JPH11150037A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH11150037A JPH11150037A JP9335006A JP33500697A JPH11150037A JP H11150037 A JPH11150037 A JP H11150037A JP 9335006 A JP9335006 A JP 9335006A JP 33500697 A JP33500697 A JP 33500697A JP H11150037 A JPH11150037 A JP H11150037A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部電極並びに誘電体層の層数を増やすこと
により高容量値を確保すると共に、絶縁破壊電圧，電歪
破壊発生電圧を高め、機械的応力破壊によるクラックが
コンデンサ素子に生ずるのを確実に防ぐ。 【解決手段】 複数個のコンデンサ層１０，１０ａ，１
０ｂと、外表面層を形成する最外誘電体層１１ａ，１１
ｂとに加え、コンデンサ層１０，１０ａ，１０ｂの誘電
体層１ｂ…よりも厚みの厚いｔ1 ＜ｔ2 中間誘電体層１
２，１２ａ，１２ｂをコンデンサ層１０，１０ａ，１０
ｂの間に介在させてコンデンサ素子１を構成する。
により高容量値を確保すると共に、絶縁破壊電圧，電歪
破壊発生電圧を高め、機械的応力破壊によるクラックが
コンデンサ素子に生ずるのを確実に防ぐ。 【解決手段】 複数個のコンデンサ層１０，１０ａ，１
０ｂと、外表面層を形成する最外誘電体層１１ａ，１１
ｂとに加え、コンデンサ層１０，１０ａ，１０ｂの誘電
体層１ｂ…よりも厚みの厚いｔ1 ＜ｔ2 中間誘電体層１
２，１２ａ，１２ｂをコンデンサ層１０，１０ａ，１０
ｂの間に介在させてコンデンサ素子１を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧回路等に使
用される大容量で高耐電圧の積層構造を有する積層セラ
ミックコンデンサに関するものである。
用される大容量で高耐電圧の積層構造を有する積層セラ
ミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサは内
部電極を誘電体層となるセラミックグリーンシートのシ
ート面に印刷し、これを複数枚積層させてコンデンサ層
を形成すると共に、外表面層を形成する最外誘電体層を
重ね合わせて一体に燒結することによりコンデンサ素子
を形成し、更に、コンデンサ層の内部電極と電気的に接
続する一対の外部電極をコンデンサ素子の両端部に設け
ることにより構成されている。
部電極を誘電体層となるセラミックグリーンシートのシ
ート面に印刷し、これを複数枚積層させてコンデンサ層
を形成すると共に、外表面層を形成する最外誘電体層を
重ね合わせて一体に燒結することによりコンデンサ素子
を形成し、更に、コンデンサ層の内部電極と電気的に接
続する一対の外部電極をコンデンサ素子の両端部に設け
ることにより構成されている。
【０００３】その積層セラミックコンデンサは、大容量
化の要請から内部電極並びに誘電体層の層数を増加する
傾向にある。然し、チタン酸バリウム等を主成分とする
高誘電率系の誘電体材料は誘電率（ε）が１，０００〜
２０，０００と高くて双極子を形成し易い結晶構造のも
ので、大きな歪みを有し且つ膨張，収縮するものである
ため、電圧の印加に伴って電圧を機械的に変化させる圧
電現象または逆圧電現象，即ち、電歪現象が起き易い。
化の要請から内部電極並びに誘電体層の層数を増加する
傾向にある。然し、チタン酸バリウム等を主成分とする
高誘電率系の誘電体材料は誘電率（ε）が１，０００〜
２０，０００と高くて双極子を形成し易い結晶構造のも
ので、大きな歪みを有し且つ膨張，収縮するものである
ため、電圧の印加に伴って電圧を機械的に変化させる圧
電現象または逆圧電現象，即ち、電歪現象が起き易い。
【０００４】そのため、積層セラミックコンデンサでは
内部電極並びに誘電体層の層数を単に増やすだけである
と、電歪現象から絶縁破壊の電圧域に達する前に膨張，
収縮の繰り返しで、機械的応力破壊によるクラックがコ
ンデンサ素子に発生し、絶縁破壊電圧や電歪破壊発生電
圧のような耐電圧レベルが低くなってしまう。このクラ
ックの発生を防止するにはコンデンサ層の誘電体層を厚
く形成することがあるが、これでは全体形状が大きくな
るばかりでなく、誘電体層を厚くすることによって容量
の低下を招くことになる。
