JPS58185757A - 無電解めつき浴の再生方法 - Google Patents
無電解めつき浴の再生方法Info
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- JPS58185757A JPS58185757A JP6736482A JP6736482A JPS58185757A JP S58185757 A JPS58185757 A JP S58185757A JP 6736482 A JP6736482 A JP 6736482A JP 6736482 A JP6736482 A JP 6736482A JP S58185757 A JPS58185757 A JP S58185757A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエチレンジアミン四酢c1k(IDTA)など
の細化剤を自む無電解細めつき浴の再生方法に圓し、特
には、めっき冶中から回収した細化剤を用い、アノード
俗解により形成した銅イオンなEDTA−銅飴化物とし
て供給する無電解めっき浴の再生方法に関する。
の細化剤を自む無電解細めつき浴の再生方法に圓し、特
には、めっき冶中から回収した細化剤を用い、アノード
俗解により形成した銅イオンなEDTA−銅飴化物とし
て供給する無電解めっき浴の再生方法に関する。
無電解めっきは、それが電気めつきの下地めっきとして
用いられるものであろうとも、また、それ自体で用いら
れるものであろうとも、その反応に伴なって、めっき浴
中の銅イオン、PI(すなわち水酸化イオンおよび還元
剤が減少し、その減少に応じた反応−生智が生じる。こ
れは、無電解めっき反応が不可逆反応であるため不可避
の現象である。 ” 一方、無電解銅めつき皮膜の品質は、めっき浴組成およ
びめっき条件によって大きく左右される。つまり、めっ
き浴中の反応副生成物による塩磯度の増大につれて無電
解銅めっき皮膜の特性や品質が態化するし、めっき反応
速度が変化してくる。
用いられるものであろうとも、また、それ自体で用いら
れるものであろうとも、その反応に伴なって、めっき浴
中の銅イオン、PI(すなわち水酸化イオンおよび還元
剤が減少し、その減少に応じた反応−生智が生じる。こ
れは、無電解めっき反応が不可逆反応であるため不可避
の現象である。 ” 一方、無電解銅めつき皮膜の品質は、めっき浴組成およ
びめっき条件によって大きく左右される。つまり、めっ
き浴中の反応副生成物による塩磯度の増大につれて無電
解銅めっき皮膜の特性や品質が態化するし、めっき反応
速度が変化してくる。
ところで、プリント配線板のための無電解銅めっき、中
でもセミアディティブまたはフルアディティブ法により
作製されるプリント配−板においては、その無電解めっ
きの皮膜物性は、電解銅めつきでその殆んどの回路を形
成する従来のサブトラクティブ法における単なるスルホ
ールつまり導体化のみを目的とする無電解めっきの皮膜
物性に比べると、はるかに良質な皮膜の形成が要求され
る。つまり、無電解銅めっき皮膜の物性がビロリン鍍銅
めっきや([!細めつきに代表される電気鋼めっきのそ
れと同じようなものでなければ、同等のプリント配線板
は得られないし、また、めっき皮膜のコントロールの点
においても、無電解−めっきの反応速度のコントロール
が非常に重要になってくる。そのため、無電解銅めっき
浴組成は極カ一定した濃度に管理され、かつ、反応副生
物も極力少な〈従来は、無電解めっき反応に伴なって減
少するCu” p 0)1− * 8元剤を+動もしく
は自動分析、または被めっき体の処理りとめつき時間か
ら推測して、めっき浴中のこれら成分濃度が所定濃度&
:達した時、別途用意した憾峡銅溶液、水酸化ナトリウ
ム溶液および還元剤たとえばホルムアルデヒドを固体も
しくは水溶液状独で、それぞれ一定置を加えて、浴m度
を一部していた。
でもセミアディティブまたはフルアディティブ法により
作製されるプリント配−板においては、その無電解めっ
きの皮膜物性は、電解銅めつきでその殆んどの回路を形
成する従来のサブトラクティブ法における単なるスルホ
ールつまり導体化のみを目的とする無電解めっきの皮膜
物性に比べると、はるかに良質な皮膜の形成が要求され
る。つまり、無電解銅めっき皮膜の物性がビロリン鍍銅
めっきや([!細めつきに代表される電気鋼めっきのそ
れと同じようなものでなければ、同等のプリント配線板
