JPH11230725A

JPH11230725A - ３次元計測装置

Info

Publication number: JPH11230725A
Application number: JP3566598A
Authority: JP
Inventors: Toshio Norita; 寿夫糊田; Hiroshi Uchino; 浩志内野; Hidekazu Ide; 英一井手
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1998-02-18
Filing date: 1998-02-18
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】計測の視野での位置と仮想画面としてのメモリ
空間での位置とを対応づけてデータを記憶し、データを
記憶するメモリの制御を簡素化する。【解決手段】仮想平面ＶＳに向かってラスタ走査をする
ように光ビームＬを投射し、仮想平面を主走査方向Ｘ及
び副走査方向Ｙに細分化した各サンプリング区画ｓｐを
通過する時点での計測対象で反射した光ビームの入射角
度に応じた特定データＤＤを出力する３次元計測装置１
において、特定データＤＤを記憶するメモリ６０と、各
サンプリング区画ｓｐの主走査方向の位置データＸｇ及
び副走査方向の位置データＹｇをアドレスとしてメモリ
６０をアクセスし、各サンプリング区画の特定データの
書込みを行うメモリ制御手段と、を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、物体に光ビームを
投射して物体形状を非接触で計測する３次元計測装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】レンジファインダと呼称される非接触型
の３次元計測装置（３次元カメラ）は、接触型に比べて
高速の計測が可能であることから、ＣＧシステムやＣＡ
Ｄシステムへのデータ入力、身体計測、ロボットの視覚
認識などに利用されている。

【０００３】レンジファインダに好適な計測方法として
光投影法が知られている。この方法は、物体を光学的に
走査して三角測量の原理に基づいて距離画像（３次元画
像）を得る方法であり、ビーム状の参照光を投射して物
体のラスタ走査を行う能動的計測方法の一種である。ラ
スタ走査には、例えば左から右へ一方向の主走査を行う
形態と、左から右への走査とその逆の方向の走査とを交
互に行う形態（往復主走査）とがある。距離画像は、物
体上の複数の部位の３次元位置を示す画素の集合であ
る。撮影情報から距離画像を求める演算は、レンジファ
インダ又は外部の情報処理装置（コンピュータシステム
など）によって行われる。

【０００４】一般に、レンジファインダによって得られ
た計測情報は、オンライン又は記憶媒体を用いたオフラ
インで情報処理装置に入力され、解析・加工・記憶・表
示などの所定の処理を受ける。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のレンジファイン
ダの使用形態として、例えばディスプレイ装置と接続し
て距離画像の表示を行うこと、さらに計測を周期的に繰
り返して動体の位置及び形状の変化をモニタ表示する３
次元ビデオカメラとして使用することが考えられる。こ
の場合には、距離画像又はその生成の基になる１フレー
ム分の計測データをメモリに一時的に格納しておき、表
示のフレーム周期毎に読み出す必要がある。その際のメ
モリ制御としては、単純にラスタ走査と並行して一定の
サンプリング周期で逐次に発生順にデータを書き込んで
いく形態を採用することができる。アドレスポインタを
サンプリング周期でインクリメントするのである。

【０００６】しかし、このようなメモリ制御では、ライ
ン順次の表示に適合させるための並べ替え（再書込み）
や読出しアドレスの制御が必要となる。特に往復主走査
によって計測を高速化する場合においては、読出し時の
アドレス指定が複雑になってしまう。

【０００７】本発明は、計測の視野での位置と仮想画面
としてのメモリ空間での位置とを対応づけてデータを記
憶し、データを記憶するメモリの制御を簡素化すること
を目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明の装置
は、仮想平面に向かってラスタ走査をするように光ビー
ムを投射し、前記仮想平面を主走査方向及び副走査方向
に細分化した各サンプリング区画を通過する時点での計
測対象で反射した前記光ビームの入射角度に応じた特定
データを出力する３次元計測装置であって、前記特定デ
ータを記憶するメモリと、前記各サンプリング区画の主
走査方向の位置データ及び副走査方向の位置データをア
ドレスとして前記メモリをアクセスし、当該各サンプリ
ング区画の前記特定データの書込みを行うメモリ制御手
段と、を有している。

