JPS58222601A - 周波数選択回路 - Google Patents
周波数選択回路Info
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
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- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
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- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
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- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の関連する技術分野〕
この発明は発振器に関し、特に可変周波数発振器に関す
る。
る。
テレビジョン受像機の同調方式では、所望のテレビジョ
ンチャンネルに対応する無線周波数（ＲＦ）搬送波を局
部発振器からの信号とヘテロゲイン処理して、所定の中
間周波数（ＩＰ）の信号を生成する。
ンチャンネルに対応する無線周波数（ＲＦ）搬送波を局
部発振器からの信号とヘテロゲイン処理して、所定の中
間周波数（ＩＰ）の信号を生成する。
広帯域のＲＦ搬送波を所定の中間周波数にヘテロゲイン
変換するためには局部発振器の周波数を所要のテレビジ
ョンチャンネルに従って生成Ｌ ｋ 同調電圧に応じて
変化させる。
変換するためには局部発振器の周波数を所要のテレビジ
ョンチャンネルに従って生成Ｌ ｋ 同調電圧に応じて
変化させる。
最大および最小の周波数を有するＲＦ搬送波を所定の中
間周波信号に確実にヘテロダイン変換するには、局部発
振信号の最大および最小の周波数の調節が必要である。
間周波信号に確実にヘテロダイン変換するには、局部発
振信号の最大および最小の周波数の調節が必要である。
高い周波数におけるこの調節を機械的に調節し得るり□
アクタンス素子（すなわちインダクタンスとキャパシタ
ンスを用いて行なうと、この調節をする人の手や道具が
発振器に接近したとき発振周波数が変ることがあるので
、困難である。この問題は２度周波数変換を行う複変換
テレビジョン同調方式では特に大きい。例えば最初の変
換によって４１５．’７５ＭＨｚのＩＦ倍信号生成する
被変換同調器では、ＵＨＦ帯（４’ｉ’Ｏ〜８．９０Ｍ
Ｈｚ ）用の局部発振器の周波数が８８’７ ＭＨｚと
１３０１ ＭＨｚとの間で可変でなければならない。
アクタンス素子（すなわちインダクタンスとキャパシタ
ンスを用いて行なうと、この調節をする人の手や道具が
発振器に接近したとき発振周波数が変ることがあるので
、困難である。この問題は２度周波数変換を行う複変換
テレビジョン同調方式では特に大きい。例えば最初の変
換によって４１５．’７５ＭＨｚのＩＦ倍信号生成する
被変換同調器では、ＵＨＦ帯（４’ｉ’Ｏ〜８．９０Ｍ
Ｈｚ ）用の局部発振器の周波数が８８’７ ＭＨｚと
１３０１ ＭＨｚとの間で可変でなければならない。
この調節の問題は発振器の被同調回路調節用、の機械的
同調型の誘導子とコンデンサの少なくともいくつかをな
くすることができれば緩和される。
同調型の誘導子とコンデンサの少なくともいくつかをな
くすることができれば緩和される。
そのだめこの発明は、同調回路に接続されたイ □ンダ
クタンスと第１および第２の可変キャパシタンス装置と
を含む。第１および第２の可変キャパシタンス装置には
それぞれ同じ向きに制御電位が印加され、この２つの印
