JPH11126954A - 中継基板およびその製造方法 - Google Patents
中継基板およびその製造方法Info
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- JPH11126954A JPH11126954A JP9294956A JP29495697A JPH11126954A JP H11126954 A JPH11126954 A JP H11126954A JP 9294956 A JP9294956 A JP 9294956A JP 29495697 A JP29495697 A JP 29495697A JP H11126954 A JPH11126954 A JP H11126954A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＧＡ型基板およびプリント基板間の熱膨張
差により発生する応力によるハンダ層の破壊を防止して
両基板間の電気的接続の信頼性を高める。 【構成】 中継基板本体９の第２面側凹部１１ｂには高
温ハンダ製の柱状の第２面側接続端子１３が固着されて
おり、第２面側接続端子１３は低融点ハンダ層１０ｃに
よりプリント基板３０上の面接続取付パッド３２とハン
ダ付けされている。中継基板本体９の内部にはビア１２
ｄが形成されており、ビア１２ｄは第２面側接続パッド
１４ｃを介して基部１３ｂと接続されるとともに第１面
９ｂ上の第１面側接続パッド１４ｄと接続されている。
第１面側接続パッド１４ｄは、ＬＧＡ型基板２０の面接
続パッド２２と低融点ハンダ層１０ｄによりハンダ付け
されている。そして、上記応力により第２面側接続端子
１３が塑性変形し、この塑性変形により応力が緩和され
る。
差により発生する応力によるハンダ層の破壊を防止して
両基板間の電気的接続の信頼性を高める。 【構成】 中継基板本体９の第２面側凹部１１ｂには高
温ハンダ製の柱状の第２面側接続端子１３が固着されて
おり、第２面側接続端子１３は低融点ハンダ層１０ｃに
よりプリント基板３０上の面接続取付パッド３２とハン
ダ付けされている。中継基板本体９の内部にはビア１２
ｄが形成されており、ビア１２ｄは第２面側接続パッド
１４ｃを介して基部１３ｂと接続されるとともに第１面
９ｂ上の第１面側接続パッド１４ｄと接続されている。
第１面側接続パッド１４ｄは、ＬＧＡ型基板２０の面接
続パッド２２と低融点ハンダ層１０ｄによりハンダ付け
されている。そして、上記応力により第２面側接続端子
１３が塑性変形し、この塑性変形により応力が緩和され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面接続パッドが設けら
れた基板と、面接続取付パッドが形成された基板とを電
気的に接続するための中継基板およびその製造方法に関
し、ＩＣチップを搭載したセラミックス製基板と、樹脂
製のプリント基板との間に介在され、両基板を電気的に
接続する中継基板およびその製造方法として好適なもの
である。
れた基板と、面接続取付パッドが形成された基板とを電
気的に接続するための中継基板およびその製造方法に関
し、ＩＣチップを搭載したセラミックス製基板と、樹脂
製のプリント基板との間に介在され、両基板を電気的に
接続する中継基板およびその製造方法として好適なもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップを搭載する基板とし
て、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型基板およびＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）型基板が知られている。図
１３は、プリント基板に接続されたＢＧＡ型基板を示す
断面部分説明図である。ＩＣチップ搭載基板７０の下面
には、面接続パッド（ランド）７１が、格子状、また
は、千鳥状に形成されており、各面接続パッド７１の下
面には、ボール状の端子７３が共晶ハンダ７２によりハ
ンダ付けされている。また、プリント基板７５の上面に
は、端子７３に対応する位置に面接続取付パッド７４が
形成されており、各面接続取付パッド７４は、共晶ハン
ダ７２によりボール状端子７３とハンダ付けされてい
る。つまり、下面の各面接続パッド７１に端子７３がそ
れぞれハンダ付けされた状態のＩＣチップ搭載基板７０
がＢＧＡ型基板を構成する。なお、面接続パッド７１
は、Ｗ（タングステン）で形成されており、面接続取付
パッド７４は、Ｃｕ（銅）で形成されている。また、端
子７３は、高温ハンダ、Ｃｕ、Ａｇなどの濡れ性の良い
金属で形成されている。
て、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）型基板およびＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）型基板が知られている。図
１３は、プリント基板に接続されたＢＧＡ型基板を示す
断面部分説明図である。ＩＣチップ搭載基板７０の下面
には、面接続パッド（ランド）７１が、格子状、また
は、千鳥状に形成されており、各面接続パッド７１の下
面には、ボール状の端子７３が共晶ハンダ７２によりハ
ンダ付けされている。また、プリント基板７５の上面に
は、端子７３に対応する位置に面接続取付パッド７４が
形成されており、各面接続取付パッド７４は、共晶ハン
ダ７２によりボール状端子７３とハンダ付けされてい
る。つまり、下面の各面接続パッド７１に端子７３がそ
れぞれハンダ付けされた状態のＩＣチップ搭載基板７０
がＢＧＡ型基板を構成する。なお、面接続パッド７１
は、Ｗ（タングステン）で形成されており、面接続取付
パッド７４は、Ｃｕ（銅）で形成されている。また、端
子７３は、高温ハンダ、Ｃｕ、Ａｇなどの濡れ性の良い
金属で形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ＩＣチ
ップ搭載基板７０とプリント基板７５は、材質が異なる
ため熱膨張係数が異なる。これにより、たとえば、ＩＣ
チップ搭載基板７０およびプリント基板７５を有するコ
ンピュータの電源部から発生する熱により、図１３に示
すように、プリント基板７５には矢印Ｆ３で示す方向に
変化する力が作用し、ＩＣチップ搭載基板７０には矢印
Ｆ４で示す方向に変化する力が作用する。つまり、ボー
ル状端子７３から見ると、接続されているＩＣチップ搭
載基板７０およびプリント基板７５が平面方向について
それぞれ逆方向に寸法変化しようとするため、端子７
３、面接続パッド７１および面接続取付パッド７４の接
続部分には、せん断応力が働く。
ップ搭載基板７０とプリント基板７５は、材質が異なる
ため熱膨張係数が異なる。これにより、たとえば、ＩＣ
チップ搭載基板７０およびプリント基板７５を有するコ
ンピュータの電源部から発生する熱により、図１３に示
すように、プリント基板７５には矢印Ｆ３で示す方向に
変化する力が作用し、ＩＣチップ搭載基板７０には矢印
Ｆ４で示す方向に変化する力が作用する。つまり、ボー
ル状端子７３から見ると、接続されているＩＣチップ搭
載基板７０およびプリント基板７５が平面方向について
それぞれ逆方向に寸法変化しようとするため、端子７
３、面接続パッド７１および面接続取付パッド７４の接
続部分には、せん断応力が働く。
【０００４】したがって、上記せん断応力により、ハン
ダ付けされた部分７６が破壊され、面接続パッド７１か
ら共晶ハンダ７２が外れるため、ＩＣチップ搭載基板７
０およびプリント基板７５間に電気的接続不良が発生す
るという問題がある。上記せん断応力は、面接続される
端子７３のうち、最も離れた２つの端子７３間で最大と
なる。たとえば、端子７３が格子状にかつ最外周の端子
７３が正方形をなすように形成されている場合、それぞ
れこの正方形の最外周の対角上に位置する２つの端子７
３間で最も大きな熱膨張差が発生し、最も大きなせん断
応力が掛かることとなる。
ダ付けされた部分７６が破壊され、面接続パッド７１か
ら共晶ハンダ７２が外れるため、ＩＣチップ搭載基板７
０およびプリント基板７５間に電気的接続不良が発生す
るという問題がある。上記せん断応力は、面接続される
端子７３のうち、最も離れた２つの端子７３間で最大と
なる。たとえば、端子７３が格子状にかつ最外周の端子
７３が正方形をなすように形成されている場合、それぞ
れこの正方形の最外周の対角上に位置する２つの端子７
３間で最も大きな熱膨張差が発生し、最も大きなせん断
応力が掛かることとなる。
【０００５】特に、ＩＣチップ搭載基板７０がセラミッ
クス製であり、プリント基板７５がガラスエポキシなど
の樹脂製である場合には、プリント基板７５の熱膨張係
数（熱膨張係数α＝１５〜２０×１０-6）は、ＩＣチッ
プ搭載基板７０の熱膨張係数（α＝８×１０-6）よりも
かなり大きいため、両基板間の熱膨張差が大きくなる。
したがって、上記せん断応力が大きくなるため、上記電
気的接続不良が発生しやすい。なお、この場合には、ク
ラックはセラミック製のＩＣチップ搭載基板側の面接続
パッド近傍の共晶ハンダで生じることが多い。セラミッ
クは硬く、応力を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板
は比較的柔らかく、また、樹脂製プリント基板の上に形
成されたＣｕなどからなる取付パッドも柔らかいので応
力を吸収するからである。また、ＩＣチップ搭載基板と
プリント基板とを同じ熱膨張係数を有する樹脂で形成し
た場合であっても、ＩＣチップ搭載基板の内部に形成さ
れた銅配線などにより、基板全体として比べると、ＩＣ
チップ搭載基板とプリント基板は熱膨張係数に差が出て
くる。また、樹脂製のＩＣチップ搭載基板は、セラミッ
ク製の場合と比べて柔らかく変形しやすいので、搭載さ
れたＩＣチップの熱膨張の影響を受けやすい。その結
果、ＩＣチップ搭載基板とプリント基板とを同じ樹脂で
形成した場合であっても、樹脂製のＩＣチップ搭載基板
のうち、特にＩＣチップが搭載された直下の部分はプリ
ント基板の熱膨張係数とは異なってしまうことがある。
このように、樹脂製のＩＣチップ搭載基板と同じく樹脂
製のプリント基板とを接続する場合であっても、内部配
線や搭載したＩＣチップなどの影響を受けてＩＣチップ
搭載基板とプリント基板との間で熱膨張差を生じ、結果
として両者の接続不良などの問題が発生することがあっ
た。なお、ＩＣチップ搭載基板７０およびプリント基板
７５の密着強度を高めることも考えられるが、繰り返し
熱応力により、面接続パッド７１の近傍の共晶ハンダ７
２が金属疲労してクラックが入り、ついには共晶ハンダ
７２が破壊され、電気的接続不良が発生する。つまり、
上記従来のＢＧＡ型基板などでは、ＩＣチップ搭載基板
７０およびプリント基板７５間の電気的接続の信頼性が
低いという問題がある。
クス製であり、プリント基板７５がガラスエポキシなど
の樹脂製である場合には、プリント基板７５の熱膨張係
数（熱膨張係数α＝１５〜２０×１０-6）は、ＩＣチッ
プ搭載基板７０の熱膨張係数（α＝８×１０-6）よりも
かなり大きいため、両基板間の熱膨張差が大きくなる。
したがって、上記せん断応力が大きくなるため、上記電
気的接続不良が発生しやすい。なお、この場合には、ク
ラックはセラミック製のＩＣチップ搭載基板側の面接続
パッド近傍の共晶ハンダで生じることが多い。セラミッ
クは硬く、応力を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板
は比較的柔らかく、また、樹脂製プリント基板の上に形
成されたＣｕなどからなる取付パッドも柔らかいので応
力を吸収するからである。また、ＩＣチップ搭載基板と
プリント基板とを同じ熱膨張係数を有する樹脂で形成し
た場合であっても、ＩＣチップ搭載基板の内部に形成さ
れた銅配線などにより、基板全体として比べると、ＩＣ
チップ搭載基板とプリント基板は熱膨張係数に差が出て
くる。また、樹脂製のＩＣチップ搭載基板は、セラミッ
ク製の場合と比べて柔らかく変形しやすいので、搭載さ
れたＩＣチップの熱膨張の影響を受けやすい。その結
果、ＩＣチップ搭載基板とプリント基板とを同じ樹脂で
形成した場合であっても、樹脂製のＩＣチップ搭載基板
のうち、特にＩＣチップが搭載された直下の部分はプリ
ント基板の熱膨張係数とは異なってしまうことがある。
このように、樹脂製のＩＣチップ搭載基板と同じく樹脂
製のプリント基板とを接続する場合であっても、内部配
線や搭載したＩＣチップなどの影響を受けてＩＣチップ
搭載基板とプリント基板との間で熱膨張差を生じ、結果
として両者の接続不良などの問題が発生することがあっ
た。なお、ＩＣチップ搭載基板７０およびプリント基板
７５の密着強度を高めることも考えられるが、繰り返し
熱応力により、面接続パッド７１の近傍の共晶ハンダ７
２が金属疲労してクラックが入り、ついには共晶ハンダ
７２が破壊され、電気的接続不良が発生する。つまり、
上記従来のＢＧＡ型基板などでは、ＩＣチップ搭載基板
７０およびプリント基板７５間の電気的接続の信頼性が
低いという問題がある。
【０００６】そこで、本発明は、面接続パッド（パッド
７１）が設けられた基板面を有する第１の基板（ＩＣチ
ップ搭載基板７０）と、面接続取付パッドが設けられた
基板面を有するとともに第１の基板の熱膨張係数とは異
なる熱膨張係数を有する第２の基板（プリント基板７
５）との電気的接続の信頼性を高めることができる中継
基板およびその製造方法を実現することを目的とする。
７１）が設けられた基板面を有する第１の基板（ＩＣチ
ップ搭載基板７０）と、面接続取付パッドが設けられた
基板面を有するとともに第１の基板の熱膨張係数とは異
なる熱膨張係数を有する第２の基板（プリント基板７
５）との電気的接続の信頼性を高めることができる中継
基板およびその製造方法を実現することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、面接続パッドが設けら
れた基板面を有する第１の基板と、面接続取付パッドが
設けられた基板面を有するとともに前記第１の基板の熱
膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する第２の基板との
間に介在され、前記面接続パッドと前記面接続取付パッ
ドとを電気的に接続する中継基板であって、第１面およ
び第２面を有する略板形状をなしており、電気絶縁材料
からなる中継基板本体と、前記第２面側に前記第１面側
に向けて形成された第２面側凹部と、前記第２面側凹部
の底面および内周面と固着されており、かつ、先端部を
前記第２面から突出させて形成されるとともに、前記面
接続取付パッドと電気的に接続される第２面側接続端子
と、前記中継基板本体の内部に形成されており、前記第
２面側接続端子と前記面接続パッドとを電気的に接続す
るビアと、を有するという技術的手段を採用する。
め、請求項１に記載の発明では、面接続パッドが設けら
れた基板面を有する第１の基板と、面接続取付パッドが
設けられた基板面を有するとともに前記第１の基板の熱
膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する第２の基板との
間に介在され、前記面接続パッドと前記面接続取付パッ
ドとを電気的に接続する中継基板であって、第１面およ
び第２面を有する略板形状をなしており、電気絶縁材料
からなる中継基板本体と、前記第２面側に前記第１面側
に向けて形成された第２面側凹部と、前記第２面側凹部
の底面および内周面と固着されており、かつ、先端部を
前記第２面から突出させて形成されるとともに、前記面
接続取付パッドと電気的に接続される第２面側接続端子
と、前記中継基板本体の内部に形成されており、前記第
２面側接続端子と前記面接続パッドとを電気的に接続す
るビアと、を有するという技術的手段を採用する。
【０００８】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の中継基板において、前記第２面側凹部の内周面は、
テーパ状に形成されてなるという技術的手段を採用す
る。
載の中継基板において、前記第２面側凹部の内周面は、
テーパ状に形成されてなるという技術的手段を採用す
る。
【０００９】請求項３に記載の発明では、請求項１に記
載の中継基板において、前記第２面側凹部の内周面は、
階段状に形成されてなるという技術的手段を採用する。
載の中継基板において、前記第２面側凹部の内周面は、
階段状に形成されてなるという技術的手段を採用する。
【００１０】請求項４に記載の発明では、請求項１ない