内部電極並びに誘電体層の層数を単に増やすだけである
と、電歪現象から絶縁破壊の電圧域に達する前に膨張，
収縮の繰り返しで、機械的応力破壊によるクラックがコ
ンデンサ素子に発生し、絶縁破壊電圧や電歪破壊発生電
圧のような耐電圧レベルが低くなってしまう。このクラ
ックの発生を防止するにはコンデンサ層の誘電体層を厚
く形成することがあるが、これでは全体形状が大きくな
るばかりでなく、誘電体層を厚くすることによって容量
の低下を招くことになる。
【０００５】従来、半田付けによる熱的ストレスの影響
によりクラックがコンデンサ素子に生ずるのを防止し、
または、表面層から侵入する水分と電極間の直流電圧に
より電極材料が移動することによる絶縁抵抗の低下や短
絡を防止することから、中間が分離されて外部電極と電
気的に接続される一対の電極を誘電体層の同一面に設
け、その誘電体層を最外誘電体層とコンデンサ層の間に
介在させてコンデンサ素子を構成することが提案されて
いる（特開平１ー２２０４２０号，実開平５ー６６９５
１号）。
によりクラックがコンデンサ素子に生ずるのを防止し、
または、表面層から侵入する水分と電極間の直流電圧に
より電極材料が移動することによる絶縁抵抗の低下や短
絡を防止することから、中間が分離されて外部電極と電
気的に接続される一対の電極を誘電体層の同一面に設
け、その誘電体層を最外誘電体層とコンデンサ層の間に
介在させてコンデンサ素子を構成することが提案されて
いる（特開平１ー２２０４２０号，実開平５ー６６９５
１号）。
【０００６】また、電圧破壊が外部電極の折返し先端と
内部電極の先端との間で生ずるのを防止し、電界強度も
低減させて耐電圧を向上することから、上述したものと
同様な中間が分離されて外部電極と電気的に接続される
一対の電極を同一面に設けた誘電体層を最外誘電体層側
に配置すると共に、その誘電体層とコンデンサ層の間に
は外部電極に接続されない浮遊電極を設けた誘電体層を
介在させてコンデンサ素子を形成することも提案されて
いる（実開昭６０ー９９５２２号）。
内部電極の先端との間で生ずるのを防止し、電界強度も
低減させて耐電圧を向上することから、上述したものと
同様な中間が分離されて外部電極と電気的に接続される
一対の電極を同一面に設けた誘電体層を最外誘電体層側
に配置すると共に、その誘電体層とコンデンサ層の間に
は外部電極に接続されない浮遊電極を設けた誘電体層を
介在させてコンデンサ素子を形成することも提案されて
いる（実開昭６０ー９９５２２号）。
【０００７】然し、上述した誘電体層を付加しただけで
は、内部電極並びに誘電体層の層数を増やことに伴う電
歪現象から、機械的応力破壊によるクラックがコンデン
サ素子に発生するのを確実に防ぐことはできない。
は、内部電極並びに誘電体層の層数を増やことに伴う電
歪現象から、機械的応力破壊によるクラックがコンデン
サ素子に発生するのを確実に防ぐことはできない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、内部電極並
びに誘電体層の層数を増やすことにより高容量値を確保
すると共に、絶縁破壊電圧，電歪破壊発生電圧を高め、
機械的応力破壊によるクラックがコンデンサ素子に生ず
るのを確実に防げる積層セラミックコンデンサを提供す
ることを目的とする。
びに誘電体層の層数を増やすことにより高容量値を確保
すると共に、絶縁破壊電圧，電歪破壊発生電圧を高め、
機械的応力破壊によるクラックがコンデンサ素子に生ず
るのを確実に防げる積層セラミックコンデンサを提供す
ることを目的とする。
【０００９】また、本発明は絶縁破壊電圧，電歪破壊発
生電圧と共に、沿面放電発生電圧も高められる積層セラ
ミックコンデンサを提供することを目的とする。
生電圧と共に、沿面放電発生電圧も高められる積層セラ
ミックコンデンサを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
積層セラミックコンデンサにおいては、複数個のコンデ
ンサ層と、外表面層を形成する最外誘電体層とに加え、
コンデンサ層の誘電体層よりも厚みの厚い中間誘電体層
を該コンデンサ層の間に介在させることによりコンデン
サ素子が構成されている。
積層セラミックコンデンサにおいては、複数個のコンデ
ンサ層と、外表面層を形成する最外誘電体層とに加え、
コンデンサ層の誘電体層よりも厚みの厚い中間誘電体層
を該コンデンサ層の間に介在させることによりコンデン
サ素子が構成されている。
【００１１】本発明の請求項２に係る積層セラミックコ
