JPH11131212A - 枚葉式スパッタ装置、枚葉式スパッタ方法及びスパッタ膜 - Google Patents

枚葉式スパッタ装置、枚葉式スパッタ方法及びスパッタ膜

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JPH11131212A
JPH11131212A JP29508697A JP29508697A JPH11131212A JP H11131212 A JPH11131212 A JP H11131212A JP 29508697 A JP29508697 A JP 29508697A JP 29508697 A JP29508697 A JP 29508697A JP H11131212 A JPH11131212 A JP H11131212A
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JP
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chamber
mask
sputtering
metal
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Mitsuharu Sawamura
光治 沢村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板支持台3の入れ替えなく成膜パターン
(マスクパターン)の変更に対応できるようにし、もっ
て成膜パターンの変更に伴うタクトタイムの低下を防止
する。 【解決手段】 基板支持台3には、基板を介してメタル
マスクを吸着する磁石4が設けられた枚葉式スパッタ装
置において、基板支持台3の磁石4を、マスクパターン
が異なる複数種類のメタルマスクの非開口部の総てに対
応する領域に沿った配列で設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶基板、
半導体基板、光又は磁気記録基板等の製造時の成膜に用
いられる枚葉式スパッタ装置、枚葉式スパッタ方法、こ
れらによって形成されたスパッタ膜に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、カラー液晶ディスプレイの応用分
野の拡大やこれらの市場の拡大と共に、ブラックマトリ
クス(BM)用、メタル電極用、絶縁膜用、透明電極用
等の各種のスパッタ成膜装置が開発されている。これら
のスパッタ装置は、基板の大型化と共に、生産性に優れ
るインライン式の装置が主流となっている。このインラ
イン式の装置にもいくつかの欠点はあるが、多面取りの
大型基板の特定領域に成膜を施す場合、必然的にトレイ
を用いることになるため、マスクの位置決め、脱着、搬
送が容易であるという特徴を有する。
【0003】一方、近年、半導体基板等の小型基板への
成膜やドライエッチングで用いられてきた枚葉式スパッ
タ装置が、そのいくつかのインライン式の装置にはない
利点のために、大型の基板へのスパッタ成膜に用いられ
るようになっきている。
【0004】更に、TFT液晶パネルのカラーフィルタ
ー基板のITO膜の形成は、マスク成膜程度の形状制度
で十分であるため、従来その取り扱いやすさからインラ
イン式の装置よるものが主流であったが、枚葉式スパッ
タ装置による例も見られるようなってきている。
【0005】従来、枚葉式スパッタ装置でマスク成膜を
行う場合、メタルマスクの非開口部に対応した領域に磁
石を埋設した基板支持台(サセプター)をスパッタ室に
設け、メタルマスクを仮止めした基板をこの基板支持台
に保持させると共に、基板を介して磁石でメタルマスク
を吸着して、メタルマスクを基板へ密着させることが行
われている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
式では一種類の成膜パターンしか処理できない問題があ
る。つまり、磁石配列と異なるマスクパターンの場合、
メタルマスクの非開口部の位置と磁石の埋設位置との間
にずれを生じ、メタルマスクの一部に浮きを生じて、ス
パッタ膜がメタルマスクの非開口部のまで入り込んで形
成されてしまうことを生じる。
【0007】このため、成膜パターンが基板サイズの変
更等によって異なる場合、これに合わせた新たな磁石配
列の基板支持台を用意する必要がある。特に枚葉式スパ
ッタ装置において、異なる成膜パターンの基板を作成す
るためには、通常複数設けられているスパッタ室を、各
成膜パターン毎の専用のスパッタ室として割り当て、夫
々に当該成膜パターン(マスクパターン)に合わせた磁
石配列の基板支持台を設けておく必要がある。
【0008】しかしながら、上記のような専用スパッタ
室とすると、成膜パターンに応じて基板を搬入するスパ
ッタ室を選択しなければならないことから、成膜パター
ン毎に分けて外部カセットを管理する等、余分な手間が
かかる問題がある。また、一種類の成膜パターンの基板
を所定枚数処理している間、他のスパッタ室は休止状態