は得られないし、また、めっき皮膜のコントロールの点
においても、無電解−めっきの反応速度のコントロール
が非常に重要になってくる。そのため、無電解銅めっき
浴組成は極カ一定した濃度に管理され、かつ、反応副生
物も極力少な〈従来は、無電解めっき反応に伴なって減
少するCu” p 0)1− * 8元剤を+動もしく
は自動分析、または被めっき体の処理りとめつき時間か
ら推測して、めっき浴中のこれら成分濃度が所定濃度&
:達した時、別途用意した憾峡銅溶液、水酸化ナトリウ
ム溶液および還元剤たとえばホルムアルデヒドを固体も
しくは水溶液状独で、それぞれ一定置を加えて、浴m度
を一部していた。
一方、これに伴ないtIAcmナトリウム、ギ敞ソーダ
さらにはメタノール、エタノールなどのアルコール類が
蓄積されてくる。そこで′、こレラ反応副生物が増大す
ると、めっき不良が増加するため、経験的にある浴寿命
まで使用すると浴の一部または全部を廃棄し、新しいめ
っき浴と更新していた。
さらにはメタノール、エタノールなどのアルコール類が
蓄積されてくる。そこで′、こレラ反応副生物が増大す
ると、めっき不良が増加するため、経験的にある浴寿命
まで使用すると浴の一部または全部を廃棄し、新しいめ
っき浴と更新していた。
しかしながら、1この方法ではコストが高くなるばかり
でなく、品質の/Jラッキ、作業性の題化などの弊害を
招き、特に上述の如く高品質の無電解めっき皮膜が要求
される場合においては問題であった。また、めっき液を
更新した場合の廃液の処理も問題であった。すなわち、
老廃液中の細化剤に対するCOD対策、BOD対策等の
無害化処理が必要となり、したがって、公W規制の点か
らいって無害化処理費用の増大を招くばかりでなく、廃
棄すること自体が峻しくなってきている社食情勢に対応
できない。
でなく、品質の/Jラッキ、作業性の題化などの弊害を
招き、特に上述の如く高品質の無電解めっき皮膜が要求
される場合においては問題であった。また、めっき液を
更新した場合の廃液の処理も問題であった。すなわち、
老廃液中の細化剤に対するCOD対策、BOD対策等の
無害化処理が必要となり、したがって、公W規制の点か
らいって無害化処理費用の増大を招くばかりでなく、廃
棄すること自体が峻しくなってきている社食情勢に対応
できない。
本発明は、上記の如き従来技術の欠点を解決することを
目的とするものであり、反応刷生切の蓄積が少なく安定
した無電解めっきが行なえ、しかも、廃液処、理の問題
も大巾に低減しうる無電解めっき浴の再生方法を提供す
ることを目的とする。
目的とするものであり、反応刷生切の蓄積が少なく安定
した無電解めっきが行なえ、しかも、廃液処、理の問題
も大巾に低減しうる無電解めっき浴の再生方法を提供す
ることを目的とする。
すなわち、本発明の無電解めっき浴の再生方法は、以下
の(イ)〜に)の工程を含むことを特徴とする。
の(イ)〜に)の工程を含むことを特徴とする。
←)錯化剤を含む無電解鋼めっき浴から無電解めっき液
の一部もしくは全部を連続的または間欠的に取り出して
、該液中の銅イオンを該液中から分離除去する工程。
の一部もしくは全部を連続的または間欠的に取り出して
、該液中の銅イオンを該液中から分離除去する工程。
幹) この液を酸性にして細化剤を析出せしめて回収す
る工程。
る工程。
(→ イオン交換膜により仕切って、銅を陽極とする陽
極室および一極を配設した陽極室を設け、Mlliii
極室には中性電解質溶液(曲記イオン交換編がアニオン
交換膜の場合)または中性もしくはアルカリ性電解實−
mW(前記イオン交換線がカチオン交換膜の場合)を入
れ、一方、陽極室には前記回収細化剤を導入し、前記両
極間に直流maを通電する工程。
極室および一極を配設した陽極室を設け、Mlliii
極室には中性電解質溶液(曲記イオン交換編がアニオン
交換膜の場合)または中性もしくはアルカリ性電解實−
mW(前記イオン交換線がカチオン交換膜の場合)を入
れ、一方、陽極室には前記回収細化剤を導入し、前記両
極間に直流maを通電する工程。
に) この陽極室内の浴液を無電解めっき浴にリサ、イ
クルする工程。
クルする工程。
以下、添付図面に沿って本発明をさらに詳細に説明する
。
。
#h1図は本発明の70−図である。無電解めっき浴1
2には銅、イオン、水酸化イオン(pHN整剤)、還元
剤、細化剤を含み、さらに檎青の助剤を含むことができ
る。無電解銅めっきが醜行するにつれて、−イオン、水
酸化イオンおよび越元剤が消費され、一方、ギ醸ナトリ