ンデンサにおいては、複数個のコンデンサ層と、そのコ
ンデンサ層の誘電体層よりも厚みの厚い中間誘電体層と
を交互に重ね合わせた第１のコンデンサ層と、第１のコ
ンデンサ層の内部電極よりも相対的に小さい対向面積を
有する内部電極と誘電体層とを交互に重ね合わせた第２
のコンデンサ層とを備え、第２のコンデンサ層を第１の
コンデンサ層の外側に重ね合わせ、更に、最外誘電体層
を第２のコンデンサ層の外側に重ね合わせることにより
コンデンサ素子が構成されている。
ンデンサにおいては、複数個のコンデンサ層と、そのコ
ンデンサ層の誘電体層よりも厚みの厚い中間誘電体層と
を交互に重ね合わせた第１のコンデンサ層と、第１のコ
ンデンサ層の内部電極よりも相対的に小さい対向面積を
有する内部電極と誘電体層とを交互に重ね合わせた第２
のコンデンサ層とを備え、第２のコンデンサ層を第１の
コンデンサ層の外側に重ね合わせ、更に、最外誘電体層
を第２のコンデンサ層の外側に重ね合わせることにより
コンデンサ素子が構成されている。
【００１２】本発明の請求項３に係る積層セラミックコ
ンデンサにおいては、中間が分離されて外部電極と電気
的に接続される一対の電極を同一面に設けた誘電体層を
沿面放電制御層とし、その沿面放電制御層を最外誘電体
層とコンデンサ層の間に介在させることによりコンデン
サ素子が構成されている。
ンデンサにおいては、中間が分離されて外部電極と電気
的に接続される一対の電極を同一面に設けた誘電体層を
沿面放電制御層とし、その沿面放電制御層を最外誘電体
層とコンデンサ層の間に介在させることによりコンデン
サ素子が構成されている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して説明す
ると、図示の積層セラミックコンデンサは内部電極１ａ
…と誘電体層１ｂ…とを交互に重ね合わせた複数個のコ
ンデンサ層１０…と、外表面層を形成する最外誘電体層
１１ａ，１１ｂとに加え、各コンデンサ層１０…を形成
する誘電体層１ｂ…の厚みｔ1 よりも厚みｔ2 が厚い
（ｔ1 ＜ｔ2 ）中間誘電体層１２…を該コンデンサ層１
０…の間に介在させてコンデンサ素子１を構成し、コン
デンサ層１０…の内部電極１ａ…と電気的に接続する一
対の外部電極２，３をコンデンサ素子１の両端部に設け
た基本形態を有する。
ると、図示の積層セラミックコンデンサは内部電極１ａ
…と誘電体層１ｂ…とを交互に重ね合わせた複数個のコ
ンデンサ層１０…と、外表面層を形成する最外誘電体層
１１ａ，１１ｂとに加え、各コンデンサ層１０…を形成
する誘電体層１ｂ…の厚みｔ1 よりも厚みｔ2 が厚い
（ｔ1 ＜ｔ2 ）中間誘電体層１２…を該コンデンサ層１
０…の間に介在させてコンデンサ素子１を構成し、コン
デンサ層１０…の内部電極１ａ…と電気的に接続する一
対の外部電極２，３をコンデンサ素子１の両端部に設け
た基本形態を有する。
【００１４】コンデンサ層１０…は、チタン酸バリウム
系のセラミック誘電体粉末を主成分とし、それに所要の
有機溶剤とバインダーを添加したスラリーを得、このス
ラリーからドクターブレード法により所定厚みｔ1 の誘
電体層１ｂ…となるセラミックグリーンシートを得、更
に、Ｐｄ電極ペーストからスクリーン印刷法により所定
パターンの内部電極１ａ…をセラミックグリーンシート
のシート面に印刷し、そのセラミックグリーンシートを
複数枚積層することにより形成されている。この誘電体
層１ｂ…は、図示実施の形態では厚みｔ1 が２５μｍ程
度に設定されている。
系のセラミック誘電体粉末を主成分とし、それに所要の
有機溶剤とバインダーを添加したスラリーを得、このス
ラリーからドクターブレード法により所定厚みｔ1 の誘
電体層１ｂ…となるセラミックグリーンシートを得、更
に、Ｐｄ電極ペーストからスクリーン印刷法により所定
パターンの内部電極１ａ…をセラミックグリーンシート
のシート面に印刷し、そのセラミックグリーンシートを
複数枚積層することにより形成されている。この誘電体
層１ｂ…は、図示実施の形態では厚みｔ1 が２５μｍ程
度に設定されている。
【００１５】最外誘電体層１１ａ，１１ｂは、コンデン
サ層１０…の誘電体層１ｂ…と同じ材料のスラリーを用
いてドクターブレード法により形成できる。その厚みｔ
3 は通常１５０〜３００μｍ程度に設定され、図示実施
の形態では１５０μｍ程度に設定されている。また、中
間誘電体層１２…は最外誘電体層１１ａ，１１ｂと同様
にコンデンサ層１０…の誘電体層１ｂ…と同じ材料のス
