JPS5857690A - 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 - Google Patents
一層導体型電流駆動磁気バブル素子Info
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- JPS5857690A JPS5857690A JP56157321A JP15732181A JPS5857690A JP S5857690 A JPS5857690 A JP S5857690A JP 56157321 A JP56157321 A JP 56157321A JP 15732181 A JP15732181 A JP 15732181A JP S5857690 A JPS5857690 A JP S5857690A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0841—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電流駆動型磁気バブル素子に関する（］）
ものである。磁気バブル（以下単にバブルという）を情
報の担体として用いる記憶素子においてバブルの転送方
式は、パーマロイ、ｆの如き軟磁性膜でできたシェブロ
ン型やＹ型を呈したパターンを外部より印加する面内回
転磁界によって順次磁化することによって生じる磁極に
バブルを引きつけて転送させる。いわゆる磁界駆動方式
が一般的であった。しかしながらこの磁界駆動方式は記
憶密度を犬きくするためにバブル径を小さくするに従っ
てバブル転送に必要な面内回転磁界が急激に太きくなる
ため面内回転磁界発生用コイルに印加する電圧が増大し
、高速転送に適さなくｈるという犬きｈ欠点を有してい
ることはよく知らｈでいる。このような磁界駆動方式の
欠点を克服するためＫは面内回転磁界発生用コイルを用
いないバブルの転送方式を実現しなけわばならない。
報の担体として用いる記憶素子においてバブルの転送方
式は、パーマロイ、ｆの如き軟磁性膜でできたシェブロ
ン型やＹ型を呈したパターンを外部より印加する面内回
転磁界によって順次磁化することによって生じる磁極に
バブルを引きつけて転送させる。いわゆる磁界駆動方式
が一般的であった。しかしながらこの磁界駆動方式は記
憶密度を犬きくするためにバブル径を小さくするに従っ
てバブル転送に必要な面内回転磁界が急激に太きくなる
ため面内回転磁界発生用コイルに印加する電圧が増大し
、高速転送に適さなくｈるという犬きｈ欠点を有してい
ることはよく知らｈでいる。このような磁界駆動方式の
欠点を克服するためＫは面内回転磁界発生用コイルを用
いないバブルの転送方式を実現しなけわばならない。
面内回転磁界発生用コイルを用いないバブルの転送方式
としては、すでに、磁性薄膜上に形成された蛇行状導体
線路に交流電流を流してバ（２） プルを駆動する電流駆動方式（以下、本発明が係わる極
く新しい電流駆動方式と区別するため初期電流駆動方式
という。）が公知となワている。この初期電流駆動方式
に対してはいくらかの改良がなさねたが、導体線路の形
状が複雑すぎることや、バブルの運動に方向性を持たせ
るために不可欠なパーマロイなどの磁性薄片とノくプル
との磁気的相互作用に起因する捕捉力に抗してバブル全
転送しなけハばならないことなどの原因により、記憶密
度を上りようとすると素子の消費電力が著しく犬きくな
り実用的でし、１なかった〇 このような磁界駆動方式や初期電流駆動方式では避は得
なかったこれらの欠点を克服するために近年二層導体型
電流駆動方式と吋ｄ゛わる新しい電流駆動力式が提案さ
ハた。この二層導体型ＭＬ電流駆動方式は初期電流駆動
力式に比べ非常に単純な開孔パターンを使用すハはよい
ため、飛開的に記憶密度を向」−させることができる。
としては、すでに、磁性薄膜上に形成された蛇行状導体
線路に交流電流を流してバ（２） プルを駆動する電流駆動方式（以下、本発明が係わる極
く新しい電流駆動方式と区別するため初期電流駆動方式
という。）が公知となワている。この初期電流駆動方式
に対してはいくらかの改良がなさねたが、導体線路の形
状が複雑すぎることや、バブルの運動に方向性を持たせ
るために不可欠なパーマロイなどの磁性薄片とノくプル
との磁気的相互作用に起因する捕捉力に抗してバブル全
転送しなけハばならないことなどの原因により、記憶密
度を上りようとすると素子の消費電力が著しく犬きくな
り実用的でし、１なかった〇 このような磁界駆動方式や初期電流駆動方式では避は得
なかったこれらの欠点を克服するために近年二層導体型
電流駆動方式と吋ｄ゛わる新しい電流駆動力式が提案さ
ハた。この二層導体型ＭＬ電流駆動方式は初期電流駆動
力式に比べ非常に単純な開孔パターンを使用すハはよい
ため、飛開的に記憶密度を向」−させることができる。
しかしながら、二ノー導体型電流駆動方式におい（３）
ては二層の導体層を各々独立に駆動しなけわばならない