し請求項３のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第２面側凹部の底面に形成されており、前記第２面
側接続端子と前記ビアとを電気的に接続する第２面側接
続パッドと、前記第１面側に形成されており、前記ビア
と前記面接続パッドとを電気的に接続する第１面側接続
パッドと、を有するという技術的手段を採用する。
し請求項３のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第２面側凹部の底面に形成されており、前記第２面
側接続端子と前記ビアとを電気的に接続する第２面側接
続パッドと、前記第１面側に形成されており、前記ビア
と前記面接続パッドとを電気的に接続する第１面側接続
パッドと、を有するという技術的手段を採用する。
【００１１】請求項５に記載の発明では、請求項１ない
し請求項４のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第２面側接続端子の突出した部分は、突出した高さ
がその突出した部分の最大径よりも大きい柱状に形成さ
れてなるという技術的手段を採用する。
し請求項４のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第２面側接続端子の突出した部分は、突出した高さ
がその突出した部分の最大径よりも大きい柱状に形成さ
れてなるという技術的手段を採用する。
【００１２】請求項６に記載の発明では、請求項１ない
し請求項５のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第２面側接続端子は、軟質金属により形成されてな
るという技術的手段を採用する。
し請求項５のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第２面側接続端子は、軟質金属により形成されてな
るという技術的手段を採用する。
【００１３】請求項７に記載の発明では、請求項４ない
し請求項６のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第１面側接続パッドの上面および前記第２面側接続
端子の先端には、それぞれ前記第２面側第２面側接続端
子の融点よりも低い融点を有する金属により低融点金属
層が形成されているという技術的手段を採用する。
し請求項６のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第１面側接続パッドの上面および前記第２面側接続
端子の先端には、それぞれ前記第２面側第２面側接続端
子の融点よりも低い融点を有する金属により低融点金属
層が形成されているという技術的手段を採用する。
【００１４】請求項８に記載の発明では、請求項１ない
し請求項７のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記中継基板本体は、前記第１の基板と略同一の熱膨張
係数を有するという技術的手段を採用する。
し請求項７のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記中継基板本体は、前記第１の基板と略同一の熱膨張
係数を有するという技術的手段を採用する。
【００１５】請求項９に記載の発明では、請求項１ない
し請求項８のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第１の基板は、セラミックス材料からなり、前記中
継基板本体は、前記第１の基板と略同一のセラミックス
材料からなるという技術的手段を採用する。
し請求項８のいずれか１つに記載の中継基板において、
前記第１の基板は、セラミックス材料からなり、前記中
継基板本体は、前記第１の基板と略同一のセラミックス
材料からなるという技術的手段を採用する。
【００１６】請求項１０に記載の発明では、請求項１な
いし請求項９のいずれか１つに記載の中継基板におい
て、前記ビアの径は、前記第２面側凹部の径よりも小さ
いという技術的手段を採用する。
いし請求項９のいずれか１つに記載の中継基板におい
て、前記ビアの径は、前記第２面側凹部の径よりも小さ
いという技術的手段を採用する。
【００１７】請求項１１に記載の発明では、請求項１な
いし請求項１０のいずれか１つに記載の中継基板の製造
方法であって、第１のセラミックグリーンシートに第１
の貫通孔を形成し、その第１のセラミックグリーンシー
トと積層する第２のセラミックグリーンシートの前記第
１の貫通孔に対応する部位に第２の貫通孔を形成する貫
通孔形成工程と、前記第２のセラミックグリーンシート
の第２の貫通孔の内部に前記ビアを形成するビア形成工
程と、前記第１の貫通孔内にメタライズ層を形成するメ
タライズ層形成工程と、前記ビア形成工程を経た前記第
２のセラミックグリーンシートと前記貫通孔形成工程を
経た第１のセラミックグリーンシートとを前記ビアおよ
び第１の貫通孔を対応させて、かつ、前記第１の貫通孔
の一端が前記第１のセラミックグリーンシートにより閉
塞されて前記第２面側凹部が形成される状態に積層する
積層工程と、この積層工程を経た前記第１および第２の
セラミックグリーンシートを焼成一体化して前記中継基
板本体を形成する焼成工程と、この焼成工程を経た前記
中継基板本体の前記第２面側凹部の内部に前記第２面側
接続端子を形成する第２面側接続端子形成工程と、を有
するという技術的手段を採用する。
いし請求項１０のいずれか１つに記載の中継基板の製造
方法であって、第１のセラミックグリーンシートに第１
の貫通孔を形成し、その第１のセラミックグリーンシー
トと積層する第２のセラミックグリーンシートの前記第
１の貫通孔に対応する部位に第２の貫通孔を形成する貫
通孔形成工程と、前記第２のセラミックグリーンシート
の第２の貫通孔の内部に前記ビアを形成するビア形成工
程と、前記第１の貫通孔内にメタライズ層を形成するメ
タライズ層形成工程と、前記ビア形成工程を経た前記第
２のセラミックグリーンシートと前記貫通孔形成工程を
経た第１のセラミックグリーンシートとを前記ビアおよ
び第１の貫通孔を対応させて、かつ、前記第１の貫通孔
の一端が前記第１のセラミックグリーンシートにより閉
塞されて前記第２面側凹部が形成される状態に積層する
積層工程と、この積層工程を経た前記第１および第２の
セラミックグリーンシートを焼成一体化して前記中継基
板本体を形成する焼成工程と、この焼成工程を経た前記
中継基板本体の前記第２面側凹部の内部に前記第２面側
接続端子を形成する第２面側接続端子形成工程と、を有
するという技術的手段を採用する。
【００１８】請求項１２に記載の発明では、請求項１１
に記載の中継基板の製造方法において、前記ビア形成工
程を経た前記第２のセラミックグリーンシートに前記第
１面側接続パッドおよび第２面側接続パッドを形成する
接続パッド形成工程を有するという技術的手段を採用す
る。
に記載の中継基板の製造方法において、前記ビア形成工
程を経た前記第２のセラミックグリーンシートに前記第
１面側接続パッドおよび第２面側接続パッドを形成する
接続パッド形成工程を有するという技術的手段を採用す
る。
【００１９】請求項１３に記載の発明では、請求項１１
または請求項１２に記載の中継基板の製造方法におい
て、前記第２面側接続端子形成工程は、前記第２面側接
続端子の突出した部分の形状に対応する形状であるとと
もに、溶融した金属に濡れない内面を有する凹部を前記
第２面側凹部に対応する位置に有する治具を用い、その
治具の前記凹部に前記第２面側接続端子を形成するため
の金属材料を収容する金属材料収容工程と、この金属材
料収容工程を経た前記治具を、前記凹部が前記焼成工程
により形成された中継基板本体の第２面側凹部の下方に
位置する状態に配置する治具配置工程と、この治具配置
工程を経た前記治具の各凹部内に収容された金属材料を
溶融させ、この溶融された溶融金属を前記凹部および第
２面側凹部内に保持しつつ冷却し、凝固させて前記第２
面側接続端子を成形する成形工程とを有するという技術
的手段を採用する。
または請求項１２に記載の中継基板の製造方法におい
て、前記第２面側接続端子形成工程は、前記第２面側接
続端子の突出した部分の形状に対応する形状であるとと
もに、溶融した金属に濡れない内面を有する凹部を前記
第２面側凹部に対応する位置に有する治具を用い、その
治具の前記凹部に前記第２面側接続端子を形成するため
の金属材料を収容する金属材料収容工程と、この金属材
料収容工程を経た前記治具を、前記凹部が前記焼成工程
により形成された中継基板本体の第２面側凹部の下方に
位置する状態に配置する治具配置工程と、この治具配置
工程を経た前記治具の各凹部内に収容された金属材料を
溶融させ、この溶融された溶融金属を前記凹部および第
２面側凹部内に保持しつつ冷却し、凝固させて前記第２
面側接続端子を成形する成形工程とを有するという技術
的手段を採用する。
【００２０】請求項１４に記載の発明では、請求項１１
または請求項１２に記載の中継基板の製造方法におい
て、前記第２面側接続端子成形工程は、前記第２面側接
続端子の突出した部分の径に対応する径であるととも
に、溶融した金属に濡れない内面を有する貫通孔を前記
第２面側凹部に対応する位置にそれぞれ有する治具を、
前記焼成工程により形成され、前記第２面側凹部の開口
側を上に向けた状態の前記中継基板本体の第２面側凹部
の上方に前記貫通孔が位置する状態に配置する治具配置
工程と、この治具配置工程を経た前記治具の貫通孔に前
記第２面側接続端子を形成するための金属材料を収容す
る金属材料収容工程と、この金属材料収容工程を経た前
記治具の貫通孔に収容された金属材料を溶融させ、この
溶融された溶融金属を前記貫通孔および第２面側凹部内
に保持しつつ冷却し、凝固させて前記第２面側接続端子
を成形する成形工程と、を有するという技術的手段を採
用する。
または請求項１２に記載の中継基板の製造方法におい
て、前記第２面側接続端子成形工程は、前記第２面側接
続端子の突出した部分の径に対応する径であるととも
に、溶融した金属に濡れない内面を有する貫通孔を前記
第２面側凹部に対応する位置にそれぞれ有する治具を、
前記焼成工程により形成され、前記第２面側凹部の開口
側を上に向けた状態の前記中継基板本体の第２面側凹部
の上方に前記貫通孔が位置する状態に配置する治具配置
工程と、この治具配置工程を経た前記治具の貫通孔に前
記第２面側接続端子を形成するための金属材料を収容す
る金属材料収容工程と、この金属材料収容工程を経た前
記治具の貫通孔に収容された金属材料を溶融させ、この
溶融された溶融金属を前記貫通孔および第２面側凹部内
に保持しつつ冷却し、凝固させて前記第２面側接続端子
を成形する成形工程と、を有するという技術的手段を採
用する。
【００２１】請求項１５に記載の発明では、請求項１１
ないし請求項１４のいずれか１つに記載の中継基板の製
造方法において、前記第２面側接続端子形成工程を経た
前記第１面側接続パッドの上面および前記第２面側接続
端子の先端に、それぞれ前記第２面側接続端子の融点よ
りも低い融点を有する金属により低融点金属層を形成す
る低融点金属層形成工程を有するという技術的手段を採
用する。
ないし請求項１４のいずれか１つに記載の中継基板の製
造方法において、前記第２面側接続端子形成工程を経た
前記第１面側接続パッドの上面および前記第２面側接続
端子の先端に、それぞれ前記第２面側接続端子の融点よ
りも低い融点を有する金属により低融点金属層を形成す
る低融点金属層形成工程を有するという技術的手段を採
用する。
【００２２】
【作用】第１および第２の基板の熱膨張係数の差によ
り、両基板が平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変
化すると、第１および第２の基板と中継基板との接続部
分に応力が発生する。しかし、請求項１ないし請求項１
５に記載の中継基板を用いることにより、以下のように
上記応力を緩和することができる。上記中継基板本体
は、電気絶縁材料からなり、その第２面側に第１面側に
向けて形成された第２面側凹部を有する。この第２面側
凹部には、第２面側接続端子が第２面側凹部の底面およ
び内周面と固着されており、かつ、先端部を第２面から
突出させて形成されている。この第２面側接続端子は、
第２の基板の面接続取付パッドと電気的に接続される。
また、中継基板本体の内部には、第２面側接続端子と第
１の基板の面接続パッドとを電気的に接続するビアが形
成されている。つまり、中継基板と第２の基板の面接続
取付パッドとは、中継基板本体の第２面から突出した第
２面側接続端子により電気的に接続され、中継基板と第
１の基板の面接続パッドとは、中継基板本体の内部に形
成されたビアにより電気的に接続される。
り、両基板が平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変
化すると、第１および第２の基板と中継基板との接続部
分に応力が発生する。しかし、請求項１ないし請求項１
５に記載の中継基板を用いることにより、以下のように
上記応力を緩和することができる。上記中継基板本体
は、電気絶縁材料からなり、その第２面側に第１面側に
向けて形成された第２面側凹部を有する。この第２面側
凹部には、第２面側接続端子が第２面側凹部の底面およ
び内周面と固着されており、かつ、先端部を第２面から
突出させて形成されている。この第２面側接続端子は、
第２の基板の面接続取付パッドと電気的に接続される。
また、中継基板本体の内部には、第２面側接続端子と第
１の基板の面接続パッドとを電気的に接続するビアが形
成されている。つまり、中継基板と第２の基板の面接続
取付パッドとは、中継基板本体の第２面から突出した第
２面側接続端子により電気的に接続され、中継基板と第
１の基板の面接続パッドとは、中継基板本体の内部に形
成されたビアにより電気的に接続される。
【００２３】したがって、第２面側接続端子と面接続取
付パッドとの接続部分を支点に想定すると、第１および
第２の基板が平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変
化しようとする力は、上記支点を中心にして中継基板本
体を回転させようとする回転モーメントに変換される。
そして、その発生した回転モーメントにより、第２面側
接続端子の突出した部分が変形（たとえば、塑性変形）
し、この変形により上記応力が緩和される。また、第２
面側接続端子は、第２面側凹部の底面および内周面に固
着されているため、上記応力は、その固着されている内
周面に対して垂直方向に作用するため、中継基板本体が
破壊し難い。さらに、第２面側接続端子は、第２面側凹
部の底面および内周面に固着されているため、たとえ
ば、第２面側接続端子を第２面の平面部に固着する場合
よりも、固着された部分が剥がれ難い。以上のように、
請求項１ないし請求項１５に記載の中継基板によれば、
第１および第２の基板間の熱膨張差により発生する応力
を緩和できるため、第１および第２の基板間に電気的接
続不良が発生する事態を少なくすることができる。
付パッドとの接続部分を支点に想定すると、第１および
第２の基板が平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変
化しようとする力は、上記支点を中心にして中継基板本
体を回転させようとする回転モーメントに変換される。
そして、その発生した回転モーメントにより、第２面側
接続端子の突出した部分が変形（たとえば、塑性変形）
し、この変形により上記応力が緩和される。また、第２
面側接続端子は、第２面側凹部の底面および内周面に固
着されているため、上記応力は、その固着されている内
周面に対して垂直方向に作用するため、中継基板本体が
破壊し難い。さらに、第２面側接続端子は、第２面側凹
部の底面および内周面に固着されているため、たとえ
ば、第２面側接続端子を第２面の平面部に固着する場合
よりも、固着された部分が剥がれ難い。以上のように、
請求項１ないし請求項１５に記載の中継基板によれば、
第１および第２の基板間の熱膨張差により発生する応力
を緩和できるため、第１および第２の基板間に電気的接
続不良が発生する事態を少なくすることができる。
【００２４】特に、請求項２に記載の発明のように、上
記第２面側凹部の内周面は、テーパ状に形成されてなる
のが好ましい。つまり、上記応力は、第２面側接続端子
と第２面側凹部の内周面との接触部分に作用するが、第
２面側凹部の内周面の形状が直線状（円柱状）である場
合は、応力が接続端子の突出した先端部と凹部の縁とが
接する部分（角部（図７のＰ１、Ｐ２参照））に集中し