ラリーを用いてドクターブレード法により形成され、そ
の厚みｔ2 は５０〜３００μｍ程度、図示実施の形態で
は５０μｍ程度に設定されている。
サ層１０…の誘電体層１ｂ…と同じ材料のスラリーを用
いてドクターブレード法により形成できる。その厚みｔ
3 は通常１５０〜３００μｍ程度に設定され、図示実施
の形態では１５０μｍ程度に設定されている。また、中
間誘電体層１２…は最外誘電体層１１ａ，１１ｂと同様
にコンデンサ層１０…の誘電体層１ｂ…と同じ材料のス
ラリーを用いてドクターブレード法により形成され、そ
の厚みｔ2 は５０〜３００μｍ程度、図示実施の形態で
は５０μｍ程度に設定されている。
【００１６】これら各層は後述するように複数個のコン
デンサ層と、各コンデンサ層の間に介在させて中間誘電
体層とを交互に重ね合わせ、更に、最外誘電体層をコン
デンサ層の外側に重ね合わせて誘電体積層シートとして
プレス成形した後、所定の部品単位に切断し、脱バイン
ダー工程，焼成工程を経てコンデンサ素子１として構成
されている。また、このコンデンサ素子１にはフリット
含有の銀ーパラジュウム合金を端部面に印刷，焼き付け
処理し、ニッケル，錫メッキを電気メッキ処理で施すこ
とにより外部電極２，３を設けて積層セラミックコンデ
ンサとして構成されている。
デンサ層と、各コンデンサ層の間に介在させて中間誘電
体層とを交互に重ね合わせ、更に、最外誘電体層をコン
デンサ層の外側に重ね合わせて誘電体積層シートとして
プレス成形した後、所定の部品単位に切断し、脱バイン
ダー工程，焼成工程を経てコンデンサ素子１として構成
されている。また、このコンデンサ素子１にはフリット
含有の銀ーパラジュウム合金を端部面に印刷，焼き付け
処理し、ニッケル，錫メッキを電気メッキ処理で施すこ
とにより外部電極２，３を設けて積層セラミックコンデ
ンサとして構成されている。
【００１７】図１は、内部電極１ａ…を厚みｔ1 ：２５
μｍの誘電体層１ｂ…に設けて２０層積層することによ
りコンデンサ層を形成し、そのコンデンサ層１０，１０
ａ，１０ｂを３個備えた第１の実施の形態を示す。この
積層セラミックコンデンサでは、厚みｔ2 ：５０μｍの
中間誘電体層１２，１２ａをコンデンサ層１０と１０
ａ、１０ａと１０ｂの各間に重ね合わせ、更に、厚みｔ
3 ：１５０μｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂをコンデ
ンサ層１０，１０ｂの外側に重ね合わせることにより構
成されている。
μｍの誘電体層１ｂ…に設けて２０層積層することによ
りコンデンサ層を形成し、そのコンデンサ層１０，１０
ａ，１０ｂを３個備えた第１の実施の形態を示す。この
積層セラミックコンデンサでは、厚みｔ2 ：５０μｍの
中間誘電体層１２，１２ａをコンデンサ層１０と１０
ａ、１０ａと１０ｂの各間に重ね合わせ、更に、厚みｔ
3 ：１５０μｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂをコンデ
ンサ層１０，１０ｂの外側に重ね合わせることにより構
成されている。
【００１８】図２は、内部電極１ａ…を厚みｔ1 ：２５
μｍの誘電体層１ｂ…に設けて１２層積層することによ
りコンデンサ層を形成し、そのコンデンサ層１０〜１０
ｄを５個備えた第２の実施の形態を示す。この積層セラ
ミックコンデンサでは、第１の実施の形態と同様に厚み
ｔ2 ：５０μｍの中間誘電体層１２〜１２ｃをコンデン
サ層１０と１０ａ、１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、
１０ｃと１０ｄの各間に介在させ、厚みｔ3 ：１５０μ
ｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂをコンデンサ層１０，
１０ｄの外側に重ね合わせることによりコンデンサ素子
１が構成されている。
μｍの誘電体層１ｂ…に設けて１２層積層することによ
りコンデンサ層を形成し、そのコンデンサ層１０〜１０
ｄを５個備えた第２の実施の形態を示す。この積層セラ
ミックコンデンサでは、第１の実施の形態と同様に厚み
ｔ2 ：５０μｍの中間誘電体層１２〜１２ｃをコンデン
サ層１０と１０ａ、１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、
１０ｃと１０ｄの各間に介在させ、厚みｔ3 ：１５０μ
ｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂをコンデンサ層１０，
