JPH1060693A - Plating solution automatic management device - Google Patents

Plating solution automatic management device

Info

Publication number
JPH1060693A
JPH1060693A JP23150596A JP23150596A JPH1060693A JP H1060693 A JPH1060693 A JP H1060693A JP 23150596 A JP23150596 A JP 23150596A JP 23150596 A JP23150596 A JP 23150596A JP H1060693 A JPH1060693 A JP H1060693A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
value
plating solution
solution
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23150596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuaki Yoshizawa
光章 吉沢
Kiyohiko Saito
清彦 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NE Chemcat Corp
Original Assignee
NE Chemcat Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NE Chemcat Corp filed Critical NE Chemcat Corp
Priority to JP23150596A priority Critical patent/JPH1060693A/en
Publication of JPH1060693A publication Critical patent/JPH1060693A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 要約 【課題】 めっき操業中の自動めっき装置において、め
っき液中の一種又は二種以上の成分の濃度やpHなどの
特性値を自動的に測定し、測定値が所定範囲から外れて
いる場合には補正するために補正試薬の補充量を自動的
に算出し、そして自動的に補充するめっき液自動管理方
法及び装置の提供。 【解決手段】めっき作業が行われるめっき槽内のめっき
液の特性値が目標値に保たれるように管理するために自
動的に補正試薬を補充する、めっき液の自動管理方法で
あって、前記めっき液から測定用試料液を一定時間間隔
で採取し;該試料液について前記特性値を測定し;得ら
れた測定値を予め設定された目標値と比較し、(i) 測定
値が設定値の範囲内である場合には処理を終了し、(ii)
測定値が設定値の範囲外である場合には、補正データを
演算し;該補正データに応じて、めっき槽内のめっき液
の該特性値が設定値となるように補正試薬を補充する、
工程を有する、めっき液の自動管理方法。
(57) [Summary] Summary [Problem] In an automatic plating apparatus during plating operation, characteristic values such as the concentration and pH of one or more components in a plating solution are automatically measured, and the measured value is within a predetermined range. The present invention provides a plating solution automatic management method and apparatus for automatically calculating a replenishment amount of a correction reagent for correction when the deviation is out of range, and automatically replenishing the correction reagent. An automatic plating solution management method for automatically replenishing a correction reagent for managing a characteristic value of a plating solution in a plating tank in which a plating operation is performed so as to be maintained at a target value, A sample solution for measurement is collected from the plating solution at regular time intervals; the characteristic value is measured for the sample solution; the obtained measured value is compared with a preset target value, and (i) the measured value is set. If the value is within the range of the value, the processing ends, and (ii)
When the measured value is out of the range of the set value, the correction data is calculated; in accordance with the correction data, a correction reagent is replenished so that the characteristic value of the plating solution in the plating tank becomes the set value.
An automatic plating solution management method having a process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、銀の部分
めつき、銀または銅のストライクめつきにおいて、めっ
き液中のめつき被膜成分濃度、遊離シアン濃度およびp
Hを自動測定し、それらの測定値に基づいて、めつき被
膜成分や遊離シアンの濃度および/又はpHを所定値に
補正するのに必要な補充量の算出および補充を自動的に
行う、めっき液自動管理方法および自動管理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, partial plating of silver, strike plating of silver or copper, the concentration of a plating film component in a plating solution, the concentration of free cyanide and the p.
H is automatically measured, and based on those measured values, the replenishment amount necessary to correct the concentration and / or pH of the plating film component and free cyan to a predetermined value is automatically calculated and replenished. The present invention relates to a liquid automatic management method and an automatic management device.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC、LED、トランジスターなどの電
子部品において、回路を形成するリードフレームには、
半導体チップを搭載するパッド部とワイヤーボンディン
グを行うリード部に銀の部分めつきが施される。これら
の銀の部分めつきを施すに先立って、部分めっき被膜の
外観を均一にするためとリードフレームへのめっき被膜
の密着性を向上させるために、部分めつき被膜の下地と
して、銅または銀のストライクめつきが施される。
2. Description of the Related Art In electronic components such as ICs, LEDs, and transistors, lead frames for forming circuits include:
A silver portion is applied to a pad portion on which a semiconductor chip is mounted and a lead portion for performing wire bonding. Prior to the partial plating of silver, copper or silver is used as a base for the partial plating film in order to make the appearance of the partial plating film uniform and to improve the adhesion of the plating film to the lead frame. Strike is applied.

【0003】銀の部分めっきや銅または銀のストライク
めっきを施す場合は、自動めっき装置が用いられる。こ
れらの自動めっき装置においては、操業とともに、めっ
き液中の銀または銅などのめつき被膜成分濃度、遊離シ
アン濃度、pHが連続的に変化する。
When performing partial plating of silver or strike plating of copper or silver, an automatic plating apparatus is used. In these automatic plating apparatuses, the concentration of a plating film component such as silver or copper, the concentration of free cyanide, and the pH continuously change with the operation.

【0004】めっき被膜の品質を良好な範囲に保つため
には、めっき液の組成やpHを所定の範囲に維持する必
要がある。このため従来より、定期的にめつき被膜成分
濃度、遊離シアン濃度およびpHを測定し、これら特性
の測定値が所定の範囲から逸脱する場合にはその測定結
果に基づいて所定の薬品の補充量を算出し、補充して補
正することが行われている。
[0004] In order to maintain the quality of the plating film in a good range, it is necessary to maintain the composition and pH of the plating solution within predetermined ranges. For this reason, conventionally, the concentration of the coating film component, the concentration of free cyanide and the pH are periodically measured, and when the measured values of these characteristics deviate from the predetermined ranges, the replenishment amount of the predetermined chemical is determined based on the measurement results. Is calculated, supplemented, and corrected.

【0005】他のめつき処理においてもほぼ同様の操作
が行われている。
[0005] In other plating processes, substantially the same operation is performed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記の濃度やpHを測
定し、その測定結果に基づいてそれぞれの薬品の補充量
を算出し、補充する作業は従来より人手により行われて
いるので多大の労力と時間を費やしている。特に、複数
の自動めっき装置が稼動している場合には、熟練した者
により迅速な測定が行われなければ、めっき液に大きな
変動を生じ、その結果めっき被膜の品質が大きく低下す
るという問題を招く。
The above-mentioned concentration and pH are measured, and the replenishing amounts of the respective chemicals are calculated based on the measured results, and the replenishing operation has conventionally been performed manually. And spend time. In particular, when a plurality of automatic plating apparatuses are operating, unless rapid measurement is performed by a skilled person, a large fluctuation occurs in the plating solution, and as a result, the quality of the plating film is greatly reduced. Invite.