加電位を所定量だけ異ならせる装置が設けられている。
クタンスと第１および第２の可変キャパシタンス装置と
を含む。第１および第２の可変キャパシタンス装置には
それぞれ同じ向きに制御電位が印加され、この２つの印
加電位を所定量だけ異ならせる装置が設けられている。
第１図は増幅器２０と共振回路１０とを含む可変周波数
ＵＨＦ局部発振器を示す。増幅器２０は、ＮＰＮバイポ
ーラトランジスタＴ１を含み、そのコレクタには電圧供
給端子子Ｖから抵抗器Ｒ７を介して正の動作電圧が印加
されている。このトランジスタＴ１は、抵抗器Ｒ４、Ｒ
５を含む分圧器によりそのベースに印加されるそのコレ
クタ電圧の一部によって増幅器として動作するよ゛うに
バイアスされている。このトランジスタＴ１のエミッタ
は抵抗器Ｒ６とコンデンサＣ５の並列回路を介して接地
電位点Ｇに接続され、コレクタはコンデンサＣ６を介し
て接地電位点Ｇに接続されている。
ＵＨＦ局部発振器を示す。増幅器２０は、ＮＰＮバイポ
ーラトランジスタＴ１を含み、そのコレクタには電圧供
給端子子Ｖから抵抗器Ｒ７を介して正の動作電圧が印加
されている。このトランジスタＴ１は、抵抗器Ｒ４、Ｒ
５を含む分圧器によりそのベースに印加されるそのコレ
クタ電圧の一部によって増幅器として動作するよ゛うに
バイアスされている。このトランジスタＴ１のエミッタ
は抵抗器Ｒ６とコンデンサＣ５の並列回路を介して接地
電位点Ｇに接続され、コレクタはコンデンサＣ６を介し
て接地電位点Ｇに接続されている。
トランジスタＴＩは、実質的に１を超える利得を呈する
ようにその有効動作領域内にバイアスされている。この
増幅器２０は、種々リアクタンスによって再生帰還が行
われ、ある周波数帯全体にわたって不安定で発振するよ
うになっているが、これらのりアクタンスには、コンデ
ンサＣ５、Ｃ６のリアクタンス、トランジスタＴＩのコ
レクタ、ベース間の内部キャパシタンスのりアクタンス
および接続点１２と接地点Ｇとの間に接続した回路（後
述する）のリアクタンスが含まれる。これらリアクタン
スの値は、例えば第１中間周波数が４＋ ５ ｉｔ５Ｍ
Ｈｚの被変換テレビジョン同調方式のＵＨＦ局部発振器
に必要な８８７〜３３０１ ＭＨ２の周波数範囲よシも
広い周波数範囲にわたって増幅器２０が接続点１２に負
のインピーダンスを呈するように選択されている。
ようにその有効動作領域内にバイアスされている。この
増幅器２０は、種々リアクタンスによって再生帰還が行
われ、ある周波数帯全体にわたって不安定で発振するよ
うになっているが、これらのりアクタンスには、コンデ
ンサＣ５、Ｃ６のリアクタンス、トランジスタＴＩのコ
レクタ、ベース間の内部キャパシタンスのりアクタンス
および接続点１２と接地点Ｇとの間に接続した回路（後
述する）のリアクタンスが含まれる。これらリアクタン
スの値は、例えば第１中間周波数が４＋ ５ ｉｔ５Ｍ
Ｈｚの被変換テレビジョン同調方式のＵＨＦ局部発振器
に必要な８８７〜３３０１ ＭＨ２の周波数範囲よシも
広い周波数範囲にわたって増幅器２０が接続点１２に負
のインピーダンスを呈するように選択されている。
増幅器２０のその発振周波数は、接続点！２と接地点Ｇ
との間に挿入された共振回路１０によって決まる。この
共振回路１０は、インダクタンスＬ１と、可変容量ダイ
オードＣＤＩ、ＣＤ２およびコンデンサＣ１を含むキャ
パシタンスとの直列回路から成り、この直列共振回路１
０が増幅器２０の発振周波数を決定する。局部発振出力
信号はインダクタンスＬ１のタップからコンデンサＣ３
を介して出力端子ＶＯに供給される。
との間に挿入された共振回路１０によって決まる。この
共振回路１０は、インダクタンスＬ１と、可変容量ダイ