ため消費電力が非常に犬きくなるうえに周辺回路が著し
く複雑になるという重大な欠点を有している。
ため消費電力が非常に犬きくなるうえに周辺回路が著し
く複雑になるという重大な欠点を有している。
本発明の目的は非常に簡単な周辺回路を用いて、できる
限り微小な電流でバブルを転送し得る一層導体型電流駆
動磁気バプル素子を提供することにある。
限り微小な電流でバブルを転送し得る一層導体型電流駆
動磁気バプル素子を提供することにある。
本発明の詳細な説明する前に１ず磁性材料の一般性質を
述べておく。たとえば、エル・シ。
述べておく。たとえば、エル・シ。
ルソ（Ｔ、、 ５ｃｈｌｔｚ ）等によって１９７９年
ＩＯ月にジャーナル・オブ・アゲライド・フィジクス（
Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
）誌第５０巻第１１号第７８６２〜第７８６４頁に発
表された論文に記載されているように、磁歪を有するバ
ブル拐料上に設けられた張力性の薄膜パターンのエツジ
部では磁壁エネルギーは第１図の様に変化する。
ＩＯ月にジャーナル・オブ・アゲライド・フィジクス（
Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
）誌第５０巻第１１号第７８６２〜第７８６４頁に発
表された論文に記載されているように、磁歪を有するバ
ブル拐料上に設けられた張力性の薄膜パターンのエツジ
部では磁壁エネルギーは第１図の様に変化する。
第１図中、横軸ＩＶｉ磁壁の位置を縦軸２け磁壁エネル
ギーを、３は磁壁エネルギー分布を、４は張力性の薄膜
パターンを示している。
ギーを、３は磁壁エネルギー分布を、４は張力性の薄膜
パターンを示している。
（４）
本発明ｄ上記の磁性材料の性ｆＸを利用した以下の原理
ＶＣ′４１とすいて、初期電流駆動方式や二層導体型電
流駆動方式などの従来の電流駆動方式に残されていた重
大な欠点を取り除くものである。
ＶＣ′４１とすいて、初期電流駆動方式や二層導体型電
流駆動方式などの従来の電流駆動方式に残されていた重
大な欠点を取り除くものである。
第２図は本発明の基本原刊１を示した図である。
第２図において５Ｃしくプル、６及び７の矢印をゴバブ
ル磁壁が受ける駆動力の方向、８目張力性の薄膜パター
ン４の境界、１４の矢印はバイアス磁界の方向である。
ル磁壁が受ける駆動力の方向、８目張力性の薄膜パター
ン４の境界、１４の矢印はバイアス磁界の方向である。
バブルが第２図（ａ）の位置にある場合に一１薄膜パタ
ーン境界の右側では第１図３に示される磁壁エネルギー
が薄膜パターン境界に近づくにつれて小さくなるため薄
１１Ａバクーン境界の右側のバブル磁壁ｔま矢印７で示
される向きに駆動力を受ける。＃膜パターン境界の左側
では磁壁エネルギーが薄膜パターン境界から遠ざかるに
つわてｌ」・さくなるため薄膜パターン境界の左側のバ
ブル磁壁は矢印（Ｊで示さ）］る向きに駆動力を受ける
。しｌｒが−・てバブルね全体として薄膜パターンの内
側へ向かうような（５） 駆動力を受ける。このためバブルに外力が作用していな
い場合には、バブルは第２図（ａ）で示される位置に停
留することはできず、磁壁エネルギーが最小となる位置
すなわち第２図（ｂ）で示される安定位置まで移動する
。
ーン境界の右側では第１図３に示される磁壁エネルギー
が薄膜パターン境界に近づくにつれて小さくなるため薄
１１Ａバクーン境界の右側のバブル磁壁ｔま矢印７で示
される向きに駆動力を受ける。＃膜パターン境界の左側
では磁壁エネルギーが薄膜パターン境界から遠ざかるに
つわてｌ」・さくなるため薄膜パターン境界の左側のバ
ブル磁壁は矢印（Ｊで示さ）］る向きに駆動力を受ける
。しｌｒが−・てバブルね全体として薄膜パターンの内
側へ向かうような（５） 駆動力を受ける。このためバブルに外力が作用していな
い場合には、バブルは第２図（ａ）で示される位置に停
留することはできず、磁壁エネルギーが最小となる位置
すなわち第２図（ｂ）で示される安定位置まで移動する
。
次に、上記のような基本原理圧もとづく本発明の動作原
理を第３図に示す実施の１例を用いて具体的に示す。第
３図（＆）は導体層に流す電流波形の１例、第３図（ｂ
）は本発明の転送パターンの１例を示している。第３図
（ａ）において縦軸１１は電流値、横軸１０け時刻、１
２は電流波形、５０゜５１．５２，５３，５４．５５，
５６，５７，５８．は横軸１０上の各時刻を表わす。第
３図（ｂ）において１３の矢印は電流の正の方向、１４
の矢印はバイアス磁界の方向、１５は張力性の導体層中
に設けた転送用あなあきパターン、１６は導体層と対面
して形成した張力性の非磁性薄膜層中に設けたあなあき
パターン、 ３０．３１．３２．３３，３４ 、３５，
３６ 、３７． ｉｔ。
理を第３図に示す実施の１例を用いて具体的に示す。第
３図（＆）は導体層に流す電流波形の１例、第３図（ｂ
）は本発明の転送パターンの１例を示している。第３図
（ａ）において縦軸１１は電流値、横軸１０け時刻、１