ウム、メチルアルコールなど(還元剤としてホルムアル
デヒドを使用した場合)が細化ずる。また、銅イオンが
4itcII銅として、また、水酸化イオンが水酸化ナ
トリウムとして加えられた場合は、硫酸ナトリウムが蓄
積されてくる。そこで、tnn仕分サイクル糸および非
サイクル系からそれぞれライン13および15により供
給されると共に、めっき液(副生物を含む)の一部もし
くは全部が連続的または間欠的にめつき浴12から取り
出される。なお、ここで間欠的とは一定周期をもたず単
に非連続的に取り出される場合も含む。
2には銅、イオン、水酸化イオン(pHN整剤)、還元
剤、細化剤を含み、さらに檎青の助剤を含むことができ
る。無電解銅めっきが醜行するにつれて、−イオン、水
酸化イオンおよび越元剤が消費され、一方、ギ醸ナトリ
ウム、メチルアルコールなど(還元剤としてホルムアル
デヒドを使用した場合)が細化ずる。また、銅イオンが
4itcII銅として、また、水酸化イオンが水酸化ナ
トリウムとして加えられた場合は、硫酸ナトリウムが蓄
積されてくる。そこで、tnn仕分サイクル糸および非
サイクル系からそれぞれライン13および15により供
給されると共に、めっき液(副生物を含む)の一部もし
くは全部が連続的または間欠的にめつき浴12から取り
出される。なお、ここで間欠的とは一定周期をもたず単
に非連続的に取り出される場合も含む。
第1図は供給駄に応じて一部をオーt’l −7u−し
て連続的に取り出す場合について示しており、オーツ々
−フローしためつき液12はライン17を経て濾過器1
9(省略することもできる。)を介して供給口より銅沈
殿装置21に導かれる。
て連続的に取り出す場合について示しており、オーツ々
−フローしためつき液12はライン17を経て濾過器1
9(省略することもできる。)を介して供給口より銅沈
殿装置21に導かれる。
銅沈殿装fi21では銅イオンの沈殿、除去が行なわれ
る。銅イオンの分離は、たとえば、以下のような方法の
1つまたは2つ以上の組合せ等により鯛キレートを分解
して綱を金属銅もしくはms化物として沈殿することに
より行なわれる。
る。銅イオンの分離は、たとえば、以下のような方法の
1つまたは2つ以上の組合せ等により鯛キレートを分解
して綱を金属銅もしくはms化物として沈殿することに
より行なわれる。
(υ 銅板、銅箔、銅粉などの金NN14fを液中に飾
加する。
加する。
<27 Pd”+などの触媒を液中に添加する。
(37液を44mかつ高pHに維持する。
また、銅の除去はこれら沈殿除去とは別に電解除去によ
っても行なわれる。たとえば、無電解鋼めっき液中に不
溶性陽極および一極を配して直流電流をa電して陽極上
に銅を析出せしめて、鹸浴中の嗣イオンを除去する。
っても行なわれる。たとえば、無電解鋼めっき液中に不
溶性陽極および一極を配して直流電流をa電して陽極上
に銅を析出せしめて、鹸浴中の嗣イオンを除去する。
したがって、銅沈殿装置IIt21は、所望により銅粉
、Pd1+、アルカリ剤などの投入部材であるいは加熱
部材を含むことができ、さらに上記反応を速やかに行な
うために攪拌部材を含むことができる。また、wh檎お
よび一極を配設することもできる。沈殿した銅成分は、
成型、〕9ルブ24から排出される。
、Pd1+、アルカリ剤などの投入部材であるいは加熱
部材を含むことができ、さらに上記反応を速やかに行な
うために攪拌部材を含むことができる。また、wh檎お
よび一極を配設することもできる。沈殿した銅成分は、
成型、〕9ルブ24から排出される。
嗣イオンの沈殿除去された溶液は、排出口がらライン2
3を経て濾過器25(省略することもできる。)を介し
て錯化剤回収装置27に4かれる。錯化剤回収装置には
ライン28を経て酸を導くことができ、この装置内の液
性を錯化剤が析出するに十分に酸性とすることにより、
−化銅が析出する。好適なpH範囲は錯化剤によって異
なるが、たとえばEDTAの場合はpH4,0以下が一
般的であり、好ましくはpH2,0以下、さらに好まし
くはpH1,0以下である。液性の調整には一般の酸が
適当である。たとえば、硫酸、塩酸などが例示できる。
3を経て濾過器25(省略することもできる。)を介し
て錯化剤回収装置27に4かれる。錯化剤回収装置には
ライン28を経て酸を導くことができ、この装置内の液
性を錯化剤が析出するに十分に酸性とすることにより、
−化銅が析出する。好適なpH範囲は錯化剤によって異
