、電気抵抗性パッシベーション層と共に気相成長させることが可能であり、十分に高い電気抵抗性を有し、酸化鉛光導電体層を空気から遮断する。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、バイアス層がコモン電極と光導電体層との間に設けられていることを特徴とする。光導電体層の両端間に十分に高いバイアス電圧を維持するため、カソード及びアノードとして動作するコモン電極及びコレクタ電極からの担体の注入は、適当にドープされたｐ形導電性バイアス層をカソードに隣接した光導電体層の表面に被覆し、適当にドープされたｎ形バイアス層をアノードに隣接した光導電体層の表面に被覆することにより阻止される。特に、ｐ形バイアス層のバイアス特性の劣化を防止するため、パッシベーション層は、光導電体層をコモン電極から分離し、コモン電極の付近の領域で光導電体層を不動態化する。バイアス層は、電荷担体のコモン電極から光導電体層への注入が阻止されるよう光導電体層とコモン電極との間にバイアス接点を与えるので、光導電体層の両端間に高電圧が維持される。バイアス層は、コモン電極とパッシベーション層との間、或いは、光導電体層とパッシベーション層との間に設けられる。更に、パッシベーション層及びバイアス層は、ある単一層、例えば、ＣｌのドープされたＳｅ層として形成してもよい。バイアス層は適当にドープされた半導体材料からなる。例えば、Ｃｌがドープされたα−Ｓｅは、電子に対し低移動度を有し、一方、Ｎａがドープされたα−Ｓｅは正孔に対し低移動度を有する。バイアス層は均等にドープされても構わないが、一部分だけがドープされたバイアス層を形成してもよい。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、バイアス層が光導電体層のドープされた酸化鉛表面層であることを特徴とする。ドープされた酸化鉛表面層は、容易に製造されるバイアス層を形成する。かかる表面層は、光導電体層の被覆の直後にドーパント材料の拡散によって形成してもよい。ｐ形導電性を有する酸化鉛層は過剰な酸素を供給することにより形成され、一方、ｎ形導電性は過剰な鉛を供給することにより得られる。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、クラッド層がコレクタ電極と光導電体層との間に設けられていることを特徴とする。クラッド層は、電荷担体の一方のタイプに対し実質的な抵抗を有するので、コレクタ電極と光導電体層との間でバイアス接点として動作する。特に、クラッド層の導電性タイプは、コモン電極と光導電体層との間に設けられたバイアス層とは反対のタイプである。クラッド層は、コレクタ電極から光導電体層への電荷の注入を阻止する。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、クラッド層が非化学量論的酸化鉛層であることを特徴とする。酸化鉛がクラッド層として使用されるとき、クラッド層から光導電体層への滑らかな遷移が得られる。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、抵抗層がクラッド層とコレクタ電極との間に設けられていることを特徴とする。抵抗層は、高い特定の抵抗を有する材料から形成され、夫々のコレクタ電極の隣にある部分に隣接した光導電体層の領域に空間電荷を形成するため機能する。特に、コレクタ電極で集められる極性を有する電荷に対する抵抗は、空間電荷を蓄積し得るように十分に高くする必要がある。上記空間電荷は、光電荷（ホトチャージ）が各コレクタ電極の隣に発生される場合に、全てのホトチャージを各コレクタ電極の方に向ける電界の偏向を光導電体層内に生じさせる。従って、抵抗性層は、電子像信号を形成するためのホトチャージの損失を削減する。真性セレン又は実質的に非化学量論的組成からなる酸化鉛は、抵抗層として適当な選択肢である。本発明によるＸ線画像センサの他の好ましい一実施例は、酸化鉛光導電体層の組成が実質的に化学量論的であることを特徴とする。化学量論的酸化鉛光導電体層は、実質的な損失を伴わないコレクタ電極への高速電荷転送を行うことができる。本発明によるＸ線検査装置は、好ましくは、請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載されたＸ線画像センサが設けられている。