JPS5840527Y2 - Ｘ線マイクロアナライザの磁気シ−ルド装置 - Google Patents
Ｘ線マイクロアナライザの磁気シ−ルド装置Info
- Publication number
- JPS5840527Y2 JPS5840527Y2 JP17886178U JP17886178U JPS5840527Y2 JP S5840527 Y2 JPS5840527 Y2 JP S5840527Y2 JP 17886178 U JP17886178 U JP 17886178U JP 17886178 U JP17886178 U JP 17886178U JP S5840527 Y2 JPS5840527 Y2 JP S5840527Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- objective lens
- electron beam
- magnetic shield
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はＸ線マイクロアナライザにおいて、電子線束
に対する外部磁場の影響を磁気シールドすることによっ
て軽減し、安定した電子線束をえるようにしたＸ線マイ
クロアナライザの磁気シールド装置に関するものである
。
に対する外部磁場の影響を磁気シールドすることによっ
て軽減し、安定した電子線束をえるようにしたＸ線マイ
クロアナライザの磁気シールド装置に関するものである
。
Ｘ線マイクロアナライザ、詳しくはエレクトロンプルー
プＸ線マイクロアナライザ（以下ＥＰＭＡと略称する）
は、電子銃からの電子線束を電磁レンズなどによって直
径１μあるいはそれ以下に集束して、試料の表面に投射
し、試料の微小部分から放射される特性Ｘ線、連続Ｘ線
、後方散乱電子線および試料中に吸収される吸収電子線
などを利用し、この微小部分の定性定量分析、元素の分
布状態をはじめ種々の情報をえようとする分析機器であ
る。
プＸ線マイクロアナライザ（以下ＥＰＭＡと略称する）
は、電子銃からの電子線束を電磁レンズなどによって直
径１μあるいはそれ以下に集束して、試料の表面に投射
し、試料の微小部分から放射される特性Ｘ線、連続Ｘ線
、後方散乱電子線および試料中に吸収される吸収電子線
などを利用し、この微小部分の定性定量分析、元素の分
布状態をはじめ種々の情報をえようとする分析機器であ
る。
このようにＥＰＭＡにおいては試料のきわめて狭く限ら
れた範囲に電子線束を投射しなければならないことから
、かなりの長時間を要する分析操作間において電子線束
の投射位置が、種々の外部条件の変化、とくに外部磁場
の変動によって移動しないという条件が充足されていな
ければならない とくに最近ＥＰＭＡによる分析が活用されるにともない
、外部環境としては理想的といえないたとえば工場内の
研究室にも設置されるようになり、地磁気の変動以外に
高圧トランス、高周波発振器、高圧導線などが近くに存
在することによる外部磁気変動によって影響されて生ず
る電子線束の位置移動すなわち、投射位置のずれを抑制
する必要性がましてきている。
れた範囲に電子線束を投射しなければならないことから
、かなりの長時間を要する分析操作間において電子線束
の投射位置が、種々の外部条件の変化、とくに外部磁場
の変動によって移動しないという条件が充足されていな
ければならない とくに最近ＥＰＭＡによる分析が活用されるにともない
、外部環境としては理想的といえないたとえば工場内の
研究室にも設置されるようになり、地磁気の変動以外に
高圧トランス、高周波発振器、高圧導線などが近くに存
在することによる外部磁気変動によって影響されて生ず
る電子線束の位置移動すなわち、投射位置のずれを抑制
する必要性がましてきている。
たとえば外部磁場の変動の少い場合でも３０分間で約０
．２μの電子線束の投射位置のずれが測定された例も報
告されている。
．２μの電子線束の投射位置のずれが測定された例も報
告されている。
この程度の微小な投射位置のずれが生じても、試料の特
定した位置以外のそれに隣接した部分をも併せて測定し
てしまうこととなって不都合をきたすこととなる。
定した位置以外のそれに隣接した部分をも併せて測定し
てしまうこととなって不都合をきたすこととなる。
ＥＰＭＡには第１図に示すように、電子銃１、陽極２、
電磁収束レンズ３、絞り４、非点収差補正コイル５．４
５°反射鏡６．２点鎖線で示したその保持筒７、光学観
察用の曲面反射鏡９，１０、光学顕微鏡１１を含む点線
で囲んだ光学観察系、電磁偏向コイル１２、電磁対物レ
ンズ１３、分析試料１４、Ｘ線分光結晶１５、Ｘ線検出
器１６、二次電子反射電子検出器１７、吸収電子線検出
用電流計１８などの電子光学系およびＸ線分光系などが
緻密に組込まれている。
電磁収束レンズ３、絞り４、非点収差補正コイル５．４