となるため、タクトタイムの低下を招く問題もある。同
じ成膜パターンの基板毎にまとめて処理するために、成
膜パターンの変更の都度各スパッタ室の基板支持台を入
れ替え、複数のスパッタ室総てを利用して処理すること
でタクトタイムを稼ぐことも考えられる。しかし、基板
支持台の交換の頻度によっては却って稼働率の低下を招
き、また膜中へのゴミ混入の危険が増大する。
【0009】本発明は、このような枚葉式スパッタにお
ける問題点に鑑みてなされたもので、基板支持台の入れ
替えなく成膜パターン(マスクパターン)の変更に対応
できるようにし、もって成膜パターンの変更に伴うタク
トタイムの低下を防止することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、メタルマスク
を仮止めした基板を搬入室から加熱室及びスパッタ室を
経て搬出室へと搬送する搬送手段と、スパッタ室内に設
けられていて、加熱室からスパッタ室に搬送されてきた
基板を保持する基板支持台とを有し、しかも基板支持台
には、基板を介してメタルマスクを吸着する磁石が設け
られた枚葉式スパッタ装置において、基板支持台の磁石
が、マスクパターンが異なる複数種類のメタルマスクの
非開口部の総てに対応する領域に沿った配列で設けられ
ていることを特徴とする枚葉式スパッタ装置を提供する
ものである。
【0011】また、本発明は、メタルマスクを仮止めし
た基板を、搬入室から加熱室に搬送して加熱した後スパ
ッタ室へ搬送し、スパッタ室で基板を基板支持台に保持
すると共に基板支持台に設けられた磁石でメタルマスク
を吸着して基板面に密着させてスパッタによるマスク成
膜を施した後、搬出室へと搬送する枚葉式スパッタ方法
において、基板支持台に、マスクパターンが異なる複数
種類のメタルマスクの非開口部の総てに対応する領域に
沿った配列で磁石を設けておき、同じスパッタ室で基板
支持台を変えることなく、この複数種類のメタルマスク
によるマスク成膜を行うことを特徴とする枚葉式スパッ
タ方法を提供するものである。
【0012】更に本発明は、上記枚葉式スパッタ装置及
び枚葉式スパッタ方法により形成されたスパッタ膜を提
供するものでもある。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る枚葉式スパッ
タ装置の室構成の一例を示す模式図、図2ははメタルマ
スク2を仮止めした基板1を基板支持台3に保持させた
状態の模式図、図3は基板支持台3の磁石4の配列例を
示す概略図、図4は基板1に仮止めされるメタルマスク
2の例を示す概略図である。
【0014】図1において、5a,5bは搬入搬出室、
6はメタルマスク2を仮止めした基板1(図2参照)を
加熱するためのホットプレート(図示されていない)が
設けられた加熱室、7a〜7cは基板支持台3(図2参
照)が設けられ、スパッタによるマスク成膜を施すため
のスパッタ室、8は搬送用ロボット等の搬送手段(図示
されていない)が設けられた搬送室である。搬入搬出室
5a,及び5bと搬送室8との間、搬送室8と加熱室6
及びスパッタ室7a〜7cとの間は夫々ゲートバルブ
(図示されていない)で仕切られており、夫々独立に排
気、運転できるようになっている。
【0015】図1において、9a,9bは外部カセット
で、搬入搬出室5a側の外部カセット9aにはメタルマ
スク2が仮止めされた複数枚の基板1が収納されてい
る。この外部カセット9aに収納された基板1は、搬送
室8との間が遮断された状態で外部に開放される搬入搬
出室5aに搬入される。基板1が搬入された搬入搬出室
5a内は、外部との間を遮断した後、排気される。
【0016】上記搬入搬出室5a内の排気完了後、搬送
手段により、搬入搬出室5aの基板1が搬送室8を介し
て加熱室6へと搬送され、加熱室6内のホットプレート
によって基板1の加熱が行われる。この時、基板1とメ
タルマスク2の熱膨張差による基板1の損傷を防止する
ため、メタルマスク2の仮止めは、通常、基板1の短辺
側の2点程度で行われているものである。
【0017】加熱室6で加熱された基板1は、搬送手段
により、搬送室8を介してスパッタ室7a〜7cのいず
れかに搬入される。各スパッタ室7a〜7cには夫々基
板支持台3が設けられており、スパッタ室7a〜7cに
水平搬送されてきた基板1は基板支持台3に保持され、
その後基板支持台3がほぼ直立して、サイドスパッタに
よるマスク成膜が施されるものである。また、基板支持
台1の下側からヒーターによる加熱が行われ、基板1の
冷却を防止できるようになっている。
【0018】基板支持台3の基板保持位置には、図3に
示されるように、磁石4が所定の配列で埋設されている
ものである。本例における磁石4の配列は、図4及び図
5に示されるマスクパターンの2種類のメタルマスク2
を対象としたもので、両メタルマスク2の非開口部2a
に対応する領域に沿った配列となっている。即ち、両メ
タルマスク2を重ねた時に、両メタルマスク2の開口部
2bが重なる領域以外の領域に沿った配列となってい
る。尚、図4及び図5に示されるメタルマスク2の開口