【０００９】請求項２の発明の装置は、仮想平面に向か
ってラスタ走査をするように光ビームを投射し、前記仮
想平面を主走査方向及び副走査方向に細分化した各サン
プリング区画を通過する時点での計測対象で反射した前
記光ビームの入射角度に応じた特定データを出力する３
次元計測装置であって、前記各サンプリング区画の副走
査方向の位置データを記憶するメモリと、前記各サンプ
リング区画の主走査方向の位置データ及び前記特定デー
タをアドレスとして前記メモリをアクセスし、当該各サ
ンプリング区画の前記副走査方向の位置データの書込み
を行うメモリ制御手段と、を有している。

【００１０】請求項３の発明において、前記特定データ
は、受光面に入射した前記光ビームのスポットの位置デ
ータである。請求項４の発明において、前記特定データ
は、受光面に入射した前記光ビームのスポットの位置に
基づいて算定された距離データである

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る３次元計測装
置１の概要を示す図である。３次元計測装置１は、仮想
平面ＶＳに向かってラスタ走査をするように光ビームＬ
を投射する投光系１０、計測対象の物体Ｑで反射した光
ビームＬを受光する受光系２０、及び計測値に応じた特
定データＤＤを記憶するフレームメモリ６０を備えてい
る。

【００１２】投光系１０は、光源としての半導体レーザ
（ＬＤ）１１、主走査手段であるガルバノミラー１２
Ｘ、及び副走査手段であるガルバノミラー１２Ｙから構
成されている。各ガルバノミラー１２Ｘ，１２Ｙは、光
ビームＬを反射するミラーとそれを回動させる電磁機構
とからなる。電磁機構には、クロックＳＰＣＬＫのカウ
ント値をルックアップテーブル形式で補正した後にＤ／
Ａ変換した駆動電圧が与えられる。ルックアップテーブ
ルには、例えば仮想平面ＶＳ上での走査速度が一定にな
るようにミラーの回動速度を変化させるための変換デー
タが格納されている。主走査は１ライン毎にビーム偏向
の方向が反転する往復形式である。副走査は１ラインの
主走査毎に間欠的に行われる。主走査においては、ビー
ム偏向速度が副走査よりも大きいので、駆動電圧が示す
制御目標値と実際の回動角度位置とのずれが生じ易い。
そこで、特にガルバノミラー１２Ｘには仮想平面ＶＳ上
での光スポットの位置を正確に把握するために回動角度
センサが設けられている。なお、以下において主走査方
向（Ｘ方向）を水平方向とし、副走査方向（Ｙ方向）を
垂直方向とするものとして説明することがある。

【００１３】受光系２０は、結像レンズ２１、可視光と
光ビームＬとを分離するプリズム２２、モニター用のカ
ラー撮影像を出力するためのＣＣＤ撮像デバイス２３、
及び光ビームＬの入射角度を検出するための受光デバイ
ス２５からなる。受光デバイス２５は、受光面に入射し
た光のスポット位置に応じたアナログ信号を出力する位
置検知型検出器（ＰＳＤ）である。ＰＳＤを用いること
により、ＣＣＤ撮像デバイスを用いる場合と比べて電荷
蓄積が不要となる分だけ走査を高速化することができ
る。受光系２０と上述の投光系１０とはＹ方向に一定距
離を隔てて配置されており、互いの配置関係は既知であ
る。したがって、プリズム２２に入射した光ビームＬの
Ｙ方向の入射角度が判れば、物体Ｑにおける光ビームＬ
が照射された部位と装置内の基準位置との距離を周知の
三角測量法を適用して求めることができる。光ビームＬ
のＹ方向の入射角度は、受光デバイス２５の受光面にお
ける中心と受光スポットとの距離に対応する。走査期間
において受光デバイス２５の出力を周期的にサンプリン
グすれば、仮想平面ＶＳをＸ方向及びＹ方向に細分化し
た各サンプリング区画（原理的には点）ｓｐ毎に物体Ｑ
の奥行き（仮想平面ＶＳと直交する方向の位置）を計測
することができる。すなわち、サンプリング区画ｓｐを
画素とする距離画像を得ることができる。