易い。しかし、内周面をテーパ状に形成することによ
り、応力を接続端子と内周面とが接する部分（テーパ面
（図１４のＰ３参照））に分散させることができるた
め、中継基板本体の破壊を防止して耐久性を高めること
ができる。
記第２面側凹部の内周面は、テーパ状に形成されてなる
のが好ましい。つまり、上記応力は、第２面側接続端子
と第２面側凹部の内周面との接触部分に作用するが、第
２面側凹部の内周面の形状が直線状（円柱状）である場
合は、応力が接続端子の突出した先端部と凹部の縁とが
接する部分（角部（図７のＰ１、Ｐ２参照））に集中し
易い。しかし、内周面をテーパ状に形成することによ
り、応力を接続端子と内周面とが接する部分（テーパ面
（図１４のＰ３参照））に分散させることができるた
め、中継基板本体の破壊を防止して耐久性を高めること
ができる。
【００２５】また、請求項３に記載の発明のように、上
記第２面側凹部の内周面を階段状に形成することによ
り、上記応力を接続端子と内周面とが接する複数の角部
（図１５のＰ４、Ｐ５参照）に分散させることができる
ため、１つの角部に集中するものよりも、中継基板本体
の耐久性を高めることができる。
記第２面側凹部の内周面を階段状に形成することによ
り、上記応力を接続端子と内周面とが接する複数の角部
（図１５のＰ４、Ｐ５参照）に分散させることができる
ため、１つの角部に集中するものよりも、中継基板本体
の耐久性を高めることができる。
【００２６】さらに、上記第２面側接続端子の第２面か
ら突出した部分は、請求項５に記載の発明のように、そ
の突出した部分がその突出した部分の最大径よりも大き
い柱状に形成されてなるのが好ましい。つまり、上記突
出した部分が、たとえば球状、または、半球状である場
合には、第１および第２の基板間の間隔を広くするため
に突出高さを高くすると、同時に突出した部分の最大径
も大きくなるため、隣接する接続端子との間隔（ピッ
チ）の制限が生じる。しかし、上記のように、突出した
部分の形状が柱状である場合は、その直径を変更するこ
となく、突出高さを高くすることができるため、上記の
ような制限をなくすことができる。また、接続端子の数
が増加した場合であっても、上記直径を小さくすること
により、上記制限が生じないようにすることができる。
また、第２面側接続端子の突出高さは、一般に高ければ
高いほど応力を吸収できる。しかし、中継基板と樹脂製
プリント基板との間隔には制限があるのが通常である。
そこで、第２面側接続端子の突出高さは、第２の基板お
よび中継基板本体の熱膨張差の大きさに応じて設定する
のが好ましい。つまり、中継基板本体および第２の基板
の熱膨張差が大きいほど、その間に発生する応力は大き
くなることから、中継基板本体および第２の基板を電気
的に接続する第２面側接続端子の突出した高さを上記熱
膨張差の大きさに対応して設定することにより、上記回
転モーメントの大きさを変えることができるため、応力
の大きさに対応した応力の緩和を行うことができるから
である。
ら突出した部分は、請求項５に記載の発明のように、そ
の突出した部分がその突出した部分の最大径よりも大き
い柱状に形成されてなるのが好ましい。つまり、上記突
出した部分が、たとえば球状、または、半球状である場
合には、第１および第２の基板間の間隔を広くするため
に突出高さを高くすると、同時に突出した部分の最大径
も大きくなるため、隣接する接続端子との間隔（ピッ
チ）の制限が生じる。しかし、上記のように、突出した
部分の形状が柱状である場合は、その直径を変更するこ
となく、突出高さを高くすることができるため、上記の
ような制限をなくすことができる。また、接続端子の数
が増加した場合であっても、上記直径を小さくすること
により、上記制限が生じないようにすることができる。
また、第２面側接続端子の突出高さは、一般に高ければ
高いほど応力を吸収できる。しかし、中継基板と樹脂製
プリント基板との間隔には制限があるのが通常である。
そこで、第２面側接続端子の突出高さは、第２の基板お
よび中継基板本体の熱膨張差の大きさに応じて設定する
のが好ましい。つまり、中継基板本体および第２の基板
の熱膨張差が大きいほど、その間に発生する応力は大き
くなることから、中継基板本体および第２の基板を電気
的に接続する第２面側接続端子の突出した高さを上記熱
膨張差の大きさに対応して設定することにより、上記回
転モーメントの大きさを変えることができるため、応力
の大きさに対応した応力の緩和を行うことができるから
である。
【００２７】また、上記第２面側接続端子は、請求項６
に記載の発明のように、軟質金属により形成されてなる
ことが好ましい。つまり、上記応力を接続端子の変形、
たとえば塑性変形によって吸収できるからである。ここ
で、軟質金属とは、上記応力を変形によって吸収する柔
らかい金属であって、たとえば、鉛（Ｐｂ）、スズ（Ｓ
ｎ）および亜鉛（Ｚｎ）、これらを主成分とする合金、
ならびに、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（たとえば、Ｐｂ９
０％−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金な
ど）、ホワイトメタル、純度の高い銅（Ｃｕ）、銀（Ａ
ｇ）などである。
に記載の発明のように、軟質金属により形成されてなる
ことが好ましい。つまり、上記応力を接続端子の変形、
たとえば塑性変形によって吸収できるからである。ここ
で、軟質金属とは、上記応力を変形によって吸収する柔
らかい金属であって、たとえば、鉛（Ｐｂ）、スズ（Ｓ
ｎ）および亜鉛（Ｚｎ）、これらを主成分とする合金、
ならびに、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（たとえば、Ｐｂ９
０％−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金な
ど）、ホワイトメタル、純度の高い銅（Ｃｕ）、銀（Ａ
ｇ）などである。
【００２８】さらに、請求項２に記載の発明では、第２
面側凹部の底面に形成されており、第２面側接続端子と
ビアとを電気的に接続する第２面側接続パッドを有する
ため、第２面側接続端子が第２面側凹部の底面に固着し
難い材質の場合であっても、第２面側接続パッドにより
第２面側接続端子およびビアを電気的に接続することが
できる。たとえば、第２面側接続端子が高温ハンダであ
り、第２面側凹部の底面がアルミナセラミックスである
場合は、アルミナセラミックスは溶融した高温ハンダに
対して濡れ性が悪いが、第２面側凹部の底面にタングス
テン製の第２面側接続パッドを形成することにより、濡
れ性が良くなるため、第２面側接続端子とビアとを電気
的に接続することができる。また、第１面側に形成され
ており、ビアと面接続パッドとを電気的に接続する第１
面側接続パッドを有するため、ビアおよび面接続パッド
を電気的に接続する材料がビアに固着し難い性質の場合
であっても、第１面側接続パッドにより上記材料とビア
とを電気的に接続することができる。
面側凹部の底面に形成されており、第２面側接続端子と
ビアとを電気的に接続する第２面側接続パッドを有する
ため、第２面側接続端子が第２面側凹部の底面に固着し
難い材質の場合であっても、第２面側接続パッドにより
第２面側接続端子およびビアを電気的に接続することが
できる。たとえば、第２面側接続端子が高温ハンダであ
り、第２面側凹部の底面がアルミナセラミックスである
場合は、アルミナセラミックスは溶融した高温ハンダに
対して濡れ性が悪いが、第２面側凹部の底面にタングス
テン製の第２面側接続パッドを形成することにより、濡
れ性が良くなるため、第２面側接続端子とビアとを電気
的に接続することができる。また、第１面側に形成され
ており、ビアと面接続パッドとを電気的に接続する第１
面側接続パッドを有するため、ビアおよび面接続パッド
を電気的に接続する材料がビアに固着し難い性質の場合
であっても、第１面側接続パッドにより上記材料とビア
とを電気的に接続することができる。
【００２９】上記第１面側接続パッドおよび第２面側接
続パッドは、請求項１２に記載のように、ビア形成工程
を経た第２のセラミックグリーンシートに第１面側接続
パッドおよび第２面側接続パッドを形成する接続パッド
形成工程により形成することができる。
続パッドは、請求項１２に記載のように、ビア形成工程
を経た第２のセラミックグリーンシートに第１面側接続
パッドおよび第２面側接続パッドを形成する接続パッド
形成工程により形成することができる。
【００３０】また、請求項７に記載の発明のように、上
記第１面側接続パッドの上面および第２面側接続端子の
先端には、それぞれ第２面側接続端子の融点よりも低い
融点を有する金属により低融点金属層が形成されている
ことが好ましい。つまり、面接続パッドおよび面接続取
付パッドとの接続部分に低融点金属層が形成されている
ため、たとえば、第１の基板、または、第２の基板を製
造するメーカーにおいて中継基板を接続する場合の、第
１面側接続パッドおよび第２面側接続端子の先端に低融
点金属（たとえば、低融点ハンダペースト）を塗布する
設備を備える必要がない。
記第１面側接続パッドの上面および第２面側接続端子の
先端には、それぞれ第２面側接続端子の融点よりも低い
融点を有する金属により低融点金属層が形成されている
ことが好ましい。つまり、面接続パッドおよび面接続取
付パッドとの接続部分に低融点金属層が形成されている
ため、たとえば、第１の基板、または、第２の基板を製
造するメーカーにおいて中継基板を接続する場合の、第
１面側接続パッドおよび第２面側接続端子の先端に低融
点金属（たとえば、低融点ハンダペースト）を塗布する
設備を備える必要がない。
【００３１】上記低融点金属層は、請求項１５に記載の
発明のように、上記第２面側接続端子形成工程を経た第
１面側接続パッドの上面および第２面側接続端子の先端
に、それぞれ第２面側接続端子の融点よりも低い融点を
有する金属により低融点金属層を形成する低融点金属層
形成工程により形成される。
発明のように、上記第２面側接続端子形成工程を経た第
１面側接続パッドの上面および第２面側接続端子の先端
に、それぞれ第２面側接続端子の融点よりも低い融点を
有する金属により低融点金属層を形成する低融点金属層
形成工程により形成される。
【００３２】さらに、請求項８に記載の発明のように、
上記中継基板本体は、第１の基板と略同一の熱膨張係数
を有することが好ましい。つまり、第１の基板および中
継基板本体間には熱膨張差がほとんど発生しないため応
力もほとんど発生しないからである。一方、中継基板本
体および第２の基板間の間隔は、第２面側接続端子によ
り比較的大きくされるため、中継基板本体および第２の
基板間の応力は緩和される。
上記中継基板本体は、第１の基板と略同一の熱膨張係数
を有することが好ましい。つまり、第１の基板および中
継基板本体間には熱膨張差がほとんど発生しないため応
力もほとんど発生しないからである。一方、中継基板本
体および第２の基板間の間隔は、第２面側接続端子によ
り比較的大きくされるため、中継基板本体および第２の
基板間の応力は緩和される。
【００３３】特に、請求項９に記載の発明のように、上
記第１の基板が、セラミックス材料からなり、中継基板
本体が、第１の基板と略同一のセラミックス材料からな
ることが好ましい。つまり、セラミックスは、強度およ
び耐熱性が高いため、リワークにより繰り返し加熱され
ても変形などを生じないからである。
記第１の基板が、セラミックス材料からなり、中継基板
本体が、第１の基板と略同一のセラミックス材料からな
ることが好ましい。つまり、セラミックスは、強度およ
び耐熱性が高いため、リワークにより繰り返し加熱され
ても変形などを生じないからである。
【００３４】また、請求項１０に記載の発明のように、
上記ビアの径は、第２面側凹部の径よりも小さいことが
好ましい。つまり、上記ビアは、たとえば、後述する発
明の実施の形態に記載するように貫通孔が形成されたセ
ラミックグリーンシートをステンレス製のシート上に乗
せ、上記貫通孔の内部にペースト状のタングステンを充
填し、シートを剥がし、セラミックグリーンシートの焼
成時にタングステン粉末を焼結することにより形成され
るが、上記貫通孔の径（ビアの径）が大きいと、上記シ
ートを剥がす際に、充填したタングステンペーストがシ
ートに貼り付いたり、抜け落ちたりすることがあり、充
填が困難だからである。
上記ビアの径は、第２面側凹部の径よりも小さいことが
好ましい。つまり、上記ビアは、たとえば、後述する発
明の実施の形態に記載するように貫通孔が形成されたセ
ラミックグリーンシートをステンレス製のシート上に乗
せ、上記貫通孔の内部にペースト状のタングステンを充
填し、シートを剥がし、セラミックグリーンシートの焼
成時にタングステン粉末を焼結することにより形成され
るが、上記貫通孔の径（ビアの径）が大きいと、上記シ
ートを剥がす際に、充填したタングステンペーストがシ
ートに貼り付いたり、抜け落ちたりすることがあり、充
填が困難だからである。
【００３５】次に、上記請求項１ないし請求項１０のい
ずれか１つに記載の中継基板は、請求項１１に記載の製
造方法により製造される。まず、貫通孔形成工程では、
第１のセラミックグリーンシートに第１の貫通孔を形成
し、その第１のセラミックグリーンシートと積層する第
２のセラミックグリーンシートの第１の貫通孔に対応す
る部位に第２の貫通孔を形成する。次に、ビア形成工程
では、第２のセラミックグリーンシートの第２の貫通孔
の内部にビアを形成し、メタライズ層形成工程では、第
１の貫通孔内にメタライズ層を形成する。つまり、後の
第２面側接続端子形成工程において第２面側接続端子を
第１の貫通孔（第２面側凹部）内に固着するために、第
１の貫通孔内にメタライズ層を形成する。
ずれか１つに記載の中継基板は、請求項１１に記載の製
造方法により製造される。まず、貫通孔形成工程では、
第１のセラミックグリーンシートに第１の貫通孔を形成
し、その第１のセラミックグリーンシートと積層する第
２のセラミックグリーンシートの第１の貫通孔に対応す
る部位に第２の貫通孔を形成する。次に、ビア形成工程
では、第２のセラミックグリーンシートの第２の貫通孔
の内部にビアを形成し、メタライズ層形成工程では、第
１の貫通孔内にメタライズ層を形成する。つまり、後の
第２面側接続端子形成工程において第２面側接続端子を
第１の貫通孔（第２面側凹部）内に固着するために、第
１の貫通孔内にメタライズ層を形成する。
【００３６】次に、積層工程では、ビア形成工程を経た
第２のセラミックグリーンシートと貫通孔形成工程を経
た第１のセラミックグリーンシートとをビアおよび第１
の貫通孔を対応させて、かつ、第１の貫通孔の一端が第
２のセラミックグリーンシートにより閉塞されて第２面
側凹部が形成される状態に積層する。つまり、後の第２
面側接続端子形成工程において第２面側凹部内に固着さ
れる第２面側接続端子と第２の貫通孔内に形成されたビ
アとを電気的に接続するために、第１および第２の貫通
孔を対応させて第１および第２のセラミックグリーンシ
ートを積層する。また、後の第２面側接続端子形成工程
において第２面側接続端子を形成するための第２面側凹
部を形成するために、第１の貫通孔の一端が第２のセラ
ミックグリーンシートにより閉塞されて第２面側凹部が
形成される状態に積層する。
第２のセラミックグリーンシートと貫通孔形成工程を経
た第１のセラミックグリーンシートとをビアおよび第１
の貫通孔を対応させて、かつ、第１の貫通孔の一端が第
２のセラミックグリーンシートにより閉塞されて第２面
側凹部が形成される状態に積層する。つまり、後の第２
面側接続端子形成工程において第２面側凹部内に固着さ
れる第２面側接続端子と第２の貫通孔内に形成されたビ
アとを電気的に接続するために、第１および第２の貫通
孔を対応させて第１および第２のセラミックグリーンシ
ートを積層する。また、後の第２面側接続端子形成工程
において第２面側接続端子を形成するための第２面側凹
部を形成するために、第１の貫通孔の一端が第２のセラ
ミックグリーンシートにより閉塞されて第２面側凹部が
形成される状態に積層する。
【００３７】次に、焼成工程では、積層工程を経た第１
および第２のセラミックグリーンシートを焼成一体化し
て中継基板本体を形成し、第２面側接続端子形成工程で
は、焼成工程を経た中継基板本体の第２面側凹部の内部
に第２面側接続端子を形成する。つまり、積層された第
１および第２のセラミックグリーンシートを焼成するこ
とにより、セラミック製の中継基板本体を形成し、その
中継基板本体に形成された第２面側凹部の内部に第２面