部2bにおける詳細形状は省略してあり、図3に示され
る磁石4の配列もこの省略形状に合わせたものとなって
いる。
【0019】上記のように、基板支持台3に埋設されて
いる磁石4は、図4のメタルマスク2の非開口部2b
と、図5に示されるメタルマスク2の非開口部2bの両
者総てに対応する位置に設けられている。従って、基板
支持台3に保持された基板1のメタルマスク2のマスク
パターンが図4と図5のいずれのものであっても、メタ
ルマスク2の非開口部2b全体を基板1を介して吸着で
き、浮きを生じさせることなくしっかり基板1の表面に
密着させることができる。この配列の磁石4を有する基
板支持台3を総てのスパッタ室7a〜7cに設けておけ
ば、基板1が図4と図5のいずれのメタルマスク2を有
するものであるかに拘らず、いずれのスパッタ室7a〜
7bでも回り込みのないマスク成膜を行うことができ
る。
【0020】更に具体的に説明すると、図4のメタルマ
スク2は、360×465mmの基板1から10.4イ
ンチ4面取りを行うためのもので、図5のメタルマスク
2は、同じ大きさの基板1から12.1インチ2面取り
を行うためのものである。そして、図3に示される磁石
4の配列は、同じ基板支持台3でこの2面取りと4面取
りを行えるようにするものである。
【0021】メタルマスク2は、磁性体で構成されてい
るもので、通常、厚み0.2mm程度のFe−Ni合金
の板材をエッチングしてマスクパターンを形成したもの
が使用される。基板1は非磁性体で、通常、ガラス板が
使用される。また、磁石4としては、耐熱性のあるSm
−Co系のものが好ましい。
【0022】上記のようにして、スパッタ室7a〜7c
でスパッタによるマスク成膜が施された基板1は、搬送
手段により、搬送室8を介して搬入搬出室5aへ搬送さ
れ、その後取り出されることになる。
【0023】上記の例においては、3つのスパッタ室7
a〜7cを有するものとなっているが、1つのスパッタ
室7aのみでも、上述の配列の磁石4が設けられた基板
支持台3を設けておくことにより、成膜パターン変更に
伴うタクトタイムの低下を防止することができる。但
し、上述したように、複数のスパッタ室7a,7b,…
に対して上述の配列の磁石4が設けられた基板支持台3
を設けておくと、より効果的である。
【0024】上記の例においては、マスクパターンが相
違する2種類のメタルマスク2を用いているが、メタル
マスク2の種類が3種類以上であっても、これら3種類
以上の非開口部2bの総てに対応する領域に沿った配列
で磁石4を設けておくことで、同様の利益を得ることが
できる。
【0025】搬入搬出室5a,5bは、通常、5aから
搬入された基板は5aに戻り、5bから搬入された基板
は5bに戻る構成となっており、例えば、5aからの基
板を成膜中に、5bでは前カセットの基板の搬出、新カ
セットの基板の搬入を行う。
【0026】図6は磁石4の配列の他の例を示すもの
で、12.1インチ2面取りと15インチ1面取りの両
メタルマスク2の非開口部2bの両者総てに対応する位
置に磁石4を設けたものとなっている。
【0027】尚、基板支持台3の磁石4の配列は、処理
する成膜パターンの種類に応じて加工することができる
が、予め磁石4を埋め込む穴を加工しておき、必要に応
じて(成膜パターンに応じて)この穴に磁石4を挿入し
て配列し、不要な穴は磁石4と同形状でしかも基板支持
台3と同じ材質(例えばSUS等)のめくら板で埋めて
均熱化できるようにしておくと便利である。
【0028】以下、本発明を実施例及び比較例により説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0029】
【実施例】
実施例1 赤(R)、緑(G)、青(B)の三色のカラーフィルタ
ーと保護層とを設けた、12.1インチ2面取りの36
0×465mmで厚み0.7mmの基板を用意し、洗浄
後、図5に示す形状のメタルマスクを位置だしして基板
に仮止めし、図1に模式的に示す枚葉式スパッタ装置に
より、ITO膜のマスク成膜を行った。但し、スパッタ
室の基板支持台の磁石配列は、図3に示されるように、
10.4インチ4面取りと共用の配列とした。
【0030】上記基板支持台へのメタルマスク付基板の
供給、成膜後の回収搬送に磁石の影響は認められず、メ
タルマスクの開口部端面における膜切れも従来と同様に
問題のないものであった。
【0031】12.1インチ2面取り用のメタルマスク
の開口部の下には、10.4インチ4面取り用のメタル
マスクの密着に用いる磁石が位置しており、理由は不明
であるが、この部分の抵抗、透過率等の膜質は、磁石が
配列されていない部分と同様であった。また、この共用
配列の基板支持台を用いて10.4インチ4面取り基板
のマスク成膜を行った場合も同様に、搬送、膜質ともに
問題がないことが確認できた。
【0032】実施例2 図6に示されるような、12.1インチ2面取りと15
インチ1面取りを共用する磁石配列の基板支持台を用意
し、実施例1と同様にして、12.1インチ2面取りメ