【0007】本発明は上記従来の問題を解決するために
なされたものであり、その目的は、めっき操業中の自動
めっき装置において、めっき液中のー種又はニ種以上の
成分の濃度やpHなどの特性値を自動的に測定し、測定
値が所定範囲から外れている場合には該特性値を所定範
囲に補正するために補正試薬の補充量を自動的に算出
し、そして自動的に補充する、めつき液自動管理方法お
よび装置装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an automatic plating apparatus during plating operation in which the concentration or pH of one or more components in a plating solution is adjusted. Automatically measure the characteristic values such as, if the measured value is out of the predetermined range, automatically calculate the replenishment amount of the correction reagent to correct the characteristic value to the predetermined range, and automatically It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for automatically controlling a plating liquid to be replenished.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、めっき
作業が行われるめっき槽内のめっき液の特性値が目標値
に保たれるように管理するために自動的に補正試薬を補
充する、めっき液の自動管理方法であって、前記めつき
液から測定用試料液をー定時間間隔で採取し;該試料液
について前記特性値を測定し;得られた測定値を予め設
定された目標値と比較し、(i)測定値が設定値の範囲
内である場合には処理を終了し、(ii)測定値が設定
値の範囲外である場合には、補正データを演算し;該補
正データに応じて、めっき槽内のめっき液の該特性値が
設定値となるように補正試薬を補充する、工程を有す
る、めっき液の自動管理方法を提供する。この方法は、
図1に示すように、前記めっき槽から測定用試料液を採
取する手段(A)と;該試料液について前記特性値を測
定する手段(B)と;得られた測定値を予め設定された
目標値と比較し、測定値が設定値の範囲外である場合に
は補正データを演算する手段(C)と;めっき液の当該
特性値が設定値(範囲)となるように、前記演算手段に
より得られた補正データに応じて次の補充手段(E)制
御し、補充される補正試薬の補充量を調節する、制御手
段(D)と;補正試薬をめっき槽内のめっき液に補充す
る手段(E)と、を有してなり、めっき液の特性値が目
標値に保たれるように自動的に補正試薬を補充するめっ
き液の自動管理装置を用いて実施することができる。
According to the present invention, a correction reagent is automatically replenished in order to manage the characteristic value of a plating solution in a plating tank in which a plating operation is performed so as to be maintained at a target value. A method for automatically controlling a plating solution, wherein a sample solution for measurement is collected from the plating solution at regular time intervals; the characteristic values are measured for the sample solution; and the obtained measured values are preset. Comparing with the target value, (i) if the measured value is within the set value range, end the process; (ii) if the measured value is outside the set value range, calculate the correction data; There is provided an automatic plating solution management method including a step of replenishing a correction reagent so that the characteristic value of a plating solution in a plating tank becomes a set value according to the correction data. This method
As shown in FIG. 1, means (A) for collecting a sample liquid for measurement from the plating tank; means (B) for measuring the characteristic value of the sample liquid; and the measured values obtained are set in advance. Means (C) for comparing with a target value and calculating correction data when the measured value is out of the range of the set value; and the calculating means so that the characteristic value of the plating solution becomes the set value (range). A control means (D) for controlling the next replenishing means (E) in accordance with the correction data obtained by (1) to adjust the replenishment amount of the replenishing correction reagent; and replenishing the correction reagent to the plating solution in the plating tank. Means (E), and can be carried out using an automatic plating solution management apparatus that automatically replenishes a correction reagent so that the characteristic value of the plating solution is maintained at a target value.

【0009】この発明は、基本的にすべてのめっき処理
に適用することができ、代表的なものとして以下に例示
する銀の部分めっき、銅又は銀のストライクめっきが挙
げられるが、その他銅めっき等のめっき液の管理にも適
用することができる。
The present invention can be basically applied to all plating processes, and typical examples include partial plating of silver and strike plating of copper or silver as exemplified below. It can also be applied to the management of the plating solution.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】測定対象であるめっき液中の特性
値としては、めっき被膜成分の濃度、例えば銀や銅の濃
度、めっき性能に影響する遊離シアンの濃度、めつき液
のpHが挙げられる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The characteristic values in a plating solution to be measured include the concentration of plating film components, for example, the concentration of silver and copper, the concentration of free cyan which affects plating performance, and the pH of a plating solution. Can be

【0011】めっき槽から試料液を採取する手段は、通
常、試料液を採取し測定手段まで輸送する配管、輸送動
力を与えるポンプ、適切に配置されたバルブ等から構成
される。好ましくは、貯液槽を途中に設け、めっき槽か
ら採取した試料液をー旦貯液槽に貯め、そこからめつき
被膜成分濃度、遊離シアン濃度およびpHの各測定手段
へ必要量輸送する。このように貯液槽を設けた場合に
は、貯液槽に残る余剰の試料液をめっき槽に回収する手
段が設けられることが好ましい。
The means for collecting the sample solution from the plating tank usually comprises a pipe for collecting the sample solution and transporting it to the measuring means, a pump for providing transport power, an appropriately arranged valve, and the like. Preferably, a liquid storage tank is provided in the middle, and the sample liquid collected from the plating tank is stored in the liquid storage tank, and the required amount is transported to each measuring means of the plating film component concentration, free cyanide concentration and pH. When the liquid storage tank is provided as described above, it is preferable to provide a means for collecting the excess sample liquid remaining in the liquid storage tank in the plating tank.

