JPH11186813A - マイクロ波用アイソレータ - Google Patents
マイクロ波用アイソレータInfo
- Publication number
- JPH11186813A JPH11186813A JP9365619A JP36561997A JPH11186813A JP H11186813 A JPH11186813 A JP H11186813A JP 9365619 A JP9365619 A JP 9365619A JP 36561997 A JP36561997 A JP 36561997A JP H11186813 A JPH11186813 A JP H11186813A
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- JP
- Japan
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- chip resistor
- housing
- film
- resistor
- terminal
- Prior art date
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- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単純な電極構造のチップ抵抗器が利用でき、
その抵抗体膜での発熱の拡散性も極めて良好であって、
部品点数は増加せず、無反射終端部を簡単に短絡できる
ようにする。 【解決手段】 三端子を有する非可逆回路素子部をアー
スとなる筐体12に搭載し、一端子をチップ抵抗器4に
よって筐体に無反射終端する。チップ抵抗器は、直方体
状の基板30の裏面に接地導体膜32を形成し、表面の
両端部にそれぞれ電極膜34,35を形成して、表面の
両電極膜間を抵抗体膜36で接続した構造である。チッ
プ抵抗器を、接地導体膜が筐体平坦部に当接し且つチッ
プ抵抗器の一方の端面が筐体の直立突出壁に当接するよ
うにし、一方の電極膜34を筐体の直立突出壁に電気的
に接続することで筐体によって無反射終端部を短絡する
と共に、他方の電極膜35に非可逆回路素子部の一端子
を電気的に接続する。
その抵抗体膜での発熱の拡散性も極めて良好であって、
部品点数は増加せず、無反射終端部を簡単に短絡できる
ようにする。 【解決手段】 三端子を有する非可逆回路素子部をアー
スとなる筐体12に搭載し、一端子をチップ抵抗器4に
よって筐体に無反射終端する。チップ抵抗器は、直方体
状の基板30の裏面に接地導体膜32を形成し、表面の
両端部にそれぞれ電極膜34,35を形成して、表面の
両電極膜間を抵抗体膜36で接続した構造である。チッ
プ抵抗器を、接地導体膜が筐体平坦部に当接し且つチッ
プ抵抗器の一方の端面が筐体の直立突出壁に当接するよ
うにし、一方の電極膜34を筐体の直立突出壁に電気的
に接続することで筐体によって無反射終端部を短絡する
と共に、他方の電極膜35に非可逆回路素子部の一端子
を電気的に接続する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波用のサ
ーキュレータ型アイソレータに関し、更に詳しく述べる
と、三端子を有する非可逆回路素子部の無反射終端部に
使用するチップ抵抗器を筐体自体によって短絡した構造
のマイクロ波アイソレータに関するものである。
ーキュレータ型アイソレータに関し、更に詳しく述べる
と、三端子を有する非可逆回路素子部の無反射終端部に
使用するチップ抵抗器を筐体自体によって短絡した構造
のマイクロ波アイソレータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波用アイソレータは、順方向の
マイクロ波は通過可能であるが逆方向のマイクロ波は通
過が阻止される非可逆回路素子であり、マイクロ波通信
機器や移動体通信機器の基地局などで用いられている。
この種のアイソレータには様々な構造のものがあるが、
その一つに三端子サーキュレータを利用し、その一端子
にダミー抵抗を接続して無反射終端し、該ダミー抵抗に
よりエネルギーの吸収を生じさせてアイソレータ特性を
発現させるようにしたサーキュレータ型アイソレータが
ある。
マイクロ波は通過可能であるが逆方向のマイクロ波は通
過が阻止される非可逆回路素子であり、マイクロ波通信
機器や移動体通信機器の基地局などで用いられている。
この種のアイソレータには様々な構造のものがあるが、
その一つに三端子サーキュレータを利用し、その一端子
にダミー抵抗を接続して無反射終端し、該ダミー抵抗に
よりエネルギーの吸収を生じさせてアイソレータ特性を
発現させるようにしたサーキュレータ型アイソレータが
ある。
【0003】ダミー抵抗の構成は種々考えられるが、一
般に、チップ抵抗器を筐体の平坦部に取り付ける構成が
採用されている。チップ抵抗器は、具体的には、直方体
状をなすセラミックス基板の裏面に接地導体膜を形成