２は電流波形、５０゜５１．５２，５３，５４．５５，
５６，５７，５８．は横軸１０上の各時刻を表わす。第
３図（ｂ）において１３の矢印は電流の正の方向、１４
の矢印はバイアス磁界の方向、１５は張力性の導体層中
に設けた転送用あなあきパターン、１６は導体層と対面
して形成した張力性の非磁性薄膜層中に設けたあなあき
パターン、 ３０．３１．３２．３３，３４ 、３５，
３６ 、３７． ｉｔ。
バブルの位置を表わす。
導体層に第３図（ａ）に示されるような両極性の（６）
電流パルスを印加すると第３図（ａ）の５０−５１間の
時間では、転送用あなあきパターンによる電流の乱ハに
起因したバイアス磁界分布（以下、単に磁界分布という
）が生じ３０で示さノ］る位置は静磁気的なバブル安定
点とがる（今、３０の位置をバブル転送の出発点と考え
る）。次の５１−５２間の時間でね導体層にはｉｔｔ流
が流ｆ１ていず、前記の磁界分布は消失しているため、
第２図を用いて説明した基本１ｒｒｔ理にもとづいてバ
ブルｔま３１の位置１で移動する。次の５２−５３間の
時間でｒｊ再び磁界分布が生じるためバブルは磁界勾配
からの駆動力を受り３２で示され−る位ｆａ捷で移動す
る。次の５３−５４間の時間でｉｔ 磁界分布は消失し
、前記の基本原理にもとづいてバブルは３３の位置１で
移動する。次の５４ ５５間の時間でｅよ磁界分布によ
り３０及び３４の位置はともに靜、電気的な安定点とガ
るが、３３−３４間の距離が３３−３０間の距離よりも
小さいため３３の位置のバブルは３４の位置へ向かう磁
界勾配を受けて３４の位置１で移動する。次の５５−５
６間の時間では１１’分布６消失（７） の位置捷で移動する。以下、同様の動作原理にもとづい
てバブルは５６−５７間、５７−５８間の時間で３６．
３７の位置へと移動する。したがってバブルは、５０−
５８間の時間で３０の位置から３７の位置まで転送さね
−る。
時間では、転送用あなあきパターンによる電流の乱ハに
起因したバイアス磁界分布（以下、単に磁界分布という
）が生じ３０で示さノ］る位置は静磁気的なバブル安定
点とがる（今、３０の位置をバブル転送の出発点と考え
る）。次の５１−５２間の時間でね導体層にはｉｔｔ流
が流ｆ１ていず、前記の磁界分布は消失しているため、
第２図を用いて説明した基本１ｒｒｔ理にもとづいてバ
ブルｔま３１の位置１で移動する。次の５２−５３間の
時間でｒｊ再び磁界分布が生じるためバブルは磁界勾配
からの駆動力を受り３２で示され−る位ｆａ捷で移動す
る。次の５３−５４間の時間でｉｔ 磁界分布は消失し
、前記の基本原理にもとづいてバブルは３３の位置１で
移動する。次の５４ ５５間の時間でｅよ磁界分布によ
り３０及び３４の位置はともに靜、電気的な安定点とガ
るが、３３−３４間の距離が３３−３０間の距離よりも
小さいため３３の位置のバブルは３４の位置へ向かう磁
界勾配を受けて３４の位置１で移動する。次の５５−５
６間の時間では１１’分布６消失（７） の位置捷で移動する。以下、同様の動作原理にもとづい
てバブルは５６−５７間、５７−５８間の時間で３６．
３７の位置へと移動する。したがってバブルは、５０−
５８間の時間で３０の位置から３７の位置まで転送さね
−る。
すなわち、本発明の１層導体型電流駆動磁気バブル素子
は、磁気バブルを保持し得る０でない磁歪定数を有する
磁性薄膜上に転送用あなあきパターン金偏えた１層の導
体層を形成し、前記導体層と互いに隔離し、電気的にも
絶縁するように非磁性薄膜層を対ｍＪさせて形成し、こ
の非磁性薄膜層中に前記転送用あなあきパターンに対し
、導体層に流す交流電流の向きに若干の位置ずれを有す
るようにあなあきパターンもしくは島状パターンを設け
、前記の交流電流によって生じる時間ｆ調された磁界勾
配によりて磁気バブルを転送することを特徴とする。
は、磁気バブルを保持し得る０でない磁歪定数を有する
磁性薄膜上に転送用あなあきパターン金偏えた１層の導
体層を形成し、前記導体層と互いに隔離し、電気的にも
絶縁するように非磁性薄膜層を対ｍＪさせて形成し、こ
の非磁性薄膜層中に前記転送用あなあきパターンに対し
、導体層に流す交流電流の向きに若干の位置ずれを有す
るようにあなあきパターンもしくは島状パターンを設け
、前記の交流電流によって生じる時間ｆ調された磁界勾
配によりて磁気バブルを転送することを特徴とする。
次に本発明の別の実施例をいくつか示す。
第４図は、第３図の実施例にみられるようなバ（８）
プルのジグザグ状転送を避け、できるがき°り直線的な
転送が行なえるようにパターンの形状を釘型にした実施
例である。第４図において５Ｖｉバブル、１３は導体層
に流す電流の方向、１４はバイアス磁界の方向、１５は
張力性の導体層中の転送用あなあきパターン、１６は張
力性の非磁性薄膜層中に設０たあなあきパターン、２ｏ
の矢印−バブルの転送方向である。
転送が行なえるようにパターンの形状を釘型にした実施
例である。第４図において５Ｖｉバブル、１３は導体層
に流す電流の方向、１４はバイアス磁界の方向、１５は