【００１４】本実施形態においては、受光デバイス２５
の出力を量子化した検出データＹｐが特定データＤＤと
してフレームメモリ６０に書き込まれる。ここで重要な
事項は、各サンプリング区画ｓｐのＸ方向及びＹ方向の
位置データＸｇ，Ｙｇをフレームメモリ６０のアドレス
指定に用いることである。これにより、検出データＹｐ
を単純に発生順に書き込むのとは違って、フレームメモ
リ６０のアドレス空間である仮想画面における画素配列
が仮想平面ＶＳの画素配列と一致することになる。した
がって、フレームメモリ６０から一方向主走査形式のラ
スタ走査を行うようにアドレス指定をしてデータを読み
出しても何ら不都合が生じない。単純な書込みではライ
ン毎に画素配列方向が入れ代わってしまうので、読出し
の以前に画素の並べ替えを行うか、読出し時に複雑なア
ドレス指定を行う必要がある。

【００１５】フレームメモリ６０に書き込まれた検出デ
ータＹｐは、距離画像の表示のために読み出され、ルッ
クアップテーブル（ＬＵＴ）７１及びＤ／Ａ変換器７２
を経てＮＴＳＣ形式のビデオ信号として図示しないディ
スプレイに出力される。ＬＵＴ７１には、距離画像を求
める三角測量演算を行い且つその結果にキャリブレーシ
ョンに基づく補正を加えるのに相当する変換データが記
憶されている。キャリブレーションは例えば平面を計測
するものである。フレームメモリ６０の読出しは、ビデ
オ映像表示のフレーム周期毎に行われる。検出データＹ
ｐに基づく距離画像は投光系１０からみた物体Ｑの３次
元情報である。

【００１６】図２は制御系の要部のブロック図である。
３次元計測装置１は、マイクロプロセッサを備えたＣＰ
Ｕ５１とともに、走査制御及びデータ入出力制御を担う
コントローラ５２を備えている。コントローラ５２は複
数の回路モジュールを集積化した半導体デバイス（例え
ばゲートアレイ）である。コントローラ５２によるガル
バノミラー１２Ｘの制御にはＬＵＴ３３及びＤ／Ａ変換
器３４が係わり、ガルバノミラー１２Ｙの制御にはＬＵ
Ｔ３１及びＤ／Ａ変換器３２が係わる。ガルバノミラー
１２Ｘの回動角度センサ信号（０〜５ボルト）は、Ａ／
Ｄ変換器３５で１２ビットのデータに変換された後、Ｌ
ＵＴ３６を経て位置データＸｇとしてコントローラ５２
に入力される。

【００１７】また、コントローラ５２にはＬＵＴ３９か
らの検出データＹｐが入力される。ＬＵＴ３９の入力
は、ＰＳＤ２５が出力する２種の検出信号Ｓｉｇｍａ，
ΔＹをそれぞれＤ／Ａ変換器３７，３８で量子化したも
のである。検出信号Ｓｉｇｍａ，ΔＹの値は次式で表さ
れる。

【００１８】Ｓｉｇｍａ＝Ｘ１＋Ｘ２＋Ｙ１＋Ｙ２ ΔＹ＝（Ｘ２＋Ｙ２）−（Ｘ１＋Ｙ１）Ｘ１：Ｘ方向の第１電極の出力信号（光電流）Ｘ２：Ｘ方向の第２電極の出力信号Ｙ１：Ｙ方向の第１電極の出力信号Ｙ２：Ｘ方向の第２電極の出力信号図３は出力画像サイズを示す図である。

【００１９】画像の水平画素数は「１２８」である。主
走査用のガルバノミラー１２Ｘの駆動方向の反転に要す
る時間を考慮して画像の両端にそれぞれ１６画素分のマ
ージンを設ける。また、後述の画像抜けを防止するため
に１画素当たり２回のサンプリングを行う。したがっ
て、１ライン走査時間Ｈは、サンプリングクロックＳＰ
ＣＬＫの３２０周期〔３２０＝（１２８＋１６×２）×
２〕に相当する。主走査の制御においてはサンプリング
クロックＳＰＣＬＫをカウントして駆動信号を生成す
る。往復形式であるので、サンプリングクロックＳＰＣ
ＬＫの６４０周期毎にカウンタをリセットする。