側接続端子を形成する。
および第２のセラミックグリーンシートを焼成一体化し
て中継基板本体を形成し、第２面側接続端子形成工程で
は、焼成工程を経た中継基板本体の第２面側凹部の内部
に第２面側接続端子を形成する。つまり、積層された第
１および第２のセラミックグリーンシートを焼成するこ
とにより、セラミック製の中継基板本体を形成し、その
中継基板本体に形成された第２面側凹部の内部に第２面
側接続端子を形成する。
【００３８】特に、上記第２面側接続端子形成工程は、
請求項１３に記載の発明により製造することができる。
まず、金属材料収容工程では、第２面側接続端子の突出
した部分の形状に対応する形状であるとともに、溶融し
た金属に濡れない内面を有する凹部を第２面側凹部に対
応する位置に有する治具を用い、その治具の凹部に第２
面側接続端子を形成するための金属材料を収容する。つ
まり、第２面側接続端子を形成するための治具を用意
し、治具の凹部内に第２面側接続端子を形成するための
原料となる金属材料を収容する。
請求項１３に記載の発明により製造することができる。
まず、金属材料収容工程では、第２面側接続端子の突出
した部分の形状に対応する形状であるとともに、溶融し
た金属に濡れない内面を有する凹部を第２面側凹部に対
応する位置に有する治具を用い、その治具の凹部に第２
面側接続端子を形成するための金属材料を収容する。つ
まり、第２面側接続端子を形成するための治具を用意
し、治具の凹部内に第２面側接続端子を形成するための
原料となる金属材料を収容する。
【００３９】次に、治具配置工程では、凹部に金属材料
が収容された治具を、その凹部が焼成工程により形成さ
れた中継基板本体の第２面側凹部の下方に位置する状態
に配置する。つまり、治具をその凹部が中継基板本体の
第２面側凹部に対応する位置になるように配置して第２
面側接続端子を形成する態勢を整える。次に、成形工程
では、治具配置工程を経た治具の各凹部内に収容された
金属材料を溶融させ、この溶融された溶融金属を凹部お
よび第２面側凹部内に保持しつつ冷却し、凝固させて第
２面側接続端子を形成する。つまり、凹部内の溶融金属
を第２面側凹部の底面に達する状態に維持し、その状態
で溶融金属を冷却し、凝固させることにより、第２面側
凹部の底面および内周面に固着されており、先端部を中
継基板本体の第２面から突出させた第２面側接続端子を
形成できる。
が収容された治具を、その凹部が焼成工程により形成さ
れた中継基板本体の第２面側凹部の下方に位置する状態
に配置する。つまり、治具をその凹部が中継基板本体の
第２面側凹部に対応する位置になるように配置して第２
面側接続端子を形成する態勢を整える。次に、成形工程
では、治具配置工程を経た治具の各凹部内に収容された
金属材料を溶融させ、この溶融された溶融金属を凹部お
よび第２面側凹部内に保持しつつ冷却し、凝固させて第
２面側接続端子を形成する。つまり、凹部内の溶融金属
を第２面側凹部の底面に達する状態に維持し、その状態
で溶融金属を冷却し、凝固させることにより、第２面側
凹部の底面および内周面に固着されており、先端部を中
継基板本体の第２面から突出させた第２面側接続端子を
形成できる。
【００４０】また、請求項１３に記載の第２面側接続端
子形成工程に代えて請求項１４に記載の方法を用いるこ
ともできる。まず、上記請求項１３に記載の治具配置工
程では、治具をその凹部が中継基板本体の第２面側凹部
の下方に位置する状態に配置したが、この第２面側接続
端子形成工程における治具配置工程では、第２面側接続
端子の突出した部分の径に対応する径の貫通孔を有する
治具を、第２面側凹部の開口側を上に向けた状態の中継
基板本体の第２面側凹部の上方に貫通孔が位置する状態
に配置する。つまり、第２面側凹部の開口側を上に向け
た状態の中継基板本体の第２面側凹部の上方に貫通孔が
位置する状態に治具を配置し、後の金属材料収容工程に
おいて金属材料を貫通孔に収容する態勢を整える。
子形成工程に代えて請求項１４に記載の方法を用いるこ
ともできる。まず、上記請求項１３に記載の治具配置工
程では、治具をその凹部が中継基板本体の第２面側凹部
の下方に位置する状態に配置したが、この第２面側接続
端子形成工程における治具配置工程では、第２面側接続
端子の突出した部分の径に対応する径の貫通孔を有する
治具を、第２面側凹部の開口側を上に向けた状態の中継
基板本体の第２面側凹部の上方に貫通孔が位置する状態
に配置する。つまり、第２面側凹部の開口側を上に向け
た状態の中継基板本体の第２面側凹部の上方に貫通孔が
位置する状態に治具を配置し、後の金属材料収容工程に
おいて金属材料を貫通孔に収容する態勢を整える。
【００４１】そして、金属材料収容工程では、治具配置
工程を経た治具の貫通孔に第２面側接続端子を形成する
ための金属材料を収容し、成形工程では、金属材料収容
工程を経た治具の貫通孔に収容された金属材料を溶融さ
せ、この溶融された溶融金属を貫通孔および第２面側凹
部内に保持しつつ冷却し、凝固させて第２面側接続端子
を成形する。
工程を経た治具の貫通孔に第２面側接続端子を形成する
ための金属材料を収容し、成形工程では、金属材料収容
工程を経た治具の貫通孔に収容された金属材料を溶融さ
せ、この溶融された溶融金属を貫通孔および第２面側凹
部内に保持しつつ冷却し、凝固させて第２面側接続端子
を成形する。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の中継基板およびそ
の製造方法の第１実施形態について図１ないし図９を参
照して説明する。図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本第１実施形
態の中継基板の製造方法の各工程を示す断面説明図であ
る。図２（Ａ）は、第２のセラミックグリーンシートの
第２の貫通孔内にビアを形成する導電性金属を充填する
手法を示す説明図であり、同図（Ｂ）〜（Ｄ）は、第１
のセラミックグリーンシートの第１の貫通孔の内周面に
メタライズ層を形成する手法を示す説明図である。図９
は、本第１実施形態の中継基板の製造方法の製造工程を
示す工程図である。
の製造方法の第１実施形態について図１ないし図９を参
照して説明する。図１（Ａ）〜（Ｄ）は、本第１実施形
態の中継基板の製造方法の各工程を示す断面説明図であ
る。図２（Ａ）は、第２のセラミックグリーンシートの
第２の貫通孔内にビアを形成する導電性金属を充填する
手法を示す説明図であり、同図（Ｂ）〜（Ｄ）は、第１
のセラミックグリーンシートの第１の貫通孔の内周面に
メタライズ層を形成する手法を示す説明図である。図９
は、本第１実施形態の中継基板の製造方法の製造工程を
示す工程図である。
【００４３】最初に本発明に係る中継基板の製造方法の
第１実施形態について説明する。まず、公知のセラミッ
クグリーンシート形成技術を用いて、第１のセラミック
グリーンシート１１および第２のセラミックグリーンシ
ート１２を形成し、パンチング装置を用いて図１（Ａ）
に示すように、第１のセラミックグリーンシート１１に
第１の貫通孔１１ａを第２のセラミックグリーンシート
１２に第２の貫通孔１２ａをそれぞれ打ち抜き形成する
（図９の工程１０）。第２の貫通孔１２ａは、第１の貫
通孔１１ａの径より小さい径であって、第１のセラミッ
クグリーンシート１１の上面に第２のセラミックグリー
ンシート１２を積層した場合に、第１の貫通孔１１ａの
上部開口面内に含まれる位置に形成される。
第１実施形態について説明する。まず、公知のセラミッ
クグリーンシート形成技術を用いて、第１のセラミック
グリーンシート１１および第２のセラミックグリーンシ
ート１２を形成し、パンチング装置を用いて図１（Ａ）
に示すように、第１のセラミックグリーンシート１１に
第１の貫通孔１１ａを第２のセラミックグリーンシート
１２に第２の貫通孔１２ａをそれぞれ打ち抜き形成する
（図９の工程１０）。第２の貫通孔１２ａは、第１の貫
通孔１１ａの径より小さい径であって、第１のセラミッ
クグリーンシート１１の上面に第２のセラミックグリー
ンシート１２を積層した場合に、第１の貫通孔１１ａの
上部開口面内に含まれる位置に形成される。
【００４４】次に、第２のセラミックグリーンシート１
２の第２の貫通孔１２ａ内にビアを形成する導電性金属
を充填する。この充填は、たとえば、図２（Ａ）に示す
手法により行われる。まず、台１９ｂの上に置かれたス
テンレス製のシート１８の上に第２のセラミックグリー
ンシート１２を乗せる。シート１８には、第２の貫通孔
１２ａと対応する位置に貫通孔１８ａが形成されてお
り、第２のセラミックグリーンシート１２は、第２の貫
通孔１２ａおよび貫通孔１８ａが一致するように乗せら
れる。また、シート１８の下面には、ビアを形成するた
めの硬いペースト状の導電性金属１２ｂがマット状に塗
布されている。
２の第２の貫通孔１２ａ内にビアを形成する導電性金属
を充填する。この充填は、たとえば、図２（Ａ）に示す
手法により行われる。まず、台１９ｂの上に置かれたス
テンレス製のシート１８の上に第２のセラミックグリー
ンシート１２を乗せる。シート１８には、第２の貫通孔
１２ａと対応する位置に貫通孔１８ａが形成されてお
り、第２のセラミックグリーンシート１２は、第２の貫
通孔１２ａおよび貫通孔１８ａが一致するように乗せら
れる。また、シート１８の下面には、ビアを形成するた
めの硬いペースト状の導電性金属１２ｂがマット状に塗
布されている。
【００４５】そして、第２のセラミックグリーンシート
１２の上面を荷重板１９ａにより図中Ｆ１で示す方向に
加圧する。すると、その加圧力により、導電性金属１２
ｂがシート１８の貫通孔１８ａを介して第２のセラミッ
クグリーンシート１２の第２の貫通孔１２ａの内部に流
入し、図１（Ｂ）に示すように、第２の貫通孔１２ａ内
に導電性金属１２ｂが充填される（工程１２）。なお、
スクリーン印刷により第２の貫通孔１２ａ内に導電性金
属１２ｂを充填することもできる。ところで、本第１実
施形態では、第１および第２のセラミックグリーンシー
ト１１，１２を形成する材料としてアルミナセラミック
スを用いる。また、導電性金属１２ｂとしてタングステ
ン（Ｗ）、または、モリブデン（Ｍｏ）などの導電性金
属の粉末に溶剤や樹脂を混ぜてペースト状にしたものを
用いる。
１２の上面を荷重板１９ａにより図中Ｆ１で示す方向に
加圧する。すると、その加圧力により、導電性金属１２
ｂがシート１８の貫通孔１８ａを介して第２のセラミッ
クグリーンシート１２の第２の貫通孔１２ａの内部に流
入し、図１（Ｂ）に示すように、第２の貫通孔１２ａ内
に導電性金属１２ｂが充填される（工程１２）。なお、
スクリーン印刷により第２の貫通孔１２ａ内に導電性金
属１２ｂを充填することもできる。ところで、本第１実
施形態では、第１および第２のセラミックグリーンシー
ト１１，１２を形成する材料としてアルミナセラミック
スを用いる。また、導電性金属１２ｂとしてタングステ
ン（Ｗ）、または、モリブデン（Ｍｏ）などの導電性金
属の粉末に溶剤や樹脂を混ぜてペースト状にしたものを
用いる。
【００４６】一方、第１のセラミックグリーンシート１
１の第１の貫通孔１１ａの内面には、後に図１（Ｄ）に
示す工程で、第２面側接続端子１３の基部１３ｂを固着
するために、本発明のメタライズ層たるタングステン製
の金属層を形成する。図２（Ｂ）に示すように、第１の
セラミックグリーンシート１１に形成された第１の貫通
孔１１ａ内に図中矢印Ｆ２で示す方向にタングステンペ
ースト１７を真空引きしてタングステンペースト１７を
第１の貫通孔１１ａの内周面１１ｄに塗布し、同図
（Ｃ）に示すように、第１の貫通孔１１ａの内周面１１
ｄにタングステン層１７ａを形成する（工程１４）。こ
のとき、第１の貫通孔１１ａの下部開口面の縁から第１
のセラミックグリーンシート１１の下面にかけて、タン
グステン層のはみ出し部１７ｃが形成されるが、図２
（Ｄ）に示すように、はみ出し部１７ｃを研磨して除去
してもよい。
１の第１の貫通孔１１ａの内面には、後に図１（Ｄ）に
示す工程で、第２面側接続端子１３の基部１３ｂを固着
するために、本発明のメタライズ層たるタングステン製
の金属層を形成する。図２（Ｂ）に示すように、第１の
セラミックグリーンシート１１に形成された第１の貫通
孔１１ａ内に図中矢印Ｆ２で示す方向にタングステンペ
ースト１７を真空引きしてタングステンペースト１７を
第１の貫通孔１１ａの内周面１１ｄに塗布し、同図
（Ｃ）に示すように、第１の貫通孔１１ａの内周面１１
ｄにタングステン層１７ａを形成する（工程１４）。こ
のとき、第１の貫通孔１１ａの下部開口面の縁から第１
のセラミックグリーンシート１１の下面にかけて、タン
グステン層のはみ出し部１７ｃが形成されるが、図２
（Ｄ）に示すように、はみ出し部１７ｃを研磨して除去
してもよい。
【００４７】次に、各導電性金属１２ｂの下面にタング
ステン製の第２面側接続パッド１４ａを上面にタングス
テン製の第１面側接続パッド１４ｂをそれぞれスクリー
ン印刷により形成する（工程１６）。次に、図１（Ｃ）
に示すように、第１のセラミックグリーンシート１１の
上面に第２のセラミックグリーンシート１２を積層す
る。このとき、第１の貫通孔１１ａの上方（一端）の開
口面が第２のセラミックグリーンシート１２の下面の第
２面側接続パッド１４ａによって閉塞され、第１のセラ
ミックグリーンシート１１の下面に第２面側凹部１１ｂ
が形成されるように積層する（工程１８）。次に、積層
された第１および第２のセラミックグリーンシート１
１、１２を還元雰囲気中で最高温度約１，５５０゜Ｃに
て焼成し、一体化する（工程２０）。この焼成により、
第１および第２のセラミックグリーンシート１１，１２
は、それぞれセラミック製の第１および第２の基板１１
ｃ，１２ｃとして得られる。続いて、第２面側凹部１１
ｂの内周面のメタライズ層および底面上にニッケルメッ
キを施してニッケルメッキ層１４ｈを形成する（工程２
２）。これらの工程により、図１（Ｄ）に示すように、
第１の基板１１ｃ上に第２の基板１２ｃが積層された中
継基板本体９が完成する。
ステン製の第２面側接続パッド１４ａを上面にタングス
テン製の第１面側接続パッド１４ｂをそれぞれスクリー
ン印刷により形成する（工程１６）。次に、図１（Ｃ）
に示すように、第１のセラミックグリーンシート１１の
上面に第２のセラミックグリーンシート１２を積層す
る。このとき、第１の貫通孔１１ａの上方（一端）の開
口面が第２のセラミックグリーンシート１２の下面の第
２面側接続パッド１４ａによって閉塞され、第１のセラ
ミックグリーンシート１１の下面に第２面側凹部１１ｂ
が形成されるように積層する（工程１８）。次に、積層
された第１および第２のセラミックグリーンシート１
１、１２を還元雰囲気中で最高温度約１，５５０゜Ｃに
て焼成し、一体化する（工程２０）。この焼成により、
第１および第２のセラミックグリーンシート１１，１２
は、それぞれセラミック製の第１および第２の基板１１
ｃ，１２ｃとして得られる。続いて、第２面側凹部１１
ｂの内周面のメタライズ層および底面上にニッケルメッ
キを施してニッケルメッキ層１４ｈを形成する（工程２
２）。これらの工程により、図１（Ｄ）に示すように、
第１の基板１１ｃ上に第２の基板１２ｃが積層された中
継基板本体９が完成する。
【００４８】なお、本第１実施形態では、中継基板本体
９は、厚さ０．３ｍｍ、一辺２５ｍｍのほぼ正方形状に
形成されている。また、第１および第２の貫通孔１１
ａ、１２ａの内径は、それぞれ０．８ｍｍ、０．２ｍｍ
である。したがって、工程１２において第２のセラミッ
クグリーンシート１２の第２の貫通孔１２ａに導電性金
属１２ｂを充填した後にシート１８を除去する際に、充
填した導電性金属１２ｂの一部がシート１８に貼り付い
たり、あるいは抜け落ちたりして生じる導電性金属の充
填不良を少なくできる。また、第２面側凹部１１ｂは、
１．２７ｍｍのピッチで格子状に縦横各１９個の計３６
１個形成されている。なお、上記メッキ工程の後に金メ
ッキ工程を設け、ニッケルメッキ層の上に酸化防止のた
めの金メッキ層を形成することもできる。
９は、厚さ０．３ｍｍ、一辺２５ｍｍのほぼ正方形状に
形成されている。また、第１および第２の貫通孔１１
ａ、１２ａの内径は、それぞれ０．８ｍｍ、０．２ｍｍ
である。したがって、工程１２において第２のセラミッ
クグリーンシート１２の第２の貫通孔１２ａに導電性金
属１２ｂを充填した後にシート１８を除去する際に、充
填した導電性金属１２ｂの一部がシート１８に貼り付い
たり、あるいは抜け落ちたりして生じる導電性金属の充
填不良を少なくできる。また、第２面側凹部１１ｂは、
１．２７ｍｍのピッチで格子状に縦横各１９個の計３６