張力性の導体層中の転送用あなあきパターン、１６は張
力性の非磁性薄膜層中に設０たあなあきパターン、２ｏ
の矢印−バブルの転送方向である。
第５図ｔユ、圧縮性の非磁性薄膜層を用いた実施捌の１
例である。圧縮性の非磁性薄膜層におけるパターン境界
付近の磁壁エネルギー分布は第１図３の磁壁エネルギー
分布ｆＭ軸２に関して折り返したような分布ｒｃなる。
例である。圧縮性の非磁性薄膜層におけるパターン境界
付近の磁壁エネルギー分布は第１図３の磁壁エネルギー
分布ｆＭ軸２に関して折り返したような分布ｒｃなる。
したがって圧縮性の非磁性薄膜層を用いる場合［）ｊ、
あなあきパターンと反転対称な島状パターンを設ｋｊる
ことにより第３図を用いて説明した動作原理と同様の動
作原理にもとづいてバブルの転送を行なうことができる
。第５図において５１１、バブル、１３は導体層に流す
電流の方向、１４１コバイアス磁界の方１「」」、１５
は張力性の導体Ｊ−中の転送用あな（９） あきパターン、１７＃′ｉ圧縮性の非磁性薄膜層中の島
状パターン、２ｏはバブルの転送方向である。
あなあきパターンと反転対称な島状パターンを設ｋｊる
ことにより第３図を用いて説明した動作原理と同様の動
作原理にもとづいてバブルの転送を行なうことができる
。第５図において５１１、バブル、１３は導体層に流す
電流の方向、１４１コバイアス磁界の方１「」」、１５
は張力性の導体Ｊ−中の転送用あな（９） あきパターン、１７＃′ｉ圧縮性の非磁性薄膜層中の島
状パターン、２ｏはバブルの転送方向である。
導体層及び非磁性薄膜層中のパターン形状としては第３
図、第４図、第５図に示した実施例以久にも種々の形状
のものが考えられるが、第３図を用いて説明した如き動
作原理によりバブルを転送しうる形状であわは、すべて
本発明に含−まわる。導体層中の転送用あなあきパター
ンおよび非′ｇｉ性薄膜層中のあなあきパターン形成法
としては湿式の化学エツチング、プラズマエツチング、
陽極酸化など柚々のものが挙けらゎるが、バクーンエッ
ジ部に適当なストレスを生せしめるような形成法であれ
ば、すべて本発明に含まれることはいう１でもない。
図、第４図、第５図に示した実施例以久にも種々の形状
のものが考えられるが、第３図を用いて説明した如き動
作原理によりバブルを転送しうる形状であわは、すべて
本発明に含−まわる。導体層中の転送用あなあきパター
ンおよび非′ｇｉ性薄膜層中のあなあきパターン形成法
としては湿式の化学エツチング、プラズマエツチング、
陽極酸化など柚々のものが挙けらゎるが、バクーンエッ
ジ部に適当なストレスを生せしめるような形成法であれ
ば、すべて本発明に含まれることはいう１でもない。
第１図はエル・シールッらの論文に示されている説明図
の１部である。第２図は本発明の基本原理を示す図であ
る。第３図は実施の１ ｆｌ’ｌＪを用いて本発明の動
作原理全具体的に示した図で（１０） ある。第４図、第５図は本発明の実施例を示す図である
。 図において、１は磁壁の位置を示す横軸、２は磁壁エネ
ルギーを示す縦軸、３は磁壁エネルギー分布、４は張力
性の薄膜パターン、５はバブル、６，７ｉｔバブル磁壁
が受りる駆動力の方向、８はｌＪｊ膜パターンの境界、
１０す時間をηくす横軸、１１は電流値を表わす縦軸、
１２け電流波形、１３の矢印は導体層に流す電流の方向
、１４はバイアス磁界の方向、５０．５１ 、５２ 、
５３ 、５４ 、５５．５６゜５７．５８は横軸１０上
の告時′ｋＪＪ、ａｏ、 ３１．３２ 、３３ 。 ３４．３５，３６，３７はバブｋｃ）位置、１５ｉＪ張
力性の導体層中に設けた転送用あなあきパターン、１６
は張力性の非磁性簿膜層中に設りたあなあきパターン、
１７は圧縮性の非磁性′＃Ｉ膜層中に設けた島状パター
ンである。 （１１） 第 １ 霞 躬 ２ ロ 第 ３ 記
の１部である。第２図は本発明の基本原理を示す図であ
る。第３図は実施の１ ｆｌ’ｌＪを用いて本発明の動
作原理全具体的に示した図で（１０） ある。第４図、第５図は本発明の実施例を示す図である
。 図において、１は磁壁の位置を示す横軸、２は磁壁エネ
ルギーを示す縦軸、３は磁壁エネルギー分布、４は張力
性の薄膜パターン、５はバブル、６，７ｉｔバブル磁壁
が受りる駆動力の方向、８はｌＪｊ膜パターンの境界、
１０す時間をηくす横軸、１１は電流値を表わす縦軸、
１２け電流波形、１３の矢印は導体層に流す電流の方向
、１４はバイアス磁界の方向、５０．５１ 、５２ 、
５３ 、５４ 、５５．５６゜５７．５８は横軸１０上
の告時′ｋＪＪ、ａｏ、 ３１．３２ 、３３ 。 ３４．３５，３６，３７はバブｋｃ）位置、１５ｉＪ張
力性の導体層中に設けた転送用あなあきパターン、１６
は張力性の非磁性簿膜層中に設りたあなあきパターン、
１７は圧縮性の非磁性′＃Ｉ膜層中に設けた島状パター
ンである。 （１１） 第 １ 霞 躬 ２ ロ 第 ３ 記
Claims (1)
- 磁気バブルを保持し得るＯでない磁歪定数を有する磁性
薄膜上に、転送用あなあきパターンを備えた一層の導体