１０ｄの外側に重ね合わせることによりコンデンサ素子
１が構成されている。
【００１９】図３は第３の実施の形態を示すもので、こ
の積層セラミックコンデンサは第２の実施の形態と同様
に内部電極１ａ…を厚みｔ1 ：２５μｍの誘電体層１ｂ
…に設けて１２層積層することによりコンデンサ層を形
成し、そのコンデンサ層１０〜１０ｄを５個備えると共
に、厚みｔ2 が５０μｍの中間誘電体層１２〜１２ｃを
コンデンサ層１０と１０ａ、１０ａと１０ｂ、１０ｂと
１０ｃ、１０ｃと１０ｄの各間に介在させて第１のコン
デンサ層とする。これに加えて、第２のコンデンサ層１
０ｅ，１０ｆが第１中のコンデンサ層１０，１０ｄの外
側に重ね合わされている。
の積層セラミックコンデンサは第２の実施の形態と同様
に内部電極１ａ…を厚みｔ1 ：２５μｍの誘電体層１ｂ
…に設けて１２層積層することによりコンデンサ層を形
成し、そのコンデンサ層１０〜１０ｄを５個備えると共
に、厚みｔ2 が５０μｍの中間誘電体層１２〜１２ｃを
コンデンサ層１０と１０ａ、１０ａと１０ｂ、１０ｂと
１０ｃ、１０ｃと１０ｄの各間に介在させて第１のコン
デンサ層とする。これに加えて、第２のコンデンサ層１
０ｅ，１０ｆが第１中のコンデンサ層１０，１０ｄの外
側に重ね合わされている。
【００２０】その第２のコンデンサ層１０ｅ，１０ｆ
は、第１中のコンデンサ層１０〜１０ｄと同様に内部電
極１ａ’…を厚みｔ1 ：２５μｍの誘電体層１ｂ’…に
設けて１２層積層することにより形成されている。ま
た、このコンデンサ層１０ｅ，１０ｆの内部電極１ａ’
…としては対向面積ｗ1 が第１のコンデンサ層１０〜１
０ｄの内部電極１ａ…の対向面積ｗ2 よりも相対的に小
さく（ｗ1 ＜ｗ2 ）設けられている。その第２のコンデ
ンサ層１０ｅ，１０ｆの外側には、厚みｔ3 ：１５０μ
ｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂをコンデンサ層１０，
１０ｄの外側に重ね合わせることによりコンデンサ素子
１が構成されている。
は、第１中のコンデンサ層１０〜１０ｄと同様に内部電
極１ａ’…を厚みｔ1 ：２５μｍの誘電体層１ｂ’…に
設けて１２層積層することにより形成されている。ま
た、このコンデンサ層１０ｅ，１０ｆの内部電極１ａ’
…としては対向面積ｗ1 が第１のコンデンサ層１０〜１
０ｄの内部電極１ａ…の対向面積ｗ2 よりも相対的に小
さく（ｗ1 ＜ｗ2 ）設けられている。その第２のコンデ
ンサ層１０ｅ，１０ｆの外側には、厚みｔ3 ：１５０μ
ｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂをコンデンサ層１０，
１０ｄの外側に重ね合わせることによりコンデンサ素子
１が構成されている。
【００２１】図４は第４の実施の形態を示すもので、図
３で示す実施の形態に加えて、沿面放電制御層１３ａ，
１３ｂを備えることによりコンデンサ素子１が構成され
ている。その沿面放電制御層１３ａ，１３ｂは中間Ｇが
分離されて外部電極２，３と電気的に接続される一対の
電極１ａ1 ，１ａ2 を誘電体層１ｂ”の同一面に設けた
もので、この誘電体層１ｂ”も他の誘電体層と同じ材料
のスラリーを用いてドクターブレード法により厚みｔ
4 ：２５μｍ厚みに形成されている。この沿面放電制御
層１３ａ，１３ｂは、最外誘電体層１１ａ，１１ｂと第
２のコンデンサ層１０ｅ，１０ｆの間に介在させてコン
デンサ素子１が構成されている。
３で示す実施の形態に加えて、沿面放電制御層１３ａ，
１３ｂを備えることによりコンデンサ素子１が構成され
ている。その沿面放電制御層１３ａ，１３ｂは中間Ｇが
分離されて外部電極２，３と電気的に接続される一対の
電極１ａ1 ，１ａ2 を誘電体層１ｂ”の同一面に設けた
もので、この誘電体層１ｂ”も他の誘電体層と同じ材料
のスラリーを用いてドクターブレード法により厚みｔ
4 ：２５μｍ厚みに形成されている。この沿面放電制御
層１３ａ，１３ｂは、最外誘電体層１１ａ，１１ｂと第
２のコンデンサ層１０ｅ，１０ｆの間に介在させてコン
デンサ素子１が構成されている。
【００２２】図５は従来構造の積層セラミックコンデン
サであり、図１，図２の比較例として示す。その積層セ
ラミックコンデンサは内部電極１ａ…を厚み：２５μｍ
の誘電体層１ｂ…に設けて６０層積層することによりコ
ンデンサ層１０を形成し、外表面層を形成する厚み：１
５０μｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂを外側に重ね合