オードＣＤＩ、ＣＤ２およびコンデンサＣ１を含むキャ
パシタンスとの直列回路から成り、この直列共振回路１
０が増幅器２０の発振周波数を決定する。局部発振出力
信号はインダクタンスＬ１のタップからコンデンサＣ３
を介して出力端子ＶＯに供給される。
第１図の発振器の発振周波数は抵抗器Ｒ１と導線！４を
介して可変容量ダイオードＣＤＩ、ＣＤ２の陰極に印加
される正の同調電位ＶＴによって制御される。
介して可変容量ダイオードＣＤＩ、ＣＤ２の陰極に印加
される正の同調電位ＶＴによって制御される。
ＣＤＩの陽極はインダクタンスＬ１を介して接地点Ｇに
接続され、ＣＤ２の陽極は抵抗器Ｒ３、Ｒ２を介して接
地点Ｇに接続されているので、同調電位ＶＴは同じ向き
にＣＤＩ、ＣＤ２に供給される。すなわち、同調電位Ｖ
Ｔが上昇すると、ＣＤｌＸＣＤ２の陰陽両極間電位もそ
れぞれ上昇する。
接続され、ＣＤ２の陽極は抵抗器Ｒ３、Ｒ２を介して接
地点Ｇに接続されているので、同調電位ＶＴは同じ向き
にＣＤＩ、ＣＤ２に供給される。すなわち、同調電位Ｖ
Ｔが上昇すると、ＣＤｌＸＣＤ２の陰陽両極間電位もそ
れぞれ上昇する。
以下の説明のため、電位差計８２の可動接点が接地側の
端部にあって容量ダイオードＣＤ２の陽極の零入力電位
が実質的に接地電位Ｇに等しいと仮定する。従ってＣＤ
Ｉ、ＣＤ２には実質的に同じ電位、すなわちＶＴが印加
される。同調電位ＶＴがその最小値まで低下したとき、
ＣＤＩ、ＣＤ２はそれぞれその最小印加電位を受けて最
大キャパシタンスを呈し、これによって共振回路１０が
その最小共振周波数を示す。このため増幅器２０がその
最小周波数で発振する。一方、同調電位ＶＴがその最大
値まで上昇すると、ＣＤＩ、ＣＤ２はそれぞれ最大印加
電位を受けて、最小キャパシタンスを呈し、これによっ
て共振回路１０がその最大周波数で共振する。このため
増幅器２０はその最大周波数で発振する。
端部にあって容量ダイオードＣＤ２の陽極の零入力電位
が実質的に接地電位Ｇに等しいと仮定する。従ってＣＤ
Ｉ、ＣＤ２には実質的に同じ電位、すなわちＶＴが印加
される。同調電位ＶＴがその最小値まで低下したとき、
ＣＤＩ、ＣＤ２はそれぞれその最小印加電位を受けて最
大キャパシタンスを呈し、これによって共振回路１０が
その最小共振周波数を示す。このため増幅器２０がその
最小周波数で発振する。一方、同調電位ＶＴがその最大
値まで上昇すると、ＣＤＩ、ＣＤ２はそれぞれ最大印加
電位を受けて、最小キャパシタンスを呈し、これによっ
て共振回路１０がその最大周波数で共振する。このため
増幅器２０はその最大周波数で発振する。
上述の条件では、第１図の発振器は同調電位ＶＴと第２
図の実線の曲線１００で示す関係にある周波数帯域内で
発振する。
図の実線の曲線１００で示す関係にある周波数帯域内で
発振する。
増幅器２０の発振周波数の実際の範囲が少なくとも例え
ば８８７〜３３０１ ＭＨｚの所要範囲を含むためには
、この回路内のインダクタンスまたはキャバシタンスの
値を調節する必要があるが、このような高い周波数では
人の手や調整用の工具が回路に近づくと発振周波数が変
化することがあるため、このような調節は困難である。
ば８８７〜３３０１ ＭＨｚの所要範囲を含むためには
、この回路内のインダクタンスまたはキャバシタンスの
値を調節する必要があるが、このような高い周波数では
人の手や調整用の工具が回路に近づくと発振周波数が変
化することがあるため、このような調節は困難である。
この問題は、最高発振周波数を電気的に調節すると著し
く低減される。これを行うには、ダイオードＣＤ２の印
加電位をダイオードＣＤＩの印加電位と所定量だけ異な
らせるのが便利である。上限周波数の調節のためには同
