JPS5848402A - 酸化物半導体素子の電極形成方法 - Google Patents
酸化物半導体素子の電極形成方法Info
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- JPS5848402A JPS5848402A JP56145421A JP14542181A JPS5848402A JP S5848402 A JPS5848402 A JP S5848402A JP 56145421 A JP56145421 A JP 56145421A JP 14542181 A JP14542181 A JP 14542181A JP S5848402 A JPS5848402 A JP S5848402A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化物半導体素子へのオーム性電極形成方法
の改良に関し付着力、耐電圧性、耐熱性に優れた電極の
形成方法に関する。− 従来、酸化物半導体素子にオーム性電極を取り付ける方
法としては、Ｉｎ−Ｇａ合金を付着させる方法、無電解
メッキによってＭｌを付着させる方法、真空蒸着や金属
溶射法によりＯｕ、ム１ｔｚｎｌｌを付着させる方法、
オーミンクなＡｇペーストを焼付は６方、法などが用い
られてきた。しかし、Ｉｎ−Ｇａ 合、金は、良好なオ
ーム性接触は得られるものの合金の融点が低く、耐熱性
に問題があり１．実用には不向きであった。また無電解
メッキによるＭ１電極は、オーム性接触を得るためには
数１００℃での熱処理を必要とするとともに、湿式法で
あるため、酸化物半導体素子のマイクロクラックにＭｌ
が浸透して耐電圧性を下げるとともに、化学魁理によっ
て素地に付着浸透した残留イオンが寿命特性を劣化させ
る要因となっていた。さらにＮ１の無電解メッキを行う
場合には、処理液、メッキ液の管理に細心の注意を要す
るとともに、これら処理液、メッキ液および洗浄水を廃
棄する場合には厳重な公害処理を必要としていた。また
真空蒸着や金属溶射法によるＯｕ、Ａｌ、Ｚｎ等の電極
は、酸化物半導体素子への付着力が弱く実用上問題があ
った。またオーミンクなＡｇペーストを焼付けて形成し
た電極は、使用中ムｇのマイグレーションが起り実用上
問題があった。
の改良に関し付着力、耐電圧性、耐熱性に優れた電極の
形成方法に関する。− 従来、酸化物半導体素子にオーム性電極を取り付ける方
法としては、Ｉｎ−Ｇａ合金を付着させる方法、無電解
メッキによってＭｌを付着させる方法、真空蒸着や金属
溶射法によりＯｕ、ム１ｔｚｎｌｌを付着させる方法、
オーミンクなＡｇペーストを焼付は６方、法などが用い
られてきた。しかし、Ｉｎ−Ｇａ 合、金は、良好なオ
ーム性接触は得られるものの合金の融点が低く、耐熱性
に問題があり１．実用には不向きであった。また無電解
メッキによるＭ１電極は、オーム性接触を得るためには
数１００℃での熱処理を必要とするとともに、湿式法で
あるため、酸化物半導体素子のマイクロクラックにＭｌ
が浸透して耐電圧性を下げるとともに、化学魁理によっ
て素地に付着浸透した残留イオンが寿命特性を劣化させ
る要因となっていた。さらにＮ１の無電解メッキを行う
場合には、処理液、メッキ液の管理に細心の注意を要す
るとともに、これら処理液、メッキ液および洗浄水を廃
棄する場合には厳重な公害処理を必要としていた。また
真空蒸着や金属溶射法によるＯｕ、Ａｌ、Ｚｎ等の電極
は、酸化物半導体素子への付着力が弱く実用上問題があ
った。またオーミンクなＡｇペーストを焼付けて形成し
た電極は、使用中ムｇのマイグレーションが起り実用上
問題があった。
本発明は、上記従来の欠点を解決し、オーム性 −に優
れ、かつ付着力が強く、耐電圧性、耐熱性ともに優れた
オーム性□電極の形成方法を提供するこ １とを目的と
したものである。
れ、かつ付着力が強く、耐電圧性、耐熱性ともに優れた
オーム性□電極の形成方法を提供するこ １とを目的と
したものである。
すなわち、本発明の要旨とするところは、イオンブレー
ティング法により、減圧された不活性ガスのプラズマ放
電中で、Ｏｕ、 Ａｌ、 Ｎｉ、 Ｚｎ、 ａｎ。