【００２０】垂直画素数は「９６」である。Ｙ方向の帰
線期間（ミラー復帰期間）を４Ｈとする。したがって、
１画面の走査時間Ｖは１００Ｈとなる。副走査において
も主走査と同様にサンプリングクロックＳＰＣＬＫをカ
ウントして駆動信号を生成する。

【００２１】図４は副走査のタイミング調整を説明する
ための図である。図４（Ａ）のようにガルバノミラー１
２Ｘに対する駆動信号（実線）と実際の回動角度を示す
検出信号（破線）との間には、３０クロック周期程度の
位相差が生じる。つまり、駆動要求に対してミラー動作
が遅れる。このため、１ライン分の主走査のカウントが
終わった時点（カウント値＝３１９）で副走査を行う
と、走査スポットは、図４（Ｂ）のように各ラインの端
部に到達する以前に次のラインへ移る軌跡を描くことに
なり、適正な走査が行えない。そこで、コントローラ５
２は、専用のレジスタ（ＹＣＵＥレジスタ）を備え、主
走査のカウンタ値がこのレジスタの値と一致したときに
副走査のカウンタをアクティブとすることによって、副
走査のタイミングを調整できるように構成されている。
この構成により、ズームングなどにより変更される走査
範囲及び走査速度に合わせて走査状態を容易に最適化で
きる。

【００２２】図５は画素抜けを防ぐ方法を示す図であ
る。上述のようにフレームメモリ６０のアドレス指定に
ガルバノミラー１２Ｘのモニタ情報である位置データＸ
ｇを用いるので、１ライン毎に一定数（本例では１２
８）のデータを得るのに、それと同数のサンプリング
（１画素当たり１回）を行った場合には、ある画素位置
のアドレスにデータが書き込まれない画素抜けが発生し
易い。その原因としては、ガルバノミラー１２Ｘの回動
ムラ、ノイズなどを挙げることができる。図５は回動ム
ラによってサンプリング周期中に２画素分以上の走査が
行われた例を示している。すなわち、時刻ｔ２から時刻
ｔ３までの期間に画素位置６８から画素位置７０まで主
走査が進み、その進み量は通常の２倍である。この状況
において１画素当たり１回のサンプリングでは画素位置
６９の画素抜けが生じてしまう。本実施形態では、１画
素当たりのサンプリング回数が２であるので、画素位置
６９の時点ｔ２’でもサンプリングが行われて画素抜け
が防止される。複数のサンプリングにおいて画素位置が
同一の場合には、同じアドレスにデータが上書きされる
ので、最後に書き込まれたデータが計測情報として有効
になる。１画素当たり３以上の回数のサンプリングを行
ってさらに画素抜けを低減するようにしてもよい。

【００２３】図６はコントローラ５２の機能構成を示す
ブロック図である。コントローラ５２は、書込み制御部
５１０、メモリ制御部５２０、及び表示制御部５３０を
有している。書込み制御部５１０は、Ｘカウンタ５１
１、Ｙカウンタ５１２、及び比較器５１３を有してい
る。メモリ制御部５２０は、アドレスコントローラ５２
１、データコントローラ５２２、メモリステータスレジ
スタ５２３、及び制御信号発生回路５２４を有してい
る。

【００２４】Ｘカウンタ５１１及びＹカウンタ５１２に
は、分周器５４１からサンプリングクロックＳＰＣＬＫ
が入力される。Ｘカウンタ５１１のカウント値（０〜６
３９）は主走査の駆動制御に用いられる。Ｙカウンタ５
１２のカウント値（０〜９９）は副走査の駆動制御及び
アドレス指定に用いられる。比較器５１３及びＹＣＵＥ
レジスタ５４２は、上述した副走査のタイミング調整の
ために設けられている。ＹＣＵＥレジスタ５４２にはＣ
ＰＵ５１から計測条件に応じた最適値がセットされる。
アドレスデコーダ５４３は、ＣＰＵ５１から直接にアド
レスを指定してフレームメモリ６０をアクセスするの
か、書込み制御部５１０からアドレスを指定してアクセ
スするのかを切り換える回路である。なお、ＣＰＵ５１
からの制御アドレスで指定されてフレームメモリ６０か
ら読み出されたデータは、メモリ制御部５２０を介して
ＣＰＵ５１へ転送される。