し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成して、表面の
両電極膜間を抵抗体膜で接続すると共に、一方の端面に
短絡導体膜を設けて一方の電極膜と接地導体膜とを短絡
し、他方の端面には短絡導体膜は設けずに開放した構造
である。
般に、チップ抵抗器を筐体の平坦部に取り付ける構成が
採用されている。チップ抵抗器は、具体的には、直方体
状をなすセラミックス基板の裏面に接地導体膜を形成
し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成して、表面の
両電極膜間を抵抗体膜で接続すると共に、一方の端面に
短絡導体膜を設けて一方の電極膜と接地導体膜とを短絡
し、他方の端面には短絡導体膜は設けずに開放した構造
である。
【0004】このような特殊な電極構造のチップ抵抗器
は、予め両端面に短絡導体膜を付着してそれぞれの電極
膜と接地導体膜との間を短絡した状態で焼き付け、その
後、一方の短絡導体膜のみを削り取る方法、あるいは一
方の端面のみに短絡導体膜を塗布して焼き付ける方法で
製作する。しかし、いずれにしても、このような製作方
法では、工数が多く、その分チップ抵抗器の単価が高く
なる問題があった。また導体膜で短絡しているために、
抵抗体膜で発生した熱が拡散し難く、耐電力特性の向上
に限界があった。
は、予め両端面に短絡導体膜を付着してそれぞれの電極
膜と接地導体膜との間を短絡した状態で焼き付け、その
後、一方の短絡導体膜のみを削り取る方法、あるいは一
方の端面のみに短絡導体膜を塗布して焼き付ける方法で
製作する。しかし、いずれにしても、このような製作方
法では、工数が多く、その分チップ抵抗器の単価が高く
なる問題があった。また導体膜で短絡しているために、
抵抗体膜で発生した熱が拡散し難く、耐電力特性の向上
に限界があった。
【0005】そこで、直方体状の基板の裏面に接地導体
膜を形成し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成し
て、表面の両電極膜間を抵抗体膜で接続し、両端面には
短絡導体膜が存在しない構造のチップ抵抗器を用い、該
チップ抵抗器に短絡金具を組み合わせる構成が提案され
ている(特公平7−73161号公報参照)。ここで短
絡金具は、一方の電極膜を覆う上片部と、該上片部の両
端につながって基板側面に当てがわれて接地導体膜まで
達している側片部と、両方の側片部にそれぞれつながっ
て側方に張り出す接地片部とからなり、一方の電極膜と
筐体とを電気的及び熱的に接続する構成である。
膜を形成し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成し
て、表面の両電極膜間を抵抗体膜で接続し、両端面には
短絡導体膜が存在しない構造のチップ抵抗器を用い、該
チップ抵抗器に短絡金具を組み合わせる構成が提案され
ている(特公平7−73161号公報参照)。ここで短
絡金具は、一方の電極膜を覆う上片部と、該上片部の両
端につながって基板側面に当てがわれて接地導体膜まで
達している側片部と、両方の側片部にそれぞれつながっ
て側方に張り出す接地片部とからなり、一方の電極膜と
筐体とを電気的及び熱的に接続する構成である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この構成は、基板の側
面及び端面に導体膜が無いためにチップ抵抗器の電極構
造を簡素化でき、抵抗体膜で発生した熱の拡散性も比較
的良好であるが、個別部品である短絡金具を必要とする
ため部品点数が増加し、且つ微小な短絡金具を微小なチ
ップ抵抗器に取り付けねばならないために、組み立てが
煩瑣となる。
面及び端面に導体膜が無いためにチップ抵抗器の電極構
造を簡素化でき、抵抗体膜で発生した熱の拡散性も比較
的良好であるが、個別部品である短絡金具を必要とする
ため部品点数が増加し、且つ微小な短絡金具を微小なチ
ップ抵抗器に取り付けねばならないために、組み立てが
煩瑣となる。
【0007】本発明の目的は、単純な電極構造のチップ
抵抗器が利用でき、抵抗体膜での発熱の拡散性も極めて
良好であって、部品点数は増加せず、無反射終端部を簡
単に短絡させることができるマイクロ波用アイソレータ
を提供することである。
抵抗器が利用でき、抵抗体膜での発熱の拡散性も極めて
良好であって、部品点数は増加せず、無反射終端部を簡
単に短絡させることができるマイクロ波用アイソレータ
を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、三端子を有す
る非可逆回路素子部をアースとなる筐体に搭載し、該非
可逆回路素子部の一端子をチップ抵抗器によって前記筐
体に無反射終端したマイクロ波用アイソレータである。
ここでチップ抵抗器は、直方体状の基板の裏面に接地導
体膜を形成し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成し