５°反射鏡６．２点鎖線で示したその保持筒７、光学観
察用の曲面反射鏡９，１０、光学顕微鏡１１を含む点線
で囲んだ光学観察系、電磁偏向コイル１２、電磁対物レ
ンズ１３、分析試料１４、Ｘ線分光結晶１５、Ｘ線検出
器１６、二次電子反射電子検出器１７、吸収電子線検出
用電流計１８などの電子光学系およびＸ線分光系などが
緻密に組込まれている。
この従来の装置において外部磁場の電子線束に対する影
響を防ぐ方法が講ぜられている。
響を防ぐ方法が講ぜられている。
すなわち電子線束の通路ともなる前記反射鏡保持筒自身
を初透磁率の高い軟磁性材料で作るか、あるいは前記保
持筒の内部にそれと一体的に同軸配置された前記と同一
の軟磁性材料で作った絞り円筒を設ける方法である。
を初透磁率の高い軟磁性材料で作るか、あるいは前記保
持筒の内部にそれと一体的に同軸配置された前記と同一
の軟磁性材料で作った絞り円筒を設ける方法である。
そして、このような外部磁場の変動対策を施すと、前記
した外部磁場の変動の少い場合における電子線束の投射
位置におけるずれは０．０６μ程度に修整されたとして
いる。
した外部磁場の変動の少い場合における電子線束の投射
位置におけるずれは０．０６μ程度に修整されたとして
いる。
しがし直径１μもしくはそれ以下、たとえば０．３μ程
度にまで集束される電子線束に対しては、この修正され
たずれ量でもかなりの量になる。
度にまで集束される電子線束に対しては、この修正され
たずれ量でもかなりの量になる。
第１図の点線で囲んだ光学観察系には、空隙部が存在す
るが、この部分は電子線束が試料１４に投射され、それ
から放射される特性Ｘ線を取出し、それによっていくつ
かの元素を同時に分析しうるよう複数のＸ線分光系を試
料１４のまわりに配設するマルチチャンネル方式の分析
を行うために空けられているものであり、しかもＥＰＭ
Ａの分析性能をあげるためにＸ線取出し角θはたとえば
５２．５゜と大きくなるようにされている。
るが、この部分は電子線束が試料１４に投射され、それ
から放射される特性Ｘ線を取出し、それによっていくつ
かの元素を同時に分析しうるよう複数のＸ線分光系を試
料１４のまわりに配設するマルチチャンネル方式の分析
を行うために空けられているものであり、しかもＥＰＭ
Ａの分析性能をあげるためにＸ線取出し角θはたとえば
５２．５゜と大きくなるようにされている。
したがって、従来から前記空隙部に対してＸ線の取出し
に支障をきたすことなく軟磁性材料で遮蔽することは困
難であるとされていたものである。
に支障をきたすことなく軟磁性材料で遮蔽することは困
難であるとされていたものである。
この考案は前記した現状に鑑みて電子線束に対する外部
磁場の影響をより一層軽減する目的で、Ｘ線の取出しに
支障をきたさぬよう前記空隙部に磁気シールドを施そう
とするものであって、電磁対物レンズ１３の上方にその
すり鉢状開口部の延長面にそった倒立截頭円錐面状の一
定高さをもった軟磁性材料、たとえば初透磁率の高いパ
ーマロイからなる外側磁気シールドと、曲面反射鏡保持
部の周縁下端部に前記シールドより開き角度を小にする
とともにその高さを対物レンズ磁場内に入らない程度に
とどめた前記同様形状をなし、がっ前記と同一材料から
なる内側磁気シールドとをそれぞれ付加し、Ｘ線取出し
角を減少させることなく、これら内、外画磁気シールド
によって従来の装置における電子線束の試料表面におけ
る投射位置のずれをさらに一層抑制しうるようにしたＸ
線マイクロアナライザの磁気シールド装置にががるもの
である。
磁場の影響をより一層軽減する目的で、Ｘ線の取出しに
支障をきたさぬよう前記空隙部に磁気シールドを施そう
とするものであって、電磁対物レンズ１３の上方にその
すり鉢状開口部の延長面にそった倒立截頭円錐面状の一
定高さをもった軟磁性材料、たとえば初透磁率の高いパ
ーマロイからなる外側磁気シールドと、曲面反射鏡保持
部の周縁下端部に前記シールドより開き角度を小にする
とともにその高さを対物レンズ磁場内に入らない程度に
とどめた前記同様形状をなし、がっ前記と同一材料から
なる内側磁気シールドとをそれぞれ付加し、Ｘ線取出し
角を減少させることなく、これら内、外画磁気シールド
によって従来の装置における電子線束の試料表面におけ
る投射位置のずれをさらに一層抑制しうるようにしたＸ
線マイクロアナライザの磁気シールド装置にががるもの
である。
つぎにこの考案にかかるＸ線マイクロアナライザの磁気
シールド装置の実施例について図面にもとづいて説明す
る。
シールド装置の実施例について図面にもとづいて説明す
る。
第２図はこの装置を装着したＥＰＭＡの第１図に点線で
囲んだ枠にて示した光学観察系の上下部分を示した部分
縦断面図である。
囲んだ枠にて示した光学観察系の上下部分を示した部分
縦断面図である。
図に付しである番号で第１図のそれと同一番号の部分は
同一部品を示している。
