JPS58139432A - 電子部品の樹脂モ−ルド方法 - Google Patents
電子部品の樹脂モ−ルド方法Info
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- JPS58139432A JPS58139432A JP2226982A JP2226982A JPS58139432A JP S58139432 A JPS58139432 A JP S58139432A JP 2226982 A JP2226982 A JP 2226982A JP 2226982 A JP2226982 A JP 2226982A JP S58139432 A JPS58139432 A JP S58139432A
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- resin material
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ｗＡｔｉ電子部品の樹脂モールド方法に関し、特に
上部金型と下部金型とＫよって構成される牛ヤビテイ部
・＼の樹脂材の充填性を教養することを目的とする１の
である。
上部金型と下部金型とＫよって構成される牛ヤビテイ部
・＼の樹脂材の充填性を教養することを目的とする１の
である。
一般に電子部品、主として半導体装置の樹脂モールド装
＊１１例えば中央部分にポット部を、その周辺にキャビ
ティ部を有する上部金型と下部金型とを具え、これらの
衝合部分に、ポット部よりキャビティ部に連通するラン
チ部を形成して構成されてン・る。
＊１１例えば中央部分にポット部を、その周辺にキャビ
ティ部を有する上部金型と下部金型とを具え、これらの
衝合部分に、ポット部よりキャビティ部に連通するラン
チ部を形成して構成されてン・る。
この装置による樹脂モールド作業は例えばとのよ、うに
して行われている。即ち、まず、リードフレームを下部
金型に１リードフレームにマウントされた半導体素子が
キャビティ部に位置するように載置する。そして、下部
金型を上昇させることによってリードフレームを下部金
型、上部金型にて挟持する。この状１１において、ポッ
ト部にＩＩ！個の樹脂タブレットを供給し、プランジャ
ーにて押圧する。樹脂タブレットはやがて溶融状態に力
ってポット部よりランナ部を介してそれぞれのキャビテ
ィ部に注入される。樹脂材の硬化後、下部金型と上部金
型とを離隔し、リードフレームを取出すことによって半
導体装置の樹脂モールドを完了する。
して行われている。即ち、まず、リードフレームを下部
金型に１リードフレームにマウントされた半導体素子が
キャビティ部に位置するように載置する。そして、下部
金型を上昇させることによってリードフレームを下部金
型、上部金型にて挟持する。この状１１において、ポッ
ト部にＩＩ！個の樹脂タブレットを供給し、プランジャ
ーにて押圧する。樹脂タブレットはやがて溶融状態に力
ってポット部よりランナ部を介してそれぞれのキャビテ
ィ部に注入される。樹脂材の硬化後、下部金型と上部金
型とを離隔し、リードフレームを取出すことによって半
導体装置の樹脂モールドを完了する。
ところで、ポット部には何本は樹脂タブレットが、ラン
ナ部、キャビティ部の容積によっても異なるが、通常２
〜３個取納されているのであるが、これらの樹脂タブレ
ットは収納後、同時に加熱され、かつ溶融状態になるも
のの、ランナ部必・らキャビティ部への供給はポット部
の下側に位置する樹脂材から順次に行われる。このため
に、溶融後。
ナ部、キャビティ部の容積によっても異なるが、通常２
〜３個取納されているのであるが、これらの樹脂タブレ
ットは収納後、同時に加熱され、かつ溶融状態になるも
のの、ランナ部必・らキャビティ部への供給はポット部
の下側に位置する樹脂材から順次に行われる。このため
に、溶融後。
ランナ部に圧送されるまでの時間は当然下側に位置する
ものほど短く、上側に位置するものほど長くなる。
ものほど短く、上側に位置するものほど長くなる。
通常、樹脂材は一旦溶融状態になると、その時点よ抄徐
々に硬化反応が開始されることから、ポット部の下１１
に位置する樹脂材は溶融後、速やかにポット部に近い牛
