JPS5857685B2 - 螢光ｘ線による鍍金厚測定装置 - Google Patents
螢光ｘ線による鍍金厚測定装置Info
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- JPS5857685B2 JPS5857685B2 JP6572278A JP6572278A JPS5857685B2 JP S5857685 B2 JPS5857685 B2 JP S5857685B2 JP 6572278 A JP6572278 A JP 6572278A JP 6572278 A JP6572278 A JP 6572278A JP S5857685 B2 JPS5857685 B2 JP S5857685B2
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
例えば亜鉛鍍金鋼板にＸ線を照射して鍍金層の亜鉛から
発生する螢光Ｘ線の強度を検出することにより、上記鍍
金層の厚みを測定することができる。
発生する螢光Ｘ線の強度を検出することにより、上記鍍
金層の厚みを測定することができる。
このような鍍金属の測定装置において、従来は前記基板
が薄い場合に誤差を生ずると共に該基板の材質によって
検量線が相違する欠点があった。
が薄い場合に誤差を生ずると共に該基板の材質によって
検量線が相違する欠点があった。
本発明はこのような欠点を除去しようとするものである
。
。
第１図は本発明実施例の構成を示した図で、例えば鋼板
よりなる基板Ｂの表面に亜鉛の鍍金層Ｍを設けた試料に
おける鍍金層Ｍに一次Ｘ線源ＳからＸ線を照射する。
よりなる基板Ｂの表面に亜鉛の鍍金層Ｍを設けた試料に
おける鍍金層Ｍに一次Ｘ線源ＳからＸ線を照射する。
この一次Ｘ線源Ｓは例えばアメリシウム２４１ （２”
Ａｍ）であって、６０ＫｅＶのＸ線を発生する。
Ａｍ）であって、６０ＫｅＶのＸ線を発生する。
従って鍍金層Ｍの亜鉛が上述の一次Ｘ線で励起されて、
８．６ＫｅＶの特性Ｘ線ＺｎＫαを発生する。
８．６ＫｅＶの特性Ｘ線ＺｎＫαを発生する。
かつ試料に入射した一次Ｘ線の一部は鍍金層Ｍ％透過し
て基板Ｂに入射するが、この一次Ｘ線の一部は該基板で
散乱し、一部は該基板を励起して鉄の特性Ｘ線ＦｅＫα
を発生させる。
て基板Ｂに入射するが、この一次Ｘ線の一部は該基板で
散乱し、一部は該基板を励起して鉄の特性Ｘ線ＦｅＫα
を発生させる。
しかし基板が薄い試料においては、更に一次Ｘ線の一部
が該基板Ｂを透過する。
が該基板Ｂを透過する。
このよう゛な試料の表面にＸ線検出器りを対設しである
から、該検出器には鍍金層Ｍが一次Ｘ線で直接励起され
て発生する亜鉛の特性Ｘ線ａと基板Ｂで散乱した一次Ｘ
線で励起されて発生する亜鉛の特性Ｘ線ｂ、並びに基板
の鉄が一次Ｘ線で励起されて発生する鉄の特性Ｘ線Ｃお
よび基板で散乱したＸ線ｄが入射する。
から、該検出器には鍍金層Ｍが一次Ｘ線で直接励起され
て発生する亜鉛の特性Ｘ線ａと基板Ｂで散乱した一次Ｘ
線で励起されて発生する亜鉛の特性Ｘ線ｂ、並びに基板
の鉄が一次Ｘ線で励起されて発生する鉄の特性Ｘ線Ｃお
よび基板で散乱したＸ線ｄが入射する。
その検出器りの出力パルスを増幅器Ａて増幅して第１波
高分析器Ｈ１と第２波高分析器Ｈ２とに加え、各波高分
析器の出力パルスをそれぞれ第１計数率計Ｎ１と第２計
数率計Ｎ２とに加えである。
高分析器Ｈ１と第２波高分析器Ｈ２とに加え、各波高分
析器の出力パルスをそれぞれ第１計数率計Ｎ１と第２計
数率計Ｎ２とに加えである。
この２つの計数率計Ｎｌ、Ｎ２の出力を演算回路Ｃに加
えて、鍍金層Ｍの厚みに対応した出力Ｏを得るものであ
る。
えて、鍍金層Ｍの厚みに対応した出力Ｏを得るものであ
る。
第２図はＸ線検出器りに入射するＸ線のスペクトル分布
で、横軸にＸ線の相対エネルギｅを、また縦軸には強度
ｉをとっである。
で、横軸にＸ線の相対エネルギｅを、また縦軸には強度