なるが、たとえばEDTAの場合はpH4,0以下が一
般的であり、好ましくはpH2,0以下、さらに好まし
くはpH1,0以下である。液性の調整には一般の酸が
適当である。たとえば、硫酸、塩酸などが例示できる。
第2図は錯化剤としてli;DTAを用いた場合の回収
率とpHとの関係を示すグラフである。液性をpH2,
0以下とすることにより十分にEDTAを回収すること
ができ、pH1,0以下とすることがさらに好ましいこ
とが判る。なお、本例においては硫酸でpHを調整した
。
率とpHとの関係を示すグラフである。液性をpH2,
0以下とすることにより十分にEDTAを回収すること
ができ、pH1,0以下とすることがさらに好ましいこ
とが判る。なお、本例においては硫酸でpHを調整した
。
このように、無電解鋼めっき浴からの錯化剤の分離は、
銅キレート剤の分解、細化剤の析出分層により達成され
るが、このプロセスの適用できる錯化剤としては、ED
TAの他に、ロッシェル(歯石噛ナトリウムカリウム)
、エチレンジアミンテトラ電ン、トリエタノールアミン
、ジェタノールアミンなど多くの公知の無′−解銅めつ
き用−化銅がある。
銅キレート剤の分解、細化剤の析出分層により達成され
るが、このプロセスの適用できる錯化剤としては、ED
TAの他に、ロッシェル(歯石噛ナトリウムカリウム)
、エチレンジアミンテトラ電ン、トリエタノールアミン
、ジェタノールアミンなど多くの公知の無′−解銅めつ
き用−化銅がある。
析出した細化剤はライン29を経て電解装置31の陽極
室33に4かれる。なお、この際、−化銅は必要により
洗浄さらには乾燥してもよく、さらに−収線化銅は固形
状態で供給してもよく、また、予めアルカリ溶液に俗解
して溶液状線で電解装置31の陽極室33に導いてもよ
いO 電解@置3にはイオン交換膜37に仕切られて陽極室3
3および陽極室35が形成されている。そして、陽極室
33には銅からなる陽極3゛9が配設され、一方、幽4
11II室35には陰極41が配設されている。輌機4
1としては、ステンレス、カーーンなどの一極水浴液に
不溶性のものが好ましい。
室33に4かれる。なお、この際、−化銅は必要により
洗浄さらには乾燥してもよく、さらに−収線化銅は固形
状態で供給してもよく、また、予めアルカリ溶液に俗解
して溶液状線で電解装置31の陽極室33に導いてもよ
いO 電解@置3にはイオン交換膜37に仕切られて陽極室3
3および陽極室35が形成されている。そして、陽極室
33には銅からなる陽極3゛9が配設され、一方、幽4
11II室35には陰極41が配設されている。輌機4
1としては、ステンレス、カーーンなどの一極水浴液に
不溶性のものが好ましい。
陽極室33には回収錯化剤が固体状繍、液体状態などで
供給されると共に、その液性は錯化剤が溶解可能な液性
に保たれる。たとえばEDTAの場合はpH4,0以上
が一般的であり、好ましくはpH7,0以上である。
供給されると共に、その液性は錯化剤が溶解可能な液性
に保たれる。たとえばEDTAの場合はpH4,0以上
が一般的であり、好ましくはpH7,0以上である。
(1)11m極室35にアルカリ性溶液が入れられる場
合は、イオン交換膜としてカチオン交換膜が用いられ、
また、(II)@極室35に中性電解質溶液が入れられ
る場合は、イオン交換膜としてカチオンまたはアニオン
交換膜のいずれもが用いられる。カチオン交換膜はすぐ
れた特性のものが容易に入手でき、この点ではアニオン
交換膜より好ましい。
合は、イオン交換膜としてカチオン交換膜が用いられ、
また、(II)@極室35に中性電解質溶液が入れられ
る場合は、イオン交換膜としてカチオンまたはアニオン
交換膜のいずれもが用いられる。カチオン交換膜はすぐ
れた特性のものが容易に入手でき、この点ではアニオン
交換膜より好ましい。
両極間、すなわち陽極39および陰極41間に直流電流
を通電して電解すると、銅が溶解して陽極室33中に銅
イオンが生成すると共に、このイオンはフィン29を経
て供給される錯化剤と銅錯化物を形成し、らいで、この
銅錯化物はライン13から無電解めっき浴11にリサイ
クルされる。
を通電して電解すると、銅が溶解して陽極室33中に銅
イオンが生成すると共に、このイオンはフィン29を経
て供給される錯化剤と銅錯化物を形成し、らいで、この
銅錯化物はライン13から無電解めっき浴11にリサイ
クルされる。
このように銅イオン(錯化合物として)はフィン13よ
り供給され、また、oH−イオン還元剤略は門イン15