ティング法により、減圧された不活性ガスのプラズマ放
電中で、Ｏｕ、 Ａｌ、 Ｎｉ、 Ｚｎ、 ａｎ。
Ｏｒもしくはそれらの合金を蒸発させ、該金属蒸気を酸
化物半導体素子の表面に付着することを特徴とすｔ酸化
物半導体素子の電極形成方法にある。
化物半導体素子の表面に付着することを特徴とすｔ酸化
物半導体素子の電極形成方法にある。
特に、本発明を、正特性磁器半導体であるチタン酸バリ
ウム系半導体に用いた場合、耐電圧排を大幅に鵠良でき
、その効果は著しいものがある。
ウム系半導体に用いた場合、耐電圧排を大幅に鵠良でき
、その効果は著しいものがある。
次に本発明を詳述する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明に使用するイオンブレー
ティング装置の一例を示す。第１図（ａ）は直流二極放
電掴イオンブレーティング装置の基本的な概略図、第１
図（ｂ）は高周波イオンブレーティング装置の基本的な
概略図である。第１図において、１は真空容器、２は真
空排気管、３は不活性ガス供給管１４は電極材料からな
る蒸発源、５は蒸発用ヒータの加熱用電源、６は被処理
物である酸化物半導体′素子、６ａは被処理物の保持台
、７は直流電源、８は高周波電源、９はマツチングボッ
クス、１゛０は高周波用アンテナである。
ティング装置の一例を示す。第１図（ａ）は直流二極放
電掴イオンブレーティング装置の基本的な概略図、第１
図（ｂ）は高周波イオンブレーティング装置の基本的な
概略図である。第１図において、１は真空容器、２は真
空排気管、３は不活性ガス供給管１４は電極材料からな
る蒸発源、５は蒸発用ヒータの加熱用電源、６は被処理
物である酸化物半導体′素子、６ａは被処理物の保持台
、７は直流電源、８は高周波電源、９はマツチングボッ
クス、１゛０は高周波用アンテナである。
基本的な操作手順としては、まず真空容器１内を真空排
気管２を通じてｉｏ Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気し
た後、Ａｒ等の不活性ガスを不活性ガス供給管６を通じ
て導入し、所定のガス圧に調整する。次いで、直流二極
放電型イオンブレーティングの場合には、直流電源７に
高電圧を印加することによってプラズマ放電を生ぜしめ
、一方高周波イオンブレーティングの場合には、高周波
電源８により高周波用アンテナ１０を通じて高周波を印
加し、プラズマ放電を発生せしめる。直流電源７は、直
流二極放電型イオンブレーティングの場合には、プラ・
ズ（イ・を発生させると同時にプラズマ中の正イオンを
加速するための高圧電源であるが、高周波イオンブレー
ティングの場合には、プラグ・マは高周波によって発生
させるため、直流電源７は、プラズマ中に存在する正イ
オンを加速すること・を主目的としたものであり、各々
目的が異なる。
気管２を通じてｉｏ Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気し
た後、Ａｒ等の不活性ガスを不活性ガス供給管６を通じ
て導入し、所定のガス圧に調整する。次いで、直流二極
放電型イオンブレーティングの場合には、直流電源７に
高電圧を印加することによってプラズマ放電を生ぜしめ
、一方高周波イオンブレーティングの場合には、高周波
電源８により高周波用アンテナ１０を通じて高周波を印
加し、プラズマ放電を発生せしめる。直流電源７は、直
流二極放電型イオンブレーティングの場合には、プラ・
ズ（イ・を発生させると同時にプラズマ中の正イオンを
加速するための高圧電源であるが、高周波イオンブレー
ティングの場合には、プラグ・マは高周波によって発生
させるため、直流電源７は、プラズマ中に存在する正イ
オンを加速すること・を主目的としたものであり、各々
目的が異なる。
次に加熱用電源５により′蒸発源４を加熱し、電極材料
を蒸発せしめる。加熱方式としては、この抵抗加熱方式
の他に、電子ビーム加熱方式、高周波加熱方式等があり
、いずれを用いることも可能である。蒸発源より蒸発し
た粒子はプラズマ中でイオン化され、数１０〜数に’ｅ
Ｖ のエネールギーを持ち、それが酸化物半導体素子６
に衝突し、そのエネルギーを失って表面に付着し皮膜を