【0012】測定手段は、基本的に測定用試料液を入れ
る測定槽と特性値を測定するための電極とから構成され
る。測定用の電極はそれ自体公知のものを使用すること
ができる。例えば、pH測定用の電極としては所謂pH
メータとして知られるガラス電極が使用できる。銀濃
度、銅濃度および遊離シアン濃度の測定に使用される電
極としては、公知の固体模型イオン電極を使用すること
ができ、例えば東亜電波工業(株)、電気化学計器
(株)などから市販されているものを使用することもで
きる。
The measuring means basically comprises a measuring tank for storing a sample liquid for measurement and electrodes for measuring characteristic values. As the electrode for measurement, a known electrode can be used. For example, so-called pH is used as an electrode for measuring pH.
Glass electrodes known as meters can be used. As the electrodes used for measuring the silver concentration, the copper concentration, and the free cyan concentration, known solid model ion electrodes can be used, and are commercially available from, for example, Toa Dempa Kogyo Co., Ltd., Electrochemical Meter Co., Ltd. Can be used.

【0013】また、めっき液の濃度は電極による測定に
はー般に高すぎるので必要に応じて希釈する。そのた
め、各測定槽に適した希釈液を供給する手段が設けられ
る。
Further, the concentration of the plating solution is generally too high for measurement with an electrode, so that it is diluted if necessary. Therefore, means for supplying a diluent suitable for each measuring tank is provided.

【0014】pH測定槽には試料液を1〜10倍程度に
希釈するために希釈水の供給手段が備わる。
The pH measuring tank is provided with a diluting water supply means for diluting the sample solution to about 1 to 10 times.

【0015】遊離シアン濃度測定槽には、試料液を10
00倍程度に希釈し遊離シアン濃度をppmオーダーに
するために、希釈用の緩衝液および/または希釈水の供
給手段が備わる。通常、試料液のpHを9〜12に保つ
ために緩衝液、例えば、NaOH/Na2 C03 系、り
ん酸系の緩衝液が使用される。希釈水は必要に応じて用
いられる。
In the free cyanide concentration measuring tank, 10
In order to dilute the solution to about 00 times and to set the free cyanide concentration on the order of ppm, a supply means for a buffer for dilution and / or a dilution water is provided. Usually, a buffer, for example, a NaOH / Na 2 CO 3 -based or phosphate-based buffer is used to maintain the pH of the sample solution at 9 to 12. Dilution water is used as needed.

【0016】めっき被膜成分濃度測定槽には、やはり試
料液を1000倍程度に希釈するためにpH6程度の緩
衝液の供給手段が備わる。緩衝液としては、例えばりん
酸系の緩衝液が用いられる。
The plating film component concentration measuring tank is also provided with a buffer liquid supply means having a pH of about 6 to dilute the sample solution to about 1000 times. As the buffer, for example, a phosphate buffer is used.

【0017】さらに、めっき液中において銀や銅は安定
なシアン錯塩(KAg(CN)2 またはK2 Cu(C
N)3 )を形成しているのでこのままでは上記の電極で
濃度を測定することができない。したがって、銀濃度や
銅濃度の測定槽にはシアン錯塩を分解させるために酸
(硝酸および硫酸)供給手段とヒーターのような加熱手
段が備わる。測定の手順としては、めっき槽から採取さ
れた試料液にまず硝酸と硫酸の混合物が2〜3mL程度
添加され、ヒーターで80〜200℃程度に加熱され
る。こうして銀や銅は電極で感知可能な形態になるが、
電極による測定の前に常温に冷却され、前記緩衝液で適
正濃度に希釈される。したがって、被膜成分濃度測定槽
には冷却手段が備わる。
Further, in the plating solution, silver or copper is a stable cyanide complex (KAg (CN) 2 or K 2 Cu (C
Since N) 3 ) is formed, the concentration cannot be measured with the above electrodes as it is. Therefore, the tank for measuring the silver concentration and the copper concentration is provided with an acid (nitric acid and sulfuric acid) supply means and a heating means such as a heater for decomposing the cyan complex salt. As a measurement procedure, a mixture of nitric acid and sulfuric acid is added to a sample solution collected from the plating tank in an amount of about 2 to 3 mL, and the mixture is heated to about 80 to 200 ° C. by a heater. In this way, silver and copper become forms that can be sensed by the electrodes,
Before the measurement with the electrodes, the sample is cooled to room temperature and diluted with the buffer solution to an appropriate concentration. Therefore, the coating component concentration measuring tank is provided with cooling means.

【0018】上記の希釈用の水および緩衝液、並びに酸
などの供給手段は、これらの水や試薬を貯蔵するタンク
と、該タンクから水または試薬を所定の測定槽へ供給す
る装置とから構成されている。
The above-mentioned supply means for water, buffer and acid for dilution comprises a tank for storing the water and the reagent, and a device for supplying the water or the reagent from the tank to a predetermined measuring tank. Have been.

【0019】演算手段(C)および制御手段(D)はコ
ンピュータを構成する。
The arithmetic means (C) and the control means (D) constitute a computer.

【0020】演算手段(C)には、制御の対象である特
性値、濃度やpH値の目標値が予め設定されている。あ
るいは特性値設定手段(F)から各測定毎に目標値を設
定できるようにしてもよい。
In the calculating means (C), target values of characteristic values, concentrations and pH values to be controlled are set in advance. Alternatively, the target value may be set for each measurement from the characteristic value setting means (F).

【0021】種々のめっき液の適正な成分濃度やpHは
当業者には公知である。例えば、目標値は概略次の範囲
に設定される。
Appropriate component concentrations and pHs of various plating solutions are known to those skilled in the art. For example, the target value is set approximately in the following range.

【0022】(イ)銀のストライクめつき液: KAg(CN)2 銀分として1〜3g/L KCN 100〜150g/L pH 10以上 (ロ)銅のストライクめっき液: K2 Cu(CN)3 銅分として20〜50g/L KCN 10〜50g/L pH 10以上 (ハ)銀の部分めつき液: KAg(CN)2 銀分として50〜90g/L KCN 1〜5g/L pH 8〜10 測定手段(B)から送られて来た測定値は該設定値と比
較される。被膜成分濃度および遊離シアン濃度は希釈さ
れた状態で測定されたものであるので、測定値に希釈倍
率が乗されたものが設定値と比較される。こうして、設
定値と測定値との差に対応した補正データが演算され、
該データは制御手段(D)に送られる。制御手段(D)
は演算手段(C)から送られてきた補正データに基づい
て補正試薬補充手段を制御し、補正に必要な量の試薬が
めっき槽に供給されるようにする。
(A) Silver strike plating solution: KAg (CN) 2 to 1 g / L KCN 100 to 150 g / L pH 10 or more as silver content (b) Copper strike plating solution: K 2 Cu (CN) (3 ) 20 to 50 g / L KCN for copper content 10 to 50 g / L pH 10 or more (c) Partial silver plating solution: KAg (CN) 2 50 to 90 g / L KCN for silver content 1 to 5 g / L pH 8 to 10 The measured value sent from the measuring means (B) is compared with the set value. Since the film component concentration and the free cyan concentration are measured in a diluted state, the measured value multiplied by the dilution ratio is compared with the set value. Thus, the correction data corresponding to the difference between the set value and the measured value is calculated,
The data is sent to the control means (D). Control means (D)
Controls the correction reagent replenishing means on the basis of the correction data sent from the calculating means (C) so that the reagent required for the correction is supplied to the plating tank.