同一部品を示している。
なお第１図には示されていない１９は電子線走査コイル
である。
である。
第２図において、５は非点収差補正コイルで、保持部５
′を介して固定されており、７は反射鏡保持筒で、その
下端には電子線束に投射方向に対して４５゜傾斜し、か
つ、その中心に電子線束の通過する小穴をもった反射鏡
６が設けられている。
′を介して固定されており、７は反射鏡保持筒で、その
下端には電子線束に投射方向に対して４５゜傾斜し、か
つ、その中心に電子線束の通過する小穴をもった反射鏡
６が設けられている。
１２は電子線束を操作する電磁偏向コイル、１３は電磁
対物レンズ、１４はターゲットとなる試料、９，１０は
光学観察のための曲面反射鏡である。
対物レンズ、１４はターゲットとなる試料、９，１０は
光学観察のための曲面反射鏡である。
１５は試料１４がらの特性Ｘ線を分光するＸ線分光結晶
で、図には示されていないが、結晶取付は板案内を介し
て波長送り軸によって移動させられるのであるが、それ
が試料１４にかなり接近した位置にて示されている。
で、図には示されていないが、結晶取付は板案内を介し
て波長送り軸によって移動させられるのであるが、それ
が試料１４にかなり接近した位置にて示されている。
２０は外側磁気シールドで、電磁対物レンズ１３の上方
にそのすり鉢状開口部の延長面にそって倒立截頭円錐面
状の適当な高さをもった、軟磁性材料たとえば初透磁率
の高いパーマロイがら形成されている。
にそのすり鉢状開口部の延長面にそって倒立截頭円錐面
状の適当な高さをもった、軟磁性材料たとえば初透磁率
の高いパーマロイがら形成されている。
２１はもう一方の内側磁気シールドで、曲面反射鏡９の
外周保持部９′の周縁下端部に前記シールド面２０より
開き角度を小にするとともにその高さを電磁対物レンズ
１３の磁界内に入らない程度にとどめた前記同様形状を
なし、かつ前記と同一の材料から形成されているもので
ある。
外周保持部９′の周縁下端部に前記シールド面２０より
開き角度を小にするとともにその高さを電磁対物レンズ
１３の磁界内に入らない程度にとどめた前記同様形状を
なし、かつ前記と同一の材料から形成されているもので
ある。
そして外側の磁気シールド２０と内側の磁気シール２１
双方の重なりあい部分が多くなるようにされている。
双方の重なりあい部分が多くなるようにされている。
電磁対物レンズ１３は強力な磁場をその周囲に形成して
いることから、その磁界内では外部磁場の変動による電
子線束への影響は少いので、内側の磁気シールド２１は
その高さが電磁対物レンズ１３の磁界内に入らない程度
にしである。
いることから、その磁界内では外部磁場の変動による電
子線束への影響は少いので、内側の磁気シールド２１は
その高さが電磁対物レンズ１３の磁界内に入らない程度
にしである。
また、曲面反射鏡９の保持部９′、非点収差補正コイル
５の保持部５′および走査コイル１９のまわりの遮蔽円
筒部１９′は初透磁率の高い材料であるパーマロイでそ
れぞれ作られて、磁気シールドが施されている。
５の保持部５′および走査コイル１９のまわりの遮蔽円
筒部１９′は初透磁率の高い材料であるパーマロイでそ
れぞれ作られて、磁気シールドが施されている。
つぎにこの装置における作用について説明する。
前記した光学観察系の空隙部より上方に対しては曲面反
射鏡９、非点収差補正コイル５のそれぞれ保持部９’、
５’ならびに走査用コイル１９の遮蔽円筒１９′がいず
れもパーマロイから作られた良好な磁気シールドを形成
することから、外部磁場が変動しても電子線束はほとん
どその影響をうけない 一方、前記空隙部に対しては、パーマロイからなる外側
磁気シールド２０、内側磁気シールド２１の双方、もし
くは内側磁気シールド２１のみによって、外部磁場の変
動に対して電子線束のかたよりが防止される。
射鏡９、非点収差補正コイル５のそれぞれ保持部９’、
５’ならびに走査用コイル１９の遮蔽円筒１９′がいず
れもパーマロイから作られた良好な磁気シールドを形成
することから、外部磁場が変動しても電子線束はほとん
どその影響をうけない 一方、前記空隙部に対しては、パーマロイからなる外側
磁気シールド２０、内側磁気シールド２１の双方、もし
くは内側磁気シールド２１のみによって、外部磁場の変
動に対して電子線束のかたよりが防止される。
そして、内側磁気シールド２１は電磁対物レンズ１３の
磁界内に入らないようにされていることから、非点収差
の原因となりえないし、外側磁気シールド２０は電磁対
物レンズ１３のポールピース１３′から離れているため
にレンズとしての作用はしない また、内外両側磁気シールド２１．２０はたがいに重な
りあう部分が大きくなるようにされており、それぞれの
開き角度を相異させて、その間の空間部が末広がりに形
成されていることから、その間においてＸ線分光結晶１
５を移動駆動させることができ、しかもＸ線取出し開口