て、表面の両電極膜間を抵抗体膜で接続し、側面及び端
面には導体膜を有しない構造である。このチップ抵抗器
を、その接地導体膜が筐体平坦部に当接し且つチップ抵
抗器の一方の端面が前記筐体の直立突出壁に当接するよ
うに筐体に載置し、チップ抵抗器の一方の電極膜を筐体
の直立突出壁に電気的に接続することで筐体によって無
反射終端部を短絡すると共に、他方の電極膜に前記非可
逆回路素子部の一端子を電気的に接続する。
る非可逆回路素子部をアースとなる筐体に搭載し、該非
可逆回路素子部の一端子をチップ抵抗器によって前記筐
体に無反射終端したマイクロ波用アイソレータである。
ここでチップ抵抗器は、直方体状の基板の裏面に接地導
体膜を形成し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成し
て、表面の両電極膜間を抵抗体膜で接続し、側面及び端
面には導体膜を有しない構造である。このチップ抵抗器
を、その接地導体膜が筐体平坦部に当接し且つチップ抵
抗器の一方の端面が前記筐体の直立突出壁に当接するよ
うに筐体に載置し、チップ抵抗器の一方の電極膜を筐体
の直立突出壁に電気的に接続することで筐体によって無
反射終端部を短絡すると共に、他方の電極膜に前記非可
逆回路素子部の一端子を電気的に接続する。
【0009】
【発明の実施の形態】チップ抵抗器の一端を筐体の直立
突出壁に当接させるが、その直立突出壁にチップ抵抗器
の高さに一致する凹部(溝も含む)を形成しておき、そ
の凹部に前記チップ抵抗器の一端部を挿入するような構
成も可能である。この構成では、チップ抵抗器の抵抗体
膜と筐体との距離が実質的に短くなるため、その分、放
熱効率が更に改善され、耐電力特性が一層向上すること
になる。
突出壁に当接させるが、その直立突出壁にチップ抵抗器
の高さに一致する凹部(溝も含む)を形成しておき、そ
の凹部に前記チップ抵抗器の一端部を挿入するような構
成も可能である。この構成では、チップ抵抗器の抵抗体
膜と筐体との距離が実質的に短くなるため、その分、放
熱効率が更に改善され、耐電力特性が一層向上すること
になる。
【0010】
【実施例】図1は本発明に係るマイクロ波用アイソレー
タの一実施例を示す分解斜視図であり、図2はその組立
斜視図、図3はその要部の断面図である。このマイクロ
波用アイソレータは三端子を有する非可逆回路素子部1
0をアースとなる筐体12に搭載し、該非可逆回路素子
部10の一端子をチップ抵抗器14によって前記筐体1
2に無反射終端した構成である。
タの一実施例を示す分解斜視図であり、図2はその組立
斜視図、図3はその要部の断面図である。このマイクロ
波用アイソレータは三端子を有する非可逆回路素子部1
0をアースとなる筐体12に搭載し、該非可逆回路素子
部10の一端子をチップ抵抗器14によって前記筐体1
2に無反射終端した構成である。
【0011】非可逆回路素子部10は、三端子を有する
中心導体20の両面に、マイクロ波用フェライト円板2
2,23を配設し、それらの上下に整磁作用を持たせる
円形の鉄板24,25を配設し、更にそれらの上に厚み
方向に着磁した円板状の永久磁石26を載置した構成で
ある。これらフェライト円板22,23、鉄板24,2
5、及び永久磁石26は、全てほぼ同じ直径であり積み
重ねて接着した状態である。永久磁石26と両鉄板2
4,25によって、フェライト円板22、中心導体2
0、フェライト円板23に上下方向の均一な静磁界を印
加する。
中心導体20の両面に、マイクロ波用フェライト円板2
2,23を配設し、それらの上下に整磁作用を持たせる
円形の鉄板24,25を配設し、更にそれらの上に厚み
方向に着磁した円板状の永久磁石26を載置した構成で
ある。これらフェライト円板22,23、鉄板24,2
5、及び永久磁石26は、全てほぼ同じ直径であり積み
重ねて接着した状態である。永久磁石26と両鉄板2
4,25によって、フェライト円板22、中心導体2
0、フェライト円板23に上下方向の均一な静磁界を印
加する。
【0012】筐体12は、アルミニウムや亜鉛などをダ
イキャストした一体成形品であり、平板部12aの上
に、三方で側壁が切り開かれたほぼ円形の非可逆回路素
子収容用の凹部12bと、それから離れて位置する短絡
用の直立突出壁12cを有する構造である。短絡用の直
立突出壁12cは、チップ抵抗器14よりもやや高く且
つ幅の広い直方体状のブロック様の部分である。
イキャストした一体成形品であり、平板部12aの上
に、三方で側壁が切り開かれたほぼ円形の非可逆回路素
子収容用の凹部12bと、それから離れて位置する短絡
用の直立突出壁12cを有する構造である。短絡用の直
立突出壁12cは、チップ抵抗器14よりもやや高く且
つ幅の広い直方体状のブロック様の部分である。
【0013】チップ抵抗器14は、アルミナなどのセラ
ミックスからなる直方体状の基板30の裏面全面に接地
導体膜32を形成し、表面の両端部のみにそれぞれ電極
膜34,35を形成して、表面の両電極膜間を抵抗体膜