調電位ＶＴの実質的に全部を容量ダイオードＣＤＩとＣ
Ｄ２の各陰極に印加すると同時に、その所定部分を容量
ダイオードＣＤ２の陽極に抵抗器Ｒ３と導線１６を介し
て印加する。
く低減される。これを行うには、ダイオードＣＤ２の印
加電位をダイオードＣＤＩの印加電位と所定量だけ異な
らせるのが便利である。上限周波数の調節のためには同
調電位ＶＴの実質的に全部を容量ダイオードＣＤＩとＣ
Ｄ２の各陰極に印加すると同時に、その所定部分を容量
ダイオードＣＤ２の陽極に抵抗器Ｒ３と導線１６を介し
て印加する。
Ｒ２の可動接点が接地電位点Ｇから離れるに従って同調
電位ＶＴのＣＤ２の陽極に印加される部分が増える。従
って、導線＋６（ＣＤ２の陽極）上のＶＴの部分が導線
１４（ＣＤ２の陰極）上のＶＴから差引かれるだめ、Ｃ
Ｄ２の陽極陰極間の電位が低下する。このＣＤ２の陽極
陰極間電位の低下によってＣＤ２のキャパシタンスが増
加し、これによってＶＴの所定値に対する増幅器２０の
発振周波数が低下する。この低下は第２図に破線曲線＋
１０で示すように高い周波数で著しい。Ｒ２の設定の周
波数への効果は低い周波数では余り顕著でないため、低
い周波数における調節は、インダクタンスＬｌの値の（
機械的手段による）調節または第３図について後述する
ＣＤ２の両端間の電位の電気的変更によって充分に達成
することができる。側路コンデンサＣ２は発振周波数で
低インピーダンスを呈し、並線１２上の発振信号が抵抗
器Ｒ３、Ｒ２を流れて同調電位ＶＴの大きさに影響をし
ないようにしている。
電位ＶＴのＣＤ２の陽極に印加される部分が増える。従
って、導線＋６（ＣＤ２の陽極）上のＶＴの部分が導線
１４（ＣＤ２の陰極）上のＶＴから差引かれるだめ、Ｃ
Ｄ２の陽極陰極間の電位が低下する。このＣＤ２の陽極
陰極間電位の低下によってＣＤ２のキャパシタンスが増
加し、これによってＶＴの所定値に対する増幅器２０の
発振周波数が低下する。この低下は第２図に破線曲線＋
１０で示すように高い周波数で著しい。Ｒ２の設定の周
波数への効果は低い周波数では余り顕著でないため、低
い周波数における調節は、インダクタンスＬｌの値の（
機械的手段による）調節または第３図について後述する
ＣＤ２の両端間の電位の電気的変更によって充分に達成
することができる。側路コンデンサＣ２は発振周波数で
低インピーダンスを呈し、並線１２上の発振信号が抵抗
器Ｒ３、Ｒ２を流れて同調電位ＶＴの大きさに影響をし
ないようにしている。
回路ＩＯにおける容量ダイオードＣＤｌＸＣＤ２の直列
接続は、発振信号によるその実効キャパシタンスの変化
度を減する働らきをすることが判る。ｃＤｌ、ＣＤ２は
導線１２と接地電位点Ｇとの間の発振信号に対して直列
に接続されているだめ、それぞれ発振信号の振幅の約残
を受け、この結果それぞれ発振信号の応答中に生ずるキ
ャパシタンス変化の約腸を呈する。その上ＣＤＩ、ＣＤ
２が直列のため、その合成キャパシタンスはそれぞれの
キャパシタンス値（Ｄ 約’Ａで、そのためキャパシタ
ンスに対する発振信号の振幅の影響が少ない。この特長
は、第１図の発振器において図示の素子値を用い、動作
用供給電圧＋Ｖを約１８Ｖとして導線１２に振幅的５−
ＩＯＶの発振信号を生成するとき特に有利である。
接続は、発振信号によるその実効キャパシタンスの変化
度を減する働らきをすることが判る。ｃＤｌ、ＣＤ２は
導線１２と接地電位点Ｇとの間の発振信号に対して直列
に接続されているだめ、それぞれ発振信号の振幅の約残
を受け、この結果それぞれ発振信号の応答中に生ずるキ
ャパシタンス変化の約腸を呈する。その上ＣＤＩ、ＣＤ
２が直列のため、その合成キャパシタンスはそれぞれの
キャパシタンス値（Ｄ 約’Ａで、そのためキャパシタ