タルマスク付基板と15インチ1面取りメタルマスク付
基板とを処理した。
【0033】上記の結果、実施例1と同様に、搬送、膜
質ともに問題がないことが確認できた。
【0034】比較例1 図4に示す10.4インチ4面取り用のメタルマスク付
基板と、図6に示す、12.1インチ2面取りと15イ
ンチ1面取りを共用する磁石配列の基板支持台とを用い
てマスク成膜を行った。
【0035】マスクパターンと磁石配列が合っていない
ため、メタルマスクの開口部端面で膜ぼけが発生し、実
用上問題であった。従って、10.4インチ4面取り用
の磁石配列を有する基板支持台を新規作成して交換する
必要を生じた。
【0036】また、10.4インチ4面取り基板と15
インチ1面取り基板とを量産するために、図1に示され
るスパッタ室を10.4インチ用と15インチ用とに分
けて割り当ててマスク成膜を行った。しかし、この方法
では、実施例1及び2に示す共用の基板支持台を用いた
場合の基板1枚当たりのタクトタイムが約80秒であっ
たのに対し、10.4インチ用と15インチ用に夫々2
室のスパッタ室を割り当てた場合で120秒、夫々1室
のスパッタ室を割り当てた場合で200秒のタクトタイ
ムとなり、大幅にタクトタイムが低下した。
【0037】一方、成膜パターンに応じて基板支持台を
交換し、3室で同一の成膜パターンを処理することとし
たところ、基板支持台交換後の温度上昇、ダミーによる
成膜確認などを含めて交換に約1日を要し、交換頻度に
よっては稼働率が大幅に低下した。また、膜へのゴミの
混入も生じやすく、好ましいものではなかった。
【0038】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、枚
葉式スパッタ装置の利点を生かしつつ、成膜パターンに
拘らず効率よくマスク成膜を施すことができ、品質面、
管理面、コスト面のいずれにおいても優れたマスク成膜
が可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る枚葉式スパッタ装置の室構成の一
例を示す模式図である。
【図2】メタルマスクを仮止めした基板を基板支持台に
保持させた状態の模式図である。
【図3】基板支持台の磁石の配列例を示す概略図であ
る。
【図4】基板に仮止めされるメタルマスクの例を示す概
略図である。
【図5】基板に仮止めされるメタルマスクの他の例を示
す概略図である。
【図6】基板支持台の磁石の他の配列例を示す概略図で
ある。
【符号の説明】
1 基板 2 メタルマスク 2a 非開口部 2b 開口部 3 基板支持台 4 磁石 5a 搬入搬出室 5b 搬入搬出室 6 加熱室 7a スパッタ室 7b スパッタ室 7c スパッタ室 8 搬送室 9a 外部カセット 9b 外部カセット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メタルマスクを仮止めした基板を搬入室
    から加熱室及びスパッタ室を経て搬出室へと搬送する搬
    送手段と、スパッタ室内に設けられていて、加熱室から
    スパッタ室に搬送されてきた基板を保持する基板支持台
    とを有し、しかも基板支持台には、基板を介してメタル
    マスクを吸着する磁石が設けられた枚葉式スパッタ装置
    において、 基板支持台の磁石が、マスクパターンが異なる複数種類
    のメタルマスクの非開口部の総てに対応する領域に沿っ
    た配列で設けられていることを特徴とする枚葉式スパッ
    タ装置。
  2. 【請求項2】 複数のスパッタ室を有し、しかも各スパ
    ッタ室に同じ磁石配列の基板支持台が設けられているこ
    とを特徴とする請求項1の枚葉式スパッタ装置。
  3. 【請求項3】 メタルマスクを仮止めした基板を、搬入
    室から加熱室に搬送して加熱した後スパッタ室へ搬送
    し、スパッタ室で基板を基板支持台に保持すると共に基
    板支持台に設けられた磁石でメタルマスクを吸着して基
    板面に密着させてスパッタによるマスク成膜を施した
    後、搬出室へと搬送する枚葉式スパッタ方法において、 基板支持台に、マスクパターンが異なる複数種類のメタ
    ルマスクの非開口部の総てに対応する領域に沿った配列
    で磁石を設けておき、同じスパッタ室で基板支持台を変
    えることなく、この複数種類のメタルマスクによるマス
    ク成膜を行うことを特徴とする枚葉式スパッタ方法。
  4. 【請求項4】 複数のスパッタ室に夫々同じ磁石配列の
    基板支持台を設けておき、各スパッタ室で複数種類のメ
    タルマスクによるマスク成膜を行うことを特徴とする請
    求項3の枚葉式スパッタ方法。
  5. 【請求項5】 請求項1又は2の枚葉式スパッタ装置又
    は請求項3又は4のスパッタ方法によって形成されたス
    パッタ膜。
  6. 【請求項6】 透明導電膜である請求項5のスパッタ
    膜。
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