JPS58204575A - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

Info

Publication number
JPS58204575A
JPS58204575A JP57087795A JP8779582A JPS58204575A JP S58204575 A JPS58204575 A JP S58204575A JP 57087795 A JP57087795 A JP 57087795A JP 8779582 A JP8779582 A JP 8779582A JP S58204575 A JPS58204575 A JP S58204575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
semiconductor light
emitting element
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57087795A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Imoto
井元　昌隆
Hideaki Ito
英昭 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Rayon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority to JP57087795A priority Critical patent/JPS58204575A/ja
Publication of JPS58204575A publication Critical patent/JPS58204575A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光ファイバーに効率良く光を入射することがで
きる半導体発光素子の構造に関するものである。
従来、半導体発光素子の光は広い範囲に放射されるので
、この光乞光ファイノ（−に入射させたとぎ、その光の
利用率は極めて低く、大部分の光は外部に放射されてい
た。そのため光フアイバ一端を発光チップ面にできるだ
け近接させたり２発光チップを反射凹面鏡内に置くなど
の方法がとられていたがその効率は１０％以下であった
。
本発明はこのよウナ従来の欠点を改良した半導体発光素
子？提供するものである。
以下本発明の発光素子を図面に従って説明する。
（１）は半導体発光素子の発光チップ、に）は反射凹面
鏡、　ｆ３）、　（４１は電極、（５）は導線であり、
これらは透明な樹脂（６）に封じ込まれている。
この樹脂は発光体チップ面の真上に頂点がくるよつＴｘ
円錐の形状暑しており、その頂点は光出射開口部（８）
とするべく切りとり研摩されている。また円錐の側面は
真空蒸着、スパッタリングなどの方法により完全反射面
（７）に加工されている。
半導体発光素子をこのような構造にすることにより９発
光チップ（１）から出射した光は直接あるいは発光チッ
プ側面の反射凹面鏡（２）で反射されたのち、１！を脂
側面の完全反射面（７）で反射を繰返し、開口部（８）
から出射する。したがって本発明の半導体発光素子の開
口部（８）に光ファイバー乞結合すれば発光チップρ・
らの光音効率よく光ファイバーに入射することができる
。
【図面の簡単な説明】
図Ｘｋ１本発明の一実施例を示す半導体発光素子の断面
図であり２図面中の符号（１）は発光チップ、（２）は
反射凹面鏡、（６）は樹脂、（７）は完全反射面である
う

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 反射鏡内に半導体発光チップを有し、樹脂により発光チ
    ップ及び電極が封入された半導体発光素子ＶＣおいて、
    樹脂体が円錐形でかつその周囲が完全反射面で覆わ、れ
    、しかも円錐の頂点部に光出射開口部を有することを特
    徴とする先生導体発光素子。
JP57087795A 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子 Pending JPS58204575A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57087795A JPS58204575A (ja) 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57087795A JPS58204575A (ja) 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58204575A true JPS58204575A (ja) 1983-11-29

Family

ID=13924909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57087795A Pending JPS58204575A (ja) 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58204575A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006005393A3 (de) * 2004-07-14 2006-07-13 Tridonic Optoelectronics Gmbh Weisser led-strahler mit kegelfoermigen reflektor und planaren facetten
CN102116427A (zh) * 2010-12-16 2011-07-06 叶逸仁 具反光罩且一体封装式的led灯的制备方法
JP2012028523A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2014107462A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄパッケージ装置及びｌｅｄ表示装置
CN104806901A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 原相科技股份有限公司 光源模块

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006005393A3 (de) * 2004-07-14 2006-07-13 Tridonic Optoelectronics Gmbh Weisser led-strahler mit kegelfoermigen reflektor und planaren facetten
US7985015B2 (en) 2004-07-14 2011-07-26 Tridonic Optoelectronics Gmbh LED spotlight having a funnel-shaped lens
JP2012028523A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
CN102116427A (zh) * 2010-12-16 2011-07-06 叶逸仁 具反光罩且一体封装式的led灯的制备方法
JP2014107462A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄパッケージ装置及びｌｅｄ表示装置
CN104806901A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 原相科技股份有限公司 光源模块
US9529139B2 (en) 2014-01-28 2016-12-27 Pixart Imaging Inc. Light source module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5226723A (en) Light emitting diode display
JPS58204575A (ja) 半導体発光素子
JPS59180515A (ja) 光フアイバ結合用発光素子
JPS62222211A (ja) 発光モジユ−ル
JPS6222491A (ja) 半導体発光装置
JPS60261181A (ja) 光半導体装置
JPH0355988B2 (ja)
JPS5783080A (en) Semiconductor laser module device
JPH0550754U (ja) 発光装置
JPS5839075A (ja) 電子回路装置
JPH0639464Y2 (ja) 発光ダイオード
JPS61198692A (ja) 発光ダイオ−ド
US3871016A (en) Reflective coated contact for semiconductor light conversion elements
JPS58190908A (ja) 光結合装置
JPS5681809A (en) Optical coupling device
JPS5858825B2 (ja) 光結合半導体装置
JPS5858824B2 (ja) 光結合半導体装置
JPS61147586A (ja) 発光ダイオ−ド
JPS58204577A (ja) 半導体発光素子
JPS58173262U (ja) 半導体発光装置
JPS62268551A (ja) レ−ザメスチツプ
JP2833972B2 (ja) 光結合素子
JPH01142695A (ja) 発光ダイオード
JPS60130176A (ja) 半導体発光装置
JPS59176165U (ja) 光半導体装置