ンスに対する発振信号の振幅の影響が少ない。この特長
は、第１図の発振器において図示の素子値を用い、動作
用供給電圧＋Ｖを約１８Ｖとして導線１２に振幅的５−
ＩＯＶの発振信号を生成するとき特に有利である。
ダイオードＣＤＩ、、ＣＤ２には、シーメンス社（Ｓｉ
ｅ−ｍｅｎｓ Ａ、Ｇ、 ）のＢＢ−１０５型バラクタ
を、Ｔｌには日本電気のトラ゛ンジスタ２ＳＣ２０２６
を用いた。
ｅ−ｍｅｎｓ Ａ、Ｇ、 ）のＢＢ−１０５型バラクタ
を、Ｔｌには日本電気のトラ゛ンジスタ２ＳＣ２０２６
を用いた。
第３図は第１図の発振器の変形で、発振周波数範囲の下
限付近の周波数を調節するものである。
限付近の周波数を調節するものである。
共振回路ＩＯと増幅器２０は第１図と同様のものでよく
、また互いに同様に接続されている。低い周波数の調節
は、ダイオード（Ｄ２の印加電位をダイオードＣＤｌ０
印加電位から所定量だけ異ならせることによって行われ
る。電位差計Ｒ８は抵抗器Ｒ９と導線１２を介して共振
回路ｌＯに同調電位ＶＴに影響されない動作電位中Ｖの
所定部分を印加する。この動作電位中Ｖは増幅器２０に
印加される動作電位と同じであれば好都合である。導線
１６に印加される電位中Ｖの実質的に一定の部分の値は
、同調電圧ＶＴの最小値を容量ダイオードＣＤ２の順方
向電圧降下以上超えない限り任意でよい。電位差計Ｒ８
と抵抗器Ｒ９によってＣＤ２の陽極に印加される電圧が
その陰極に印加される電□圧から差引かれるため、発振
器の周波数範囲の下限に対応するＶＴの低い値に対する
効果の方が著しい。Ｒ２の可動接点が実質的に接地電位
点Ｇにあるときのこの調節特性を第２図に鎖線曲線１２
０で示す。
、また互いに同様に接続されている。低い周波数の調節
は、ダイオード（Ｄ２の印加電位をダイオードＣＤｌ０
印加電位から所定量だけ異ならせることによって行われ
る。電位差計Ｒ８は抵抗器Ｒ９と導線１２を介して共振
回路ｌＯに同調電位ＶＴに影響されない動作電位中Ｖの
所定部分を印加する。この動作電位中Ｖは増幅器２０に
印加される動作電位と同じであれば好都合である。導線
１６に印加される電位中Ｖの実質的に一定の部分の値は
、同調電圧ＶＴの最小値を容量ダイオードＣＤ２の順方
向電圧降下以上超えない限り任意でよい。電位差計Ｒ８
と抵抗器Ｒ９によってＣＤ２の陽極に印加される電圧が
その陰極に印加される電□圧から差引かれるため、発振
器の周波数範囲の下限に対応するＶＴの低い値に対する
効果の方が著しい。Ｒ２の可動接点が実質的に接地電位
点Ｇにあるときのこの調節特性を第２図に鎖線曲線１２
０で示す。
この発明はインダクタンスやキャパシタンスのような機
械的調節型のりアクタンス成分の必要性を著しく減じ得
ることが判る。ＬＩＨＦ局部発振器では満足な機械的調
整型のリアクタンス素子が得られてもそれが高価な傾向
があるため、この利点は特に重要である。一方この発明
に用いる電位差計は特別な高周波特性を持つ必要がなく
て安価な上、発振回路自体から比較的遠くに置けるだめ
、調節する人の手や工具によって発振回路の周波数が何
等かの顕著な効果を受ける可能性が遥かに少ない。
械的調節型のりアクタンス成分の必要性を著しく減じ得
ることが判る。ＬＩＨＦ局部発振器では満足な機械的調
整型のリアクタンス素子が得られてもそれが高価な傾向
があるため、この利点は特に重要である。一方この発明
に用いる電位差計は特別な高周波特性を持つ必要がなく
て安価な上、発振回路自体から比較的遠くに置けるだめ
、調節する人の手や工具によって発振回路の周波数が何
等かの顕著な効果を受ける可能性が遥かに少ない。
第４図は第１図の発振器の周波数を８８’７−１３０１
ＭＨｚの範囲にわたって変化させたいとき満足に動作す