部がありながら、外周全体を磁気シールドする場合と同
様のシールド効果をより少いシールド材料によってあげ
ることができる。
磁界内に入らないようにされていることから、非点収差
の原因となりえないし、外側磁気シールド２０は電磁対
物レンズ１３のポールピース１３′から離れているため
にレンズとしての作用はしない また、内外両側磁気シールド２１．２０はたがいに重な
りあう部分が大きくなるようにされており、それぞれの
開き角度を相異させて、その間の空間部が末広がりに形
成されていることから、その間においてＸ線分光結晶１
５を移動駆動させることができ、しかもＸ線取出し開口
部がありながら、外周全体を磁気シールドする場合と同
様のシールド効果をより少いシールド材料によってあげ
ることができる。
この考案にかかるＸ線アナライザの磁気シールド装置は
以上説明したように構成されているので、この装置にお
いては、従来のＸ線アナライザの電子線束安定のための
磁気シールドと略同様の効果をその光学観察系の上部に
対してあげることができるとともに、その下部空隙部す
なわちＸ線分光系に対しては放置されていた磁気シール
ドを、少量の磁気シールド材料を使用した簡単な構成に
よった内外周磁気シールドを付加することによって可能
とし、電子線束の外部磁場の変動によるその試料面上の
投射位置のずれをより一層少くすることを可能ならしめ
たものである。
以上説明したように構成されているので、この装置にお
いては、従来のＸ線アナライザの電子線束安定のための
磁気シールドと略同様の効果をその光学観察系の上部に
対してあげることができるとともに、その下部空隙部す
なわちＸ線分光系に対しては放置されていた磁気シール
ドを、少量の磁気シールド材料を使用した簡単な構成に
よった内外周磁気シールドを付加することによって可能
とし、電子線束の外部磁場の変動によるその試料面上の
投射位置のずれをより一層少くすることを可能ならしめ
たものである。
第１図はＸ線マイクロアナライザの要部の構成を示す模
式説明図、第２図はこの考案にかかるシールド装置を付
加したＸ線マイクロアナライザの部分縦断面図である。 １：電子銃、２：陽極、３：電磁集束レンズ、４：絞り
、５：非点収差補正コイル、５′：非点収差補正コイル
の保持部（磁気シールド）、６：４５′反射鏡、７：反
射鏡保持筒、９，１０ ：光学観察用曲面反射鏡、９′
：曲面反射鏡保持部（磁気シールド）、１１：光学顕微
鏡、１２：電磁偏向コイル、１３：電磁対物レンズ、１
３′：ポールピース、１４：試料、１５：Ｘ線分光結晶
、１６：−Ｘ線検出器、１９：走査コイル、１９′：遮
蔽円筒（磁気シールド）、２０：外側磁気シールド、２
１：内側磁気シールド。
式説明図、第２図はこの考案にかかるシールド装置を付
加したＸ線マイクロアナライザの部分縦断面図である。 １：電子銃、２：陽極、３：電磁集束レンズ、４：絞り
、５：非点収差補正コイル、５′：非点収差補正コイル
の保持部（磁気シールド）、６：４５′反射鏡、７：反
射鏡保持筒、９，１０ ：光学観察用曲面反射鏡、９′
：曲面反射鏡保持部（磁気シールド）、１１：光学顕微
鏡、１２：電磁偏向コイル、１３：電磁対物レンズ、１
３′：ポールピース、１４：試料、１５：Ｘ線分光結晶
、１６：−Ｘ線検出器、１９：走査コイル、１９′：遮
蔽円筒（磁気シールド）、２０：外側磁気シールド、２
１：内側磁気シールド。
Claims (1)
- 電磁対物レンズの上方にその開口部の延長面にそった倒
立截頭円錐面状の一定の高さをもった初透磁率の高い材
料からなる外側磁気シールドと、前記対物レンズの上方
に設置される曲面反射鏡の保持部の周縁下端部に前記磁
気シールドより開き角度を小にするとともにその高さを
前記電磁対物レンズの磁界内に入らない程度にとどめた
前記同様の形状をなし、かつ前記と同一材料からなる内
側磁気シールドとを付加してなるＸ線マイクロアナライ
ザの磁気シールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17886178U JPS5840527Y2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | Ｘ線マイクロアナライザの磁気シ−ルド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17886178U JPS5840527Y2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | Ｘ線マイクロアナライザの磁気シ−ルド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5595253U JPS5595253U (ja) | 1980-07-02 |