からもしくは15・および13を経て供給される。以上
、銅イオンの分離、錯化剤の回収、電解にょる嗣イオン
の溶出を別々の僧で行なう場合について説明したが、上
記各操作を1つの槽内によって行なうことも可能である
。 ′ 第3図は電流密度とアノード溶解効率との関係を示すグ
ラフである。これは第1図に示した電解装置を用い、陽
極室中にEDT’^・4 Na O,08mol /
lを、陰極室中にNaOH0,1mol//を入れ、カ
チオン交換膜を用い、陽極として0.54dの銅板を一
極として0.5d+/の18−8ステンレスを用い、g
m5o℃で行なった。
り供給され、また、oH−イオン還元剤略は門イン15
からもしくは15・および13を経て供給される。以上
、銅イオンの分離、錯化剤の回収、電解にょる嗣イオン
の溶出を別々の僧で行なう場合について説明したが、上
記各操作を1つの槽内によって行なうことも可能である
。 ′ 第3図は電流密度とアノード溶解効率との関係を示すグ
ラフである。これは第1図に示した電解装置を用い、陽
極室中にEDT’^・4 Na O,08mol /
lを、陰極室中にNaOH0,1mol//を入れ、カ
チオン交換膜を用い、陽極として0.54dの銅板を一
極として0.5d+/の18−8ステンレスを用い、g
m5o℃で行なった。
184図は同様に銅イオンとEDTAとの濃度比R(R
=(EDTA)/(Cu”))と、アノード゛溶解効率
との関係を示すグラフである。EDTA、、□うイE”
、tえよ4.ユ□、[。1,1ケ □なった。銅の錯
化剤であるEDTAJII度が高い方が、電流効率よく
溶解し、したがって、錯化剤を所定繊度以上に保つこと
により効率よく溶解補給することができる。
=(EDTA)/(Cu”))と、アノード゛溶解効率
との関係を示すグラフである。EDTA、、□うイE”
、tえよ4.ユ□、[。1,1ケ □なった。銅の錯
化剤であるEDTAJII度が高い方が、電流効率よく
溶解し、したがって、錯化剤を所定繊度以上に保つこと
により効率よく溶解補給することができる。
第5図は陽極室の液温とアノード溶解効率の関係を示す
グラフである。これは、第2図と同一の両極室組成、電
流値2A、通電艦3600クローン、陽極電流密度3A
/dwl、隘極電流田度4 A/antで行ならた。陽
極室の液温か高い方が電流効率よく銅が溶解することが
判る。たとえばプリント配線板のように、めっきの高連
化とめつき被膜の物性を厳しく要求される無電解めっき
では、めっき浴温が極力高い状態で使用するのが理想的
であるので、一層効果的である。
グラフである。これは、第2図と同一の両極室組成、電
流値2A、通電艦3600クローン、陽極電流密度3A
/dwl、隘極電流田度4 A/antで行ならた。陽
極室の液温か高い方が電流効率よく銅が溶解することが
判る。たとえばプリント配線板のように、めっきの高連
化とめつき被膜の物性を厳しく要求される無電解めっき
では、めっき浴温が極力高い状態で使用するのが理想的
であるので、一層効果的である。
以上説明したように、本発明によれば、無電解めっき液
の少なくとも一部を取り出し、これから錯化剤を回収し
、この錯化剤を用いて銅錯化合物として消費された銅分
を供給することにより、硫酸ナトリウムやギ酸ナトリウ
ムあるいはアルコールといった副生物の無電解銅めっき
浴中への蓄積が非常に少なくなり、極端には一部ナトリ
ウムのIM積はゼロになり、電解浴の大巾な長寿命化が
可能となり、高品簀の無電解めっきを安定に行なうこと
ができる。また、従来はめつき廃液のCOD 、 no
oM*が公害上大きな間脳となっていたが、めっき浴の
長寿命化により浴を廃集せずにすみ、しかもEDTAな
どの高価な・−化銅を回収して有効に利用することがで
きる。
の少なくとも一部を取り出し、これから錯化剤を回収し
、この錯化剤を用いて銅錯化合物として消費された銅分
を供給することにより、硫酸ナトリウムやギ酸ナトリウ
ムあるいはアルコールといった副生物の無電解銅めっき
浴中への蓄積が非常に少なくなり、極端には一部ナトリ
ウムのIM積はゼロになり、電解浴の大巾な長寿命化が
可能となり、高品簀の無電解めっきを安定に行なうこと
ができる。また、従来はめつき廃液のCOD 、 no
oM*が公害上大きな間脳となっていたが、めっき浴の
長寿命化により浴を廃集せずにすみ、しかもEDTAな
どの高価な・−化銅を回収して有効に利用することがで
きる。
実験例
IDTA・4Nm 301/ICw 80