36で接続した構造である。従って導体膜は、基板30
の表裏両面のみに設けられており、それ以外の面(側面
や端面)には全く設けられていない。
ミックスからなる直方体状の基板30の裏面全面に接地
導体膜32を形成し、表面の両端部のみにそれぞれ電極
膜34,35を形成して、表面の両電極膜間を抵抗体膜
36で接続した構造である。従って導体膜は、基板30
の表裏両面のみに設けられており、それ以外の面(側面
や端面)には全く設けられていない。
【0014】非可逆回路素子部10を筐体12の凹部1
2b内に収容し、接着剤などで固定する。チップ抵抗器
14を、その接地導体膜31が筐体平坦部(平板部12
aの上面)に当接し且つチップ抵抗器14の一方の端面
が前記筐体12の短絡用の直立突出壁12cに当接する
ように筐体12に載置し、導電性接着剤などで固定す
る。そしてチップ抵抗器14の一方の電極膜34を筐体
12の短絡用の直立突出壁12cに半田付けし、他方の
電極膜35に前記非可逆回路素子部10の一端子20a
を半田付けする(図3参照)。半田付け部を符号40,
41で表す。これによってチップ抵抗器14を筐体10
で直接短絡させることができる。
2b内に収容し、接着剤などで固定する。チップ抵抗器
14を、その接地導体膜31が筐体平坦部(平板部12
aの上面)に当接し且つチップ抵抗器14の一方の端面
が前記筐体12の短絡用の直立突出壁12cに当接する
ように筐体12に載置し、導電性接着剤などで固定す
る。そしてチップ抵抗器14の一方の電極膜34を筐体
12の短絡用の直立突出壁12cに半田付けし、他方の
電極膜35に前記非可逆回路素子部10の一端子20a
を半田付けする(図3参照)。半田付け部を符号40,
41で表す。これによってチップ抵抗器14を筐体10
で直接短絡させることができる。
【0015】このように無反射終端部を構成しているチ
ップ抵抗器14は、その終端部を短絡させる必要があ
る。チップ抵抗器14とアースとなる筐体12とを直接
接続することによって短絡を形成すると、チップ抵抗器
に短絡用導体膜を形成する必要が無くなり、また抵抗体
膜36と放熱効果の高い筐体12との間隔が小さくなる
ために、チップ抵抗器14で発生した熱が拡散し易くな
る。そのため、耐電力特性が向上し、小型化、ハイパワ
ー化が容易に行えるようになる。
ップ抵抗器14は、その終端部を短絡させる必要があ
る。チップ抵抗器14とアースとなる筐体12とを直接
接続することによって短絡を形成すると、チップ抵抗器
に短絡用導体膜を形成する必要が無くなり、また抵抗体
膜36と放熱効果の高い筐体12との間隔が小さくなる
ために、チップ抵抗器14で発生した熱が拡散し易くな
る。そのため、耐電力特性が向上し、小型化、ハイパワ
ー化が容易に行えるようになる。
【0016】図4は本発明の他の実施例の要部を示して
いる。全体構成は図1及び図2と同様であってよいの
で、それらについての記載は省略する。ここで筐体12
の短絡用の直立突出壁12dには、丁度チップ抵抗器1
4と同じ高さの凹部50(溝でもよい)が形成されてい
る構造であり、該凹部50内にチップ抵抗器14の一端
部を挿入する。挿入した状態でチップ抵抗器14の接地
導体膜32を平板部12aに導電性接着剤で接着し、一
方の電極膜34と直立突出壁12dとを半田付けする。
他方の電極膜35は非可逆回路素子部の一端子20aに
半田付けする。半田付け部を符号52,53で示す。
いる。全体構成は図1及び図2と同様であってよいの
で、それらについての記載は省略する。ここで筐体12
の短絡用の直立突出壁12dには、丁度チップ抵抗器1
4と同じ高さの凹部50(溝でもよい)が形成されてい
る構造であり、該凹部50内にチップ抵抗器14の一端
部を挿入する。挿入した状態でチップ抵抗器14の接地
導体膜32を平板部12aに導電性接着剤で接着し、一
方の電極膜34と直立突出壁12dとを半田付けする。
他方の電極膜35は非可逆回路素子部の一端子20aに
半田付けする。半田付け部を符号52,53で示す。
【0017】この構成は、直立突出壁に凹部を形成して
チップ抵抗器を挿入した分、筐体とチップ抵抗器の抵抗
体膜との距離が短くなるため、抵抗体膜で発生した熱が
より一層拡散し易くなる。
チップ抵抗器を挿入した分、筐体とチップ抵抗器の抵抗
体膜との距離が短くなるため、抵抗体膜で発生した熱が
より一層拡散し易くなる。
【0018】
【発明の効果】本発明は、三端子を有する非可逆回路素
子部の無反射終端部に使用するチップ抵抗器を筐体自体
によって短絡した構造であるから、チップ抵抗器の電極
の構造を簡略化でき、チップ抵抗器が非常に製作し易く
且つ安価となり、同時に抵抗体膜と筐体との距離を短く
できるために放熱効果が上がり、耐電力特性を向上させ
ることができる。また、部品点数が増加することもな
く、組み立て作業が煩瑣となることもない。
子部の無反射終端部に使用するチップ抵抗器を筐体自体
によって短絡した構造であるから、チップ抵抗器の電極
の構造を簡略化でき、チップ抵抗器が非常に製作し易く