| JPS5840527Y2 true JPS5840527Y2 (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=29189740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17886178U Expired JPS5840527Y2 (ja) | 1978-12-25 | 1978-12-25 | Ｘ線マイクロアナライザの磁気シ−ルド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840527Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242441Y2 (ja) * | 1980-11-04 | 1987-10-30 |
-
1978
- 1978-12-25 JP JP17886178U patent/JPS5840527Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5595253U (ja) | 1980-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zemlin et al. | Coma-free alignment of high resolution electron microscopes with the aid of optical diffractograms | |
| EP0641011B1 (en) | An electron beam apparatus | |
| WO2007013398A1 (ja) | 電子線装置 | |
| US10446362B2 (en) | Distortion correction method and electron microscope | |
| US4460827A (en) | Scanning electron microscope or similar equipment with tiltable microscope column | |
| US4633085A (en) | Transmission-type electron microscope | |
| JP2582114B2 (ja) | 電子顕微鏡におけるｘ線分析装置 | |
| US9312091B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| JPS5840527Y2 (ja) | Ｘ線マイクロアナライザの磁気シ−ルド装置 | |
| US6376839B1 (en) | SEM for transmission operation with a location-sensitive detector | |
| US2950390A (en) | Electron lenses | |
| US5038045A (en) | Composite electromagnetic lens with variable focal distance | |
| US7560713B2 (en) | Correction lens system for a particle beam projection device | |
| JP3261018B2 (ja) | オージェ電子分光装置 | |
| JP2000149842A (ja) | 荷電粒子ビ―ムフォ―カシング用磁気レンズ | |
| JP2569011B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH01100919A (ja) | 電子ビーム加工装置 | |
| US4097739A (en) | Beam deflection and focusing system for a scanning corpuscular-beam microscope | |
| US4214166A (en) | Magnetic lens system for corpuscular radiation equipment | |
| JPH0652650B2 (ja) | 荷電ビ−ムの軸合わせ方法 | |
| JP4221817B2 (ja) | 投射型イオンビーム加工装置 | |
| JPS5812123Y2 (ja) | 電子顕微鏡等におけるｘ線分析装置 | |
| JPS5841642Y2 (ja) | 電子線照射分析装置の試料ホルダ− | |
| US4839568A (en) | Magnetic deflector for trichromatic tube with shield and method to set this deflector | |
| JPH0395844A (ja) | 走査電子顕微鏡 |