ヤビテイ部に注入されるために、硬化反応も殆んど起っ
ていないものの、その後にポット部の上側に位置する樹
脂材がポット部よ抄速い位置のキャビティ部に圧送され
る際にはランナ部分にて既に硬化反応がか修り進んでい
ることがある。
々に硬化反応が開始されることから、ポット部の下１１
に位置する樹脂材は溶融後、速やかにポット部に近い牛
ヤビテイ部に注入されるために、硬化反応も殆んど起っ
ていないものの、その後にポット部の上側に位置する樹
脂材がポット部よ抄速い位置のキャビティ部に圧送され
る際にはランナ部分にて既に硬化反応がか修り進んでい
ることがある。
このような場合にはランナ部とキャビティ部を接続する
ゲート部が極めて小さＶ−開口面積に設定されてＶする
こともあって、キャピテイ部への注入が不充分となって
ボイドが形成されたり、或Ｖ−けそのような樹脂材によ
って半導体素子の電輪上リードとを接続してｌ／Ｊる金
属細線を押し倒して不所望部分に接触させたりするとい
う問題がある。
ゲート部が極めて小さＶ−開口面積に設定されてＶする
こともあって、キャピテイ部への注入が不充分となって
ボイドが形成されたり、或Ｖ−けそのような樹脂材によ
って半導体素子の電輪上リードとを接続してｌ／Ｊる金
属細線を押し倒して不所望部分に接触させたりするとい
う問題がある。
従って、従来においてはポット部における溶融樹脂材の
射出圧力を極力高めるように配慮されてＶ・る。この方
法によれば、樹脂材のポット部からキャビティ部への移
動時間が早くなる関係で、ポット部より遠ψ位置にある
キャビティ部への樹脂材の充填性をかなり改善でき、ボ
イドの生成も減少できる。
射出圧力を極力高めるように配慮されてＶ・る。この方
法によれば、樹脂材のポット部からキャビティ部への移
動時間が早くなる関係で、ポット部より遠ψ位置にある
キャビティ部への樹脂材の充填性をかなり改善でき、ボ
イドの生成も減少できる。
しかし乍ら、ポット部に近いキャビティ部への樹脂材の
注入圧力は適正値よりはるかに高くなるために、金属細
線が押し倒されて不所望部分Ｋｉ触したり、或いは切断
されたりする不良が多発するのみならず、キャビティ部
外のり−ド舒分に樹脂材が漏れたりするＣど品質、外観
上の問題がある０ 本発明はこのような点に鑑み、樹脂材をキャビティ部に
、キャビティ部のポット部に対する位置関係に余り１着
されず、′かつ樹脂材の射出圧力を必要以上に高めるこ
となく、ｒ４実に充填できる電子部品の樹脂モール下方
法を提供するもので、以下実施例九つｖｌて説明する。
注入圧力は適正値よりはるかに高くなるために、金属細
線が押し倒されて不所望部分Ｋｉ触したり、或いは切断
されたりする不良が多発するのみならず、キャビティ部
外のり−ド舒分に樹脂材が漏れたりするＣど品質、外観
上の問題がある０ 本発明はこのような点に鑑み、樹脂材をキャビティ部に
、キャビティ部のポット部に対する位置関係に余り１着
されず、′かつ樹脂材の射出圧力を必要以上に高めるこ
となく、ｒ４実に充填できる電子部品の樹脂モール下方
法を提供するもので、以下実施例九つｖｌて説明する。
第１ｗＪ〜第２図において、１はベッドであって、それ
にＦｉＩｉｉ！数のシリンダ２が立設“されている。そ
して、このシリンダ２のロンド２ａの上端部はプラテン
３に固定されており、プラテン３はガイドロツ）”４に
案内されて上下動自在にＩ！成されているプラテン３の
上面Ｋ ｒｉバックアッププレート５が固定されており
、それより廷びる支柱６の上端部にはヒータを内ｉ！シ
た加熱体７．金型支持体８゜下部金型９が順に固定され
ている。そして、この下部金Ｉｌｅのほぼ中央部分には
ポット部１０が形成されており、このポット部１０より
知数のランナ部１１が延在して形成されている。ランナ
部１１は例えばポット部１０より若干離隔した部分から
２本に分岐されており、ポット部１０に＠接する部分１
１ｍの断面積−〇と２本に分岐された部分１１ｂの断面
積φｌと分岐されたランナ部のボット部１０より充分に
離隔した部分１１ｃの断面積φ２との関係ハφ０〉φ１
〉φｚ Ｋ Ｍｌ？、定されている。そして、ランナ部
１１における断面積の区分された部分１１ｂ。
にＦｉＩｉｉ！数のシリンダ２が立設“されている。そ