Ｘ線検査装置は、擾乱を伴うこと無く高速なＸ線像の系列を生成することが可能である。更に、かかるＸ線検査装置は、高圧電源を有する電子光学画像化システムからなる扱いにくいＸ線画像増倍器を必要としない。更に、Ｘ線画像センサを備えたＸ線検査装置の動作は、実質的に磁界に反応しないので、Ｘ線検査装置は、大きい磁界が存在する環境で、例えば、磁気共鳴画像（ＭＲＩ）装置と組み合わせて動作させるのに適当である。以下、実施例及び添付図面を参照して、その例に限定されることなく本発明の上記の面及び他の面を説明する。図面には以下の図が含まれ、図１は本発明のＸ線画像センサマトリックスの回路図であり、図２は上記Ｘ線画像センサの薄膜構造の断面図であり、図３は本発明によるＸ線画像センサからなるＸ線検査装置を表わす図である。図１は本発明によるＸ線画像センサの回路を表わす図である。各画素に対し、感光装置２２、コレクタキャパシタンス２３及びスイッチング素子４からなるＸ線感応センサ２１が設けられる。入射Ｘ線は感光装置２２により電荷に変換され、電荷はコレクタキャパシタンス２３により集められる。コレクタ電極３は、各コレクタキャパシタンスの一部を構成する。Ｘ線感応素子はマトリックス状に並べられる。Ｘ線感応センサの各列に対し、読み出し線５が設けられ、各コレクタキャパシタンス２３はスイッチング素子４を用いて各読み出し線５に接続される。一例として、図１には３×３のＸ線感応素子だけが示されているが、実際の実施例の場合、より多数、例えば、２０００×２０００個のＸ線感応素子が利用される。感光装置は、コレクタ電極３とコモン電極２との間に連続的な酸化鉛光導電体層として形成され、全画像領域を被う。入射Ｘ線は光導電体層６に吸収され、電子−正孔対は光導電体層で発生される。カソード及びアノードとして動作するコレクタ電極及びコモン電極を用いて光導電体の両端間に印加され、例えば、１Ｖ／μｍ乃至２０Ｖ／μｍの範囲の電界強度を有する電界の影響下で、電子はアノードに移動し、正孔はカソードに移動する。従って、電荷は、Ｘ線の吸収の結果としてコレクタ電極で集められる。コモン電極は、例えば、１０００ｎｍ乃至１μｍの範囲、好ましくは、１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲の厚さを有する薄い金属層である。上記の好ましい範囲の厚さを有する金属層は、良好な粘着力を被覆された層の上に組み合わせ、かつ、かなり小さい電気抵抗を有するべく比較的稠密である。更に、かかる層は、非常に僅かな量の金属しか必要とされないので、たとえ高価な金属が使用されたとしても依然として安価である。コモン電極を構成するため適当な金属は、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、ｐｔ、Ｐｄ等であり、インジウム−錫酸化物（Ｉｎ_yＳｎ_1-yＯ_x（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜ｌ））はコモン電極を形成するため適当な導電体である。集められた電荷を読み出すため、関連したスイッチング素子４は、電荷を夫々の読み出し線の下方に伝えるため閉じられる。別個の読み出し線５は夫々の非常に高感度の出力増幅器２４に接続され、出力増幅器の出力信号は多重化回路２５に供給される。電子像信号は多重化回路２５により出力信号から作成される。スイッチング素子４は、アドレス線２７を用いて各行毎にスイッチング素子に接続された行駆動回路２６を用いて制御される。スイッチング素子４は、好ましくは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として形成され、そのドレイン接点は当該読み出し線に接続され、ソース接点は当該コレクタ電極に接続され、ゲート接点は当該アドレス線に接続される。多重化回路は、例えば、モニタ２８に電子像信号を供給し、Ｘ線像の画像情報がモニタ上に表示され、或いは、電子像信号は更なる処理のため画像プロセッサ２９に供給してもよい。図２には、本発明によるＸ線画像センサの薄膜構造の断面図が示される。基板３０、例えば、ガラス層の上に、アドレス線及び対抗電極３１からなる金属パターン、例えば、アルミニウムパターンが被覆される。誘電体分離層３２は上記金属パターンを被う。