【００２５】フレームメモリ６０に対する書込みにおい
て、アドレスコントローラ５２１は、Ｙカウンタ５１２
からの位置データＹｇ及びガルバノミラー１２Ｘからの
位置データＸｇによってアドレス指定を行う。図中の
（ｗ）は書込み用であることを示す。また、読出しにお
いて、アドレスコントローラ５２１は、表示制御部５３
０からの位置データＸｇ，Ｙｇによってアドレス指定を
行う。図中の（ｒ）は読出し用であることを示す。例え
ば、位置データＸｇ，Ｙｇが７ビットであり、フレーム
メモリ６０としてアドレス（Ａｄｄ．）がＡ₀〜Ａ₁₅の
１６ビットである素子を用いた場合には、Ａ₀〜Ａ₆を
位置データＸｇに割り当て、Ａ₇〜Ａ₁₃を位置データＹ
ｇに割り当て、残りのＡ₁₄，Ａ₁₅をバンク指定に割り当
てる。

【００２６】データコントローラ５２２は、特定データ
ＤＤとしての検出データＹｐの書込み及び読出しを担
う。メモリステータスレジスタ５２３は、フレームメモ
リ６０における４個のバンクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの状態を記
憶する。

【００２７】表示制御部５３０は、クロック発生部５３
からの各種の同期信号に基づいて読出しアドレス（Ｘ
ｇ，Ｙｇ）を生成してアドレスコントローラ５２０に与
える。また、所定の同期信号とともにデータコントロー
ラ５２２からの検出データＹｐを図示しないディスプレ
イへ出力する。

【００２８】図７はフレームメモリ６０のバンクの使い
分けの一例を示す図である。３次元計測装置１において
は、フレームメモリ６０が４個のバンクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
に区画され、これらバンクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが書込み→表
示（読出し）→待機（アイドル）→クリアの順にローテ
ーション形式で使用される。例えばバンクＣへの書込み
を行っているときには、それ以前に前回の計測のデータ
が書き込まれているバンクＢの読出しを行うとともに、
バンクＤのデータ消去を行う。そのとき、バンクＡにつ
いては何らアクセスをしない。次の計測のときには、バ
ンクＤに今回のデータを書込み、バンクＣから前回のデ
ータを読み出す。このようなメモリ制御により、周期的
に計測を繰り返しながら各回の計測で得られたデータを
順次に出力する並行処理動作が可能となり、動体の位置
変化を表示することができる。ただし、本実施形態で
は、データの書込み（つまり１画面分の走査）と表示の
ための読出しとは非同期である。表示のフレーム周期は
１画面分の走査時間より短い。したがって、最新の１画
面分のデータ（フレーム）の書込みが完了するまでは、
１回前のフレームが繰り返し読み出されて表示されるこ
とになる。フレーム周期（例えば１／３０秒）で１画面
の走査を終えるようにした場合には、書込みと読出しと
を同期させてフレーム周期で表示を更新することができ
る。

【００２９】図８〜図１５はフレームメモリ６０の利用
形態の変形例を示す図である。図８の例は、検出データ
Ｙｐを記憶せずにルックアップテーブル７１に入力して
距離データＤｚに変換し、その距離データＤｚをフレー
ムメモリ６０に書き込むものである。アドレス指定には
図１の例と同様に位置データＸｇ，Ｙｇを用いる。ディ
スプレイへのデータ出力に際しては、フレームメモリ６
０から読み出した距離データＤｚを直接にＤ／Ａ変換器
７２に入力してビデオ信号に変換する。

【００３０】図９の例は、Ｘ方向のアドレス指定にＰＳ
Ｄ２５からのＸ方向の検出信号をＡ／Ｄ変換した位置デ
ータＸｐを用いるものである。その他の構成は図１の例
と同様である。

【００３１】図１０の例は、図８の例と同様に距離デー
タＤｚをフレームメモリ６０に書き込み、且つ図９の例
と同様にＸ方向のアドレス指定に位置データＸｐを用い
るものである。

【００３２】図１１の例は、検出データＹｐをＹ方向の
アドレス指定に用い、位置データＹｇをフレームメモリ
６０に書き込むものである。つまり、受光系２０からみ
た物体Ｑの奥行きを記憶する。用途によってはこの構成
が好ましいが、入射光量が過少であったりノイズが混入
したりして有効な検出データＹｐが得られなかった場合
には画素抜けが生じるという短所がある。