して、このシリンダ２のロンド２ａの上端部はプラテン
３に固定されており、プラテン３はガイドロツ）”４に
案内されて上下動自在にＩ！成されているプラテン３の
上面Ｋ ｒｉバックアッププレート５が固定されており
、それより廷びる支柱６の上端部にはヒータを内ｉ！シ
た加熱体７．金型支持体８゜下部金型９が順に固定され
ている。そして、この下部金Ｉｌｅのほぼ中央部分には
ポット部１０が形成されており、このポット部１０より
知数のランナ部１１が延在して形成されている。ランナ
部１１は例えばポット部１０より若干離隔した部分から
２本に分岐されており、ポット部１０に＠接する部分１
１ｍの断面積−〇と２本に分岐された部分１１ｂの断面
積φｌと分岐されたランナ部のボット部１０より充分に
離隔した部分１１ｃの断面積φ２との関係ハφ０〉φ１
〉φｚ Ｋ Ｍｌ？、定されている。そして、ランナ部
１１における断面積の区分された部分１１ｂ。
１１０にはゲート部１２を介してキャピテイ部１３が形
成されている。一方、ガイドロッド４の上端部にはプレ
ート１４が固定されている。このプレート１４の下方Ｋ
１−１支柱１５を介して加熱体１６゜金型支持体１？、
上部金型１８が順に固定されており、それぞれの中央部
分にはポット部ｌＯに対応する貫通孔（ポット部）１９
が形成されているっ次にこの樹脂モールド装置による半
導体装置の樹脂モールド方法について説明する。まず、
半導体素子のマウントされたリードフレームを下部金型
９に、半導体素子がキャビティ部１３に位置するように
載置する。そして、シリンダ２を上昇動作させると、プ
ラテン３はガイドロッド４に案内され上昇し、これに伴
って加熱体７．金型支持体８、下部金型９も上昇する。
成されている。一方、ガイドロッド４の上端部にはプレ
ート１４が固定されている。このプレート１４の下方Ｋ
１−１支柱１５を介して加熱体１６゜金型支持体１？、
上部金型１８が順に固定されており、それぞれの中央部
分にはポット部ｌＯに対応する貫通孔（ポット部）１９
が形成されているっ次にこの樹脂モールド装置による半
導体装置の樹脂モールド方法について説明する。まず、
半導体素子のマウントされたリードフレームを下部金型
９に、半導体素子がキャビティ部１３に位置するように
載置する。そして、シリンダ２を上昇動作させると、プ
ラテン３はガイドロッド４に案内され上昇し、これに伴
って加熱体７．金型支持体８、下部金型９も上昇する。
そして、リードフレームは下部金型９と上部金型１８に
よって挾持ざれる。次に、ポット部１０ 、’１９にス
パイラルフロー（樹脂材の流れ具合）の異なる複数の樹
脂タブレットを、例えばスパイラルフローの短いものが
下側に、長い本のが上側になるように収納する。
よって挾持ざれる。次に、ポット部１０ 、’１９にス
パイラルフロー（樹脂材の流れ具合）の異なる複数の樹
脂タブレットを、例えばスパイラルフローの短いものが
下側に、長い本のが上側になるように収納する。
これＫよってそれぞれの樹脂タブレッ）［下部金型９．
上部金型１８からの熱伝導によって急速に加熱される。
上部金型１８からの熱伝導によって急速に加熱される。
次に、プランジャーを貫通孔１９に挿入し、ＩＩＦＩ＃
タブレットを加工°する。やがて樹脂タブレットは溶融
状態となり、ポット部の下ｍＪ Ｋ位置する樹脂材がラ
ンナ部１１の部分１１ａ’、１ｌｂＫ圧送’：５ｔＬ、
ポット部１０に近φキャヒティ部１３［ｆｆ入１ｔｉ。
タブレットを加工°する。やがて樹脂タブレットは溶融
状態となり、ポット部の下ｍＪ Ｋ位置する樹脂材がラ
ンナ部１１の部分１１ａ’、１ｌｂＫ圧送’：５ｔＬ、
ポット部１０に近φキャヒティ部１３［ｆｆ入１ｔｉ。
尚、下側の樹脂材のスパイラルフローが短い関係で、ポ
ット部１０より達−位置にあるランナ部分１１ ａ ｆ
ＣｔでＨ？ＡすれなＶｌ。その債、ｔｏｙ ）＠ｘ ｏ
ノ上１１に位置するスパイラルフローの長い樹脂材がラ
ンチ部分１１ｃに圧送され、ポット部ｌＯより達ψ位甑
にあるキャビティ部１３に注入される。そして、樹脂材
の硬化後、シリンダ２の下降動作によって下部金型９を
上部金型１８よりｌＩｌ！隔さぜ、半導体装置をキャビ
ティ部より取出すことＫよって樹脂モールドを完了する
。