層を形成し、該導体層に交流電流を印加する手段を有し
、更に前記導体層と互いに隔離し電気的にも絶縁するよ
うに非磁性薄膜層を対面させて形成し、この非磁性薄膜
層中に、前記転送用あなあきパターンに対し前記導体層
の変流電流の印加方向と平行に若干の位置ずれを有する
ようにあなあきパターンもしくは島状パターンを設けた
こと全特徴とした一層導体型電流躯ＡＩＪＪ磁気バブル
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157321A JPS5857690A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157321A JPS5857690A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857690A true JPS5857690A (ja) | 1983-04-05 |
| JPH0313674B2 JPH0313674B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=15647133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56157321A Granted JPS5857690A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028917A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-14 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 経皮投与用医薬製剤 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567180A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-24 | Fujitsu Ltd | Character recognizing method for optical character reader |
| JPS5693171A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Current access bubble magnetic domain element |
| JPS5693172A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element of current access type |
| JPS5694570A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element of current access type |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP56157321A patent/JPS5857690A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567180A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-24 | Fujitsu Ltd | Character recognizing method for optical character reader |
| JPS5693171A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Current access bubble magnetic domain element |
| JPS5693172A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element of current access type |
| JPS5694570A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element of current access type |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028917A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-14 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 経皮投与用医薬製剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313674B2 (ja) | 1991-02-25 |
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