JPS58130538A - 酸化炉 - Google Patents
酸化炉Info
- Publication number
- JPS58130538A JPS58130538A JP57013143A JP1314382A JPS58130538A JP S58130538 A JPS58130538 A JP S58130538A JP 57013143 A JP57013143 A JP 57013143A JP 1314382 A JP1314382 A JP 1314382A JP S58130538 A JPS58130538 A JP S58130538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- main body
- furnace
- wafer
- guide plates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
乙の発明は半導体材料たるウエノ＼・こ酸イヒ、拡散を
行なうのに使用する拡散炉に係り、その目的とするとこ
ろは、筒状の炉本体内の上部曇こ反応ガスを案内する案
内板を取付け、反応ガス番こ下降気流な生ぜしめて炉本
体内に多数並べて立装置するウェハの膜を均一に仕上げ
られるよう番こし１０゛ント処理の数を向上させること
である。
行なうのに使用する拡散炉に係り、その目的とするとこ
ろは、筒状の炉本体内の上部曇こ反応ガスを案内する案
内板を取付け、反応ガス番こ下降気流な生ぜしめて炉本
体内に多数並べて立装置するウェハの膜を均一に仕上げ
られるよう番こし１０゛ント処理の数を向上させること
である。
従来は、９４１図の如き石英管でなる炉本体（１）内に
ボート（３）上に並べて立装置したウェハ（２）を挿入
し、これに反応ガスを一方から管方向に流し吹きつけて
いたため、流れの上流側は多量の反応ガスに強く当り、
下流側のウェハ（２）とでは、また反応ガスの流れに直
接当るウェハ（２）の周縁部とその中心部とでは形成さ
れる酸化膜あるいは拡散ｌＩＫ不均一を生じていた。
ボート（３）上に並べて立装置したウェハ（２）を挿入
し、これに反応ガスを一方から管方向に流し吹きつけて
いたため、流れの上流側は多量の反応ガスに強く当り、
下流側のウェハ（２）とでは、また反応ガスの流れに直
接当るウェハ（２）の周縁部とその中心部とでは形成さ
れる酸化膜あるいは拡散ｌＩＫ不均一を生じていた。
この発明は上記欠点を除去せんとするものである。
以下この発明を１２図及び第３図に示す一実施例に基づ
いて説明する。
いて説明する。
（２）は水平におかれた石英管でなる炉本体であり、そ
の内部天井面には右方向に傾斜せる案内板（４）が垂下
並設されている。
の内部天井面には右方向に傾斜せる案内板（４）が垂下
並設されている。
（４）は枠組形成されたポートて、内部にウェハ（３）
をその表面が石英管方向に対して直角となるように並べ
て立設している。
をその表面が石英管方向に対して直角となるように並べ
て立設している。
而して該石英管の一方向より反応ガスを送り込まれると
内部上部を流れる反応ガスは案内板に当りその一部は下
方に向けて流れ、ウェーハ（３１の側面に沿って内部下
部に至る。即ち反応ガスは順次下流側に流れつつその一
部分ずつか並設六れた各ウェハ（３）の＠山を流れる。
内部上部を流れる反応ガスは案内板に当りその一部は下
方に向けて流れ、ウェーハ（３１の側面に沿って内部下
部に至る。即ち反応ガスは順次下流側に流れつつその一
部分ずつか並設六れた各ウェハ（３）の＠山を流れる。
以上の如くこの発明によれば、反応力′スが自記する各
ウェハ（２１に全体にわたって均一・５こ当（形成され
る酸化膜、拡散膜等は各ウェハ（２）につし゛で均一な
ものとなる。
ウェハ（２１に全体にわたって均一・５こ当（形成され
る酸化膜、拡散膜等は各ウェハ（２）につし゛で均一な
ものとなる。
次にこの拡散炉をパイロジτニツクスラ＝ｌ・酸化用の
拡散炉として使用する場合につい−ず−・１する。
拡散炉として使用する場合につい−ず−・１する。
この場合従来にあつＣは、炉本体（１）でなる質シ可管
に反応ガスたる水素と酸素を送り込むインジェクター（
５）を差しこんだ構造となっている。
に反応ガスたる水素と酸素を送り込むインジェクター（
５）を差しこんだ構造となっている。
シカシてパイロジェニックスチーム鹸化は水素を燃焼さ
せて水蒸気を発生せしめるものであるためインジェクタ
ー（５）の先から炎かでろうこのため９００℃〜１００
０℃の低温域では（通常酸化は９００℃〜１２００℃で
おこなわれる。）、この炎の影響で炉本体＋１１内の上
部の温度が下部に片べて＾くなり、炉内温度の均一性が
悪くなり、ウェハ（２）に形成される酸化膜も表面に壊
いて不拘−となる欠点を有していた。
せて水蒸気を発生せしめるものであるためインジェクタ
ー（５）の先から炎かでろうこのため９００℃〜１００
０℃の低温域では（通常酸化は９００℃〜１２００℃で
おこなわれる。）、この炎の影響で炉本体＋１１内の上
部の温度が下部に片べて＾くなり、炉内温度の均一性が
悪くなり、ウェハ（２）に形成される酸化膜も表面に壊
いて不拘−となる欠点を有していた。
そこで、この発明の散化炉をパイロジエックスチーム酸
化用の拡散炉として使用する場合には、インジェクター
（５）の先端部を燃焼量（６）内に入れ、燃焼１！（６
）内で発生する水蒸気を該燃焼筒１６１の底部より炉本
体１１）内の下部薯ζ送り出すようにすると良い結果が
得られる。即ち儒―塞（６）を設けたことにより、炎が
直接炉本体（１）内の温度に影響を及ぼすということは
なくなる。水蒸気は＃Ｉ焼富（６）内？混合されその下
部より炉本体（１１内へ送り込まれるため、その温度は
ほぼ均一となるのである。そして形成される酸化膜も均
一となるのである。
化用の拡散炉として使用する場合には、インジェクター