ｉをとっである。
すなわち前述のように、検出器りには一次Ｘ線源Ｓから
試料の鍍金層Ｍに直接入射したＸ線および基板Ｂで散乱
した一次Ｘ線で励起されて該鍍金属から発生する亜鉛の
特性Ｘ線ＺｎＫα（ａ＋ｂ）と基板から発生する鉄の特
性Ｘ線ＦｅＫα（ｃ）および該基板Ｂで散乱した一次Ｘ
線”４１Ａｍ（ｄ）が入射する。
試料の鍍金層Ｍに直接入射したＸ線および基板Ｂで散乱
した一次Ｘ線で励起されて該鍍金属から発生する亜鉛の
特性Ｘ線ＺｎＫα（ａ＋ｂ）と基板から発生する鉄の特
性Ｘ線ＦｅＫα（ｃ）および該基板Ｂで散乱した一次Ｘ
線”４１Ａｍ（ｄ）が入射する。
従って検出器りはこれらの入射Ｘ線のエネルギにそれぞ
れ対応した波高のパルスを送出するが、第１波高分析器
Ｈ１は亜鉛の特性Ｘ線ＺｎＫαによって発生したパルス
を抽出して第１計数率計Ｎ１に加え、第２波高分析器Ｈ
２は散乱線の２”Ａｍによって発生したパルスを抽出し
て第２計数率計Ｎ２に加える。
れ対応した波高のパルスを送出するが、第１波高分析器
Ｈ１は亜鉛の特性Ｘ線ＺｎＫαによって発生したパルス
を抽出して第１計数率計Ｎ１に加え、第２波高分析器Ｈ
２は散乱線の２”Ａｍによって発生したパルスを抽出し
て第２計数率計Ｎ２に加える。
合線源Ｓから鍍金層Ｍに直接入射したＸ線で励起されて
該鍍金層から発生する螢光Ｘ線ａの強度を■とし、また
線源Ｓの強度を一定、鍍金層Ｍの厚みをＷとすると、 Ｉ＝ｆ（Ｗ） ・・・・・・（
１）の関係がある。
該鍍金層から発生する螢光Ｘ線ａの強度を■とし、また
線源Ｓの強度を一定、鍍金層Ｍの厚みをＷとすると、 Ｉ＝ｆ（Ｗ） ・・・・・・（
１）の関係がある。
また散乱Ｘ線ｄの強度、すなわち第２計数率計Ｎ２の出
力をＩｓとすると、この散乱Ｘ線によって鍍金層Ｍから
発生する螢光Ｘ線すの強度ＡＩは、比例定数をｋとする
とき、１１ Ｉ ＝ ｋ Ｉ ｓ 、 ｆ （Ｗ）
・・−・（２）で与えられる。
力をＩｓとすると、この散乱Ｘ線によって鍍金層Ｍから
発生する螢光Ｘ線すの強度ＡＩは、比例定数をｋとする
とき、１１ Ｉ ＝ ｋ Ｉ ｓ 、 ｆ （Ｗ）
・・−・（２）で与えられる。
従って第１計数率計Ｎ１の出力■。７、ｔ
であって、
この関係から
が得られる。
第１図の演算回路Ｃは、上記（４）式のように第１計数
率計Ｎ１の出力■。
率計Ｎ１の出力■。
を第２計数率計Ｎ２の出力Ｉｓに一定値を加えた値で割
った商に相当する出力■を得るものである。
った商に相当する出力■を得るものである。
このように演算回路Ｃの出力Ｏは、散乱Ｘ線の強度に関
係なく線源Ｓから鍍金層Ｍに直接入射した一次Ｘ線のみ
によって発生する螢光Ｘ線の強度］に比例する。
係なく線源Ｓから鍍金層Ｍに直接入射した一次Ｘ線のみ
によって発生する螢光Ｘ線の強度］に比例する。
第３図は亜鉛鍍金鋼板を試料とした場合について、亜鉛
鍍金層から発生する螢光Ｘ線の強度と基板の厚みとの関
係を実測した曲線ｐ並びに散乱Ｘ線の強度と基板のワみ
との関係を求めた曲線ｑを示すもので、横線に上記基板
の厚みｔを、また縦軸に比強度ｎをとっである。
鍍金層から発生する螢光Ｘ線の強度と基板の厚みとの関
係を実測した曲線ｐ並びに散乱Ｘ線の強度と基板のワみ
との関係を求めた曲線ｑを示すもので、横線に上記基板
の厚みｔを、また縦軸に比強度ｎをとっである。
このように基板Ｍの厚みｔが薄くなると散乱線の量が減
少すると共に検出される螢光Ｘ線の強度も低下する。
少すると共に検出される螢光Ｘ線の強度も低下する。
従って従来は基板Ｍの材質を一定とした場合でも、その
厚みが薄くなると誤差を生じたものである。
厚みが薄くなると誤差を生じたものである。
また基板の材質が変化すると、その厚みが充分大きい場
合でも散乱Ｘ線強度の絶対値ｒが変化するために異なる
検量線を用いて鍍金層Ｍの厚みを求める必要があった。
合でも散乱Ｘ線強度の絶対値ｒが変化するために異なる
検量線を用いて鍍金層Ｍの厚みを求める必要があった。
これに対して本発明は前述のように散乱Ｘ線の強度に関