形成する。
を蒸発せしめる。加熱方式としては、この抵抗加熱方式
の他に、電子ビーム加熱方式、高周波加熱方式等があり
、いずれを用いることも可能である。蒸発源より蒸発し
た粒子はプラズマ中でイオン化され、数１０〜数に’ｅ
Ｖ のエネールギーを持ち、それが酸化物半導体素子６
に衝突し、そのエネルギーを失って表面に付着し皮膜を
形成する。
形成された皮膜の素子表面への付着力は、イオンの持つ
エネルギーに依□存すると言われ′てお′す、その持つ
エネルギーが高い種付着力は強く′なる。
エネルギーに依□存すると言われ′てお′す、その持つ
エネルギーが高い種付着力は強く′なる。
一般に真空蒸着の場合、粒子の持つエネルギーはｉ ｏ
”Ｖ 以下、スパッタリングの場谷は１Ｏ−ｅＶ程度、
イオンブレーティングの場合は、・条件゛に゛よって異
なるが、上述のように数１０〜数に＠Ｙ“と言われ゛て
おり、−この故に、イオンブレーティング法を用いた場
合、皮膜の素子表面への付着力は非常に強くなる。また
、イオンブレーティング法を用いた場合、蒸発粒子が前
述のように高いエネルギーを持っているため、形成され
た皮膜は緻密であり、よって、電極として用いた場合、
電極を通じて流れる電流の密度は均一となり安定性が増
加する◇また、イオンブレーティング方式は乾式法であ
るため、無電解メッキ法等の湿式法の場合のように、化
学処理による残留イオンが付着する危険性もなく、また
、マイクロクラックからの電極材料の浸透もないため、
耐電圧性が損なわれることもなく、電極として安定して
いる。さらには、無電解メッキによるＮ１の場合のよう
に、オーム性にするための熱処理も必要でなぐ１、また
無公害であるため公害処理設備も必要でなく、電極付け
の工程が非常に簡単で簡略化できる。イオンプレーディ
ングを行う場合、不活性ガスの圧力については、ガス圧
が高くなると蒸発粒子の平均自由行程が短くなるため酸
化物半導体素子に付着するまでに失うエネルギーが大き
く、よって、皮膜の素子に対する付着力が小さくなり、
また、ガス圧が極端に低くなるとプラズマ放電の維持が
困難となるため、不−２−５ 活性ガスの圧力については、１０〜１０ Ｔ６ｒｒで
あることが望ましい。
”Ｖ 以下、スパッタリングの場谷は１Ｏ−ｅＶ程度、
イオンブレーティングの場合は、・条件゛に゛よって異
なるが、上述のように数１０〜数に＠Ｙ“と言われ゛て
おり、−この故に、イオンブレーティング法を用いた場
合、皮膜の素子表面への付着力は非常に強くなる。また
、イオンブレーティング法を用いた場合、蒸発粒子が前
述のように高いエネルギーを持っているため、形成され
た皮膜は緻密であり、よって、電極として用いた場合、
電極を通じて流れる電流の密度は均一となり安定性が増
加する◇また、イオンブレーティング方式は乾式法であ
るため、無電解メッキ法等の湿式法の場合のように、化
学処理による残留イオンが付着する危険性もなく、また
、マイクロクラックからの電極材料の浸透もないため、
耐電圧性が損なわれることもなく、電極として安定して
いる。さらには、無電解メッキによるＮ１の場合のよう
に、オーム性にするための熱処理も必要でなぐ１、また
無公害であるため公害処理設備も必要でなく、電極付け
の工程が非常に簡単で簡略化できる。イオンプレーディ
ングを行う場合、不活性ガスの圧力については、ガス圧
が高くなると蒸発粒子の平均自由行程が短くなるため酸
化物半導体素子に付着するまでに失うエネルギーが大き
く、よって、皮膜の素子に対する付着力が小さくなり、
また、ガス圧が極端に低くなるとプラズマ放電の維持が
困難となるため、不−２−５ 活性ガスの圧力については、１０〜１０ Ｔ６ｒｒで
あることが望ましい。
なお、第１図（ａ）、（ｂ）に示した装置は、イオンブ
レーティング装置の基本的なものであり、イオン化効率
を上げるために、蒸発源と基板間に複数個の補助電極を
設け、これに直流もしくは高周波電界を印加しても何ら
さしつかえない。また、酸化物半導体素子を加熱してお
くためのヒータを取り付けることも可能であり、また１
、酸化物半導体素子を保持する保持台の代わりにバレル
等を用しすることも可能である０ また、本発明により形成されたＯｕ、 Ａｌ、 Ｎｉ。
レーティング装置の基本的なものであり、イオン化効率
を上げるために、蒸発源と基板間に複数個の補助電極を
設け、これに直流もしくは高周波電界を印加しても何ら
さしつかえない。また、酸化物半導体素子を加熱してお
くためのヒータを取り付けることも可能であり、また１
、酸化物半導体素子を保持する保持台の代わりにバレル
等を用しすることも可能である０ また、本発明により形成されたＯｕ、 Ａｌ、 Ｎｉ。
Ｚｎ、Ｓｎ、Ｏｒもしくはそれらの合金からなるオーム
性電極の上にＡｕ、 Ｐｔ、 Ａｇ、 Ｏｕ’、ムｌ、
Ｎｉ、 Ｚｎ。
性電極の上にＡｕ、 Ｐｔ、 Ａｇ、 Ｏｕ’、ムｌ、
Ｎｉ、 Ｚｎ。
９ｎ、Ｏｒ等の皮膜を形成して二層の電極構造とするこ
とも可能である。二層の電極構造とすること′□′□− によって、電極面内の抵抗値を小さくし、大電流を流す
ことが可能になるととも゛に、−触性もしくは半田付は
性を向上させることが可能である。第２図に二層の電極
構造とした場合の概略図を示す。
とも可能である。二層の電極構造とすること′□′□− によって、電極面内の抵抗値を小さくし、大電流を流す
ことが可能になるととも゛に、−触性もしくは半田付は
性を向上させることが可能である。第２図に二層の電極
構造とした場合の概略図を示す。
第２図において１１は酸化物半導体素子、１２はオーム
性電極、１８は二層目の電極を示す。
性電極、１８は二層目の電極を示す。
二層目の電極は、スクリーン印刷、金属溶射、電気メッ
キ、無電解メッキ１、真空蒸着、イオンブレーティング
等の方法で形成することができる。
キ、無電解メッキ１、真空蒸着、イオンブレーティング
等の方法で形成することができる。
このように二層目の電極形成方法として種々の方式が使
用可能なのは、あらかじめイオンブレーティング法によ
って、緻密で、付着力の強いオーム性電極が酸化物半導
体素子の表面に形成されているので、二層目の電極皮膜
については、湿式メッキを用いても残留イオンの悪影響
は無視することができ、また、オーム性電極と二層目の
電極皮膜との付着力についても金属同志の付着であるた
め熱膨張率の差も小さいため、それほど大きな付着力を
要しないことによる。
用可能なのは、あらかじめイオンブレーティング法によ
って、緻密で、付着力の強いオーム性電極が酸化物半導
体素子の表面に形成されているので、二層目の電極皮膜
については、湿式メッキを用いても残留イオンの悪影響
は無視することができ、また、オーム性電極と二層目の
電極皮膜との付着力についても金属同志の付着であるた
め熱膨張率の差も小さいため、それほど大きな付着力を
要しないことによる。
以上の如く、イオンブレーティング法により、酸化物半
導体素子上に形成されたＯｕ、ムｌ、 Ｎｉ。
導体素子上に形成されたＯｕ、ムｌ、 Ｎｉ。
Ｚｎ、８ｎ、Ｏｒもしくはそれらの合金からなる皮膜は
、電極として良好なオーム性接触を示すとともに、酸化
物半導体素子への付着力が強いため、湯度サイクルテス
トによる置物の剥離もしく＆ｊ大電流を流した場合に生
ずる電極の剥離損傷等が起こることもなく、酸化物半導
体素子のオーム性電極として十分特性を満足し、また、
電極形成方法も神声に簡略化されるためその工業的価値
は極めて高いものである。
、電極として良好なオーム性接触を示すとともに、酸化
物半導体素子への付着力が強いため、湯度サイクルテス
トによる置物の剥離もしく＆ｊ大電流を流した場合に生
ずる電極の剥離損傷等が起こることもなく、酸化物半導
体素子のオーム性電極として十分特性を満足し、また、
電極形成方法も神声に簡略化されるためその工業的価値
は極めて高いものである。
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発
明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定される
ものではない。 ４実施例１゜ 酸化物半導体どして、直径２０■で厚み力（２−のチタ
ン酸バリウム系半導体を用い、イオンブーティング法に
より各−の金属も、シ＜は合金を付着させた。まずチタ
ン酸雫）（リウム系半導体を容器内に保持し、１０
Ｔｏｒｒの４高真空に排気後、不活性ガスとしてＡｒを
用いガス圧を第１表に示すような圧力に調整した。惨い
で直流二極放電、、式の場合には、高圧直流電源よりＩ
ＫＶを印加し。プラズマ放電を発生させた。一方高周波
方式の場合には、高周波電源より３００Ｗの高周波を印
加し、プラズマ放電を発生させた。なお、高周波方式の
場合に、イオン加速用の直流電圧としては、６００ｖを
印加した０次いで、電子ビーム加熱方式により、−発源
から、第１表に掲げるような各種金属もしくは合金を蒸
発させ、酸化物半導体素子−両面に付着させ、電極を形
成した。各々の試料についてオーム性を確認するために
、直流電圧を０．１′〜２ｖの間で変化させ電圧電流特
性を測定した。その結果、全ての試料について良好なオ
ーム性が確認された０また、第１表に、得られた試料の
２５℃での抵抗値Ｒ を示す。試料番号１〜１４は本発明の実施例を示す。試
料番号１５は工ｎ−Ｇａ合金をチタン酸バリ−ラム系半
導体素子の表面にこすり付けて電極を形成した場合の比
較例、試料番号１６はチタン酸バリウム系半導体素子に
無電解メッキによってＮ１電極を形成し、４００℃で熱
処理をした場合の比較例を示す。
明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定される
ものではない。 ４実施例１゜ 酸化物半導体どして、直径２０■で厚み力（２−のチタ
ン酸バリウム系半導体を用い、イオンブーティング法に
より各−の金属も、シ＜は合金を付着させた。まずチタ
ン酸雫）（リウム系半導体を容器内に保持し、１０
Ｔｏｒｒの４高真空に排気後、不活性ガスとしてＡｒを
用いガス圧を第１表に示すような圧力に調整した。惨い
で直流二極放電、、式の場合には、高圧直流電源よりＩ
ＫＶを印加し。プラズマ放電を発生させた。一方高周波
方式の場合には、高周波電源より３００Ｗの高周波を印
加し、プラズマ放電を発生させた。なお、高周波方式の
場合に、イオン加速用の直流電圧としては、６００ｖを
印加した０次いで、電子ビーム加熱方式により、−発源
から、第１表に掲げるような各種金属もしくは合金を蒸
発させ、酸化物半導体素子−両面に付着させ、電極を形
成した。各々の試料についてオーム性を確認するために
、直流電圧を０．１′〜２ｖの間で変化させ電圧電流特
性を測定した。その結果、全ての試料について良好なオ
ーム性が確認された０また、第１表に、得られた試料の
２５℃での抵抗値Ｒ を示す。試料番号１〜１４は本発明の実施例を示す。試
料番号１５は工ｎ−Ｇａ合金をチタン酸バリ−ラム系半
導体素子の表面にこすり付けて電極を形成した場合の比
較例、試料番号１６はチタン酸バリウム系半導体素子に
無電解メッキによってＮ１電極を形成し、４００℃で熱
処理をした場合の比較例を示す。
第１表から明かなように、本発明＆三よる電極は付着強
度が非常に高く、酸化物半導体素子のオーム性電極とし
て優れていることが゛わかる。本実施例の試料に、二層
目の電極としてスクリーン印刷法によりムｇペーストを
塗布し６０′０″Ｃで焼付けて二層電極構造とし１分間
隔で交流電圧を印加し、瞬時的に２０ムの電流を２０万
回通電した。その結果、電極の損傷もなく、また抵抗値
の変化もほとんと無く極めて安定した特性を示した。
度が非常に高く、酸化物半導体素子のオーム性電極とし
て優れていることが゛わかる。本実施例の試料に、二層
目の電極としてスクリーン印刷法によりムｇペーストを
塗布し６０′０″Ｃで焼付けて二層電極構造とし１分間
隔で交流電圧を印加し、瞬時的に２０ムの電流を２０万
回通電した。その結果、電極の損傷もなく、また抵抗値
の変化もほとんと無く極めて安定した特性を示した。
第１表
１１Ｆ：高周波イオ、ンブレーティングＤＯ：、直ｆｉ
二極放電型イ、オンプ２し１−ティングを１０回繰り返
したところ、電極の−“離、損傷ｉ全く紹めらｉｉ・つ
た０″ また第３図は、チタン酸バ°す□つ′Ｊ−系半導体−子
Ｉは本発！に＋６電−をｉ成した場合、−ＧまＮ１の無
電解メッキにより電極を形成した場合の特性試料は比較
例に比べ耐電圧性が高く信頼性？面でも非常に優れてい
ることがわかる。最近、正特性電極を用いｋ 轡Ｗ 、
’ Ｎ ｘの無電解し→゛にょ２る電るチタン酸バリウ
ム系半導体についてのみ示したが、本発明はこれに限ら
ず、たとえば、一般的な負特性のサーミスタにも使彎で
き、またＺｎＯ、ｉ％、Ｎ〜ノ ア８２０３系等の電圧非直線抵抗体等の酸化物半導体に
も同様に使用可能である。電圧非直線抵抗体の場合、材
料自身が非直線性をもつ場合には、電極としてはオーム
性士あることが望ましく６、また、耐パルス性に優れた
電極が望マ′している。従来、電圧非直線抵抗体のオー
ミック電極としては、オーミックＡｇの焼付、ｚｎ等の
溶射等による“電極が用いられているが、オーミックＡ
ｇの場合にはマイグレーションが問題となり、また溶射
の場合には付着力が数１９７ｃｄ程度しかないため剥離
が問題となるとともに、高いサージパルスが印加された
場合電極の損傷が問題となっていた。本発明の方法によ
る一電極を電圧非直線抵抗体に用い°だ場合には、マイ
グレーションめ心配もなくζまた付着力が強くかつ電極
が緻密であるため、′高いサージパルスに対しても十分
耐えることができ、その工業め価値は極め□て高□いも
のである。
二極放電型イ、オンプ２し１−ティングを１０回繰り返
したところ、電極の−“離、損傷ｉ全く紹めらｉｉ・つ
た０″ また第３図は、チタン酸バ°す□つ′Ｊ−系半導体−子
Ｉは本発！に＋６電−をｉ成した場合、−ＧまＮ１の無
電解メッキにより電極を形成した場合の特性試料は比較
例に比べ耐電圧性が高く信頼性？面でも非常に優れてい
ることがわかる。最近、正特性電極を用いｋ 轡Ｗ 、
’ Ｎ ｘの無電解し→゛にょ２る電るチタン酸バリウ
ム系半導体についてのみ示したが、本発明はこれに限ら
ず、たとえば、一般的な負特性のサーミスタにも使彎で
き、またＺｎＯ、ｉ％、Ｎ〜ノ ア８２０３系等の電圧非直線抵抗体等の酸化物半導体に
も同様に使用可能である。電圧非直線抵抗体の場合、材
料自身が非直線性をもつ場合には、電極としてはオーム
性士あることが望ましく６、また、耐パルス性に優れた
電極が望マ′している。従来、電圧非直線抵抗体のオー
ミック電極としては、オーミックＡｇの焼付、ｚｎ等の
溶射等による“電極が用いられているが、オーミックＡ
ｇの場合にはマイグレーションが問題となり、また溶射
の場合には付着力が数１９７ｃｄ程度しかないため剥離
が問題となるとともに、高いサージパルスが印加された
場合電極の損傷が問題となっていた。本発明の方法によ
る一電極を電圧非直線抵抗体に用い°だ場合には、マイ
グレーションめ心配もなくζまた付着力が強くかつ電極
が緻密であるため、′高いサージパルスに対しても十分
耐えることができ、その工業め価値は極め□て高□いも
のである。
４、図面の簡単な説明 ｍｔ’゛図
（ａ）は直流二極放電型イオ゛ン゛ブレーティング装置
の′基本−的な概略図、”第１図′（ｂ）は高周波イ□
゛オンプレーテイ°ング装置の基本的な概略図を示す。
（ａ）は直流二極放電型イオ゛ン゛ブレーティング装置
の′基本−的な概略図、”第１図′（ｂ）は高周波イ□
゛オンプレーテイ°ング装置の基本的な概略図を示す。
第２図は二層の電極構造とした場合の素子の概略図を示
す。第３図はチタン酸バリウム系半導体素子のサーミス
タの静特性である交流による電圧電流特性を示したもの
で横軸は交流電圧の実効値ｖ （ｖ）、縦軸は交流電
流の実効値ｘｒ！１１．（Ａ）を示ｒｒｕａ し、■は本発明により電極を形成した場合、璽はＮ１の
無電解メッキにより電極を形成した場合の特性を示す。
す。第３図はチタン酸バリウム系半導体素子のサーミス
タの静特性である交流による電圧電流特性を示したもの
で横軸は交流電圧の実効値ｖ （ｖ）、縦軸は交流電
流の実効値ｘｒ！１１．（Ａ）を示ｒｒｕａ し、■は本発明により電極を形成した場合、璽はＮ１の
無電解メッキにより電極を形成した場合の特性を示す。
１・・・真空容器 ２・・・真空排気管 ６・
・・不活性ガス供給管 ４・・・電極材料からなる
゛ 蒸発源 ５・・・蒸発用ヒータの加熱用電源６
・・・被処理物である酸化物半導体素子７・・・直流電
源 ８・・・高周波電源 ９・・・マツチング
ボックス １０・・・高周波アンテナ １１・
・・酸化物半導体索子 １２・・・オーム性電極
１３・・・二層目のｍｔｍ第２図
・・不活性ガス供給管 ４・・・電極材料からなる
゛ 蒸発源 ５・・・蒸発用ヒータの加熱用電源６
・・・被処理物である酸化物半導体素子７・・・直流電
源 ８・・・高周波電源 ９・・・マツチング
ボックス １０・・・高周波アンテナ １１・
・・酸化物半導体索子 １２・・・オーム性電極
１３・・・二層目のｍｔｍ第２図
Claims (2)
- （１）イオンブレーティング法により、減圧された不活
性ガスのプラズマ放電中で、Ｏｕ、ム１． Ｎｉ。 Ｚｎ、Ｓｎ、Ｏｒもしくはそれらの合金を蒸鼻させ、該
金属蒸気を酸化物半導体素子の表面に付着することを特
徴とする酸化物半導体素子の電極形成方法。 - （２）前記酸化物半導体素子がチタン酸バリウム系半導
体で構成される特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145421A JPS5848402A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145421A JPS5848402A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848402A true JPS5848402A (ja) | 1983-03-22 |
| JPH0221128B2 JPH0221128B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=15384855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145421A Granted JPS5848402A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287902A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513576A (ja) * | 1974-06-27 | 1976-01-13 | Murata Manufacturing Co | Sankabutsuhandotaisoshino denkyokukeiseiho |
| JPS54152145A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic component |
| JPS55152161A (en) * | 1979-05-12 | 1980-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | Thermal treatment of copper coating |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56145421A patent/JPS5848402A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513576A (ja) * | 1974-06-27 | 1976-01-13 | Murata Manufacturing Co | Sankabutsuhandotaisoshino denkyokukeiseiho |
| JPS54152145A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic component |
| JPS55152161A (en) * | 1979-05-12 | 1980-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | Thermal treatment of copper coating |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287902A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221128B2 (ja) | 1990-05-11 |
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