ット部１０より達−位置にあるランナ部分１１ ａ ｆ
ＣｔでＨ？ＡすれなＶｌ。その債、ｔｏｙ ）＠ｘ ｏ
ノ上１１に位置するスパイラルフローの長い樹脂材がラ
ンチ部分１１ｃに圧送され、ポット部ｌＯより達ψ位甑
にあるキャビティ部１３に注入される。そして、樹脂材
の硬化後、シリンダ２の下降動作によって下部金型９を
上部金型１８よりｌＩｌ！隔さぜ、半導体装置をキャビ
ティ部より取出すことＫよって樹脂モールドを完了する
。
このようにポット部１０．１９にはスパイラルフローの
異った複数個の樹脂タブレットが収納されるので、ポッ
ト部からランナ部１１に圧送された際に、それぞれ異っ
た流れ性を呈する。例えば下側にスパイラルフローの短
いものを、上側に長いものを収納すれけ５、下側の樹脂
材は主としてポット部１０に近−ランナ部分に流れ、上
側の樹脂材はポット部１０より違ψランナ部分１１０に
流れることＫなり、これに連通するキャビティ部に確更
に注入される。従って、ボイドの発生を確実に防止でき
る上、射出圧力を必要以上に高めなくてもよいので金属
細線の断線なども防止できる。
異った複数個の樹脂タブレットが収納されるので、ポッ
ト部からランナ部１１に圧送された際に、それぞれ異っ
た流れ性を呈する。例えば下側にスパイラルフローの短
いものを、上側に長いものを収納すれけ５、下側の樹脂
材は主としてポット部１０に近−ランナ部分に流れ、上
側の樹脂材はポット部１０より違ψランナ部分１１０に
流れることＫなり、これに連通するキャビティ部に確更
に注入される。従って、ボイドの発生を確実に防止でき
る上、射出圧力を必要以上に高めなくてもよいので金属
細線の断線なども防止できる。
又、ランナ部１１の部分１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ の
断ｒｆＪ′ｆＩＩφ０．φ１．φ鵞をφ０）−１）φ２
の関係ＫＩＴｈ定すれば、樹脂材のスパイラル７四−と
の関係もあって、ポット部１０における樹脂材の射出圧
力を高めることなく、すべてのキャビティ部１３に樹脂
材を確実に充填できる上、金属細線の断線も皆無にでき
る。
断ｒｆＪ′ｆＩＩφ０．φ１．φ鵞をφ０）−１）φ２
の関係ＫＩＴｈ定すれば、樹脂材のスパイラル７四−と
の関係もあって、ポット部１０における樹脂材の射出圧
力を高めることなく、すべてのキャビティ部１３に樹脂
材を確実に充填できる上、金属細線の断線も皆無にでき
る。
次に具体的実施例にっＶ・て説明する。第１図〜第２図
に示す樹脂モールド装ｆｈにおいて、下部金型、上部金
型を１６０℃に設定すると共に、ポット部にエポキシ樹
脂、シリカ粉末、硬化剤１色素を含み、かつスパイラル
フローを４５．６０．？５ａＪＣ設定した樹脂タブレッ
トを４５．ｔ５，６ｏｍｆ）も（Ｄの順に収納する。そ
して、プランジャーによる樹脂タブレットの加圧力を６
０％に設定した処、すべてのキャビティ部に樹脂材をボ
イドの生成もなく、＃Ｉ実に充填できた。又、モールド
品を分解しな処、金属細線の倒れ、断４１に全く詔めら
れなかった。しかし乍ら、スパイラルフローｆ）Ｉ ６
０ Ｃｌ１１７）樹脂タブレットを３個用いたものでは
ポット部より遠ψ位置にあるキャビティ部に樹脂材の未
充填不良、金属細線の倒れ不良が発生した。
に示す樹脂モールド装ｆｈにおいて、下部金型、上部金
型を１６０℃に設定すると共に、ポット部にエポキシ樹
脂、シリカ粉末、硬化剤１色素を含み、かつスパイラル
フローを４５．６０．？５ａＪＣ設定した樹脂タブレッ
トを４５．ｔ５，６ｏｍｆ）も（Ｄの順に収納する。そ
して、プランジャーによる樹脂タブレットの加圧力を６
０％に設定した処、すべてのキャビティ部に樹脂材をボ
イドの生成もなく、＃Ｉ実に充填できた。又、モールド
品を分解しな処、金属細線の倒れ、断４１に全く詔めら
れなかった。しかし乍ら、スパイラルフローｆ）Ｉ ６
０ Ｃｌ１１７）樹脂タブレットを３個用いたものでは
ポット部より遠ψ位置にあるキャビティ部に樹脂材の未
充填不良、金属細線の倒れ不良が発生した。
尚、本発明におりて、スパイラルフローノ異する樹脂タ
ブレットのホ゛ット部への収納順序に上。
ブレットのホ゛ット部への収納順序に上。
下部金型の＊ｉに関連して適宜に設定できる。ポット部