【００３３】図１２の例は、図８，１０の例と同様に距
離データＤｚをフレームメモリ６０に書き込み、且つ図
１１の例と同様にＹ方向のアドレス指定に検出データＹ
ｐを用いるものである。

【００３４】図１３の例は、Ｙ方向のアドレス指定に検
出データＹｐを用い、且つ、図９の例と同様にＸ方向の
アドレス指定に位置データＸｐを用いるものである。そ
の他の構成は図１１の例と同様である。

【００３５】図１４の例は、図１２の例と同様に距離デ
ータＤｚをフレームメモリ６０に書き込み、Ｘ方向のア
ドレス指定に位置データＸｐを用い、Ｙ方向のアドレス
指定に検出データＹｐを用いるものである。

【００３６】図１５の例は、位置データＹｇと検出デー
タＹｐとのどちらかのデータをフレームメモリ６０に書
込み、他方のデータをＹ方向のアドレス指定に用いるよ
うに、記憶内容とアドレスとの入れ換えが可能とされた
ものである。Ｘ方向のアドレス指定には位置データＸｇ
を用いる。ディスプレイへのデータ出力に際しては、フ
レームメモリ６０に書き込んだデータの種類に応じてル
ックアップテーブル７１ｉに格納されている２種の変換
データの一方を選択して用いる。

【００３７】

【発明の効果】請求項１乃至請求項４の発明によれば、
計測の視野での位置と仮想画面としてのメモリ空間での
位置とを対応づけてデータを記憶し、データを記憶する
メモリの制御を簡素化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る３次元計測装置の概要を示す図で
ある。

【図２】制御系の要部のブロック図である。

【図３】出力画像サイズを示す図である。

【図４】副走査のタイミング調整を説明するための図で
ある。

【図５】画素抜けを防ぐ方法を示す図である。

【図６】コントローラの機能構成を示すブロック図であ
る。

【図７】フレームメモリのバンクの使い分けの一例を示
す図である。

【図８】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図で
ある。

【図９】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図で
ある。

【図１０】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図
である。

【図１１】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図
である。

【図１２】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図
である。

【図１３】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図
である。

【図１４】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図
である。

【図１５】フレームメモリの利用形態の変形例を示す図
である。

【符号の説明】

１３次元計測装置ＶＳ仮想平面Ｌ光ビームＸ主走査方向Ｙ副走査方向ｓｐサンプリング区画Ｑ計測対象ＤＤ特定データＹｐ検出データ（スポットの位置データ）Ｄｚ距離データ２４シリンドリカルレンズ（光学部材）２５光電変換デバイス５２コントローラ（メモリ制御手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】仮想平面に向かってラスタ走査をするよう
に光ビームを投射し、前記仮想平面を主走査方向及び副
走査方向に細分化した各サンプリング区画を通過する時
点での計測対象で反射した前記光ビームの入射角度に応
じた特定データを出力する３次元計測装置であって、前記特定データを記憶するメモリと、前記各サンプリング区画の主走査方向の位置データ及び
副走査方向の位置データをアドレスとして前記メモリを
アクセスし、当該各サンプリング区画の前記特定データ
の書込みを行うメモリ制御手段と、を有したことを特徴
とする３次元計測装置。
【請求項２】仮想平面に向かってラスタ走査をするよう
に光ビームを投射し、前記仮想平面を主走査方向及び副
走査方向に細分化した各サンプリング区画を通過する時
点での計測対象で反射した前記光ビームの入射角度に応
じた特定データを出力する３次元計測装置であって、前記各サンプリング区画の副走査方向の位置データを記
憶するメモリと、前記各サンプリング区画の主走査方向の位置データ及び
前記特定データをアドレスとして前記メモリをアクセス
し、当該各サンプリング区画の前記副走査方向の位置デ
ータの書込みを行うメモリ制御手段と、を有したことを
特徴とする３次元計測装置。
【請求項３】前記特定データは、受光面に入射した前記
光ビームのスポットの位置データである請求項１又は請
求項２記載の３次元計測装置。
【請求項４】前記特定データは、受光面に入射した前記
光ビームのスポットの位置に基づいて算定された距離デ
ータである請求項１記載の３次元計測装置。