係なく、鍍金層に直接入射した一次Ｘ線のみで該鍍金層
が励起されて発生する螢光Ｘ線の強度に比例した出力、
すなわち基板の厚みをＯとした場合の出力Ｓを得ること
ができる。
係なく、鍍金層に直接入射した一次Ｘ線のみで該鍍金層
が励起されて発生する螢光Ｘ線の強度に比例した出力、
すなわち基板の厚みをＯとした場合の出力Ｓを得ること
ができる。
従って基板の厚さ並びにその材質に関係なく鍍金層の厚
みを正確ンこ求め得るものである。
みを正確ンこ求め得るものである。
第１図は本発明実施例の構成を示した図、第２図は第１
図の装置において試料から発生するＸ線のスペクトル分
布を示した図、第３図は本発明の作用効果を説明するた
めの線図である。 なお図においては、Ｂは試料の基板、Ｍはその鍍金層、
ＤはＸ線検出器、Ａは増幅器、Ｈｌ、Ｎ２は波高分析器
、Ｎ１．Ｎ２は計数率計、Ｃは演算回路である。
図の装置において試料から発生するＸ線のスペクトル分
布を示した図、第３図は本発明の作用効果を説明するた
めの線図である。 なお図においては、Ｂは試料の基板、Ｍはその鍍金層、
ＤはＸ線検出器、Ａは増幅器、Ｈｌ、Ｎ２は波高分析器
、Ｎ１．Ｎ２は計数率計、Ｃは演算回路である。
Claims (1)
- １ 基板の表面に厚みを測定しようとする鍍金層を設け
た試料の鍍金層を照射して鍍金金属を励起することによ
りその螢光Ｘ線を発生させる一次Ｘ線源と、上記螢光Ｘ
線並びに上記試料によって散乱した一次Ｘ線を同時に検
出するＸ線検出器と、上記Ｘ線検出器の出力から前記螢
光Ｘ線による出力と散乱Ｘ線による出力とを分離する波
高分析器と、上記螢光Ｘ線による出力を散乱Ｘ線による
出力に一定値を加えた値で割った値に相当した出力を得
る演算回路とよりなることを特徴とする螢光Ｘ線による
鍍金厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6572278A JPS5857685B2 (ja) | 1978-06-02 | 1978-06-02 | 螢光ｘ線による鍍金厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6572278A JPS5857685B2 (ja) | 1978-06-02 | 1978-06-02 | 螢光ｘ線による鍍金厚測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54157652A JPS54157652A (en) | 1979-12-12 |
| JPS5857685B2 true JPS5857685B2 (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=13295186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6572278A Expired JPS5857685B2 (ja) | 1978-06-02 | 1978-06-02 | 螢光ｘ線による鍍金厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857685B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127504U (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 螢光ｘ線複合メツキ厚測定装置 |
-
1978
- 1978-06-02 JP JP6572278A patent/JPS5857685B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54157652A (en) | 1979-12-12 |
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