ることが判っている実施例で、基板上に印刷導体を用い
てインダクタンスＬｌとキャパシタンスＣ３を構成した
ものである。インダクタンスＬｌ／はほぼ２字型でほぼ
図示の寸法（単位ｍｍ ）の印刷導体領域を有し、接地
電位部ＧはＧ′で示す比較的大きい印刷導体領域から成
っている。キャパシタンスＧ３’は、インダクタンスＬ
ｌ／を出力端子ｖＯに接続するタップとして働らく印刷
導体との間隙によって形成される。Ｌｌ／の呈するイン
ダクタンス値の調節は、真ちゅうねじＢＳによって行な
われる。
ＭＨｚの範囲にわたって変化させたいとき満足に動作す
ることが判っている実施例で、基板上に印刷導体を用い
てインダクタンスＬｌとキャパシタンスＣ３を構成した
ものである。インダクタンスＬｌ／はほぼ２字型でほぼ
図示の寸法（単位ｍｍ ）の印刷導体領域を有し、接地
電位部ＧはＧ′で示す比較的大きい印刷導体領域から成
っている。キャパシタンスＧ３’は、インダクタンスＬ
ｌ／を出力端子ｖＯに接続するタップとして働らく印刷
導体との間隙によって形成される。Ｌｌ／の呈するイン
ダクタンス値の調節は、真ちゅうねじＢＳによって行な
われる。
ねじＢＳはＬｌ’のＺ字型パタンの内角によって形成さ
れる部分において印刷回路基板ねじ込まれ、その部分全
体を被う大きさの頭部を有する。このねじＥＳの頭部の
遠近に・よりＬｌ／の印刷導体領域への電流的接続なく
Ｌ１２のインダクタンスが変る。
れる部分において印刷回路基板ねじ込まれ、その部分全
体を被う大きさの頭部を有する。このねじＥＳの頭部の
遠近に・よりＬｌ／の印刷導体領域への電流的接続なく
Ｌ１２のインダクタンスが変る。
上述の実施例は、特許請求の範囲に限定されたこの発明
の技術的範囲内において種々の変形が可能である。例え
ば、電位差計Ｒ８を使用して容量ダイオードＣＤＩ、Ｃ
Ｄ２の一方に電位子Ｖの所定部分を供給するだけにして
もよいし、ｖＴの一部をＣＤＩ、ＣＤ２の一方に印加す
ると共に＋Ｖの一部をｃｂ＋、ＣＤ２の他方に印加する
こともできる。
の技術的範囲内において種々の変形が可能である。例え
ば、電位差計Ｒ８を使用して容量ダイオードＣＤＩ、Ｃ
Ｄ２の一方に電位子Ｖの所定部分を供給するだけにして
もよいし、ｖＴの一部をＣＤＩ、ＣＤ２の一方に印加す
ると共に＋Ｖの一部をｃｂ＋、ＣＤ２の他方に印加する
こともできる。
この発明は、制御電位に応じて同調点を変えることがで
きる共振回路網を必要とする同調濾波器や同調増幅器の
ような発振回路以外の装置にも利用することができる。
きる共振回路網を必要とする同調濾波器や同調増幅器の
ような発振回路以外の装置にも利用することができる。
まだ発振回路に実施しだ場合でもこの明細書に開示した
特定のものに限らず、例えばコルピッツ型やハートレ型
の発振器の発振回路にも利用することができるし、また
直列接続の容量ダイオードＣＤＩ 、ＣＤ２をインダク
タンスに並列に接続した並列共振回路にも利用すること
ができる。
特定のものに限らず、例えばコルピッツ型やハートレ型
の発振器の発振回路にも利用することができるし、また
直列接続の容量ダイオードＣＤＩ 、ＣＤ２をインダク
タンスに並列に接続した並列共振回路にも利用すること
ができる。
第１図はこの発明を実施しだ発振回路の回路図、第２図
は第１図の回路の動作の説明に用いる図表、第３図およ
び第４図は第１図の実施例の変形を示す回路図である。 １０・・・共振回路、２０・・・電気信号源、ｖＴ・・
・制御電位、ＣＤＩ ＣＤ２・・・可変容量手段、Ｌ
ｌ・・・インダクタンス、ＣＩ 、ＣＩ２・・・電気信
号を共振回路に供給する手段、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３； ｒ