4 ・51(*0
61171ノリホルムアルデヒド
7 1/1pH(NaOHで#@)
tt、aの浴組成(浴jli5j)を用い
、温度50’Cc’、ガラスエポキシ銅張横層板に無電
解めっきを施した。このとき、第1表に示すように浴中
に減酸ナトリウムを添加し、その影−を調べた。
4 ・51(*0
61171ノリホルムアルデヒド
7 1/1pH(NaOHで#@)
tt、aの浴組成(浴jli5j)を用い
、温度50’Cc’、ガラスエポキシ銅張横層板に無電
解めっきを施した。このとき、第1表に示すように浴中
に減酸ナトリウムを添加し、その影−を調べた。
第1表
実施例1
ガラスエポキシ鋼張積層板をリン酸三ソーダ409/l
で脱脂し、過硫酸アンモニウム1001/lでエツチン
グし、ノラジウム、スズのコロイド溶液ついで硫酸5o
l / lで活性化した後、拳法および従来法で無電
解鋼めっきを行なった。
で脱脂し、過硫酸アンモニウム1001/lでエツチン
グし、ノラジウム、スズのコロイド溶液ついで硫酸5o
l / lで活性化した後、拳法および従来法で無電
解鋼めっきを行なった。
浴組成
硫酸銅 1o11/I
KDTA 509/lホルムアルデ
ヒド 1 og7を水酸化ナトリウム
pH12にallG浴 温
50℃ l di/lの負荷で12日間めっきを行なった。
ヒド 1 og7を水酸化ナトリウム
pH12にallG浴 温
50℃ l di/lの負荷で12日間めっきを行なった。
従来法では銅イオンおよび水酸化イオンの補給を硫酸銅
および水酸化ナトリウムを追加することにより行なった
ので、 iitmナトリウムの濃度が上昇した。拳法で
は第1図に示した装置めっき浴を齢記浴組成とし、カチ
オン交換膜を用い。
および水酸化ナトリウムを追加することにより行なった
ので、 iitmナトリウムの濃度が上昇した。拳法で
は第1図に示した装置めっき浴を齢記浴組成とし、カチ
オン交換膜を用い。
電解装置の陰極室にNaOH0,1g/jを入れ、陽極
として鋼板を一極としてスグンレス根を用V)、陽憔電
流@・[2,5A/ da’、Us電流密反4A/dm
で通電し、盪た、陽極室に回収El)TA 4を補給し
て行なったが硫酸す) IJウムの濃度の増加はみられ
なかった。
として鋼板を一極としてスグンレス根を用V)、陽憔電
流@・[2,5A/ da’、Us電流密反4A/dm
で通電し、盪た、陽極室に回収El)TA 4を補給し
て行なったが硫酸す) IJウムの濃度の増加はみられ
なかった。
El)TAの回収をよ、めつ0浴の一部を取り出し、p
H1k14として銅袖を加えて銅イオンを沈殿除去し、
ついでP液にH,So、を加えてpH2,0として定量
的にEDTAを析出せしめ、′P遇することにより何な
っ九〇 この結果を以下に示す。
H1k14として銅袖を加えて銅イオンを沈殿除去し、
ついでP液にH,So、を加えてpH2,0として定量
的にEDTAを析出せしめ、′P遇することにより何な
っ九〇 この結果を以下に示す。
半田耐熱におけるコーナークラックの発生異状析出
非触媒性部位への鋼の析出
外 観(析出状態等)
延 性(60XI 0XOJ)5’m)抗張力(60X
10X0.05jwwe)
10X0.05jwwe)
第1図は本発明について示すフロー図である。
第2図はFDTAの回収率を示すグラフである。
第3図は電流密度とアノード溶解効率との関係を示すグ
ラフである。 第4図は銅イオンとEDTAとの濃度比Rと。 アノード溶解効率との1≠係を示すグラフである。 第5図は液温とアノード効率との関係を示すグラフであ
る。 11・・・無電解めつ自浴 21・・銅沈殿装置27
・・・錯化剤1可収@置 31・・・電解装置37・
・イオン交換膜 39・・・陽 極41・・・陰
極 ′7!P)2図 を弐4L梵(A/drn2) 一 ( 5図 0 0
ラフである。 第4図は銅イオンとEDTAとの濃度比Rと。 アノード溶解効率との1≠係を示すグラフである。 第5図は液温とアノード効率との関係を示すグラフであ
る。 11・・・無電解めつ自浴 21・・銅沈殿装置27
・・・錯化剤1可収@置 31・・・電解装置37・
・イオン交換膜 39・・・陽 極41・・・陰
極 ′7!P)2図 を弐4L梵(A/drn2) 一 ( 5図 0 0
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(イ)錯化剤を含む無電解銅めっき浴から無電解め
っき液の一部もしくは全部を連続的または間欠的に取り