且つ安価となり、同時に抵抗体膜と筐体との距離を短く
できるために放熱効果が上がり、耐電力特性を向上させ
ることができる。また、部品点数が増加することもな
く、組み立て作業が煩瑣となることもない。
【図1】本発明に係るマイクロ波用アイソレータの一実
施例を示す分解斜視図。
施例を示す分解斜視図。
【図2】その組立斜視図。
【図3】その要部の断面図。
【図4】他の実施例の要部の断面図。
10 非可逆回路素子部 12 筐体 12a 平板部 12b 非可逆回路素子部収容用の凹部 12c 直立突出壁 14 チップ抵抗器 30 基板 32 接地導体膜 34,35 電極膜 36 抵抗体膜 40,41 半田付け部
Claims (2)
- 【請求項1】 三端子を有する非可逆回路素子部をアー
スとなる筐体に搭載し、該非可逆回路素子部の一端子を
チップ抵抗器によって前記筐体に無反射終端したアイソ
レータにおいて、 チップ抵抗器は、直方体状の基板の裏面に接地導体膜を
形成し、表面の両端部にそれぞれ電極膜を形成して、表
面の両電極膜間を抵抗体膜で接続し、側面及び端面には
一切導体膜を有しない構造をなしていて、 該チップ抵抗器を、その接地導体膜が筐体平坦部に当接
し且つチップ抵抗器の一方の端面が前記筐体の直立突出
壁に当接するように筐体に載置し、チップ抵抗器の一方
の電極膜を筐体の直立突出壁に電気的に接続することで
筐体によって無反射終端部を短絡すると共に、他方の電
極膜に前記非可逆回路素子部の一端子を電気的に接続し
たマイクロ波用アイソレータ。 - 【請求項2】 チップ抵抗器の一端面が当接する筐体の
直立突出壁に、該チップ抵抗器の高さにほぼ一致する凹
部を形成し、該凹部にチップ抵抗器の一方の端部を挿入
する請求項1記載のマイクロ波用アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365619A JPH11186813A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | マイクロ波用アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365619A JPH11186813A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | マイクロ波用アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186813A true JPH11186813A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18484707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9365619A Pending JPH11186813A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | マイクロ波用アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186813A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016456A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波用複合素子 |
| WO2008071271A1 (de) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Hf-abschlusswiderstand in flanschbauweise |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP9365619A patent/JPH11186813A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016456A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波用複合素子 |
| WO2008071271A1 (de) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Hf-abschlusswiderstand in flanschbauweise |
| US8054157B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-11-08 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co., Kg | RF terminating resistor of flanged construction |
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