【0023】補充手段(E)は、例えば、補充すべきめ
っき被膜成分濃度、遊離シアン濃度およびpHの補正液
をそれぞれ貯蔵する補充液槽、補充液槽から補正液をめ
っき槽に移送する配管、および該配管上に設けられた開
閉が制御可能な弁とから構成され、この弁の開閉が制御
手段(D)により制御される。
The replenishing means (E) includes, for example, a replenishing solution tank for storing a concentration of a plating film component to be replenished, a concentration of free cyanide and a correcting solution for pH, a pipe for transferring the correcting solution from the replenishing solution tank to the plating tank, And a valve provided on the pipe and capable of controlling opening and closing, and the opening and closing of this valve is controlled by the control means (D).

【0024】補充手段(E)により添加される試薬は従
来行われているものと同様であり、例えば次のようなも
のである。 ・pHの補正:銀、銅のストライクめつき液では、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム。この場合、pHが所定
値以上を保つように添加される。
The reagent added by the replenishing means (E) is the same as that conventionally used, for example, the following.・ Correction of pH: sodium hydroxide and potassium hydroxide in silver and copper strike plating solutions. In this case, it is added so that the pH may be maintained at a predetermined value or more.

【0025】銀の部分めっき液では、燐酸、硝酸、クエ
ン酸等。pHをー定の範囲に保持する必要があるが、め
つき作業中、pHは通常上昇するのでー定pHを越えな
いように酸が添加される。 ・被膜成分濃度の補正:めっき作業の進行にともない、
被膜成分濃度は当然低下する。前記のシアン錯塩が添加
される。 ・遊離シアン濃度の補正:めっき作業中めっき液中の遊
離シアンは失われる。KCNやNaCNが添加される。
In the silver partial plating solution, phosphoric acid, nitric acid, citric acid and the like are used. It is necessary to keep the pH within a certain range, but since the pH usually rises during the plating operation, an acid is added so as not to exceed the constant pH.・ Correction of film component concentration: As plating work progresses,
The coating component concentration naturally decreases. The aforementioned cyan complex salt is added. -Correction of free cyan concentration: Free cyan in the plating solution is lost during the plating operation. KCN and NaCN are added.

【0026】補正のために添加される試薬は溶液状態で
もよいし、粉末状態でもよいが、補充量を制御し易い点
では溶液状態が有利である。その場合、補充を効率良く
行うために高濃度の補正液として添加することができ
る。めっき被膜成分を高濃度の補正液として添加するに
は、補正液貯液槽液にヒーター等の加熱手段を設ける。
The reagent added for correction may be in a solution state or a powder state, but the solution state is advantageous in that the replenishing amount can be easily controlled. In that case, it can be added as a high-concentration correction solution in order to perform replenishment efficiently. In order to add the plating film component as a high-concentration correction liquid, a heating means such as a heater is provided in the correction liquid storage tank liquid.

【0027】以下、めっき被膜成分濃度を管理する場合
を例に、図3に即してより詳しく説明する。
Hereinafter, the case of controlling the plating film component concentration will be described in more detail with reference to FIG.

【0028】本発明の装置は、予め設定された時間毎に
起動するように運転される。設定された時間になると、
制御装置(D)からの命令によりめっき槽1からめっき
液2がラインA1を介して採取され、試料液貯液槽A2
へ送られる。さらに、該めっき液は3つの測定槽へ送ら
れ、それぞれの槽へタンクから水または試薬が供給され
て必要な処理を行った後、めっき被膜成分濃度、遊離シ
アン濃度、pHの特性値が測定される。
The device of the present invention is operated so as to be activated at predetermined time intervals. At the set time,
In accordance with a command from the control device (D), the plating solution 2 is collected from the plating tank 1 via the line A1, and the sample liquid storage tank A2
Sent to Further, the plating solution is sent to three measuring tanks, and water or a reagent is supplied from each tank to each of the tanks, and after performing necessary processing, the characteristic values of the plating film component concentration, free cyanide concentration, and pH are measured. Is done.

【0029】[0029]

【実施例】以下、めつき被膜成分濃度を管理する場合を
例こ、図2に即してより詳しく説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the case of controlling the concentration of a plating film component will be described in more detail with reference to FIG.

【0030】試料液採取手段(A)は、めつき槽1から
めっき糟液2を採取する。めっき槽1の試料を移送する
ラインA1と、一旦貯蔵するための試料液貯液槽A2
と、めっき槽1から試料液を貯液槽A2に供給する電磁
定量ポンプA3と、試料液をさらに測定装置(B)へ移
送するラインA4と、該ラインに設けられた電磁弁A5
とから構成されている。この例では、さらに試料液貯液
槽A2に残った余分の試料液をめっき糟1に戻すポンプ
A6とラインA7を有する。ラインA1に設けられた弁
A8、A9およびラインA7に設けられた弁A10、A
11は、通常は開かれている。また、ラインA4に設け
られた弁Al2、A13も通常は開かれている。
The sample solution collecting means (A) collects the plating solution 2 from the plating tank 1. A line A1 for transferring a sample in the plating tank 1 and a sample liquid storage tank A2 for temporarily storing the sample;
And an electromagnetic metering pump A3 for supplying the sample solution from the plating tank 1 to the storage tank A2, a line A4 for further transferring the sample solution to the measuring device (B), and an electromagnetic valve A5 provided on the line.
It is composed of In this example, there is further provided a pump A6 and a line A7 for returning excess sample liquid remaining in the sample liquid storage tank A2 to the plating tank 1. Valves A8 and A9 provided on line A1 and valves A10 and A provided on line A7
11 is normally open. Also, the valves Al2 and A13 provided on the line A4 are normally open.

【0031】めっき被膜成分濃度測定装置(B)は、め
っき被膜成分濃度測定槽B1と、測定槽B1内の試料液
へ挿入し、引き上げできる電極B2と、撹袢装置B3
と、シアン化合物を分解させるためのヒーターB4、シ
アン化合物が分解した試料液を冷却するための冷却管B
5と、試料液の温度測定用の熱電対B6を備えている。
また、測定終了後の試料液および後記する洗浄液を測定
槽B1から排出するためのラインB7と、ポンプB8
と、排出された液を貯蔵する廃液槽B9とを有する。
The plating film component concentration measuring device (B) comprises a plating film component concentration measuring tank B1, an electrode B2 which can be inserted into and pulled up from a sample solution in the measuring tank B1, and a stirring device B3.
And a heater B4 for decomposing the cyan compound, and a cooling pipe B for cooling the sample liquid decomposed by the cyan compound
5 and a thermocouple B6 for measuring the temperature of the sample liquid.
A line B7 for discharging the sample liquid after the measurement and a cleaning liquid described later from the measurement tank B1, and a pump B8
And a waste liquid tank B9 for storing the discharged liquid.

【0032】該測定手段(B)には、純水を貯蔵する純
水タンクB10と、酸タンクB11と、緩衝液(pH4
〜8)タンクBl2が設けられ、各タンクから測定槽B
1へ、電磁定量ポンプB13、B14、B15をそれぞ
れ備えたラインB16、B17およびB18が延びてい
る。各ラインに設けられた図示の弁は通常は開かれてい
る。
The measuring means (B) includes a pure water tank B10 for storing pure water, an acid tank B11, and a buffer (pH 4).
8) A tank B12 is provided, and a measuring tank B is provided from each tank.
1. Lines B16, B17 and B18 respectively provided with electromagnetic metering pumps B13, B14 and B15 extend to 1. The valves shown in each line are normally open.

【0033】補正試薬補充手段(E)は、めっき被膜成
分の補正液(シアン化合物溶液)E1を収容する補充液
槽E2と、ヒーターE3、熱電対E4、レベルセンサー
E5と、E1をめっき槽1へ供給するラインE6、電磁
定量ポンプE7からなる。電磁定量ポンプE7は制御装
置(D)により制御される。ラインE6に設けられた弁
E8、E9は通常は開かれている。
The correction reagent replenishing means (E) includes a replenishing solution tank E2 containing a correction solution (cyanide compound solution) E1 for a plating film component, a heater E3, a thermocouple E4, a level sensor E5, and E1. A line E6 for supplying to the pump and an electromagnetic metering pump E7. The electromagnetic metering pump E7 is controlled by the control device (D). Valves E8 and E9 provided on line E6 are normally open.

【0034】図2では、めっき被膜成分を当該成分の溶
液を補充することで補正しているが、補充される物質が
粉末で補充するのに適している場合は、粉末状態で補充
する装置に交換することができる。
In FIG. 2, the components of the plating film are corrected by replenishing the solution of the components. However, if the material to be replenished is suitable for replenishing with powder, an apparatus for replenishing in the powder state is used. Can be exchanged.

【0035】図2の装置を用いてめっき被膜成分濃度の
自動管理は次のようにして行われる。
The automatic control of the plating film component concentration using the apparatus shown in FIG. 2 is performed as follows.

【0036】本発明の装置は、予め設定された所定の時
間間隔で作動を開始する。設定された時刻になると、制
御装置(D)の命令により電磁定量ポンプA3が作動し
て、操業中のめっき槽から所定量の測定すべきめつき液
を採取し、試料液貯液槽A2に移送しー旦貯蔵する。次
に、電磁定量ポンプA5が作動し、試料液貯液槽A2の
試料液の所定量を、めっき被膜成分濃度測定槽B1へ供
給する。pHの管理、遊離シアン濃度の管理が同時に行
われる場合には、電磁定量ポンプA14およびA15に
よりそれぞれの測定槽(図2に図示略、図3参照)へも
供給される。各測定槽への試料液の供給が終了したら、
ポンプA6が作動し、試料液貯液槽A2に残っている試
料液をめっき槽1へ戻す。
The device of the present invention starts operating at a predetermined time interval set in advance. At the set time, the electromagnetic metering pump A3 is actuated by the command of the control device (D) to collect a predetermined amount of the plating liquid to be measured from the plating tank in operation and transfer it to the sample liquid storage tank A2. Store on Shidan. Next, the electromagnetic metering pump A5 operates to supply a predetermined amount of the sample liquid in the sample liquid storage tank A2 to the plating film component concentration measurement tank B1. When the management of the pH and the management of the free cyanide concentration are performed simultaneously, they are also supplied to the respective measuring tanks (not shown in FIG. 2; see FIG. 3) by the electromagnetic metering pumps A14 and A15. When the supply of sample liquid to each measuring tank is completed,
The pump A6 operates to return the sample liquid remaining in the sample liquid storage tank A2 to the plating tank 1.

【0037】めっき被膜成分濃度の自動管理は以下次の
ように進行する。
The automatic control of the plating film component concentration proceeds as follows.

【0038】(1)試料液が供給されためっき被膜成分
濃度測定槽B1へ、醗タンクB11から電磁定量ポンプ
B14により、シアン化合物を分解するため、硫酸と硝
酸の混合物の所定量が供給される。
(1) A predetermined amount of a mixture of sulfuric acid and nitric acid is supplied from the fermentation tank B11 to the plating film component concentration measuring tank B1 to which the sample solution has been supplied by the electromagnetic metering pump B14 in order to decompose the cyanide. .

【0039】(2)ヒーターB4により、測定槽B1内
の試料液が加熱され、シアン化合物が分解して遊離シア
ンが発生する。加熱は通常80〜200℃で1〜20分
であり、好ましくは100〜150℃で3〜10分であ
る。
(2) The sample liquid in the measuring tank B1 is heated by the heater B4, and the cyan compound is decomposed to generate free cyan. The heating is usually at 80 to 200 ° C for 1 to 20 minutes, preferably at 100 to 150 ° C for 3 to 10 minutes.

【0040】(3)分解が完了したら、ヒーターへの通
電が止められ、冷却管B5に冷却水が供給され、測定槽
B1内の液は室温まで冷却される。
(3) When the decomposition is completed, the power supply to the heater is stopped, cooling water is supplied to the cooling pipe B5, and the liquid in the measuring tank B1 is cooled to room temperature.

【0041】(4)緩衝液タンクBl2から、電磁定量
ポンプB15により、緩衝液(pH4〜8)が測定槽B
1に供給される。
(4) The buffer solution (pH 4 to 8) is supplied from the buffer solution tank B12 to the measuring tank B by the electromagnetic metering pump B15.
1 is supplied.

【0042】(5)電極B6が、測定槽B1内の液中に
挿入され、めっき被膜成分濃度が測定される。
(5) The electrode B6 is inserted into the solution in the measuring tank B1, and the plating film component concentration is measured.

【0043】(6)測定値は、図4のフロー図に示すよ
うに、演算装置(C)へ送られ入力される。また、必要
に応じてディスプレイやプリンターへ出力される。
(6) The measured values are sent to the arithmetic unit (C) and input as shown in the flow chart of FIG. The data is output to a display or a printer as needed.

【0044】(7)測定値は演算装置(C)において設
定値と比較され、測定値が設定値の範囲内であると補正
の必要はないので処理は終了する。しかし、測定値が設
定値の範囲外である場合には補正データを演算する。
(7) The measured value is compared with the set value in the arithmetic unit (C). If the measured value is within the set value range, no correction is necessary, and the process ends. However, when the measured value is outside the range of the set value, the correction data is calculated.

【0045】具体的には、めっき被膜成分濃度はめっき
作業の進行とともに低下して行くので、実用上はある下
限以下にならないように管理することが考えられる。こ
の場合、制御の指標として下限値(Xmin)を設定し
ておき、測定値(X)がXminより高い場合には処理
を終了する。XがXmin以下である場合には、目標値
Xoと測定値Xとの差(Xo−X)に応じた修正データ
が演算される。即ち、濃度差(Xo−X)に、めっき槽
内のめっき液の容量(一定に制御されるので定数)、後
記補充液E1の濃度(定数)を考慮し、めっき液の被膜
成分濃度をXoに高めるのに必要な補充液E1の容量
(補正データ)を演算する。該補正データが制御装置
(D)に出力される。
More specifically, since the plating film component concentration decreases as the plating operation progresses, it is conceivable to manage the concentration so that it does not fall below a certain lower limit in practical use. In this case, the lower limit value (Xmin) is set as a control index, and the process ends if the measured value (X) is higher than Xmin. When X is equal to or smaller than Xmin, correction data according to the difference (Xo-X) between the target value Xo and the measured value X is calculated. That is, considering the concentration of the plating solution in the plating tank (a constant since it is controlled to be constant) and the concentration (constant) of the replenishing solution E1 described below, the concentration of the coating film component of the plating solution is represented by Xo-Xo. Calculate the volume (correction data) of the replenisher E1 necessary to increase the replenishment. The correction data is output to the control device (D).

【0046】(8)制御装置(D)は、補正データに基
づいて、電磁定量ポンプE7を作動させて、補充液E1
を補正に必要な量だけめっき槽1へ補充する。こうして
必須のステップはー応処理は終了するが、さらに次の処
理が行われることが望ましい。
(8) The control device (D) activates the electromagnetic metering pump E7 based on the correction data, and
Is supplied to the plating tank 1 in an amount necessary for correction. In this manner, the necessary steps are completed, but it is desirable that the next step be performed.

【0047】(9)該補充液量は制御装置(D)に送ら
れ、記憶装置(図示略)に記録される。
(9) The amount of the replenisher is sent to the control device (D) and recorded in a storage device (not shown).

【0048】(10)測定が終了した測定槽B1内の液
は、ポンプB8により廃液槽B9へ送られる。
(10) The liquid in the measuring tank B1 whose measurement has been completed is sent to the waste liquid tank B9 by the pump B8.

【0049】(11)電磁定量ポンプB13が作動し
て、純水タンクB10の純水の所定量が測定槽B1へ供
給され、測定槽B1内および電極B2が洗浄される。
(11) The electromagnetic metering pump B13 is operated to supply a predetermined amount of pure water from the pure water tank B10 to the measuring tank B1, and the inside of the measuring tank B1 and the electrode B2 are washed.

【0050】(12)洗浄終了後、洗浄液はポンプB8
により廃液槽B9へ送られる。
(12) After the cleaning is completed, the cleaning liquid is supplied to the pump B8.
To the waste liquid tank B9.

【0051】(13)電極B2が測定槽B1内より引き
上げられ、所定の位置に戻される。試料液のpHの自動
管理および遊離シアン濃度の自動管理も、測定手段およ
び補充手段の具体的構成が以下に示す点でいくぶん異な
る以外は上記の同様にして行われる。
(13) The electrode B2 is pulled out of the measuring tank B1 and returned to a predetermined position. The automatic control of the pH of the sample solution and the automatic control of the free cyanide concentration are performed in the same manner as described above, except that the specific constitutions of the measuring means and the replenishing means are somewhat different as described below.

【0052】pHの自動管理においては、図3に示すよ
うに、 (イ)ラインA17を介してpH測定槽B19に試料液
が供給され、純水タンクB10から電磁定量ポンプB2
0、ラインB21により、希釈に用いる所定量の純水が
供給される。
In the automatic pH control, as shown in FIG. 3, (a) a sample solution is supplied to a pH measuring tank B19 via a line A17, and the electromagnetic measurement pump B2 is supplied from a pure water tank B10.
0, a predetermined amount of pure water used for dilution is supplied through line B21.

【0053】(ロ)電極B22が希釈されためっき液中
に挿人され、pHが測定される。
(B) The electrode B22 is inserted into the diluted plating solution, and the pH is measured.

【0054】(ハ)補充される補正液としては前述のよ
うにめっき液の種類に応じてKOH,NaOHあるいは
酸の水溶液が使用される。この補充液槽には加熱手段は
必要ない。
(C) As the correction solution to be replenished, an aqueous solution of KOH, NaOH or an acid is used depending on the type of the plating solution as described above. No heating means is required for this replenisher tank.

【0055】pHは、銀、銅のストライクめっきの場合
には、pHが10以上になることが求められるので下限
を設定し管理を行えばよいので、めっき被膜成分濃度の
管理と類似する。銀の部分めっきの場合には、pHはー
般に上昇するので、実用上は一定の上限を設定しそれを
越えないように管理すればよい。前記のXminの代わ
りに上限値を設定する以外は、めっき被膜成分濃度の管
理と同様でよい。
In the case of strike plating of silver or copper, the pH is required to be 10 or more. Therefore, the lower limit may be set and managed, so that it is similar to the management of the plating film component concentration. In the case of partial plating of silver, since the pH generally rises, a practical upper limit may be set and managed so as not to exceed the upper limit. Except for setting the upper limit value instead of the above Xmin, the same as the management of the plating film component concentration may be used.

【0056】遊離シアン濃度の自動管理においては、図
3に示すように、 (イ)ラインA16を介して試料液が供給された遊離シ
アン濃度測定槽B23へ、緩衝液タンクB24から電磁
定量ポンプB25、ラインB26により、1モルNaO
H水溶液の所定量が供給され、希釈される。
In the automatic control of the free cyan concentration, as shown in FIG. 3, (a) from the buffer solution tank B24 to the electromagnetic metering pump B25, the free cyan concentration measuring tank B23 to which the sample solution was supplied via the line A16. , Line B26, 1 M NaO
A predetermined amount of the H aqueous solution is supplied and diluted.

【0057】(ロ)必要に応じ、純水タンクB10から
電磁定量ポンプB27、ラインB28により、希釈に用
いる所定量の純水が供給される。
(B) If necessary, a predetermined amount of pure water used for dilution is supplied from a pure water tank B10 by an electromagnetic metering pump B27 and a line B28.

【0058】(ハ)電極B29が測定槽B23内の液中
へ挿入され、遊離シアン濃度が測定される。
(C) The electrode B29 is inserted into the liquid in the measuring tank B23, and the free cyan concentration is measured.

【0059】(ニ)演算された補正データに基づいて制
御装置(D)が補正液の補充を行うが、補正液としては
KCNまたはNaCNの水溶液が使用される。この補充
液槽には加熱手段は必要ない。
(D) The controller (D) replenishes the correction liquid based on the calculated correction data, and an aqueous solution of KCN or NaCN is used as the correction liquid. No heating means is required for this replenisher tank.

【0060】遊離シアンはめっき作業中減少する場合が
あるので、めっき被膜成分濃度と同様にー定の下限を設
定し管理を行えばよい。
Since the amount of free cyan may decrease during the plating operation, a constant lower limit may be set and managed in the same manner as the plating film component concentration.

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明のめつき液自動管理装置によれ
ば、銀の部分めつき、銀ストライクめっき、銅ストライ
クめっきを初めとする各種のめっき操業中において、め
っき液中のめっき被膜成分濃度、遊離シアン濃度および
pHを、人手を必要とせず、自動的に管理することがで
きる。したがって、めっき液の組成が常に所定の範囲に
維持され、得られためっき被膜の品質は常に良好な範囲
に保たれる。
According to the automatic plating liquid management apparatus of the present invention, the concentration of plating film components in the plating liquid during various plating operations including partial silver plating, silver strike plating, and copper strike plating. , Free cyanide concentration and pH can be managed automatically without the need for manual intervention. Therefore, the composition of the plating solution is always maintained in a predetermined range, and the quality of the obtained plating film is always maintained in a favorable range.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のめっき液自動管理装置の構成を示すプ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a plating solution automatic management device of the present invention.

【図2】本発明のめっき液自動管理装置において、めっ
き被膜成分濃度を管理する場合の構成を模式的に示した
図である。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration in the case of controlling a plating film component concentration in the automatic plating solution management apparatus of the present invention.

【図3】本発明のめっき液自動管理装置において、pH
および遊離シアン濃度の測定段の構成を模式的に示した
図である。
FIG. 3 shows the pH of the automatic plating solution management apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a configuration of a measurement stage for measuring a free cyan concentration.

【図4】本発明の方法によりめっき被膜成分濃度を管理
する場合の手順を示すフロー図である。
FIG. 4 is a flowchart showing a procedure for controlling the plating film component concentration by the method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(A) 試料液採取手段 (B) 特性値測定手段 (C) 演算手段 (D) 制御手段 (E) 補正試薬補充手段 1 めつき槽 A2 試料液貯液槽 A3 電磁定量ポンプ B2 被膜成分濃度測定用電極 B4 ヒーター B5 冷却管 B13 電磁定量ポンプ B14 電磁定量ポンプ B15 電磁定量ポンプ E1 補正液 E2 補充液槽 E3 ヒーター E7 電磁定量ポンプ (A) Sample liquid sampling means (B) Characteristic value measurement means (C) Calculation means (D) Control means (E) Correction reagent replenishment means Electrode for electrode B4 Heater B5 Cooling pipe B13 Electromagnetic metering pump B14 Electromagnetic metering pump B15 Electromagnetic metering pump E1 Correction solution E2 Replenisher tank E3 Heater E7 Electromagnetic metering pump

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 めっき作業が行われるめっき槽内のめっ
き液の特性値が目標値に保たれるように管理するために
自動的に補正試薬を補充する、めっき液の自動管理方法
であって、 前記めっき液から測定用試料液をー定時間間隔で採取
し;該試料液について前記特性値を測定し;得られた測
定値を予め設定された目標値と比較し、 (i)測定値が設定値の範囲内である場合には処理を終
了し、 (ii)測定値が設定値の範囲外である場合には、補正
データを演算し;該補正データに応じて、めっき槽内の
めっき液の該特性値が設定値となるように補正試薬を補
充する、工程を有する、めっき液の自動管理方法。
An automatic plating solution management method for automatically replenishing a correction reagent for managing a characteristic value of a plating solution in a plating tank in which a plating operation is performed so as to be maintained at a target value. Taking a sample solution for measurement from the plating solution at regular time intervals; measuring the characteristic values of the sample solution; comparing the obtained measured value with a preset target value; If the measured value is within the range of the set value, the process is terminated. (Ii) If the measured value is outside the range of the set value, the correction data is calculated; A method for automatically managing a plating solution, comprising a step of replenishing a correction reagent so that the characteristic value of the plating solution becomes a set value.
【請求項2】 前記めっき液が銀の部分めっき、銀又は
銅ストライクめっき用のめっき液であって、前記の管理
される特性値が、めっき被膜成分濃度、遊離シアン濃
度、およびpHの1又は2以上である、請求項1に記載
の自動管理方法。
2. The plating solution according to claim 1, wherein the plating solution is a plating solution for partial plating of silver, silver or copper strike plating, and the characteristic value to be managed is one or more of a plating film component concentration, a free cyanide concentration, and a pH. 2. The automatic management method according to claim 1, wherein the number is two or more.
【請求項3】 めっき作業が行われるめっき槽内のめっ
き液の特性値が目標値に保たれるように管理するために
自動的に補正試薬を補充する、めっき液の自動管理装置
であって、 前記めっき槽から測定用試料液を採取する手段(A)
と;該試料液について前記特性値を測定する手段(B)
と;得られた測定値を予め設定された目標値と比較し、
測定値が設定値の範囲外である場合には補正データを演
算する手段(C)と;めっき液の当該特性値が設定値と
なるように、前記演算手段により得られた補正データに
応じて次の補充手段(E)を制御し、補充される補正試
薬の補充量を調節する、制御手段(D)と;補正試薬を
めっき槽内のめっき液に補充する手段(E)と、を有し
てなるめつき液の自動管理装置。
3. An automatic plating solution management apparatus for automatically replenishing a correction reagent for managing a characteristic value of a plating solution in a plating tank in which a plating operation is performed so as to be maintained at a target value. Means for collecting a sample liquid for measurement from the plating tank (A)
Means for measuring the characteristic value of the sample liquid (B)
And; comparing the obtained measured value with a preset target value;
Means (C) for calculating correction data when the measured value is out of the range of the set value; according to the correction data obtained by the calculation means so that the characteristic value of the plating solution becomes the set value. Control means (D) for controlling the next replenishing means (E) to adjust the replenishment amount of the replenishing correction reagent; and means (E) for replenishing the correction reagent to the plating solution in the plating tank. Automatic management system for plating liquid.
【請求項4】 前記めっき液が銀の部分めっき、銀又は
銅ストライクめっき用のめっき液であって、前記の管理
される特性値が、めっき被膜成分濃度、遊離シアン濃
度、およびpHの1又は2以上である、請求項3に記載
の自動管理装置。
4. The plating solution according to claim 1, wherein the plating solution is a plating solution for partial plating of silver, silver or copper strike plating, and the controlled characteristic value is one of a plating film component concentration, a free cyanide concentration, and a pH. The automatic management device according to claim 3, wherein the number is two or more.
JP23150596A 1996-08-13 1996-08-13 Plating solution automatic management device Pending JPH1060693A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23150596A JPH1060693A (en) 1996-08-13 1996-08-13 Plating solution automatic management device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23150596A JPH1060693A (en) 1996-08-13 1996-08-13 Plating solution automatic management device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1060693A true JPH1060693A (en) 1998-03-03

Family

ID=16924552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23150596A Pending JPH1060693A (en) 1996-08-13 1996-08-13 Plating solution automatic management device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1060693A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368384A (en) * 2001-06-11 2002-12-20 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of wiring board or semiconductor circuit
US7229543B2 (en) * 1998-05-01 2007-06-12 Semitool, Inc. Apparatus for controlling and/or measuring additive concentration in an electroplating bath
JP2018178141A (en) * 2017-04-03 2018-11-15 株式会社荏原製作所 Plating system and plating method
CN115755800A (en) * 2022-11-14 2023-03-07 西北工业大学 Automatic control system for cyanide-free cadmium-titanium electroplating process

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7229543B2 (en) * 1998-05-01 2007-06-12 Semitool, Inc. Apparatus for controlling and/or measuring additive concentration in an electroplating bath
JP2002368384A (en) * 2001-06-11 2002-12-20 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of wiring board or semiconductor circuit
JP2018178141A (en) * 2017-04-03 2018-11-15 株式会社荏原製作所 Plating system and plating method
CN115755800A (en) * 2022-11-14 2023-03-07 西北工业大学 Automatic control system for cyanide-free cadmium-titanium electroplating process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI480420B (en) Electroplating solution analysis and control method and equipment
US5352350A (en) Method for controlling chemical species concentration
JP3177338B2 (en) Method and apparatus for holding an electroless plating solution
US6592736B2 (en) Methods and apparatus for controlling an amount of a chemical constituent of an electrochemical bath
US5182131A (en) Plating solution automatic control
TW200823989A (en) Etching liquid management apparatus
JP2004137519A (en) Etching solution management method and etching solution management device
US5175502A (en) Method and apparatus for determining acid concentration
JPH1060693A (en) Plating solution automatic management device
JP2000150447A (en) Method and device for managing concentration of chemical and chemical processing device
US4710261A (en) Apparatus and method for maintaining a uniform etching solution composition
JP3821742B2 (en) Plating apparatus and plating solution management method using the same
US20040203165A1 (en) Analytical reagent for acid copper sulfate solutions
JP2014105338A (en) Determination method of gold concentration in gold-containing solution, and determination device of gold concentration
EP0625592B1 (en) Method and device for the electrolytic recovery of silver in two film processing machines
US20040258847A1 (en) Method of measuring component loss
JP2016025138A (en) Etchant management device, etchant management method, and constituent concentration measurement method of etchant
JP3874259B2 (en) Plating solution management apparatus, plating apparatus including the same, and plating solution composition adjustment method
JP3083968B2 (en) Method and apparatus for controlling concentration of plating solution
JP2822840B2 (en) Plating method and plating apparatus for electroless tin, lead or their alloys
JP2001205158A (en) Substrate immersion processing equipment
JPH10331000A (en) Method for stabilizing concentration of electroplating solution
JPH05129274A (en) Multi-component chemical treatment equipment
JPS583999A (en) Electric alloy plating method
JPH02159029A (en) Chemical treatment and device therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051025

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051226

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060202