わせてコンデンサ素子１を構成し、コンデンサ層１０の
内部電極１ａ…と電気的に接続する一対の外部電極２，
３をコンデンサ素子１の両端部に設けることにより構成
されている。
サであり、図１，図２の比較例として示す。その積層セ
ラミックコンデンサは内部電極１ａ…を厚み：２５μｍ
の誘電体層１ｂ…に設けて６０層積層することによりコ
ンデンサ層１０を形成し、外表面層を形成する厚み：１
５０μｍの最外誘電体層１１ａ，１１ｂを外側に重ね合
わせてコンデンサ素子１を構成し、コンデンサ層１０の
内部電極１ａ…と電気的に接続する一対の外部電極２，
３をコンデンサ素子１の両端部に設けることにより構成
されている。
【００２３】上述した実施の形態１〜４並びに従来例に
ついて夫々５０個の試料を作成し、実施の形態１，２と
従来例に基づいて中間誘電体層の有無による絶縁破壊電
圧，電歪破壊発生電圧を測定した。この測定は電圧を１
００Ｖ／秒の昇圧速度により絶縁油中で印加し、漏れ電
流が１０ｍＡとなったところを破壊発生電圧と判断する
ことにより行った。その平均値は表１で示す通りであ
り、厚み５０μｍ程度の中間誘電体層を備えると、最外
誘電体層の厚みを１５０μｍ程度に抑えても、中間誘電
体層を備えないものよりも、絶縁破壊電圧，電歪破壊発
生電圧をいずれも高められる。特に、実施の形態２のよ
うに４層程度多層を備えると、電歪破壊発生電圧を１．
５倍も向上できることが判る。
ついて夫々５０個の試料を作成し、実施の形態１，２と
従来例に基づいて中間誘電体層の有無による絶縁破壊電
圧，電歪破壊発生電圧を測定した。この測定は電圧を１
００Ｖ／秒の昇圧速度により絶縁油中で印加し、漏れ電
流が１０ｍＡとなったところを破壊発生電圧と判断する
ことにより行った。その平均値は表１で示す通りであ
り、厚み５０μｍ程度の中間誘電体層を備えると、最外
誘電体層の厚みを１５０μｍ程度に抑えても、中間誘電
体層を備えないものよりも、絶縁破壊電圧，電歪破壊発
生電圧をいずれも高められる。特に、実施の形態２のよ
うに４層程度多層を備えると、電歪破壊発生電圧を１．
５倍も向上できることが判る。
【００２４】
【表１】
【００２５】また、実施の形態２と実施の形態３に基づ
いて第２のコンデンサ層の有無による絶縁破壊電圧，電
歪破壊発生電圧を測定した。この測定も電圧を１００Ｖ
／秒の昇圧速度により絶縁油中で印加し、漏れ電流が１
０ｍＡとなったところを破壊発生電圧と判断することに
より行った。その平均値は表２で示す通りであり、容量
の相対的に小さい第２のコンデンサ層を外層側に備える
と、絶縁破壊電圧，電歪破壊発生電圧を共に更に高める
ことができ、特に、電歪破壊発生電圧は０．５ＫＶも向
上できることが判る。
いて第２のコンデンサ層の有無による絶縁破壊電圧，電
歪破壊発生電圧を測定した。この測定も電圧を１００Ｖ
／秒の昇圧速度により絶縁油中で印加し、漏れ電流が１
０ｍＡとなったところを破壊発生電圧と判断することに
より行った。その平均値は表２で示す通りであり、容量
の相対的に小さい第２のコンデンサ層を外層側に備える
と、絶縁破壊電圧，電歪破壊発生電圧を共に更に高める
ことができ、特に、電歪破壊発生電圧は０．５ＫＶも向
上できることが判る。
【００２６】
【表２】
【００２７】更に、実施の形態３と実施の形態４に基づ
いて沿面放電制御層の有無による沿面放電発生電圧を測
定した。この測定は電圧を１００Ｖ／秒の昇圧速度によ
り空気中で印加し、漏れ電流が１ｍＡとなったところを
沿面放電発生電圧と判断することにより行った。その平
均値は表３で示す通りであり、沿面放電制御層の中間が
分離された一対の電極と外部電極との極性が等しくな
り、電気力線が外部電極と各電極との間に集中しないこ
とにより沿面放電の発生を抑えられるもので、この沿面
放電制御層を備えないものよりも、沿面放電発生電圧を
２倍以上も向上できることが判る。
いて沿面放電制御層の有無による沿面放電発生電圧を測
定した。この測定は電圧を１００Ｖ／秒の昇圧速度によ
り空気中で印加し、漏れ電流が１ｍＡとなったところを
沿面放電発生電圧と判断することにより行った。その平
均値は表３で示す通りであり、沿面放電制御層の中間が
分離された一対の電極と外部電極との極性が等しくな
り、電気力線が外部電極と各電極との間に集中しないこ
とにより沿面放電の発生を抑えられるもので、この沿面
放電制御層を備えないものよりも、沿面放電発生電圧を
２倍以上も向上できることが判る。
【００２８】
【表３】