ｕ、 Ｒ２、す３、Ｒ８、Ｒ９・・・制御電位を可変
容量手段に印加する手段、Ｒ２、Ｒ３、Ｉ６ ｉ Ｒ２
、Ｒ３、Ｒ８、Ｒ９・・・印加電位を異ならせる手段。 特許出願人 アールシーニー コーポレーション
化 理 人 清 水 哲 ほか２名１、
事件の表示 特願昭５８−９０５５５号 ２、発明の名称 可変周波数発振器 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラー プラサ３０名 称
（７５７） アールシーニー コーポレーション４、
代理人 ５、補正の対象 「発明の名称」、明細書の「特許請求の範囲」、Ｉ 発
明＋７） 詳細な説明」および「図面の簡単な説明」の
各欄。 （２、特許請求の範囲を別紙の通シ訂正する。 （３）明細書第１頁第１９〜２０行の記載全部を次の通
り訂正する。 、。「この発明は周波数選択回路に関し、特に可変周波
数選択回路に関する。」 （４）同１第３頁第８行の「発明は」を「発明の周波数
選択回路は」と訂正する。 （５）同上第３頁第１５行の「と共振回路」を［とこの
１５発明の原理による周波数選択回路である共振回路」
と訂正する。 （６）同上第１０頁第８行の「発明は」を「発明の周波
数選択回路は」と訂正する。 （７）同上第１２頁第３行の「発明は」を「発明の周２
ｏ波数選択回路は」と訂正する。 ５− （８）同上第１２頁第１４行の「を実施した」を「にょ
る−側周波数選択回路を共振回路として使用した」と訂
正する。 （９）明細書中の記載を下記の正誤表に従って補正する
。 記 添付書類 特許請求の範囲 以 上 特許請求の範囲 周波数選択回路。
は第１図の回路の動作の説明に用いる図表、第３図およ
び第４図は第１図の実施例の変形を示す回路図である。 １０・・・共振回路、２０・・・電気信号源、ｖＴ・・
・制御電位、ＣＤＩ ＣＤ２・・・可変容量手段、Ｌ
ｌ・・・インダクタンス、ＣＩ 、ＣＩ２・・・電気信
号を共振回路に供給する手段、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３； ｒ
ｕ、 Ｒ２、す３、Ｒ８、Ｒ９・・・制御電位を可変
容量手段に印加する手段、Ｒ２、Ｒ３、Ｉ６ ｉ Ｒ２
、Ｒ３、Ｒ８、Ｒ９・・・印加電位を異ならせる手段。 特許出願人 アールシーニー コーポレーション
化 理 人 清 水 哲 ほか２名１、
事件の表示 特願昭５８−９０５５５号 ２、発明の名称 可変周波数発振器 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラー プラサ３０名 称
（７５７） アールシーニー コーポレーション４、
代理人 ５、補正の対象 「発明の名称」、明細書の「特許請求の範囲」、Ｉ 発
明＋７） 詳細な説明」および「図面の簡単な説明」の
各欄。 （２、特許請求の範囲を別紙の通シ訂正する。 （３）明細書第１頁第１９〜２０行の記載全部を次の通
り訂正する。 、。「この発明は周波数選択回路に関し、特に可変周波
数選択回路に関する。」 （４）同１第３頁第８行の「発明は」を「発明の周波数
選択回路は」と訂正する。 （５）同上第３頁第１５行の「と共振回路」を［とこの
１５発明の原理による周波数選択回路である共振回路」
と訂正する。 （６）同上第１０頁第８行の「発明は」を「発明の周波
数選択回路は」と訂正する。 （７）同上第１２頁第３行の「発明は」を「発明の周２
ｏ波数選択回路は」と訂正する。 ５− （８）同上第１２頁第１４行の「を実施した」を「にょ
る−側周波数選択回路を共振回路として使用した」と訂
正する。 （９）明細書中の記載を下記の正誤表に従って補正する
。 記 添付書類 特許請求の範囲 以 上 特許請求の範囲 周波数選択回路。