１個形成されている。なお、上記メッキ工程の後に金メ
ッキ工程を設け、ニッケルメッキ層の上に酸化防止のた
めの金メッキ層を形成することもできる。
【００４９】次に、図１（Ｄ）に示すように、第１の基
板１１ｃの各第２面側凹部１１ｂの底面および内周面に
固着され、かつ、先端部が第２面から突出した柱状の第
２面側接続端子１３を形成する。ここで、第２面側接続
端子１３の形成方法について図３および図４を参照して
説明する。図３（Ａ）および（Ｂ）は、第２面側接続端
子１３を形成する工程を示す断面説明図であり、図４
は、第２面側接続端子１３が形成された状態を示す断面
説明図である。第２面側接続端子１３の形成には、図３
に示す治具４０を用いる。治具４０は、耐熱性を有し、
かつ、溶融した高温ハンダに濡れない材質、たとえばカ
ーボンにより形成されている。図３（Ｂ）に示すよう
に、治具４０を中継基板本体９の下方に配置した場合の
各第２面側凹部１１ｂに対応する位置には、凹部４１が
それぞれ形成されている。凹部４１は、第２面側接続端
子１３の外形に対応した形状に形成されており、円錐形
状の底部を有する円柱形状に形成されている。また、凹
部４１の底部中央から治具４０の底面に向けてガス抜き
孔４２が貫通形成されている。なお、本第１実施形態で
は、凹部４１の最大径は、０．９ｍｍであり、最大深さ
は、１．９５ｍｍである。また、ガス抜き孔４２の直径
は、０．２ｍｍである。
板１１ｃの各第２面側凹部１１ｂの底面および内周面に
固着され、かつ、先端部が第２面から突出した柱状の第
２面側接続端子１３を形成する。ここで、第２面側接続
端子１３の形成方法について図３および図４を参照して
説明する。図３（Ａ）および（Ｂ）は、第２面側接続端
子１３を形成する工程を示す断面説明図であり、図４
は、第２面側接続端子１３が形成された状態を示す断面
説明図である。第２面側接続端子１３の形成には、図３
に示す治具４０を用いる。治具４０は、耐熱性を有し、
かつ、溶融した高温ハンダに濡れない材質、たとえばカ
ーボンにより形成されている。図３（Ｂ）に示すよう
に、治具４０を中継基板本体９の下方に配置した場合の
各第２面側凹部１１ｂに対応する位置には、凹部４１が
それぞれ形成されている。凹部４１は、第２面側接続端
子１３の外形に対応した形状に形成されており、円錐形
状の底部を有する円柱形状に形成されている。また、凹
部４１の底部中央から治具４０の底面に向けてガス抜き
孔４２が貫通形成されている。なお、本第１実施形態で
は、凹部４１の最大径は、０．９ｍｍであり、最大深さ
は、１．９５ｍｍである。また、ガス抜き孔４２の直径
は、０．２ｍｍである。
【００５０】まず、図３（Ａ）に示すように、治具４０
の各凹部４１に本発明の金属材料たる高温ハンダ（Ｐｂ
９０％−Ｓｎ１０％）製の高温ハンダボール１３ｃを２
個ずつ投入しておく。次に、各凹部４１の上端に凹部４
１の最大直径より僅かに大きい直径の高温ハンダ製の高
温ハンダボール１３ｄをそれぞれ乗せる（本発明の金属
材料収容工程、工程２４）。その高温ハンダボール１３
ｄは、次の手法により乗せられる。つまり、図３（Ａ）
に示すように、高温ハンダボール１３ｄの直径より僅か
に大きい直径の透孔（貫通孔）４４を有する規制板４５
を用意しておき、これを治具４０の上方に配置する。そ
して、高温ハンダボール１３ｄを規制板４５の上にばら
まき、治具４０および規制板４５の位置関係がずれない
ように保持して揺すると、高温ハンダボール１３ｄは規
制板４５上を転がって次々に透孔４４に落ち込んで移動
できなくなる。そして、全ての透孔４４に高温ハンダボ
ール１３ｄが落ち込んだら、規制板４５上の不要な高温
ハンダボール１３ｄを除去することで、図３（Ａ）に示
すように、各凹部４１の上端縁に高温ハンダボール１３
ｄを乗せることができる。
の各凹部４１に本発明の金属材料たる高温ハンダ（Ｐｂ
９０％−Ｓｎ１０％）製の高温ハンダボール１３ｃを２
個ずつ投入しておく。次に、各凹部４１の上端に凹部４
１の最大直径より僅かに大きい直径の高温ハンダ製の高
温ハンダボール１３ｄをそれぞれ乗せる（本発明の金属
材料収容工程、工程２４）。その高温ハンダボール１３
ｄは、次の手法により乗せられる。つまり、図３（Ａ）
に示すように、高温ハンダボール１３ｄの直径より僅か
に大きい直径の透孔（貫通孔）４４を有する規制板４５
を用意しておき、これを治具４０の上方に配置する。そ
して、高温ハンダボール１３ｄを規制板４５の上にばら
まき、治具４０および規制板４５の位置関係がずれない
ように保持して揺すると、高温ハンダボール１３ｄは規
制板４５上を転がって次々に透孔４４に落ち込んで移動
できなくなる。そして、全ての透孔４４に高温ハンダボ
ール１３ｄが落ち込んだら、規制板４５上の不要な高温
ハンダボール１３ｄを除去することで、図３（Ａ）に示
すように、各凹部４１の上端縁に高温ハンダボール１３
ｄを乗せることができる。
【００５１】このとき、図３（Ａ）に示すように、凹部
４１内に既に投入された高温ハンダボール１３ｃと高温
ハンダボール１３ｄとが接触しないで、かつ、後述する
高温ハンダの溶融時には両高温ハンダボールが接触する
ように、間隔が僅かに空けられている。つまり、高温ハ
ンダボール１３ｄがその下にある高温ハンダボール１３
ｃの頭により押し上げられた状態であると、高温ハンダ
ボール１３ｄが凹部４１の上端縁から離れて不安定にな
るが、高温ハンダボール１３ｃと高温ハンダボール１３
ｄとの間隔を空けておくことにより、高温ハンダボール
１３ｄが凹部４１の上端縁にぴったりと接触して動かな
い（あるいは動き難い）状態になる。これにより、図３
（Ｂ）に示すように、高温ハンダボール１３ｄの頭上に
中継基板本体９の第２面側凹部１１ｂの下端縁を乗せる
ときの位置合わせが容易になる。
４１内に既に投入された高温ハンダボール１３ｃと高温
ハンダボール１３ｄとが接触しないで、かつ、後述する
高温ハンダの溶融時には両高温ハンダボールが接触する
ように、間隔が僅かに空けられている。つまり、高温ハ
ンダボール１３ｄがその下にある高温ハンダボール１３
ｃの頭により押し上げられた状態であると、高温ハンダ
ボール１３ｄが凹部４１の上端縁から離れて不安定にな
るが、高温ハンダボール１３ｃと高温ハンダボール１３
ｄとの間隔を空けておくことにより、高温ハンダボール
１３ｄが凹部４１の上端縁にぴったりと接触して動かな
い（あるいは動き難い）状態になる。これにより、図３
（Ｂ）に示すように、高温ハンダボール１３ｄの頭上に
中継基板本体９の第２面側凹部１１ｂの下端縁を乗せる
ときの位置合わせが容易になる。
【００５２】そして、図３（Ｂ）に示すように、各高温
ハンダボール１３ｄの頭上に中継基板本体９の第２面側
凹部１１ｂの下端が乗るようにして治具４０を配置する
（本発明の治具配置工程、工程２６）。次に、中継基板
本体９を図示しない荷重板により治具４０の上面４３に
向けて（下方に向けて）押圧する。次に、それらをリフ
ロー炉に投入し、最高温度３６０゜Ｃで最高温度保持時
間１分の窒素雰囲気下で、高温ハンダボール１３ｃ，１
３ｃ，１３ｄを溶融させる（工程２８）。すると、溶融
した高温ハンダ１３ｄは、下方に押し下げられた中継基
板本体９の第２面側凹部１１ｂ内に流入するとともに、
第２面側凹部１１ｂの内周面に形成されているタングス
テン層１７ｂおよび第２面側凹部１１ｂの底面に形成さ
れている第２面側接続パッド１４ｄと溶着する。
ハンダボール１３ｄの頭上に中継基板本体９の第２面側
凹部１１ｂの下端が乗るようにして治具４０を配置する
（本発明の治具配置工程、工程２６）。次に、中継基板
本体９を図示しない荷重板により治具４０の上面４３に
向けて（下方に向けて）押圧する。次に、それらをリフ
ロー炉に投入し、最高温度３６０゜Ｃで最高温度保持時
間１分の窒素雰囲気下で、高温ハンダボール１３ｃ，１
３ｃ，１３ｄを溶融させる（工程２８）。すると、溶融
した高温ハンダ１３ｄは、下方に押し下げられた中継基
板本体９の第２面側凹部１１ｂ内に流入するとともに、
第２面側凹部１１ｂの内周面に形成されているタングス
テン層１７ｂおよび第２面側凹部１１ｂの底面に形成さ
れている第２面側接続パッド１４ｄと溶着する。
【００５３】また、高温ハンダボール１３ｃ，１３ｃ
は、凹部４１内で溶融し、溶融した高温ハンダ１３ｄと
溶着し、一体化する。これにより、凹部４１の内部に第
２面側接続端子１３が成形される。なお、高温ハンダボ
ール１３ｃ，１３ｃ，１３ｄを溶融させるときに、凹部
４１内に閉じこめられた空気は、ガス抜き孔４２を通っ
て治具４０の外部へ逃がされる。続いて、冷却により高
温ハンダを凝固させると、図４に示すように、基部１３
ｂが第２面側凹部１１ｂの内周面および底面に固着さ
れ、かつ、突出部１３ａが中継基板本体９の第２面９ｂ
から突出した第２面側接続端子１３が成形される。そし
て、治具４０を取り除くと、図１（Ｄ）に示すように、
中継基板本体９の第２面（下面）９ｂから複数の第２面
側接続端子１３が突出形成されており、第１面（上面）
９ａ上に第１面側接続パッド１４ｄが形成された中継基
板１０が完成する（本発明の成型工程、工程３０）。第
２面側接続端子１３は、凹部４１の内周面形状に対応し
たほぼ円柱形状に形成されており、下部（頂部）は、ほ
ぼ半球状に形成されている。
は、凹部４１内で溶融し、溶融した高温ハンダ１３ｄと
溶着し、一体化する。これにより、凹部４１の内部に第
２面側接続端子１３が成形される。なお、高温ハンダボ
ール１３ｃ，１３ｃ，１３ｄを溶融させるときに、凹部
４１内に閉じこめられた空気は、ガス抜き孔４２を通っ
て治具４０の外部へ逃がされる。続いて、冷却により高
温ハンダを凝固させると、図４に示すように、基部１３
ｂが第２面側凹部１１ｂの内周面および底面に固着さ
れ、かつ、突出部１３ａが中継基板本体９の第２面９ｂ
から突出した第２面側接続端子１３が成形される。そし
て、治具４０を取り除くと、図１（Ｄ）に示すように、
中継基板本体９の第２面（下面）９ｂから複数の第２面
側接続端子１３が突出形成されており、第１面（上面）
９ａ上に第１面側接続パッド１４ｄが形成された中継基
板１０が完成する（本発明の成型工程、工程３０）。第
２面側接続端子１３は、凹部４１の内周面形状に対応し
たほぼ円柱形状に形成されており、下部（頂部）は、ほ
ぼ半球状に形成されている。
【００５４】なお、本第１実施形態では、高温ハンダボ
ール１３ｃの直径は、０．８ｍｍであり、高温ハンダボ
ール１３ｄの直径は、１．０ｍｍである。また、規制板
４５の厚さは、０．５ｍｍであり、透孔４４の直径は、
１．２ｍｍである。さらに、中継基板本体９の第２面９
ｂから突出した部分を示す突出部１３ａは、横断面の直
径（最大径）が０．８８ｍｍであり、突出高さＨは１．
７５ｍｍであり、突出高さが直径より大きい。
ール１３ｃの直径は、０．８ｍｍであり、高温ハンダボ
ール１３ｄの直径は、１．０ｍｍである。また、規制板
４５の厚さは、０．５ｍｍであり、透孔４４の直径は、
１．２ｍｍである。さらに、中継基板本体９の第２面９
ｂから突出した部分を示す突出部１３ａは、横断面の直
径（最大径）が０．８８ｍｍであり、突出高さＨは１．
７５ｍｍであり、突出高さが直径より大きい。
【００５５】ところで、工程１０が本発明の貫通孔形成
工程に対応し、工程１２がビア形成工程に対応する。ま
た、工程１４がメタライズ層形成工程に対応し、工程１
８が積層工程に対応する。さらに、工程２０が焼成工程
に対応し、工程２６ないし工程３０が第２面側接続端子
形成工程に対応する。
工程に対応し、工程１２がビア形成工程に対応する。ま
た、工程１４がメタライズ層形成工程に対応し、工程１
８が積層工程に対応する。さらに、工程２０が焼成工程
に対応し、工程２６ないし工程３０が第２面側接続端子
形成工程に対応する。
【００５６】次に、上記製造方法により製造された中継
基板１０とＬＧＡ型基板およびプリント基板との接続方
法について図５ないし図８を参照して説明する。図５
（Ａ）は、中継基板１０をプリント基板上に接続した状
態を示す断面説明図であり、同図（Ｂ）は、同図（Ａ）
に示す中継基板１０上にＬＧＡ型基板を接続するところ
を示す断面説明図である。図６は、中継基板１０を介し
てＬＧＡ型基板およびプリント基板が接続された状態を
示す断面説明図であり、図７は、図６の一部を拡大して
示す一部拡大断面説明図である。図８は、中継基板１０
およびプリント基板間に発生した応力により第２面側接
続端子１３が変形した状態を示す説明図である。なお、
図５および図６において破線で示す部分は、中継基板１
０の途中を省略した部分である。
基板１０とＬＧＡ型基板およびプリント基板との接続方
法について図５ないし図８を参照して説明する。図５
（Ａ）は、中継基板１０をプリント基板上に接続した状
態を示す断面説明図であり、同図（Ｂ）は、同図（Ａ）
に示す中継基板１０上にＬＧＡ型基板を接続するところ
を示す断面説明図である。図６は、中継基板１０を介し
てＬＧＡ型基板およびプリント基板が接続された状態を
示す断面説明図であり、図７は、図６の一部を拡大して
示す一部拡大断面説明図である。図８は、中継基板１０
およびプリント基板間に発生した応力により第２面側接
続端子１３が変形した状態を示す説明図である。なお、
図５および図６において破線で示す部分は、中継基板１
０の途中を省略した部分である。
【００５７】本第１実施形態で用いたプリント基板３０
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍのほぼ正方形状で、
ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）で形成されてお
り、上面３１には、中継基板１０の第２面側接続端子１
３と対応する位置に、面接続取付パッド３２が形成され
ている。この面接続取付パッド３２は、厚さ２５μｍの
銅（Ｃｕ）で形成されており、直径０．７２ｍｍであ
り、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横各１９個の計３
６１個形成されている。
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍのほぼ正方形状で、
ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）で形成されてお
り、上面３１には、中継基板１０の第２面側接続端子１
３と対応する位置に、面接続取付パッド３２が形成され
ている。この面接続取付パッド３２は、厚さ２５μｍの
銅（Ｃｕ）で形成されており、直径０．７２ｍｍであ
り、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横各１９個の計３
６１個形成されている。
【００５８】また、ＬＧＡ型基板２０は、アルミナセラ
ミックで形成されており、ＩＣチップを収容するための
ＩＣチップ収容部２３が形成されている。ＬＧＡ型基板
２０の下面２１には、面接続パッド２２が形成されてい
る。面接続パッド２２は、直径０．８６ｍｍであり、ピ
ッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各１９個の計３６１個
形成されている。面接続パッド２２は、下地のモリブデ
ン（Ｍｏ）層上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施されてお
り、さらに酸化防止のために薄く無電解金メッキが施さ
れている。さらに、プリント基板３０の熱膨張係数α＝
１５〜２０×１０-6であり、ＬＧＡ型基板２０および中
継基板の熱膨張係数α＝８×１０-6である。
ミックで形成されており、ＩＣチップを収容するための
ＩＣチップ収容部２３が形成されている。ＬＧＡ型基板
２０の下面２１には、面接続パッド２２が形成されてい
る。面接続パッド２２は、直径０．８６ｍｍであり、ピ
ッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横各１９個の計３６１個
形成されている。面接続パッド２２は、下地のモリブデ
ン（Ｍｏ）層上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施されてお
り、さらに酸化防止のために薄く無電解金メッキが施さ
れている。さらに、プリント基板３０の熱膨張係数α＝
１５〜２０×１０-6であり、ＬＧＡ型基板２０および中
継基板の熱膨張係数α＝８×１０-6である。
【００５９】まず、低融点ハンダペースト１０ａを第２
面側接続端子１３の突出部１３ａに、低融点ハンダペー
スト１０ｂを第１面側接続パッド１４ｄ上にそれぞれ２
５０μｍの厚さで塗布する（本発明の低融点金属層形成