【００２９】
【発明の効果】以上の如く、本発明の請求項１に係る積
層セラミックコンデンサに依れば、中間誘電体層を備え
てコンデンサ素子を構成することから、最外誘電体層の
厚みを薄く抑えても、中間誘電体層を備えないものより
も、絶縁破壊電圧，電歪破壊発生電圧をいずれも高めら
れ、特に、電歪破壊発生電圧を著しく向上することがで
きる。
層セラミックコンデンサに依れば、中間誘電体層を備え
てコンデンサ素子を構成することから、最外誘電体層の
厚みを薄く抑えても、中間誘電体層を備えないものより
も、絶縁破壊電圧，電歪破壊発生電圧をいずれも高めら
れ、特に、電歪破壊発生電圧を著しく向上することがで
きる。
【００３０】本発明の請求項２に係る積層セラミックコ
ンデンサに依れば、コンデンサ層と中間誘電体層と交互
に重ね合わせた第１のコンデンサ層と共に、容量の相対
的に小さい第２のコンデンサ層を外層側に備えてコンデ
ンサ素子を構成することにより、絶縁破壊電圧，電歪破
壊発生電圧を共に更に高められ、特に、電歪破壊発生電
圧を向上するようにできる。
ンデンサに依れば、コンデンサ層と中間誘電体層と交互
に重ね合わせた第１のコンデンサ層と共に、容量の相対
的に小さい第２のコンデンサ層を外層側に備えてコンデ
ンサ素子を構成することにより、絶縁破壊電圧，電歪破
壊発生電圧を共に更に高められ、特に、電歪破壊発生電
圧を向上するようにできる。
【００３１】本発明の請求項３に係る積層セラミックコ
ンデンサに依れば、中間誘電体層と交互に重ね合わせた
コンデンサ層と共に、沿面放電制御層を備えてコンデン
サ素子を構成することから、絶縁破壊電圧，電歪破壊発
生電圧を高められるばかりでなく、電気力線が沿面放電
制御層の中間が分離された一対の電極と外部電極との間
に集中しないことにより、沿面放電制御層を備えないも
のよりも、沿面放電発生電圧を極めて向上することがで
きる。
ンデンサに依れば、中間誘電体層と交互に重ね合わせた
コンデンサ層と共に、沿面放電制御層を備えてコンデン
サ素子を構成することから、絶縁破壊電圧，電歪破壊発
生電圧を高められるばかりでなく、電気力線が沿面放電
制御層の中間が分離された一対の電極と外部電極との間
に集中しないことにより、沿面放電制御層を備えないも
のよりも、沿面放電発生電圧を極めて向上することがで
きる。
【図１】本発明の第１実施の形態に係る２層の中間誘電
体層を備えた積層セラミックコンデンサを示す説明図で
ある。
体層を備えた積層セラミックコンデンサを示す説明図で
ある。
【図２】本発明の第２実施の形態に係る４層の中間誘電
体層を備えた積層セラミックコンデンサを示す説明図で
ある。
体層を備えた積層セラミックコンデンサを示す説明図で
ある。
【図３】本発明の第３実施の形態に係る第１のコンデン
サ層と第２のコンデンサ層を備えた積層セラミックコン
デンサを示す説明図である。
サ層と第２のコンデンサ層を備えた積層セラミックコン
デンサを示す説明図である。
【図４】本発明の第４実施の形態に係る沿面放電制御層
を備えた積層セラミックコンデンサを示す説明図であ
る。
を備えた積層セラミックコンデンサを示す説明図であ
る。
【図５】従来例に係る積層セラミックコンデンサを内部
電極の電極パターンで示す説明図である。
電極の電極パターンで示す説明図である。
１ コンデンサ素子 １ａ… 内部電極 １ｂ… 誘電体層 １０，１０ａ，１０ｂ コンデンサ層 １１ａ，１１ｂ 最外誘電体層 １２，１２ａ，１２ｃ 中間誘電体層 ２，３ 外部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 内部電極と誘電体層とを交互に重ね合わ
せたコンデンサ層をコンデンサ素子の内部に備え、その
コンデンサ層の内部電極と電気的に接続する一対の外部
電極をコンデンサ素子の両端部に設けてなる積層セラミ
ックコンデンサにおいて、 複数個のコンデンサ層と、外表面層を形成する最外誘電
体層とに加え、コンデンサ層の誘電体層よりも厚みの厚
い中間誘電体層を該コンデンサ層の間に介在させてコン
デンサ素子を構成したことを特徴とする積層セラミック
コンデンサ。 - 【請求項２】 複数個のコンデンサ層と、そのコンデン
サ層の誘電体層よりも厚みの厚い中間誘電体層とを交互
に重ね合わせた第１のコンデンサ層と、第１のコンデン
サ層の内部電極よりも相対的に小さい対向面積を有する
内部電極と誘電体層とを交互に重ね合わせた第２のコン
デンサ層とを備え、第２のコンデンサ層を第１のコンデ
ンサ層の外側に重ね合わせ、更に、最外誘電体層を第２
