JPS58129655U - 半導体光結合装置 - Google Patents

半導体光結合装置

Info

Publication number
JPS58129655U
JPS58129655U JP19957182U JP19957182U JPS58129655U JP S58129655 U JPS58129655 U JP S58129655U JP 19957182 U JP19957182 U JP 19957182U JP 19957182 U JP19957182 U JP 19957182U JP S58129655 U JPS58129655 U JP S58129655U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coupling device
optical coupling
semiconductor optical
laminate
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19957182U
Other languages
English (en)
Inventor
寺本 「巌」
仁雄 岩佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP19957182U priority Critical patent/JPS58129655U/ja
Publication of JPS58129655U publication Critical patent/JPS58129655U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は通常の光結合装置の等師団路構成例である。第
2図はこの考案の光結合装置の一実施例の断面図であり
、第3図a ”−eはこの考案の具体例をその断面形状
でもって工程順に示したものである。 4・・・・・・固体基板、5.6・・・・・・半導体薄
層、7・・・・・・pn接合、8・・・・・・絶縁分離
用溝、9. 10゜11.12・・・・・・金属電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁性または半絶縁性の基板の片面に設けたpn接合を
    有する積層体が、この積層体の表面から基体に達する深
    さの細い溝で分断されて、互いに電気的に絶縁された帯
    状の発光部と前記発光部からの光を受ける受光部とが交
    互に配列されていることを特徴とする半導体光結合装置
JP19957182U 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置 Pending JPS58129655U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19957182U JPS58129655U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19957182U JPS58129655U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58129655U true JPS58129655U (ja) 1983-09-02

Family

ID=30112130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19957182U Pending JPS58129655U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58129655U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58129655U (ja) 半導体光結合装置
JPS593549U (ja) 半導体装置
JPS5931253U (ja) フオトカプラ−
JPS5936263U (ja) 半導体装置
JPS60163738U (ja) 半導体装置
JPS58129643U (ja) 半導体光結合装置
JPS5929801U (ja) 半導体移相器
JPS5954961U (ja) 半導体装置
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS5939930U (ja) 半導体装置の組立て基板
JPS58131526U (ja) 摺動用導電体
JPS5858328U (ja) 電子部品
JPS6027458U (ja) 半導体装置
JPS6276562U (ja)
JPS58164255U (ja) 発光受光素子
JPS5839041U (ja) 高耐圧半導体装置
JPS5967951U (ja) GaAs単結晶の電極構造
JPS59180432U (ja) 半導体集積回路
JPH01146548U (ja)
JPS58184856U (ja) 半導体装置
JPS587337U (ja) 混成集積回路装置
JPS5851455U (ja) 発光ダイオ−ド
JPS59187048U (ja) 温度ヒユ−ズ
JPS58155857U (ja) 半導体レ−ザ
JPS5967943U (ja) 半導体素子の冷却構造