工程）。次に、図５（Ａ）に示すように、中継基板１０
をプリント基板３０上に乗せる。このとき、プリント基
板３０上に形成された面接続取付面接続取付パッド３２
と第２面側接続端子１３の突出部１３ａとの位置合わせ
を行う。これにより、中継基板１０とプリント基板３０
は、低融点ハンダペースト１０ａの粘着力により仮固定
された状態になる。次に、中継基板１０の上にＬＧＡ型
基板２０を乗せる。このとき、ＬＧＡ型基板２０の下面
に形成された面接続パッド２２と第１面側接続パッド１
４ｄとの位置合わせを行う。これにより、ＬＧＡ型基板
２０と中継基板１０は、低融点ハンダペースト１０ｂの
粘着力により仮固定された状態になる。
面側接続端子１３の突出部１３ａに、低融点ハンダペー
スト１０ｂを第１面側接続パッド１４ｄ上にそれぞれ２
５０μｍの厚さで塗布する（本発明の低融点金属層形成
工程）。次に、図５（Ａ）に示すように、中継基板１０
をプリント基板３０上に乗せる。このとき、プリント基
板３０上に形成された面接続取付面接続取付パッド３２
と第２面側接続端子１３の突出部１３ａとの位置合わせ
を行う。これにより、中継基板１０とプリント基板３０
は、低融点ハンダペースト１０ａの粘着力により仮固定
された状態になる。次に、中継基板１０の上にＬＧＡ型
基板２０を乗せる。このとき、ＬＧＡ型基板２０の下面
に形成された面接続パッド２２と第１面側接続パッド１
４ｄとの位置合わせを行う。これにより、ＬＧＡ型基板
２０と中継基板１０は、低融点ハンダペースト１０ｂの
粘着力により仮固定された状態になる。
【００６０】次に、上記接続されたＬＧＡ型基板２０、
中継基板１０およびプリント基板３０をリフロー炉に投
入し、最高温度２１８゜Ｃの窒素雰囲気下（２００゜Ｃ
以上保持時間は２分）で低融点ハンダペースト１０ａ、
１０ｂをそれぞれ溶融させ、図６および図７に示すよう
に、低融点ハンダ層１０ｃ、１０ｄを形成する。これに
より、同図に示すように、面接続パッド２２は第１面側
接続パッド１４ｄと、第２面側接続端子１３の突出部１
３ａは面接続取付パッド３２とそれぞれハンダ付けされ
る。なお、本第１実施形態では低融点ハンダペースト１
０ａおよび１０ｂとして、第２面側接続端子１３を形成
する高温ハンダよりも融点の低い共晶ハンダペーストを
用いる。これにより、リフロー炉内で低融点ハンダペー
スト１０ａおよび１０ｂが溶融する際に、第２面側接続
端子１３は溶融しない。このようにして、ＬＧＡ型基板
２０およびプリント基板３０は、中継基板１０を介して
電気的に接続される。中継基板１０の下面とプリント基
板３０の上面３１との間隔Ｌ（図７参照）は、０．４４
ｍｍである。なお、低融点ハンダペースト１０ａ、１０
ｂの中には、フラックスが含まれているため、面接続パ
ッド２２および面接続取付パッド３２が金メッキ層など
により酸化防止されていなくてもよい。
中継基板１０およびプリント基板３０をリフロー炉に投
入し、最高温度２１８゜Ｃの窒素雰囲気下（２００゜Ｃ
以上保持時間は２分）で低融点ハンダペースト１０ａ、
１０ｂをそれぞれ溶融させ、図６および図７に示すよう
に、低融点ハンダ層１０ｃ、１０ｄを形成する。これに
より、同図に示すように、面接続パッド２２は第１面側
接続パッド１４ｄと、第２面側接続端子１３の突出部１
３ａは面接続取付パッド３２とそれぞれハンダ付けされ
る。なお、本第１実施形態では低融点ハンダペースト１
０ａおよび１０ｂとして、第２面側接続端子１３を形成
する高温ハンダよりも融点の低い共晶ハンダペーストを
用いる。これにより、リフロー炉内で低融点ハンダペー
スト１０ａおよび１０ｂが溶融する際に、第２面側接続
端子１３は溶融しない。このようにして、ＬＧＡ型基板
２０およびプリント基板３０は、中継基板１０を介して
電気的に接続される。中継基板１０の下面とプリント基
板３０の上面３１との間隔Ｌ（図７参照）は、０．４４
ｍｍである。なお、低融点ハンダペースト１０ａ、１０
ｂの中には、フラックスが含まれているため、面接続パ
ッド２２および面接続取付パッド３２が金メッキ層など
により酸化防止されていなくてもよい。
【００６１】そして、上記ＬＧＡ型基板２０、中継基板
１０およびプリント基板３０を有する電子機器、たとえ
ばコンピュータにおいて、電源部などから発生する熱が
ＬＧＡ型基板２０、中継基板１０およびプリント基板３
０に伝熱すると、中継基板１０およびプリント基板３０
の材質の相違に基づく熱膨張差により、両基板間に応力
が発生する。この応力は、図７に示すように、第２面側
接続端子１３の基部１３ｂと第２面側凹部１１ｂの内周
面とが接する接触部分Ｐ１，Ｐ２と、第２面側接続端子
１３の突出部１３ａと低融点ハンダ層１０ｃとの接続部
分とに発生する。しかし、突出部１３ａは、高温ハンダ
により形成されており軟質であるため、上記応力によ
り、図８に示すように容易に塑性変形し、この突出部１
３ａの塑性変形により上記応力が緩和される。したがっ
て、低融点ハンダ層１０ｃ、１０ｄが破壊されるおそれ
がない。また、ＬＧＡ型基板２０および中継基板１０
は、同じ材質であり、熱膨張差が生じないため、ＬＧＡ
型基板２０および中継基板１０間では、応力はほとんど
発生しない。このため、従来、最もクラックが発生しや
すかった低融点ハンダ層１０ｄにおいてクラックが発生
することはなく破壊されるおそれはない。
１０およびプリント基板３０を有する電子機器、たとえ
ばコンピュータにおいて、電源部などから発生する熱が
ＬＧＡ型基板２０、中継基板１０およびプリント基板３
０に伝熱すると、中継基板１０およびプリント基板３０
の材質の相違に基づく熱膨張差により、両基板間に応力
が発生する。この応力は、図７に示すように、第２面側
接続端子１３の基部１３ｂと第２面側凹部１１ｂの内周
面とが接する接触部分Ｐ１，Ｐ２と、第２面側接続端子
１３の突出部１３ａと低融点ハンダ層１０ｃとの接続部
分とに発生する。しかし、突出部１３ａは、高温ハンダ
により形成されており軟質であるため、上記応力によ
り、図８に示すように容易に塑性変形し、この突出部１
３ａの塑性変形により上記応力が緩和される。したがっ
て、低融点ハンダ層１０ｃ、１０ｄが破壊されるおそれ
がない。また、ＬＧＡ型基板２０および中継基板１０
は、同じ材質であり、熱膨張差が生じないため、ＬＧＡ
型基板２０および中継基板１０間では、応力はほとんど
発生しない。このため、従来、最もクラックが発生しや
すかった低融点ハンダ層１０ｄにおいてクラックが発生
することはなく破壊されるおそれはない。
【００６２】以上のように、本第１実施形態の中継基板
１０を用いてＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０
を電気的に接続することにより、基板間の熱膨張差によ
り発生する応力を吸収できるため、従来のようにＬＧＡ
型基板およびプリント基板の接続部分が破壊されて電気
的接続不良が発生するおそれがない。したがって、本第
１実施形態の中継基板１０およびその製造方法を用いれ
ば、ＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０間の電気
的接続の信頼性を高めることができる。また、中継基板
１０を接続する基板によって発生する応力の大きさが異
なる場合であっても、治具４０の凹部４１の深さを調整
し、第２面側接続端子１３の突出高さを変更することに
より対処できる。たとえば、応力が大きい場合は第２面
側接続端子１３の突出高さを高くし、小さい場合は、低
くする。
１０を用いてＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０
を電気的に接続することにより、基板間の熱膨張差によ
り発生する応力を吸収できるため、従来のようにＬＧＡ
型基板およびプリント基板の接続部分が破壊されて電気
的接続不良が発生するおそれがない。したがって、本第
１実施形態の中継基板１０およびその製造方法を用いれ
ば、ＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０間の電気
的接続の信頼性を高めることができる。また、中継基板
１０を接続する基板によって発生する応力の大きさが異
なる場合であっても、治具４０の凹部４１の深さを調整
し、第２面側接続端子１３の突出高さを変更することに
より対処できる。たとえば、応力が大きい場合は第２面
側接続端子１３の突出高さを高くし、小さい場合は、低
くする。
【００６３】次に、本発明第２実施形態の中継基板およ
びその製造方法について図１０および図１１を参照して
説明する。本第２実施形態の中継基板およびその製造方
法は、第１および第２の貫通孔の径が同一であることを
特徴とする。図１０（Ａ）ないし（Ｄ）は、本第２実施
形態の中継基板の製造工程を示す説明図であり、図１１
は、図１０に示す製造工程により製造された中継基板に
よりＬＧＡ型基板およびプリント基板を接続した構造体
の断面の一部を示す断面部分説明図である。
びその製造方法について図１０および図１１を参照して
説明する。本第２実施形態の中継基板およびその製造方
法は、第１および第２の貫通孔の径が同一であることを
特徴とする。図１０（Ａ）ないし（Ｄ）は、本第２実施
形態の中継基板の製造工程を示す説明図であり、図１１
は、図１０に示す製造工程により製造された中継基板に
よりＬＧＡ型基板およびプリント基板を接続した構造体
の断面の一部を示す断面部分説明図である。
【００６４】まず、第１のセラミックグリーンシート１
５および第２のセラミックグリーンシート１６を積層し
た状態でパンチング装置により第１の貫通孔１５ａおよ
び第２の貫通孔１６ａを一度に形成する。これにより、
貫通孔を形成する工程数は１つでよいため、第１実施形
態の製造方法のように、第１および第２のセラミックグ
リーンシート１１，１２に個別に貫通孔を形成する２工
程を要するものよりも工程数を１つ少なくできる。
５および第２のセラミックグリーンシート１６を積層し
た状態でパンチング装置により第１の貫通孔１５ａおよ
び第２の貫通孔１６ａを一度に形成する。これにより、
貫通孔を形成する工程数は１つでよいため、第１実施形
態の製造方法のように、第１および第２のセラミックグ
リーンシート１１，１２に個別に貫通孔を形成する２工
程を要するものよりも工程数を１つ少なくできる。
【００６５】次に、第２のセラミックグリーンシート１
６に形成された各第２の貫通孔１６ａに導電性金属１６
ｂを充填する。以降、第１実施形態の工程１４から工程
３０と同じ工程により、図１０（Ｄ）に示すように、中
継基板本体５１の第２面（下面）５１ｂから第２面側接
続端子１３が突出した中継基板５０を形成する。この場
合、図１０（Ｄ）に示すように、ビア１６ｄ、第１面側
接続パッド１４ｄおよび第２面側接続パッド１４ｃは同
じ径であり、ビアおよび接続パッド間の接触面積は、第
１実施形態の場合よりも大きくなるため、電気抵抗を小
さくすることができる。そして、そのように形成された
中継基板５０は、第１実施形態で述べた接続方法と同じ
接続方法により、図１１に示すように、ＬＧＡ型基板２
０およびプリント基板３０と接続される。
６に形成された各第２の貫通孔１６ａに導電性金属１６
ｂを充填する。以降、第１実施形態の工程１４から工程
３０と同じ工程により、図１０（Ｄ）に示すように、中
継基板本体５１の第２面（下面）５１ｂから第２面側接
続端子１３が突出した中継基板５０を形成する。この場
合、図１０（Ｄ）に示すように、ビア１６ｄ、第１面側
接続パッド１４ｄおよび第２面側接続パッド１４ｃは同
じ径であり、ビアおよび接続パッド間の接触面積は、第
１実施形態の場合よりも大きくなるため、電気抵抗を小
さくすることができる。そして、そのように形成された
中継基板５０は、第１実施形態で述べた接続方法と同じ
接続方法により、図１１に示すように、ＬＧＡ型基板２
０およびプリント基板３０と接続される。
【００６６】上記接続状態において、中継基板５０およ
びプリント基板３０間の熱膨張差により応力が発生する
と、その応力により、第２面側接続端子１３が塑性変形
するため、その塑性変形により応力が緩和される。した
がって、低融点ハンダ層１０ｃ、１０ｄが破壊されるお
それがない。また、ＬＧＡ型基板２０および中継基板５
０は、同じ材質であり、熱膨張差が生じないため、ＬＧ
Ａ型基板２０および中継基板５０間では、応力はほとん
ど発生しない。
びプリント基板３０間の熱膨張差により応力が発生する
と、その応力により、第２面側接続端子１３が塑性変形
するため、その塑性変形により応力が緩和される。した
がって、低融点ハンダ層１０ｃ、１０ｄが破壊されるお
それがない。また、ＬＧＡ型基板２０および中継基板５
０は、同じ材質であり、熱膨張差が生じないため、ＬＧ
Ａ型基板２０および中継基板５０間では、応力はほとん
ど発生しない。
【００６７】以上のように、本第２実施形態の中継基板
５０を用いてＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０
を電気的に接続することにより、基板間の熱膨張差によ
り発生する応力を緩和できるため、従来のようにＬＧＡ
型基板およびプリント基板の接続部分が破壊されて電気
的接続不良が発生するおそれがない。したがって、本第
２実施形態の中継基板５０およびその製造方法を用いれ
ば、ＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０間の電気
的接続の信頼性を高めることができる。
５０を用いてＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０
を電気的に接続することにより、基板間の熱膨張差によ
り発生する応力を緩和できるため、従来のようにＬＧＡ
型基板およびプリント基板の接続部分が破壊されて電気
的接続不良が発生するおそれがない。したがって、本第
２実施形態の中継基板５０およびその製造方法を用いれ
ば、ＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０間の電気
的接続の信頼性を高めることができる。
【００６８】次に、本発明第３実施形態の中継基板およ
びその製造方法について図１４を参照して説明する。本
第３実施形態の中継基板およびその製造方法は、第２面
側凹部の内周面が、テーパ状（円錐状）に形成されてお
り、上記第１および第２実施形態のように円柱状の凹部
を有する中継基板よりも、接続端子と内周面とが接する
部分に掛かる応力を分散させることができることを特徴
とする。図１４は、本第３実施形態の中継基板によりＬ
ＧＡ型基板およびプリント基板を接続した構造体の断面
の一部を示す断面部分説明図である。
びその製造方法について図１４を参照して説明する。本
第３実施形態の中継基板およびその製造方法は、第２面
側凹部の内周面が、テーパ状（円錐状）に形成されてお
り、上記第１および第２実施形態のように円柱状の凹部
を有する中継基板よりも、接続端子と内周面とが接する
部分に掛かる応力を分散させることができることを特徴
とする。図１４は、本第３実施形態の中継基板によりＬ
ＧＡ型基板およびプリント基板を接続した構造体の断面
の一部を示す断面部分説明図である。
【００６９】まず、中継基板本体８３を製造する（図９
の工程１０から工程２２）。この場合、第１のセラミッ
クグリーンシートには、内周面がテーパ状の第１の貫通
孔を形成する。第１の貫通孔は、たとえば、エキシマレ
ーザや金型を用いて形成する。エキシマレーザのエネル
ギー分布は、第１のセラミックグリーンシートの照射面
で最大であり、第１のセラミックグリーンシートの厚み
方向へ進むにつれて小さくなるため、第１の貫通孔の内
周面をテーパ状に形成することができる。
の工程１０から工程２２）。この場合、第１のセラミッ
クグリーンシートには、内周面がテーパ状の第１の貫通
孔を形成する。第１の貫通孔は、たとえば、エキシマレ
ーザや金型を用いて形成する。エキシマレーザのエネル
ギー分布は、第１のセラミックグリーンシートの照射面
で最大であり、第１のセラミックグリーンシートの厚み
方向へ進むにつれて小さくなるため、第１の貫通孔の内
周面をテーパ状に形成することができる。
【００７０】次に、第１実施形態で用いた治具４０（図
３参照）を用いて第２面側凹部内に第２面側接続端子８
２を形成する（図９の工程２４から工程３０）。これら
の工程により、図１４に示すように、第１の基板８１ｃ
の下面（第２面）８３ｂから第２面側接続端子８２が突
出形成された中継基板８３が完成する。第２面側接続端
子８２は、第１の基板８１ｃの下面８３ｂから突出した
柱状の突出部８２ａおよび第２面側凹部８１ｂ内に固着