のコンデンサ層の外側に重ね合わせてコンデンサ素子を
構成したことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項３】 中間が分離されて外部電極と電気的に接
続される一対の電極を同一面に設けた誘電体層を沿面放
電制御層とし、その沿面放電制御層を最外誘電体層とコ
ンデンサ層の間に介在させてコンデンサ素子を構成した
ことを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9335006A JPH11150037A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9335006A JPH11150037A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11150037A true JPH11150037A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18283693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9335006A Pending JPH11150037A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11150037A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112007000130T5 (de) | 2006-01-13 | 2008-12-18 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Mehrschichtkondensator |
| JP2015073115A (ja) * | 2009-07-01 | 2015-04-16 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 高電圧能力を有する高静電容量の多層 |
| JP2015226026A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018110250A (ja) * | 2018-02-15 | 2018-07-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018110251A (ja) * | 2018-02-15 | 2018-07-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP9335006A patent/JPH11150037A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112007000130T5 (de) | 2006-01-13 | 2008-12-18 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Mehrschichtkondensator |
| US7715172B2 (en) | 2006-01-13 | 2010-05-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| JP2015073115A (ja) * | 2009-07-01 | 2015-04-16 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 高電圧能力を有する高静電容量の多層 |
| JP2015226026A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018110250A (ja) * | 2018-02-15 | 2018-07-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2018110251A (ja) * | 2018-02-15 | 2018-07-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040610 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061114 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |