JPS5856356A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5856356A JPS5856356A JP56155587A JP15558781A JPS5856356A JP S5856356 A JPS5856356 A JP S5856356A JP 56155587 A JP56155587 A JP 56155587A JP 15558781 A JP15558781 A JP 15558781A JP S5856356 A JPS5856356 A JP S5856356A
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- resin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、マスク枚数が少
なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部および配線層パ
ターンの形成方法を提供するものである。
なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部および配線層パ
ターンの形成方法を提供するものである。
半導体装置の製造工程゛において、絶縁膜への開孔部の
形成および配線パターンの従来の形成方法を第１図に示
す。半導体基板１およびこの中に形成した導電体層１・
上に絶縁膜２および感光性樹脂膜３を形成し、開孔部形
成用フォトマスクにより選択的に紫外線を照射し、樹脂
膜３に所定の開孔部４を形成する（ム）。感光性樹脂膜
３を食刻マスクとして絶縁膜２を食刻し、開孔部を形成
した後感光性樹脂膜３を除去する。全面に導電体層５お
よび感光性樹脂膜６を形成した後、配線層パターンを有
するフォトマスクにより感光性樹脂膜パターン６′を形
成する（Ｂ）。感光性樹脂膜パター３、 、。
形成および配線パターンの従来の形成方法を第１図に示
す。半導体基板１およびこの中に形成した導電体層１・
上に絶縁膜２および感光性樹脂膜３を形成し、開孔部形
成用フォトマスクにより選択的に紫外線を照射し、樹脂
膜３に所定の開孔部４を形成する（ム）。感光性樹脂膜
３を食刻マスクとして絶縁膜２を食刻し、開孔部を形成
した後感光性樹脂膜３を除去する。全面に導電体層５お
よび感光性樹脂膜６を形成した後、配線層パターンを有
するフォトマスクにより感光性樹脂膜パターン６′を形
成する（Ｂ）。感光性樹脂膜パター３、 、。
ン６・を食刻マスクとして、導電体層６を食刻した後感
光性樹脂膜を除去し、導電体層１・に接続された配線層
パターン７を形成する。（ム・）、（Ｃ・）は（ム）、
（Ｃ）の平面パターンを示す図である。
光性樹脂膜を除去し、導電体層１・に接続された配線層
パターン７を形成する。（ム・）、（Ｃ・）は（ム）、
（Ｃ）の平面パターンを示す図である。
かかる方法では開孔部形成用のフォトマスクと配線層形
成用フォトマスクの２種類が必要である。
成用フォトマスクの２種類が必要である。
また開孔部形成用感光性樹脂膜３を除去後、新たに配線
層形成用感光性樹脂膜６・を形成するため。
層形成用感光性樹脂膜６・を形成するため。
開孔部と配線層パターンの位置合せ精度が必要であり合
わせ余裕ｌを必要とし、高密度化の妨げとなっている。
わせ余裕ｌを必要とし、高密度化の妨げとなっている。
また開孔部の巾が小さくなってくると光の回折現像など
のためフォトマスクに忠実なパターンが形成できず角が
丸くなるという欠点がありだ。
のためフォトマスクに忠実なパターンが形成できず角が
丸くなるという欠点がありだ。
本発明は絶縁膜の開孔を精度良く行い、かつ開孔部と導
体配線層のマ薫り合せズレのない方法を提供するもので
ある。
体配線層のマ薫り合せズレのない方法を提供するもので
ある。
第２図に従って本発明の一実施例を説明する。
−導電型シリコン半導体基板１０にたとえば反対導電型
不純物を拡散し第１導電体層１１を選択的に形成する。
不純物を拡散し第１導電体層１１を選択的に形成する。
全面に絶縁膜１２および第１の感光性樹脂膜１３を形成
する（ム）。第１導電体層１１の形成に用いた第１のフ
ォトマスクを用い第１の感光性樹脂膜１３に開孔部１４
を形成する（Ｂ）。第１の感光性樹脂膜１３にベーキン
グ処理を行なった後、全面に第２の感光性樹脂膜１６を
第１の感光性樹脂膜１３より厚く、表面が平坦になるよ
うに形成する（Ｃ）。
する（ム）。第１導電体層１１の形成に用いた第１のフ
ォトマスクを用い第１の感光性樹脂膜１３に開孔部１４
を形成する（Ｂ）。第１の感光性樹脂膜１３にベーキン
グ処理を行なった後、全面に第２の感光性樹脂膜１６を
第１の感光性樹脂膜１３より厚く、表面が平坦になるよ
うに形成する（Ｃ）。
次に第１の導電体層１１と接続される第２の導電体層の
パターンを有する第２のフォトマスクを用い、第２の感
光性樹脂膜にパターン１６・を形成する（Ｄ）。第１の
感光性樹脂膜１３のパターンと第２の感光性樹脂膜パタ
ーン１６・の交差部１６では絶縁膜１２が露出する。
パターンを有する第２のフォトマスクを用い、第２の感
光性樹脂膜にパターン１６・を形成する（Ｄ）。第１の
感光性樹脂膜１３のパターンと第２の感光性樹脂膜パタ
ーン１６・の交差部１６では絶縁膜１２が露出する。
次に絶縁膜１２を食刻除去して開孔部１６・を形成した
後（Ｘ）、露出している第１の感光性樹脂膜１３を酸素
プラズマ処理などにより除去する。
後（Ｘ）、露出している第１の感光性樹脂膜１３を酸素
プラズマ処理などにより除去する。
このとき同時に第２の感光性樹脂膜パターン１６′も一
部除去されるが、第１の感光性樹脂膜よりも厚く形成し
であるのでパターン１６・下の第１の感６；−ご 光性樹脂膜１３・は残留する。
部除去されるが、第１の感光性樹脂膜よりも厚く形成し
であるのでパターン１６・下の第１の感６；−ご 光性樹脂膜１３・は残留する。
全面に金属などの第２の導体層１７を形成し、さらに第
３の感光性樹脂膜１８を、残留している第１および第２
の感光性樹脂膜１３’、１５・の膜厚より厚く形成する
（Ｆ）。前記第２の導電層パターン形成用の第２のフォ
トマスクを用いるかあるいは第２図（Ｇ）に示すように
第３の感光性樹脂膜を全面にわたり薄くしていき、第１
および第２の感光性樹脂膜１３’ 、 １５・以外の凹
部の領域にのみ第３の感光性樹脂膜パターン１８′を形
成する。次にパターン１８・をマスクとして第２の導電
体層の露出領域を食刻除去し、配線層パターン１７・を
形成する。
３の感光性樹脂膜１８を、残留している第１および第２
の感光性樹脂膜１３’、１５・の膜厚より厚く形成する
（Ｆ）。前記第２の導電層パターン形成用の第２のフォ
トマスクを用いるかあるいは第２図（Ｇ）に示すように
第３の感光性樹脂膜を全面にわたり薄くしていき、第１
および第２の感光性樹脂膜１３’ 、 １５・以外の凹
部の領域にのみ第３の感光性樹脂膜パターン１８′を形
成する。次にパターン１８・をマスクとして第２の導電
体層の露出領域を食刻除去し、配線層パターン１７・を
形成する。
上記実施例において第２図（Ｄ）に示した絶縁膜１２の
食刻工程をプラズマあるいはスパッタ法によるいわゆる
ドライエツチングで行なうことにより１次の第２の感光
性樹脂膜の除去および第２の導体層の形成までを連続し
て真空雰囲気の中で行なうことができる。
食刻工程をプラズマあるいはスパッタ法によるいわゆる
ドライエツチングで行なうことにより１次の第２の感光
性樹脂膜の除去および第２の導体層の形成までを連続し
て真空雰囲気の中で行なうことができる。
また第２の導体層形成前に、第１と第２の接続６、、、
。
。
抵抗を小さくするためあらかじめ溶液あるいはドライエ
ツチングにより、酸素プラズマ処理により第１導体層上
に形成された絶縁膜を除去してもよい０ 上記実施例では第１のフォトマスクとして第１の導電体
層パターンを有するマスクを用いたが、第１および第２
の導電体層の接続部で第２の導電体層パターンと交差す
る他のフォトマスクを用いてもよいことはいうまでもな
い。
ツチングにより、酸素プラズマ処理により第１導体層上
に形成された絶縁膜を除去してもよい０ 上記実施例では第１のフォトマスクとして第１の導電体
層パターンを有するマスクを用いたが、第１および第２
の導電体層の接続部で第２の導電体層パターンと交差す
る他のフォトマスクを用いてもよいことはいうまでもな
い。
なお、第２固止）に示すように、第２の導体層パターン
１７′の長手方向には余裕寸法ｍを残しておく方が、開
孔部の形成を精度よく行なうことができる。
１７′の長手方向には余裕寸法ｍを残しておく方が、開
孔部の形成を精度よく行なうことができる。
以上のように、本発明によれば開孔部を第１および第２
の導電体層形成用のフォトマスクにより形成できるため
、開孔部形成用の別のフォトマスクを消略できる。また
開孔部の角は異なるフォトマスクの２辺により構成され
るため形状が丸くなることはない。また、開孔部の形成
と配線層の形成を連続して行なえるため、従来と異なり
位置合要とせず高密度化が可能である。
の導電体層形成用のフォトマスクにより形成できるため
、開孔部形成用の別のフォトマスクを消略できる。また
開孔部の角は異なるフォトマスクの２辺により構成され
るため形状が丸くなることはない。また、開孔部の形成
と配線層の形成を連続して行なえるため、従来と異なり
位置合要とせず高密度化が可能である。
第１図は従来例を説明するための図で（ム）〜（Ｃ）は
構造断面図、同（ム−） 、 （Ｃ・）はそれぞれ（ム
ｌ 、 （Ｃ）の状態の平面図、第２図は本発明の一実
施例の配線パターンの製造工程を説明するための図で、
（ム）〜（Ｈ）は構造断面図、（Ｂ′） 、 （Ｄ′）
、 （Ｈ・）は同ＣＢ＋ 、 （Ｄ） 。 （Ｈ）の状態の平面図である。 １ｏ・・・・・・半導体基板、１１・・・・・・第１導
電体層、１２・・・・・・絶縁膜、１３・・・・・・第
１の感光性樹脂、１４ 、１６’・・・・・・開孔部、
１６・・・・・・・第２の感光性樹脂パターン、１６・
・・・・・交差部、１７・・・・・・配線層パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＩＩ
図 １２図 第２図 手続補正書蛎式） 昭和５７年３ 月 ７Ｆ３ 特許庁長官殿 ｌ事件の表示 昭和５６年特許願第１５５５８７号 ２発明の名称 半導体装置の製造方法 ３補正をする者 事イ′１との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 特開昭５８−５６３５６（４） 明 細 書 １、発明の名称 半導体装置の製造方法 ２、特許請求の範囲 （１） 第１の導電体上の絶縁膜上に形成された第１
の感光性樹脂膜に、前記第１の導電体上に第１の開孔部
を有する第１のパターンを形成する工程と、第２の感光
性樹脂膜を前記第１の感光性樹脂膜より厚く塗布し、前
記第２の感光性樹脂膜に、前記第１のパターンと第１の
開孔部と交差する第２の開孔部を有する第２のパターン
を形成する工程と、前記第１と第２のパターンの開孔部
の交差部で露出した前記絶縁膜を食刻除去する工程と、
前記第１の感光性樹脂膜の露出部を食刻除去する工程と
、全面に第２の導電体層を形成した後、前記第２の導電
体層を選択的に除去し前記第１の導電体に接するととも
に前記第２のパターンに応じた配線パターンを形成する
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 （２）第１の導電体の形成に、第１のパターン形成２／
、〜 と同じマスクを用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体装置の製造方法。 ３、発明の詳細な説明 本発明は半導体装置の製造方法に関し、マスク枚数が少
なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部および配線層パ
ターンの形成方法を提供するものである。 半導体装置の製造工程において、絶縁膜への開孔部の形
成および配線パターンの従来の形成方法を第１図に示す
。半導体基板１およびこの中に形成した導電体層１′上
に絶縁膜２および感光性樹脂膜３を形成し、開孔部形成
用フォトマスクより選択的に紫外線を照射し、樹脂膜３
に所定の開孔部４を形成する（Ａ）。感光性樹脂膜３を
食刻マスクとして絶縁膜２を食刻し、開孔部を形成した
後感光性樹脂膜３を除去する。全面に導電体層５および
感光性樹脂膜６を形成した後、配線層パターンを有する
フォトマスクによシ感光性樹脂膜パターン６′を形成す
る（Ｂ）。感光性樹脂膜パターン６′を食刻マスクとし
て、導電体層６を食刻した３７２．・ 後感光性樹脂膜６′を除去し、導電体層１′に接続され
た配線層パターン７を形成する（Ｑ、ｌｌｌ１？、（ト
）は（５）、（Ｑの平面パターンを示す図である。 かかる方法では開孔部形成用のフォトマスクと配線層形
成用フォトマスクの２種類が必要である。 また開孔部形成用感光性樹脂膜３を除去後、新たに配線
層形成用感光性樹脂膜６′を形成するため、開孔部と配
線層パターンの位置合せ精度が必要であり合わせ余裕２
を必要とし、高密度化の妨げとなっている。また開孔部
の巾が小さく々ってくると光の回折現像などのためフォ
トマスクに忠実なパターンが形成できず角が丸くなると
いう欠点があった。 本発明は絶縁膜の開孔を精度良く行い、かつ開孔部と導
体配線層のマスク合せズレのない方法を提供するもので
ある。 。 第２図に従って本発明の一実施例を説明する。 −導電型シリコン半導体基板１０にたとえば反対導電型
不純物を拡散し第１導電体層１１を選択的に形成する。 全面に絶縁膜１２および第１の感光４１．。 性樹脂膜１３を形成する（５）。第１導電体層１１の形
成に用いた第１のフォトマスクを用い第１の感光性樹脂
膜１３に開孔部１４を形成する（Ｂ）。第１の感光性樹
脂膜１３にベーキング処理を行なった後、全面に第２の
感光性樹脂膜１５を第１の感光性樹脂膜１３より厚く、
表面が平坦になるように形成する（Ｑ。 次に第１の導電体層１１と接続される第２の導電体層の
パターンを有する第２のフォトマスクを用い、第２の感
光性樹脂膜にパターン１５′を形成する（Ｑ、第１の感
光性樹脂膜１３のパターンと第２の感光性樹脂膜パター
ン１６′の交差部１６では絶縁膜１２が露出する。 次に絶縁膜１２を食刻除去して開孔部１６′を形成した
後（Ｅ）、露出している第１の感光性樹脂膜１３を酸素
プラズマ処理などにより除去する。 このとき同時に第２の感光性樹脂膜パターン１６′も一
部除去されるが、第１の感光性樹脂膜よりも厚く形成し
であるのでパターン１５′下の第１の感光性樹脂膜１３
′は残留する。 １Ｓ開昭５８−５ （ｉ ３５ （ｉ （５）全面に金
属などの第２の導体層、、１７を形成し、さらに第３の
感光性樹脂膜１８を、残留している第１および第２の感
光性樹脂膜１３’、１５’の膜厚より厚く形成する（Ｆ
）。前記第２の導電層パターン形成用の第２のフォトマ
スクを用いるかあるいは第２図に）に示すように第３の
感光性樹脂膜を条面にわたり薄くしていき、第１および
第２の感光性樹脂膜１３’、１５’以外の凹部の領域に
のみ第３の感光性樹脂膜パターン１８′を形成する。次
にパターン１８′をマスクとして第２の導電体層の露出
領域を食刻除去し、配線層パターン１７′を形成する。 上記実施例において第２図（ロ）に示した絶縁膜１２の
食刻工程をプラズマあるめはスパッタ法によるいわゆる
ドライエツチングで行なうことにより、次の第２の感光
性樹脂膜の除去および第２の導体層の形成までを連続し
て真空雰囲気の中で行なうことができる。 また第２の導体層形成前に、第１と第２の接続抵抗を小
さくするためあらかじめ溶液あるいはドライエツチング
により、酸素プラズマ処理により第１導体層上に形成さ
れた絶縁膜を除去してもよい０ 上記実施例では第１のフォトマスクとして第１の導電体
層パターンを有するマスクを用いたが、第１および第２
の導、電体層の接続部で第２の導電体層パターンと交差
する他のフォトマスクを用いてもよいことはいうまでも
ない。 なお、第２図（ハ）に示すように、第２の導体層パター
ン１７′の長手方向には余裕寸法ｍを残しておく方が、
開孔部の形成を精度よく行なうことができる。尚、同図
（Ｉ） 、 （Ｊ） 、 （Ｋ）は（Ｂ） 、 （Ｄ）
、 Ｈの平面パターンを示す図である。 以上のように、本発明によれば開孔部を第１および第２
の導電体層形成用のフォトマスクにより形成できるため
、開孔部形成用の別のフォトマスクを消略できる。また
開孔部の角は異なるフォトマスクの２辺により構成され
るだめ形状が丸くなることはない。また、開孔部の形成
と配線層の形成を連続して行なえるため、従来と異なり
位置合せ精度が向上し、従来のような合せ余裕寸法を必
要とせず高密度化が可能である。 ４、図面の簡単な説明 第１図は従来例を説明するだめの図で（ハ）〜（ｑは構
造断面図、同ｐ）、に）はそれぞれ（５）、（Ｃ１の状
態の平面図、第２図は本発明の一実施例の配線パターン
の製造工程を説明するだめの図で、（６）〜（ハ）は構
造断面図、（Ｉ） 、、、、 （Ｊ） 、（イ）は同（
ｆ３） 、 （Ｄ） 、 （Ｆ（）の状態の平面図であ
る。 １ｏ・・・・・・半導体基板、１１・・・・・・第１導
電体層、１２・・・・・絶縁膜、１３・・・・・・第１
の感光性樹脂、１４ 、１６’・・・・・開孔部、１５
′・・・・・・第２の感光性樹脂パターン、１６・・・
・・交差部、１７・・・・・・配線層パターン。
構造断面図、同（ム−） 、 （Ｃ・）はそれぞれ（ム
ｌ 、 （Ｃ）の状態の平面図、第２図は本発明の一実
施例の配線パターンの製造工程を説明するための図で、
（ム）〜（Ｈ）は構造断面図、（Ｂ′） 、 （Ｄ′）
、 （Ｈ・）は同ＣＢ＋ 、 （Ｄ） 。 （Ｈ）の状態の平面図である。 １ｏ・・・・・・半導体基板、１１・・・・・・第１導
電体層、１２・・・・・・絶縁膜、１３・・・・・・第
１の感光性樹脂、１４ 、１６’・・・・・・開孔部、
１６・・・・・・・第２の感光性樹脂パターン、１６・
・・・・・交差部、１７・・・・・・配線層パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＩＩ
図 １２図 第２図 手続補正書蛎式） 昭和５７年３ 月 ７Ｆ３ 特許庁長官殿 ｌ事件の表示 昭和５６年特許願第１５５５８７号 ２発明の名称 半導体装置の製造方法 ３補正をする者 事イ′１との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 特開昭５８−５６３５６（４） 明 細 書 １、発明の名称 半導体装置の製造方法 ２、特許請求の範囲 （１） 第１の導電体上の絶縁膜上に形成された第１
の感光性樹脂膜に、前記第１の導電体上に第１の開孔部
を有する第１のパターンを形成する工程と、第２の感光
性樹脂膜を前記第１の感光性樹脂膜より厚く塗布し、前
記第２の感光性樹脂膜に、前記第１のパターンと第１の
開孔部と交差する第２の開孔部を有する第２のパターン
を形成する工程と、前記第１と第２のパターンの開孔部
の交差部で露出した前記絶縁膜を食刻除去する工程と、
前記第１の感光性樹脂膜の露出部を食刻除去する工程と
、全面に第２の導電体層を形成した後、前記第２の導電
体層を選択的に除去し前記第１の導電体に接するととも
に前記第２のパターンに応じた配線パターンを形成する
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 （２）第１の導電体の形成に、第１のパターン形成２／
、〜 と同じマスクを用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体装置の製造方法。 ３、発明の詳細な説明 本発明は半導体装置の製造方法に関し、マスク枚数が少
なく、高密度化が可能な絶縁膜の開孔部および配線層パ
ターンの形成方法を提供するものである。 半導体装置の製造工程において、絶縁膜への開孔部の形
成および配線パターンの従来の形成方法を第１図に示す
。半導体基板１およびこの中に形成した導電体層１′上
に絶縁膜２および感光性樹脂膜３を形成し、開孔部形成
用フォトマスクより選択的に紫外線を照射し、樹脂膜３
に所定の開孔部４を形成する（Ａ）。感光性樹脂膜３を
食刻マスクとして絶縁膜２を食刻し、開孔部を形成した
後感光性樹脂膜３を除去する。全面に導電体層５および
感光性樹脂膜６を形成した後、配線層パターンを有する
フォトマスクによシ感光性樹脂膜パターン６′を形成す
る（Ｂ）。感光性樹脂膜パターン６′を食刻マスクとし
て、導電体層６を食刻した３７２．・ 後感光性樹脂膜６′を除去し、導電体層１′に接続され
た配線層パターン７を形成する（Ｑ、ｌｌｌ１？、（ト
）は（５）、（Ｑの平面パターンを示す図である。 かかる方法では開孔部形成用のフォトマスクと配線層形
成用フォトマスクの２種類が必要である。 また開孔部形成用感光性樹脂膜３を除去後、新たに配線
層形成用感光性樹脂膜６′を形成するため、開孔部と配
線層パターンの位置合せ精度が必要であり合わせ余裕２
を必要とし、高密度化の妨げとなっている。また開孔部
の巾が小さく々ってくると光の回折現像などのためフォ
トマスクに忠実なパターンが形成できず角が丸くなると
いう欠点があった。 本発明は絶縁膜の開孔を精度良く行い、かつ開孔部と導
体配線層のマスク合せズレのない方法を提供するもので
ある。 。 第２図に従って本発明の一実施例を説明する。 −導電型シリコン半導体基板１０にたとえば反対導電型
不純物を拡散し第１導電体層１１を選択的に形成する。 全面に絶縁膜１２および第１の感光４１．。 性樹脂膜１３を形成する（５）。第１導電体層１１の形
成に用いた第１のフォトマスクを用い第１の感光性樹脂
膜１３に開孔部１４を形成する（Ｂ）。第１の感光性樹
脂膜１３にベーキング処理を行なった後、全面に第２の
感光性樹脂膜１５を第１の感光性樹脂膜１３より厚く、
表面が平坦になるように形成する（Ｑ。 次に第１の導電体層１１と接続される第２の導電体層の
パターンを有する第２のフォトマスクを用い、第２の感
光性樹脂膜にパターン１５′を形成する（Ｑ、第１の感
光性樹脂膜１３のパターンと第２の感光性樹脂膜パター
ン１６′の交差部１６では絶縁膜１２が露出する。 次に絶縁膜１２を食刻除去して開孔部１６′を形成した
後（Ｅ）、露出している第１の感光性樹脂膜１３を酸素
プラズマ処理などにより除去する。 このとき同時に第２の感光性樹脂膜パターン１６′も一
部除去されるが、第１の感光性樹脂膜よりも厚く形成し
であるのでパターン１５′下の第１の感光性樹脂膜１３
′は残留する。 １Ｓ開昭５８−５ （ｉ ３５ （ｉ （５）全面に金
属などの第２の導体層、、１７を形成し、さらに第３の
感光性樹脂膜１８を、残留している第１および第２の感
光性樹脂膜１３’、１５’の膜厚より厚く形成する（Ｆ
）。前記第２の導電層パターン形成用の第２のフォトマ
スクを用いるかあるいは第２図に）に示すように第３の
感光性樹脂膜を条面にわたり薄くしていき、第１および
第２の感光性樹脂膜１３’、１５’以外の凹部の領域に
のみ第３の感光性樹脂膜パターン１８′を形成する。次
にパターン１８′をマスクとして第２の導電体層の露出
領域を食刻除去し、配線層パターン１７′を形成する。 上記実施例において第２図（ロ）に示した絶縁膜１２の
食刻工程をプラズマあるめはスパッタ法によるいわゆる
ドライエツチングで行なうことにより、次の第２の感光
性樹脂膜の除去および第２の導体層の形成までを連続し
て真空雰囲気の中で行なうことができる。 また第２の導体層形成前に、第１と第２の接続抵抗を小
さくするためあらかじめ溶液あるいはドライエツチング
により、酸素プラズマ処理により第１導体層上に形成さ
れた絶縁膜を除去してもよい０ 上記実施例では第１のフォトマスクとして第１の導電体
層パターンを有するマスクを用いたが、第１および第２
の導、電体層の接続部で第２の導電体層パターンと交差
する他のフォトマスクを用いてもよいことはいうまでも
ない。 なお、第２図（ハ）に示すように、第２の導体層パター
ン１７′の長手方向には余裕寸法ｍを残しておく方が、
開孔部の形成を精度よく行なうことができる。尚、同図
（Ｉ） 、 （Ｊ） 、 （Ｋ）は（Ｂ） 、 （Ｄ）
、 Ｈの平面パターンを示す図である。 以上のように、本発明によれば開孔部を第１および第２
の導電体層形成用のフォトマスクにより形成できるため
、開孔部形成用の別のフォトマスクを消略できる。また
開孔部の角は異なるフォトマスクの２辺により構成され
るだめ形状が丸くなることはない。また、開孔部の形成
と配線層の形成を連続して行なえるため、従来と異なり
位置合せ精度が向上し、従来のような合せ余裕寸法を必
要とせず高密度化が可能である。 ４、図面の簡単な説明 第１図は従来例を説明するだめの図で（ハ）〜（ｑは構
造断面図、同ｐ）、に）はそれぞれ（５）、（Ｃ１の状
態の平面図、第２図は本発明の一実施例の配線パターン
の製造工程を説明するだめの図で、（６）〜（ハ）は構
造断面図、（Ｉ） 、、、、 （Ｊ） 、（イ）は同（
ｆ３） 、 （Ｄ） 、 （Ｆ（）の状態の平面図であ
る。 １ｏ・・・・・・半導体基板、１１・・・・・・第１導
電体層、１２・・・・・絶縁膜、１３・・・・・・第１
の感光性樹脂、１４ 、１６’・・・・・開孔部、１５
′・・・・・・第２の感光性樹脂パターン、１６・・・
・・交差部、１７・・・・・・配線層パターン。
Claims (2)
- （１）第１の導電体上の絶縁膜上に形成された第１の感
光性樹脂膜に、前記第１の導電体上に第１の開孔部を有
する第１のパターンを形成する工程と、第２の感光性樹
脂膜を前記第１の感光性樹脂膜より厚く塗布し、前記第
２の感光性樹脂膜に、前記第１のパターンと第１の開孔
部と交差する第２の開孔部を有する第２のパターンを形
成する工程と、前記第１と第２のパターンの開孔部の交
差部で露出した前記絶縁膜を食刻除去する工程と、前記
第１の感光性樹脂膜の露出部を食刻除去する工程と、全
面に第２の導電体層を形成し、た後、前記第２の導電体
層を選択的に除去し前記第１の導電体に接するとともに
前記第２のパターンに応じた配線パターンを形成する工
程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）第１の導電化ρ形成に、第１のパターン形成と同
じマスクを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155587A JPS5856356A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155587A JPS5856356A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856356A true JPS5856356A (ja) | 1983-04-04 |
| JPS6359540B2 JPS6359540B2 (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=15609296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155587A Granted JPS5856356A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856356A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62268659A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Canon Inc | 画像記録装置 |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56155587A patent/JPS5856356A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62268659A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Canon Inc | 画像記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359540B2 (ja) | 1988-11-21 |
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