コレクタ電極３は、対抗電極３１と共にコレクタキャパシタ２３を形成する。誘電体分離層３２上に、実質的に夫々の対抗電極の上方にあり、薄膜トランジスタ４まで延在するコレクタ電極３が被覆される。図２の実施例において、薄膜トランジスタ４は、実際上、コレクタ電極から読み出し線にチャンネルが形成されるように、個別にドープされた半導体層の多層構造により構成された電界効果トランジスタである。チャンネルの導電性は、各アドレス線に接続されたゲート接点３５の電圧による影響を受ける。適当な導電性を得るため、読み出し線５は、１０μｍ乃至２５μｍの幅を有する。コレクタ電極３は、コレクタ電極上に被覆された金属層の形の電極拡張部３３が選択的に設けられ、その電極拡張部は絶縁層３４により薄膜トランジスタから分離される。電極拡張部は、電荷を集めるコレクタ電極の有効面積を増加させるため役に立つ。コレクタ電極３及び電極拡張部３３は、例えば、０．２μｍ乃至１μｍの範囲の厚さを有する薄い金属、金又はアルミニウムの層として形成される。寄生容量が集められた電荷の読み出しを妨げないないように、絶縁層３４は、少なくとも３μｍの厚さを有するべきであり、好ましくは、その厚さは５μｍ乃至１０μｍの範囲に収まる。光導電体層６は、３０乃至５００μｍの厚さを有する多結晶酸化鉛（ＰｂＯ_x ，０＜ｘ≦２）層として形成され、Ｘ線放射に対し高感度を有し、実質的な損失を伴うことなくコレクタ電極３への高速電荷転送が可能である。この点に関し、化学量論的組成（ＰｂＯ、即ち、ｘ＝１）を有する酸化鉛光導電体層の場合に、非常に良い結果が得られる。クラッド層９は、光導電体層をコレクタ電極３及び電極拡張部３３から分離する。クラッド層９は、コレクタ電極と光導電体層との間にバイアス接点を設ける。好ましくは、クラッド層９は、０．１μｍ乃至１μｍの範囲の厚さを有する薄いＰｂＯ_x層として形成される。コレクタ電極がアノードとして動作する場合、即ち、正の電圧がコレクタ電極に印加されるとき、化学量論的合成物と比較して過剰な酸素（ｘ＞１）がクラッド層９に組み込まれる。コレクタ電極がカソードとして動作する場合、即ち、負の電圧がコレクタ電極に印加されるならば、クラッド層９は、化学量論的組成よりも少ない酸素（ｘ＜１）を示すように組成される。上記の各組成は、コレクタ電極から光導電体層への電荷の注入を阻止すべく、コレクタ電極と光導電体層との間に所望のバイアス接点を実現する。ＰｂＯ_x がクラッド層９として使用されるとき、クラッド層９から光導電体層への滑らかな遷移が得られる。他の例として、クラッド層９は、１．５ｅＶ乃至３ｅＶの範囲に収まるバンドギャップを有する半導体の薄い層（０．１乃至１μｍ）により構成してもよい。クラッド層９に適した半導体材料は、特に、Ｓｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＰｂＯ_xＳｅ_1-x、ＰｂＯ_xＳ_1-x、ＰｂＯ_xＴｅ_1-x （０＜Ｘ＜ｌ）である。適切なバイアス特性を得るため、上記半導体は適当にドープされる必要がある。クラッド層９は上記電極の間にバイアス接点を設ける。クラッド層９は、酸化鉛光導電体層６と電極の金属との化学反応を妨げるように構成してもよく、例えば、Ｓｅは、電子の注入を阻止するため、好ましくは、Ｃｌ或いは他のハロゲン又は酸素でドープされ、正孔の光導電体層への注入を阻止するため、Ｎａ又はＨでドープされる。α−Ｓｅクラッド層の再結晶化は、０．１％乃至５％のＡｓを用いてドープすることにより防止される。選択的に、抵抗性層１０は、クラッド層９とコレクタ電極３との間に設けられる。抵抗性層１０は、真性Ｓｅ又は化学量論的ＰｂＯのような高い特定の抵抗を有する半導体層として形成される。化学量論的ＰｂＯは、真性Ｓｅと同様に、電荷担体に対し長い平均自由路、即ち、電荷担体に対し高移動度を有することにより、良好な電気的転送特性を有する。しかし、ドープされた材料又は非化学量論的材料と比べると、真性又は化学量論的材料中の自由電荷担体の数は非常に少ない。従って、導電性は低く、これに対応して抵抗は高い。Ｘ線放射のような外部注入により電子及び正孔が発生されたとき、それらは大きな擾乱無しに転送される。好ましくは、抵抗性層１０は０．１μｍ乃至２０μｍの範囲に収まる厚さを有する。かかる抵抗性層は、コレクタ電極の間の領域の上方で光導電体層の部分に空間電荷の蓄積を生じさせる。従って、光導電体層内の電気力線が歪むため、上記の部分で生成されたホトチャージが隣接したコレクタ電極３に向けられる。この有利な影響は、特に、コレクタ電極に電極拡張部が設けられていないときに効果的であるため、隣接したコレクタ電極間の間隔は比較的広い。抵抗性層１０がクラッド層９とコレクタ電極３との間に設けられたとき、クラッド層はコレクタ電極と直に接触しないが、コレクタ電極から注入された担体に対する阻止障壁として機能する。コモン電極２と光導電体層６との間にコモン電極２から光導電体層６への電荷の注入を阻止するためバイアス層８が設けられる。好ましくは、バイアス層８は、約１乃至５ｅＶのバンドギャップと、約１０¹¹Ωｃｍの暗抵抗とを有する半導体層として設けられる。例えば、バイアス層は、Ｓｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＰｂＯ_xＳｅ_1-x、ＰｂＯ_xＳ_1-x又はＰｂＯ_xＴｅ_1-xにより構成される。バイアス層の厚さは、典型的に０．１乃至１０μｍであり、光導電体層の厚さよりも非常に薄い。好ましくは、１０¹¹Ωｃｍ乃至１０¹⁵Ωｃｍの範囲に収まるような高い暗抵抗を有するα−Ｓｅ層がバイアス層として利用される。α −Ｓｅバイアス層の再結晶化は、０．１％乃至５％のＡｓのドーピングにより阻止される。酸化鉛光導電体層の不動態化は、パッシベーション層７をコモン電極と光導電体層６との間、特に、光導電体層６とバイアス層８との間、或いは、光導電体層６とコモン電極２との間に設けることにより達成される。かかる分離したパッシベーション層は、好ましくは、約１０¹¹Ωｃｍの高い特定の抵抗と、Ｘ線吸収に起因して光導電体層６に発生された電荷担体がコモン電極２に到達すべくパッシベーション層７を横切ることができるような厚さとを有する絶縁層として形成される。パッシベーション層７は、ポリウレタンのような電気的絶縁性ラッカー、或いは、電気的絶縁性樹脂から形成される。好ましくは、０．１μｍ乃至２μｍの厚さを有するポリ−キシリレン層（（ＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ₄−ＣＨ₂）_n）が利用される。その理由は、この材料が、酸化鉛光導電体層上のもとの場所で（２，２）パラシクロフェインから気相成長させることが可能であり、即ち、ポリ−キシリレンのパッシベーション層は、光導電体層の酸化鉛の被覆が終了した直後に被覆することができるためである。かかるパッシベーション層を使用することにより、バイアス層及びコモン電極が配置されるとき、酸化鉛光導電体層が既に不動態化されている利点が得られる。他の一例として、パッシベーション層は、特に、硫黄、セレン又はテルルでドープされた酸化鉛光導電体層の表面層として形成してもよい。例えば、光導電体層６上のＰｂＯ_xＳｅ_1-x、ＰｂＯ_xＳ_1-x又はＰｂＯ_xＴｅ_1-xの表面層は、低い横方向導電性を有する、即ち、抵抗率が少なくとも約１０¹¹Ωｃｍのパッシベーション層７である。特に好ましい結果が、酸化鉛光導電体層６と、Ｃｌドープ又は真性のα−Ｓｅパッシベーション層７との間に設けられたＣｌでドープされたα −Ｓｅバイアス層８により得られる。かかる組み合わせは、コモン電極から光導電体層への電子の注入を阻止し、光導電体層の劣化を防止する。図３は、本発明によるＸ線画像センサからなるＸ線検査装置を表わす図である。Ｘ線検査装置は、検査を受ける患者を載せることができる患者台１３を含む。Ｘ線源１４は患者台の下に設けられる。Ｘ線検出器１２は、Ｘ線検出器がＸ線源と対向するように往復台１５に取付けられる。Ｘ線像を生成するため、患者はＸ線源により放射されたＸ線ビームで照射される。患者内のＸ線吸収率の局部的な差によって、Ｘ線の陰影像がＸ線検出器に形成される。Ｘ線検出器に組み込まれたＸ線画像センサ１により、Ｘ線像は電子像信号に変換される。電子像信号は、Ｘ線像の画像情報が表示されるモニタ２８に供給される。

【手続補正書】【提出日】１９９８年３月１０日【補正内容】（１）請求の範囲を別紙の通り補正する。（２）明細書中、第１頁第１７行記載の「列」を「行」と補正する。（３）同、第１頁第２７行記載の「読」を「１本の読」と補正する。（４）同、第１０頁第２２行記載の「１」を「ｌｅＶ」と補正する。（５）図面中、第３図を別紙の通り補正する。請求の範囲「１． − コモン電極（２）と、 − 個々のセンサ素子がコレクタ電極（３）により構成される複数のＸ線感応センサ素子と、 − 酸化鉛類（ＰｂＯ_x）を含有し、コモン電極（２）とコレクタ電極（３）との間に設けられた光導電体層（６）とからなるＸ線画像センサ（１）であって、 − パッシベーション層（７）が光導電体層（６）とコモン電極（２）との間に設けられていることを特徴とするＸ線画像センサ。２．パッシベーション層は電気的抵抗層であることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像センサ。３．パッシベーション層は半導体層であることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像センサ。４．バイアス層（８）がコモン電極と光導電体層との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像センサ。５．バイアス層は、光導電体層のドープされた酸化鉛表面層であることを特徴とする請求項４記載のＸ線画像センサ。６．クラッド層（９）がコレクタ電極（３）と光導電体層（６）との間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項記載のＸ線画像センサ。７．クラッド層は、非化学量論的酸化鉛層であることを特徴とする請求項６記載のＸ線画像センサ。８．抵抗層（１０）がクラッド層（９）とコレクタ電極（３）との間に設けられていることを特徴とする請求項６又は７記載のＸ線画像センサ。９．酸化鉛光導電体層の組成は実質的に化学量論的であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項記載のＸ線画像センサ。１０． − Ｘ線像を形成するため対象物を照射するＸ線ビームを放射するＸ線源と、 − Ｘ線像から電子像信号を得るＸ線検出器（１２）とからなるＸ線検査装置（１１）であって、 − Ｘ線検出器が請求項１乃至９のうちいずれか１項記載のＸ線画像センサにより構成されることを特徴とするＸ線検査装置。」

Claims

【特許請求の範囲】１． − コモン電極（２）と、 − 個々のセンサ素子がコレクタ電極（３）により構成される複数のＸ線感応センサ素子と、 − 酸化鉛類（ＰｂＯ_x）を含有し、コモン電極（２）とコレクタ電極（３）との間に設けられた光導電体層（６）とからなるＸ線画像センサ（１）であって、 − パッシベーション層（７）が光導電体層（６）とコモン電極（２）との間に設けられていることを特徴とするＸ線画像センサ。２．パッシベーション層は電気的抵抗層であることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像センサ。３．パッシベーション層は半導体層であることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像センサ。４．バイアス層（８）がコモン電極と光導電体層との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載のＸ線画像センサ。５．バイアス層は、光導電体層のドープされた酸化鉛表面層であることを特徴とする請求項５記載のＸ線画像センサ。６．クラッド層（９）がコレクタ電極（３）と光導電体層（６）との間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項記載のＸ線画像センサ。７．クラッド層は、非化学量論的酸化鉛層であることを特徴とする請求項６記載のＸ線画像センサ。８．抵抗層（１０）がクラッド層（９）とコレクタ電極（３）との間に設けられていることを特徴とする請求項６又は７記載のＸ線画像センサ。９．酸化鉛光導電体層の組成は実質的に化学量論的であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項記載のＸ線画像センサ。１０． − Ｘ線像を形成するため対象物を照射するＸ線ビームを放射するＸ線源と、 − Ｘ線像から電子像信号を得るＸ線検出器（１２）とからなるＸ線検査装置（１１）であって、 − Ｘ線検出器が請求項１乃至９のうちいずれか１項記載のＸ線画像センサにより構成されることを特徴とするＸ線検査装置。