Claims (1)
- ｉｌ） 電気信号源と、制御電位源と、それぞれ第１
および第２の電極を有しこれら電極間に容量を呈しその
値が両′電極間に印加される制御電位によって変化する
第１および第２の可変容量手段とインダクタンス・とを
含む共振回路と、上記電気信号を上記共振回路に供給す
る手段と、上記第１および第２の可変容量手段のそれぞ
れの両電極間に上記制御型′位を同じ向きに印加する手
段と、上記第１の可変容量手段の両電極間に印加する電
位を上記第２の可変容量手段の両電極間に供給する電位
と予定量だけ異ならせる手段とを含む可変周波数発振器
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US381735 | 1982-05-24 | ||
| US06/381,735 US4494081A (en) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | Variable frequency U. H. F. local oscillator for a television receiver |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222601A true JPS58222601A (ja) | 1983-12-24 |
| JPH0412642B2 JPH0412642B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=23506178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090555A Granted JPS58222601A (ja) | 1982-05-24 | 1983-05-23 | 周波数選択回路 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4494081A (ja) |
| JP (1) | JPS58222601A (ja) |
| KR (1) | KR910002979B1 (ja) |
| CA (1) | CA1204175A (ja) |
| DE (1) | DE3318536C2 (ja) |
| FR (1) | FR2527406B1 (ja) |
| GB (1) | GB2120886B (ja) |
| HK (1) | HK59791A (ja) |
| IT (1) | IT1171675B (ja) |
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| JPS6355632U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | ||
| JPH01246906A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Nec Eng Ltd | 電圧制御発振器 |
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| DE3690396T1 (ja) * | 1985-07-30 | 1987-08-27 | ||
| JP2580116B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1997-02-12 | ソニー株式会社 | Ｉｃ化高周波可変周波数発振回路 |
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