（５）の先端部を燃焼量（６）内に入れ、燃焼１！（６
）内で発生する水蒸気を該燃焼筒１６１の底部より炉本
体１１）内の下部薯ζ送り出すようにすると良い結果が
得られる。即ち儒―塞（６）を設けたことにより、炎が
直接炉本体（１）内の温度に影響を及ぼすということは
なくなる。水蒸気は＃Ｉ焼富（６）内？混合されその下
部より炉本体（１１内へ送り込まれるため、その温度は
ほぼ均一となるのである。そして形成される酸化膜も均
一となるのである。
第１Ｍ
第２ｒ
第３り
Claims (1)
- （１１半導体材料たるウェアｓｌこ酸化、拡散を行なう
のに使用する拡散炉に膚考〒坤功七胸妻≠ネｔ４筒状の
炉本体内の上部番こ反応ガスを案内する案内板を取付け
、反応ガスに下降気流を生ぜ撤ｆ←か替る酸化炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013143A JPS58130538A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 酸化炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013143A JPS58130538A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 酸化炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130538A true JPS58130538A (ja) | 1983-08-04 |
Family
ID=11824932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57013143A Pending JPS58130538A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 酸化炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164210A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板の不純物拡散炉 |
| JPH0189738U (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-13 |
-
1982
- 1982-01-28 JP JP57013143A patent/JPS58130538A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164210A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板の不純物拡散炉 |
| JPH0189738U (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58130538A (ja) | 酸化炉 | |
| JPH02234419A (ja) | プラズマ電極 | |
| US3772427A (en) | Combustion process for producing high surface area silica | |
| CN117781315A (zh) | 一种微混燃烧器及燃气轮机 | |
| JPS5616028A (en) | Liquid fuel combusting apparatus | |
| JPS60116126A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| CN107667070A (zh) | 催化燃烧器设备 | |
| EP1723685A2 (en) | Mixer/eductor for high temperature fuel cells | |
| CN115261823B (zh) | 工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺 | |
| JP3359474B2 (ja) | 横型熱処理装置 | |
| JP2016163025A (ja) | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 | |
| US20240412950A1 (en) | Reaction chamber and oxidation device | |
| ES344947A1 (es) | Metodo y aparato para producir y mantener un plasma gaseo- so. | |
| JPS5816108A (ja) | バ−ナ | |
| JPH01205425A (ja) | 酸化炉 | |
| CN118874252B (zh) | 一种气体混合系统及其混合方法 | |
| US763057A (en) | Gas-radiator. | |
| JPH01198016A (ja) | 横形プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2729238B2 (ja) | 縦型処理装置 | |
| US1352481A (en) | Heater | |
| JP3123277B2 (ja) | 燃焼装置 | |
| GB191013680A (en) | Improvements in Gas Mixers. | |
| CN118400855A (zh) | 等离子体产生装置和等离子体处理设备 | |
| KR0155920B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 연소 장치 | |
| CN114597145A (zh) | 一种硅反应装置 |