、ランナ部の数及び配設位置は適宜に変更できる。さら
にキャビティ部はランナ部の両側に形成することもでき
るし、上部金型ｆ！ｌ／ＪＬ上、下部金型に形成する仁
ともできる。
、ランナ部の数及び配設位置は適宜に変更できる。さら
にキャビティ部はランナ部の両側に形成することもでき
るし、上部金型ｆ！ｌ／ＪＬ上、下部金型に形成する仁
ともできる。
以上のように本発５）４によれば、ポット部にスパイラ
ルフローの興なる樹脂タブレットを適宜の絹合せで収納
することによって、キャビティ部に樹脂材を確実に充填
でき、ボイドの生成などのトラブルを著しく減少できる
。
ルフローの興なる樹脂タブレットを適宜の絹合せで収納
することによって、キャビティ部に樹脂材を確実に充填
でき、ボイドの生成などのトラブルを著しく減少できる
。
第１図は本発明に係る樹脂モールド装置の側断面図、第
２図は下部金型の平面図である。
２図は下部金型の平面図である。
Claims (1)
- 上部金型と下部金型とによって構成されるキャビティ部
に電子部品をセットすると共に、ポットｓＶＣスパイラ
ルフローの興った惨敗の樹脂タブレットを収納し、ブタ
ンジャーにて加圧することＫよりＷＩｋ状態の樹脂材を
ランナ部を介してキャビティ部に注入することを特徴と
する電子部品の樹脂モールド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2226982A JPS58139432A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 電子部品の樹脂モ−ルド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2226982A JPS58139432A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 電子部品の樹脂モ−ルド方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139432A true JPS58139432A (ja) | 1983-08-18 |
| JPS6240850B2 JPS6240850B2 (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12078041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2226982A Granted JPS58139432A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 電子部品の樹脂モ−ルド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139432A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258758A (en) * | 1975-11-05 | 1977-05-14 | Massachusetts Inst Technology | Method of accelerating cooling of polymer particles |
| JPS56107559A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2226982A patent/JPS58139432A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258758A (en) * | 1975-11-05 | 1977-05-14 | Massachusetts Inst Technology | Method of accelerating cooling of polymer particles |
| JPS56107559A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240850B2 (ja) | 1987-08-31 |
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