された基部８２ｂを有し、基部８２ｂは、タングステン
層１７ｅ上のニッケルメッキ層により、テーパ状の第２
面側凹部８１ｂの内周面に固着されており、かつ、第２
面側接続パッド１４ｅ上のニッケルメッキ層により、第
２面側凹部８１ｂの底面に固着されている。また、第１
面側接続パッド１４ｄおよび第２面側接続パッド１４ｅ
は、第２の基板１２ｃ内に形成されたビア１２ｄにより
電気的に接続されている。そして、そのように形成され
た中継基板８０は、第１実施形態で述べた接続方法と同
じ接続方法により、図１４に示すように、ＬＧＡ型基板
２０およびプリント基板３０と接続される。
３参照）を用いて第２面側凹部内に第２面側接続端子８
２を形成する（図９の工程２４から工程３０）。これら
の工程により、図１４に示すように、第１の基板８１ｃ
の下面（第２面）８３ｂから第２面側接続端子８２が突
出形成された中継基板８３が完成する。第２面側接続端
子８２は、第１の基板８１ｃの下面８３ｂから突出した
柱状の突出部８２ａおよび第２面側凹部８１ｂ内に固着
された基部８２ｂを有し、基部８２ｂは、タングステン
層１７ｅ上のニッケルメッキ層により、テーパ状の第２
面側凹部８１ｂの内周面に固着されており、かつ、第２
面側接続パッド１４ｅ上のニッケルメッキ層により、第
２面側凹部８１ｂの底面に固着されている。また、第１
面側接続パッド１４ｄおよび第２面側接続パッド１４ｅ
は、第２の基板１２ｃ内に形成されたビア１２ｄにより
電気的に接続されている。そして、そのように形成され
た中継基板８０は、第１実施形態で述べた接続方法と同
じ接続方法により、図１４に示すように、ＬＧＡ型基板
２０およびプリント基板３０と接続される。
【００７１】上記接続状態において、中継基板本体８３
およびプリント基板３０間の熱膨張差により応力が発生
すると、その応力を吸収するように第２面側接続端子８
２が塑性変形するため、その塑性変形により応力が緩和
される。特に、第２面側凹部８１ｂの内周面は、テーパ
状に形成されているため、応力が第２面側接続端子８２
と第２面側凹部８１ｂの縁とが接する部分（角部）Ｐ６
に集中することがなく、応力をテーパ面Ｐ３の全面に分
散させることができる。
およびプリント基板３０間の熱膨張差により応力が発生
すると、その応力を吸収するように第２面側接続端子８
２が塑性変形するため、その塑性変形により応力が緩和
される。特に、第２面側凹部８１ｂの内周面は、テーパ
状に形成されているため、応力が第２面側接続端子８２
と第２面側凹部８１ｂの縁とが接する部分（角部）Ｐ６
に集中することがなく、応力をテーパ面Ｐ３の全面に分
散させることができる。
【００７２】以上のように、本第３実施形態の中継基板
８０を用いてＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０
を電気的に接続することにより、基板間の熱膨張差によ
り発生する応力を緩和できるため、従来のようにＬＧＡ
型基板およびプリント基板の接続部分が破壊されて電気
的接続不良が発生するおそれがない。特に、第２面側凹
部８１ｂの内周面は、テーパ状に形成されているため、
第１および第２実施形態の中継基板よりも、応力により
破壊され難い耐久性の高い中継基板を実現することがで
きる。したがって、本第３実施形態の中継基板およびそ
の製造方法を用いれば、ＬＧＡ型基板２０およびプリン
ト基板３０間の電気的接続の信頼性をより一層高めるこ
とができる。
８０を用いてＬＧＡ型基板２０およびプリント基板３０
を電気的に接続することにより、基板間の熱膨張差によ
り発生する応力を緩和できるため、従来のようにＬＧＡ
型基板およびプリント基板の接続部分が破壊されて電気
的接続不良が発生するおそれがない。特に、第２面側凹
部８１ｂの内周面は、テーパ状に形成されているため、
第１および第２実施形態の中継基板よりも、応力により
破壊され難い耐久性の高い中継基板を実現することがで
きる。したがって、本第３実施形態の中継基板およびそ
の製造方法を用いれば、ＬＧＡ型基板２０およびプリン
ト基板３０間の電気的接続の信頼性をより一層高めるこ
とができる。
【００７３】次に、本発明の第４実施形態の中継基板お
よびその製造方法について図１５を参照して説明する。
本第４実施形態の中継基板は、第２面側凹部の内周面を
階段状に形成したことを特徴とする。図１５は、本第４
実施形態の中継基板により、ＬＧＡ型基板およびプリン
ト基板を接続した構造体の断面の一部を示す断面部分説
明図である。
よびその製造方法について図１５を参照して説明する。
本第４実施形態の中継基板は、第２面側凹部の内周面を
階段状に形成したことを特徴とする。図１５は、本第４
実施形態の中継基板により、ＬＧＡ型基板およびプリン
ト基板を接続した構造体の断面の一部を示す断面部分説
明図である。
【００７４】図１５に示すように、本第４実施形態の中
継基板９０は、第１の基板９１ｃ、第２の基板９２ｃお
よび第３の基板１２ｃを順に積層してなる中継基板本体
９４を有する。第１の基板９１ｃに形成された貫通孔の
径は、第２の基板９２ｃに形成された貫通孔の径より大
きい。つまり、径の異なる貫通孔が形成された基板を積
層することにより、階段状の内周面を有する第２面側凹
部９１ｂが形成されている。
継基板９０は、第１の基板９１ｃ、第２の基板９２ｃお
よび第３の基板１２ｃを順に積層してなる中継基板本体
９４を有する。第１の基板９１ｃに形成された貫通孔の
径は、第２の基板９２ｃに形成された貫通孔の径より大
きい。つまり、径の異なる貫通孔が形成された基板を積
層することにより、階段状の内周面を有する第２面側凹
部９１ｂが形成されている。
【００７５】そして、第１の基板９１ｃおよび第２の基
板９２ｃの内部に形成された第２面側凹部９１ｂ内に
は、第２面側接続端子９３が形成されている。第２面側
接続端子９３は、第１の基板９１ｃの下面（第１面）９
４ｂから突出した突出部９３ａを有し、その基部９３ｂ
は、タングステン層１７ｇ上のニッケルメッキ層によ
り、第２面側凹部９１ｂの内周面に固着されており、か
つ、第２面側接続パッド１４ｇ上のニッケルメッキ層に
より第２面側凹部９１ｂの底面に固着されている。
板９２ｃの内部に形成された第２面側凹部９１ｂ内に
は、第２面側接続端子９３が形成されている。第２面側
接続端子９３は、第１の基板９１ｃの下面（第１面）９
４ｂから突出した突出部９３ａを有し、その基部９３ｂ
は、タングステン層１７ｇ上のニッケルメッキ層によ
り、第２面側凹部９１ｂの内周面に固着されており、か
つ、第２面側接続パッド１４ｇ上のニッケルメッキ層に
より第２面側凹部９１ｂの底面に固着されている。
【００７６】そして、中継基板本体９４およびプリント
基板３０間の熱膨張差により応力が発生すると、その応
力を吸収するように第２面側接続端子９３が塑性変形す
るため、その塑性変形により応力が緩和される。特に、
第２面側凹部９１ｂの内周面は、階段状に形成されてい
るため、応力を内周面の角部Ｐ４およびＰ５の２点に分
散させることができる。したがって、本第４実施形態の
中継基板９０を用いれば、第１および第２実施形態の中
継基板のように、応力がＰ１の１点に集中し易いものよ
りも、破壊され難く耐久性の高い中継基板を実現するこ
とができる。
基板３０間の熱膨張差により応力が発生すると、その応
力を吸収するように第２面側接続端子９３が塑性変形す
るため、その塑性変形により応力が緩和される。特に、
第２面側凹部９１ｂの内周面は、階段状に形成されてい
るため、応力を内周面の角部Ｐ４およびＰ５の２点に分
散させることができる。したがって、本第４実施形態の
中継基板９０を用いれば、第１および第２実施形態の中
継基板のように、応力がＰ１の１点に集中し易いものよ
りも、破壊され難く耐久性の高い中継基板を実現するこ
とができる。
【００７７】ところで、上記第１実施形態では、第２面
側接続端子１３を形成するための第２面側接続端子形成
工程において、図３および図４に示す治具４０を用いた
が、図１２に示す治具６０を用いることもできる。この
治具６０は、第２面側接続端子１３の突出部１３ａの径
に対応する径であるとともに、溶融した金属に濡れない
内面を有する貫通孔６１を第２面側凹部１１ｂに対応す
る位置にそれぞれ有する。そして、この治具６０を用い
る場合は、図１２に示すように、中継基板本体９を第２
面側凹部１１ｂの開口側を上に向けた状態に配置し、各
第２面側凹部１１ｂと貫通孔６１とを対応させて治具６
０を中継基板本体９の上方に配置する（治具配置工
程）。
側接続端子１３を形成するための第２面側接続端子形成
工程において、図３および図４に示す治具４０を用いた
が、図１２に示す治具６０を用いることもできる。この
治具６０は、第２面側接続端子１３の突出部１３ａの径
に対応する径であるとともに、溶融した金属に濡れない
内面を有する貫通孔６１を第２面側凹部１１ｂに対応す
る位置にそれぞれ有する。そして、この治具６０を用い
る場合は、図１２に示すように、中継基板本体９を第２
面側凹部１１ｂの開口側を上に向けた状態に配置し、各
第２面側凹部１１ｂと貫通孔６１とを対応させて治具６
０を中継基板本体９の上方に配置する（治具配置工
程）。
【００７８】次に、各貫通孔６１の上方から、高温ハン
ダボール１３ｅを２ないし３個投入し（金属材料収容工
程）、リフロー炉において高温ハンダボール１３ｅを加
熱溶融し、その溶融金属を貫通孔６１および第２面側凹
部１１ｂ内に保持しつつ冷却し、凝固させて第２面側接
続端子１３を成形する（成形工程）。この方法により形
成された第２面側接続端子１３を有する中継基板も上記
各実施形態における中継基板と同様に、ＬＧＡ型基板２
０およびプリント基板３０間に接続され、発生する応力
を第２面側接続端子の塑性変形により緩和できる。な
お、上記第２ないし第４実施形態の第２面側接続端子
も、上記治具６０を用いた方法により製造することがで
きる。
ダボール１３ｅを２ないし３個投入し（金属材料収容工
程）、リフロー炉において高温ハンダボール１３ｅを加
熱溶融し、その溶融金属を貫通孔６１および第２面側凹
部１１ｂ内に保持しつつ冷却し、凝固させて第２面側接
続端子１３を成形する（成形工程）。この方法により形
成された第２面側接続端子１３を有する中継基板も上記
各実施形態における中継基板と同様に、ＬＧＡ型基板２
０およびプリント基板３０間に接続され、発生する応力
を第２面側接続端子の塑性変形により緩和できる。な
お、上記第２ないし第４実施形態の第２面側接続端子
も、上記治具６０を用いた方法により製造することがで
きる。
【００７９】なお、第２面側接続端子の先端は、通常、
溶融したハンダの表面張力により半球状に形成される
が、平坦面に形成してもよい。これにより、第２面側接
続端子の先端と面接続取付パッドとの接触面積を大きく
することができるため、第２面側接続端子の先端と面接
続取付パッドとの粘着力を増大させることができる。し
たがって、中継基板を所定箇所に置く際に衝撃が発生し
たり、中継基板を移動する際や中継基板がハンダリフロ
ー炉内を移動する際に振動が発生したりする場合に、第
２面側接続端子の先端と面接続取付パッドとの間で横ず
れが生じにくいため、中継基板と基板あるいは取付基板
とを確実に接続させることができる。また、第２面側接
続端子の先端を平坦面に形成する方法としては、第２面
側接続端子の頂部を研磨して除去する方法、第２面側接
続端子の頂部をプレス加工する方法などがある。
溶融したハンダの表面張力により半球状に形成される
が、平坦面に形成してもよい。これにより、第２面側接
続端子の先端と面接続取付パッドとの接触面積を大きく
することができるため、第２面側接続端子の先端と面接
続取付パッドとの粘着力を増大させることができる。し
たがって、中継基板を所定箇所に置く際に衝撃が発生し
たり、中継基板を移動する際や中継基板がハンダリフロ
ー炉内を移動する際に振動が発生したりする場合に、第
２面側接続端子の先端と面接続取付パッドとの間で横ず
れが生じにくいため、中継基板と基板あるいは取付基板
とを確実に接続させることができる。また、第２面側接
続端子の先端を平坦面に形成する方法としては、第２面
側接続端子の頂部を研磨して除去する方法、第２面側接
続端子の頂部をプレス加工する方法などがある。
【００８０】ところで、上記各実施形態では、本発明の
中継基板およびその製造方法としてＩＣチップ搭載基板
およびプリント基板間を電気的に接続する場合に用いる
ものを代表に説明したが、その他の電気回路を有する基
板間を電気的に接続するものにも適用することができ
る。また、ビアを構成する第２のセラミックグリーンシ
ートを２枚以上のセラミックグリーンシートで構成し、
各セラミックグリーンシートそれぞれに貫通孔を形成
し、それら貫通孔のそれぞれにビアを形成して積層する
こともできる。さらに、第２面側凹部を形成する第１の
セラミックグリーンシートも貫通孔が形成された２枚以
上のセラミックグリーンシートを積層した構成にするこ
ともできる。
中継基板およびその製造方法としてＩＣチップ搭載基板
およびプリント基板間を電気的に接続する場合に用いる
ものを代表に説明したが、その他の電気回路を有する基
板間を電気的に接続するものにも適用することができ
る。また、ビアを構成する第２のセラミックグリーンシ
ートを２枚以上のセラミックグリーンシートで構成し、
各セラミックグリーンシートそれぞれに貫通孔を形成
し、それら貫通孔のそれぞれにビアを形成して積層する
こともできる。さらに、第２面側凹部を形成する第１の
セラミックグリーンシートも貫通孔が形成された２枚以
上のセラミックグリーンシートを積層した構成にするこ
ともできる。
【００８１】さらに、ビアを形成する金属としては、タ
ングステンおよびモリブデン以外の導電性金属、たとえ
ばハンダ材料を用いることもできる。また、上記各実施
形態における第２面側接続端子のように、その基部を第
２面側凹部内に固着した形ではなく、中継基板本体の第
２面上に基部を固着する構成にすることもできる。この
場合、第２面側接続端子の基部は、中継基板本体の貫通
孔内に充填されたビアおよびパッドを介して接続され、
この構成によっても、第２面側接続端子の塑性変形によ
り応力を緩和できる。
ングステンおよびモリブデン以外の導電性金属、たとえ
ばハンダ材料を用いることもできる。また、上記各実施
形態における第２面側接続端子のように、その基部を第
２面側凹部内に固着した形ではなく、中継基板本体の第
２面上に基部を固着する構成にすることもできる。この
場合、第２面側接続端子の基部は、中継基板本体の貫通
孔内に充填されたビアおよびパッドを介して接続され、
この構成によっても、第２面側接続端子の塑性変形によ
り応力を緩和できる。
【００８２】上記各実施形態では、中継基板本体の材質
として、アルミナセラミックスを使用した例を示した
が、これに限定されることはなく、窒化アルミ、窒化珪
素、炭化珪素、ムライトその他の材料により形成される
セラミックスを用いることもできる。特に、中継基板本
体には、比較的高い応力が掛かるので、破壊強度や靱性
の高いものを適宜選択すると良い。また、第１の基板や
第２の基板の材質によっては、ガラスエポキシやＢＴレ
ジンなどの合成樹脂系材料を用いても良い。特に、第１
の基板および第２の基板が樹脂製である場合には、中継
基板本体も樹脂製にすることが好ましい。また、その際
には、中継基板本体の材質を第１の基板、または、第２
の基板のいずれか一方と同じ材質にするか、第１の基板
および第２の基板の中間の熱膨張係数を有する材質にす
ることが好ましい。
として、アルミナセラミックスを使用した例を示した
が、これに限定されることはなく、窒化アルミ、窒化珪
素、炭化珪素、ムライトその他の材料により形成される
セラミックスを用いることもできる。特に、中継基板本
体には、比較的高い応力が掛かるので、破壊強度や靱性
の高いものを適宜選択すると良い。また、第１の基板や
第２の基板の材質によっては、ガラスエポキシやＢＴレ
ジンなどの合成樹脂系材料を用いても良い。特に、第１
の基板および第２の基板が樹脂製である場合には、中継
基板本体も樹脂製にすることが好ましい。また、その際
には、中継基板本体の材質を第１の基板、または、第２
の基板のいずれか一方と同じ材質にするか、第１の基板
および第２の基板の中間の熱膨張係数を有する材質にす
ることが好ましい。
【００８３】また、上記各実施形態では、治具４０およ
び治具６０を形成する材料の一例として、カーボンを示
したが、使用する溶融金属に対して濡れ性のないもので
あれば良く、アルミナ、窒化ホウ素、窒化珪素などのセ
ラミックスや、ステンレス、チタンなどの金属であって
も良い。特に、規制板４５は、板状体であるため、ステ
ンレスなどの金属を用いると、割れなどが生じにくく好
ましい。また、エッチングにより透孔４４を高精度かつ
容易に形成できる点でも好ましい。一方、熱膨張係数を
小さくしたり、熱による反りなどを防止するには、セラ
ミックスを用いるのが好ましい。さらに、上記各実施形
態では、治具４０、または、治具６０内に収容された高
温ハンダボールを溶融して第２面側接続端子を形成する
手法を採用したが、治具内に溶融金属を流し込んで第２
面側接続端子を形成する手法を採用することもできる。
び治具６０を形成する材料の一例として、カーボンを示
したが、使用する溶融金属に対して濡れ性のないもので
あれば良く、アルミナ、窒化ホウ素、窒化珪素などのセ
ラミックスや、ステンレス、チタンなどの金属であって
も良い。特に、規制板４５は、板状体であるため、ステ
ンレスなどの金属を用いると、割れなどが生じにくく好
ましい。また、エッチングにより透孔４４を高精度かつ
容易に形成できる点でも好ましい。一方、熱膨張係数を
小さくしたり、熱による反りなどを防止するには、セラ
ミックスを用いるのが好ましい。さらに、上記各実施形
態では、治具４０、または、治具６０内に収容された高
温ハンダボールを溶融して第２面側接続端子を形成する
手法を採用したが、治具内に溶融金属を流し込んで第２
面側接続端子を形成する手法を採用することもできる。
【００８４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、面接続
パッドが設けられた基板面を有する第１の基板（ＩＣチ
ップ搭載基板）と、面接続取付パッドが設けられた基板
面を有するとともに第１の基板の熱膨張係数とは異なる
熱膨張係数を有する第２の基板（プリント基板）との電
気的接続の信頼性を高めることができる中継基板および
その製造方法を実現することができる。
パッドが設けられた基板面を有する第１の基板（ＩＣチ
ップ搭載基板）と、面接続取付パッドが設けられた基板
面を有するとともに第１の基板の熱膨張係数とは異なる
熱膨張係数を有する第２の基板（プリント基板）との電
気的接続の信頼性を高めることができる中継基板および
その製造方法を実現することができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明第１実施形態の中継
基板の製造方法の各工程を示す断面説明図である。
基板の製造方法の各工程を示す断面説明図である。
【図２】（Ａ）は、ビアを形成するための導電性金属を
第２の貫通孔内に充填する手法を示す説明図であり、
（Ｂ）〜（Ｄ）は、第１の貫通孔の内周面にタングステ
ン層を形成する手法を示す説明図である。
第２の貫通孔内に充填する手法を示す説明図であり、
（Ｂ）〜（Ｄ）は、第１の貫通孔の内周面にタングステ
ン層を形成する手法を示す説明図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、治具を用いて第２面側
接続端子を形成する手法を示す断面説明図である。
接続端子を形成する手法を示す断面説明図である。
【図４】治具の凹部内に第２面側接続端子が形成された
状態を示す断面説明図である。
状態を示す断面説明図である。
【図５】（Ａ）は中継基板をプリント基板上に接続した
状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す中
継基板上にＬＧＡ型基板を接続するところを示す断面説
明図である。
状態を示す断面説明図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す中
継基板上にＬＧＡ型基板を接続するところを示す断面説
明図である。
【図６】中継基板を介してＬＧＡ型基板およびプリント
基板が接続された状態を示す断面説明図である。
基板が接続された状態を示す断面説明図である。
【図７】図６の一部を拡大して示す一部拡大断面説明図
である。
である。
【図８】中継基板およびプリント基板間に発生した応力
により第２面側接続端子が塑性変形した状態を示す説明
図である。
により第２面側接続端子が塑性変形した状態を示す説明
図である。
【図９】本発明第１実施形態の中継基板の製造工程を示
す工程図である。
す工程図である。
【図１０】（Ａ）ないし（Ｄ）は、本発明第２実施形態
の中継基板の製造方法の各工程を示す断面説明図であ
る。
の中継基板の製造方法の各工程を示す断面説明図であ
る。
【図１１】図１０に示す製造工程により製造された中継
基板によりＬＧＡ型基板およびプリント基板を接続した
構造体の断面の一部を示す断面部分説明図である。
基板によりＬＧＡ型基板およびプリント基板を接続した
構造体の断面の一部を示す断面部分説明図である。
【図１２】第２面側接続端子を形成する他の手法を示す
断面説明図である。
断面説明図である。
【図１３】プリント基板に接続されたＢＧＡ型基板を示
す断面部分説明図である。
す断面部分説明図である。
【図１４】本発明第３実施形態の中継基板を介してＬＧ
Ａ型基板およびプリント基板が接続された状態を示す断
面説明図である。
Ａ型基板およびプリント基板が接続された状態を示す断
面説明図である。
【図１５】本発明第４実施形態の中継基板を介してＬＧ
Ａ型基板およびプリント基板が接続された状態を示す断
面説明図である。
Ａ型基板およびプリント基板が接続された状態を示す断
面説明図である。
９ 中継基板本体 ９ａ 第１面 ９ｂ 第２面 １０ｃ，１０ｄ 低融点ハンダ層 １０ 中継基板 １１ 第１のセラミックグリーンシート １１ａ 第１の貫通孔 １１ｂ 第２面側凹部 １２ 第２のセラミックグリーンシート １２ａ 第２の貫通孔 １１ｃ 第１の基板 １２ｃ 第２の基板 １２ｄ ビア １３ 第２面側接続端子 １３ａ 突出部 １３ｂ 基部 １３ｃ 高温ハンダボール（金属材料） １４ｃ 第２面側接続パッド １４ｄ 第１面側接続パッド ２０ ＬＧＡ型基板（第１の基板） ３０ プリント基板（第２の基板） ４０，６０ 治具 ４１ 凹部 ４５ 規制板 ６１ 貫通孔
Claims (15)
- 【請求項１】 面接続パッドが設けられた基板面を有す
る第１の基板と、面接続取付パッドが設けられた基板面
を有するとともに前記第１の基板の熱膨張係数とは異な
る熱膨張係数を有する第２の基板との間に介在され、前
記面接続パッドと前記面接続取付パッドとを電気的に接
続する中継基板であって、 第１面および第２面を有する略板形状をなしており、電
気絶縁材料からなる中継基板本体と、 前記第２面側に前記第１面側に向けて形成された第２面
側凹部と、 前記第２面側凹部の底面および内周面と固着されてお
り、かつ、先端部を前記第２面から突出させて形成され
るとともに、前記面接続取付パッドと電気的に接続され
る第２面側接続端子と、 前記中継基板本体の内部に形成されており、前記第２面
側接続端子と前記面接続パッドとを電気的に接続するビ
アと、 を有することを特徴とする中継基板。 - 【請求項２】 前記第２面側凹部の内周面は、テーパ状
に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の中
継基板。 - 【請求項３】 前記第２面側凹部の内周面は、階段状に
形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の中継
基板。 - 【請求項４】 前記第２面側凹部の底面に形成されてお
り、前記第２面側接続端子と前記ビアとを電気的に接続
する第２面側接続パッドと、 前記第１面側に形成されており、前記ビアと前記面接続
パッドとを電気的に接続する第１面側接続パッドと、 を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のい
ずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項５】 前記第２面側接続端子の突出した部分
は、突出した高さがその突出した部分の最大径よりも大
きい柱状に形成されてなることを特徴とする請求項１な
いし請求項４のいずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項６】 前記第２面側接続端子は、軟質金属によ
り形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求
項５のいずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項７】 前記第１面側接続パッドの上面および前
記第２面側接続端子の先端には、それぞれ前記第２面側
接続端子の融点よりも低い融点を有する金属により低融
点金属層が形成されていることを特徴とする請求項４な
いし請求項６のいずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項８】 前記中継基板本体は、前記第１の基板と
略同一の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１
ないし請求項７のいずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項９】 前記第１の基板は、セラミックス材料か
らなり、 前記中継基板本体は、前記第１の基板と略同一のセラミ
ックス材料からなることを特徴とする請求項１ないし請
求項８のいずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項１０】 前記ビアの径は、前記第２面側凹部の
径よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし請求項
９のいずれか１つに記載の中継基板。 - 【請求項１１】 請求項１ないし請求項１０のいずれか
１つに記載の中継基板の製造方法であって、 第１のセラミックグリーンシートに第１の貫通孔を形成
し、その第１のセラミックグリーンシートと積層する第
２のセラミックグリーンシートの前記第１の貫通孔に対
応する部位に第２の貫通孔を形成する貫通孔形成工程
と、 前記第２のセラミックグリーンシートの第２の貫通孔の
内部に前記ビアを形成するビア形成工程と、 前記第１の貫通孔内にメタライズ層を形成するメタライ
ズ層形成工程と、 前記ビア形成工程を経た前記第２のセラミックグリーン
シートと前記貫通孔形成工程を経た第１のセラミックグ
リーンシートとを前記ビアおよび第１の貫通孔を対応さ
せて、かつ、前記第１の貫通孔の一端が前記第２のセラ
ミックグリーンシートにより閉塞されて前記第２面側凹
部が形成される状態に積層する積層工程と、 この積層工程を経た前記第１および第２のセラミックグ
リーンシートを焼成一体化して前記中継基板本体を形成
する焼成工程と、 この焼成工程を経た前記中継基板本体の前記第２面側凹
部の内部に前記第２面側接続端子を形成する第２面側接
続端子形成工程と、 を有することを特徴とする中継基板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ビア形成工程を経た前記第２のセ
ラミックグリーンシートに前記第１面側接続パッドおよ
び第２面側接続パッドを形成する接続パッド形成工程を
有することを特徴とする請求項１１に記載の中継基板の
製造方法。 - 【請求項１３】 前記第２面側接続端子形成工程は、 前記第２面側接続端子の突出した部分の形状に対応する
形状であるとともに、溶融した金属に濡れない内面を有
する凹部を前記第２面側凹部に対応する位置に有する治
具を用い、その治具の前記凹部に前記第２面側接続端子
を形成するための金属材料を収容する金属材料収容工程
と、 この金属材料収容工程を経た前記治具を、前記凹部が前
記焼成工程により形成された中継基板本体の第２面側凹
部の下方に位置する状態に配置する治具配置工程と、 この治具配置工程を経た前記治具の各凹部内に収容され
た金属材料を溶融させ、この溶融された溶融金属を前記
凹部および第２面側凹部内に保持しつつ冷却し、凝固さ
せて前記第２面側接続端子を成形する成形工程と、 を有することを特徴とする請求項１１または請求項１２
に記載の中継基板の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第２面側接続端子形成工程は、 前記第２面側接続端子の突出した部分の径に対応する径
であるとともに、溶融した金属に濡れない内面を有する
貫通孔を前記第２面側凹部に対応する位置にそれぞれ有
する治具を、前記焼成工程により形成され、前記第２面
側凹部の開口側を上に向けた状態の前記中継基板本体の
第２面側凹部の上方に前記貫通孔が位置する状態に配置
する治具配置工程と、 この治具配置工程を経た前記治具の貫通孔に前記第２面
側接続端子を形成するための金属材料を収容する金属材
料収容工程と、 この金属材料収容工程を経た前記治具の貫通孔に収容さ
れた金属材料を溶融させ、この溶融された溶融金属を前
記貫通孔および第２面側凹部内に保持しつつ冷却し、凝
固させて前記第２面側接続端子を成形する成形工程と、 を有することを特徴とする請求項１１または請求項１２
に記載の中継基板の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第２面側接続端子形成工程を経た
前記第１面側接続パッドの上面および前記第２面側接続
端子の先端に、それぞれ前記第２面側接続端子の融点よ
りも低い融点を有する金属により低融点金属層を形成す
る低融点金属層形成工程を有することを特徴とする請求
項１１ないし請求項１４のいずれか１つに記載の中継基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29495697A JP3756300B2 (ja) | 1997-08-20 | 1997-10-13 | 中継基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-238963 | 1997-08-20 | ||
| JP23896397 | 1997-08-20 | ||
| JP29495697A JP3756300B2 (ja) | 1997-08-20 | 1997-10-13 | 中継基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126954A true JPH11126954A (ja) | 1999-05-11 |
| JP3756300B2 JP3756300B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=26534008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29495697A Expired - Fee Related JP3756300B2 (ja) | 1997-08-20 | 1997-10-13 | 中継基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3756300B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347648A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層電子部品及びその製造方法 |
| JP2009239100A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Koa Corp | 積層セラミックス基板およびその製造方法 |
| JP2011044527A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP29495697A patent/JP3756300B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347648A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層電子部品及びその製造方法 |
| JP2009239100A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Koa Corp | 積層セラミックス基板およびその製造方法 |
| JP2011044527A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3756300B2 (ja) | 2006-03-15 |
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