出して、該液中の銅イオンを該液から分離除去し、 (ロ) この液を酸性にして錯化剤を析出せしめて回収
し、 ぐ→ イオン交換膜により仕切って、銅を陽極とする陽
極室および陰極を配設した陰極室を設け、該陰極室には
中性電解質溶液(前記イオン交換膜がアニオン交換膜の
場合)または中性もしくはアルカリ性電解質溶液(前記
イオン交換膜がカチオン交換膜の場合)を入れ、一方、
陰極室には前記回収細化剤を導入し、前記両極間に直流
電流を通電し、 に)ついで、前記陽極室内の溶液を一前記無電解めっき
浴にリサイクルする ことを特徴とする無電解めっき浴の再生方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6736482A JPS58185757A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 無電解めつき浴の再生方法 |
| US06/372,133 US4425205A (en) | 1982-03-13 | 1982-04-27 | Process for regenerating electroless plating bath and a regenerating apparatus of electroless plating bath |
| DE8282400798T DE3272286D1 (en) | 1982-03-13 | 1982-04-30 | A process for regenerating electroless plating bath and a regenerating apparatus of electroless plating bath |
| EP82400798A EP0088852B1 (en) | 1982-03-13 | 1982-04-30 | A process for regenerating electroless plating bath and a regenerating apparatus of electroless plating bath |
| GB08212818A GB2117003B (en) | 1982-03-13 | 1982-05-04 | Apparatus and process for electroless plating bath regeneration |
| CA000418017A CA1220759A (en) | 1982-03-13 | 1982-12-17 | Regeneration of plating bath by acidification and treatment of recovered chelating agent in membrane cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6736482A JPS58185757A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 無電解めつき浴の再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185757A true JPS58185757A (ja) | 1983-10-29 |
| JPS634634B2 JPS634634B2 (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=13342877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6736482A Granted JPS58185757A (ja) | 1982-03-13 | 1982-04-23 | 無電解めつき浴の再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185757A (ja) |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP6736482A patent/JPS58185757A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634634B2 (ja) | 1988-01-29 |
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