JPS5881300A - 超高純度ガス輸送方法 - Google Patents
超高純度ガス輸送方法Info
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- JPS5881300A JPS5881300A JP18006581A JP18006581A JPS5881300A JP S5881300 A JPS5881300 A JP S5881300A JP 18006581 A JP18006581 A JP 18006581A JP 18006581 A JP18006581 A JP 18006581A JP S5881300 A JPS5881300 A JP S5881300A
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- Japan
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- gas
- high purity
- ultra
- transported
- pipeline
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D1/00—Pipe-line systems
- F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、精製により超高純度化された水素。
窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム等のガス体を超高純度
状態を保持させたまま輸送する超高純度ガス輸送方法に
関するものである。
状態を保持させたまま輸送する超高純度ガス輸送方法に
関するものである。
超高純度ガス（気体）は、各方面に広く用いられている
が、特に半導体工業においては、その使用超高純度ガス
の純度が高くなるほど不良率が低減することが知られて
いる。したがって、半導体工業においては、超高純度ガ
スの純度を一層高め、それを超高純度状態を保持させた
まま製造現場まで輸送することに腐心している。この種
超高純度ガスの調製およびその輸送は、これまでｍ１図
のような装置により行われている。すなわち、低温容器
１より液化ガスを蒸発器２に送って気化させ。
が、特に半導体工業においては、その使用超高純度ガス
の純度が高くなるほど不良率が低減することが知られて
いる。したがって、半導体工業においては、超高純度ガ
スの純度を一層高め、それを超高純度状態を保持させた
まま製造現場まで輸送することに腐心している。この種
超高純度ガスの調製およびその輸送は、これまでｍ１図
のような装置により行われている。すなわち、低温容器
１より液化ガスを蒸発器２に送って気化させ。
調圧ユニット３で調圧したのちＮ製器４に入れて超高純
度化し、これを高度に清浄化された配管人によって半導
体製造設［５まで輸送することが行われている。この場
合、気化ガス、例えば窒素ガスの精製は、精製器４とし
て、活性炭およびモレキュラーシーブス等の吸着剤を内
蔵したものを用いて行うことが一般化している。これま
では、このような精製超高純度ガス（気体）を扱いやす
いように常温もしくは加熱された状態で高度清浄化配管
によって半導体製造設備にまで輸送していた。
度化し、これを高度に清浄化された配管人によって半導
体製造設［５まで輸送することが行われている。この場
合、気化ガス、例えば窒素ガスの精製は、精製器４とし
て、活性炭およびモレキュラーシーブス等の吸着剤を内
蔵したものを用いて行うことが一般化している。これま
では、このような精製超高純度ガス（気体）を扱いやす
いように常温もしくは加熱された状態で高度清浄化配管
によって半導体製造設備にまで輸送していた。
この輸送の際、何らかの手違いで、不純ガスが高度清浄
化配管内に送られると、その配管が汚染されその回復（
清浄化）に非常な労力を要するため。
化配管内に送られると、その配管が汚染されその回復（
清浄化）に非常な労力を要するため。
清浄化配管の入口にセンナを設け、不純ガスの流入を阻
止する体制が採られている。ところが、このように超高
純度ガスの輸送に細心の注意を払っても半導体製造設備
に到達す名ガスは、配管入口での純度を保持しておらず
、したがって、半導体製造の不良率が当初の見こみより
大幅に上まわるという事態が発生している。これまで、
この輸送過程におけるガスの純度低下の原因を究明し改
善を図るべく各種の試みがなされたが、いまだ満足しう
るような方法が見いだされてりないのが実情である。
止する体制が採られている。ところが、このように超高
純度ガスの輸送に細心の注意を払っても半導体製造設備
に到達す名ガスは、配管入口での純度を保持しておらず
、したがって、半導体製造の不良率が当初の見こみより
大幅に上まわるという事態が発生している。これまで、
この輸送過程におけるガスの純度低下の原因を究明し改
善を図るべく各種の試みがなされたが、いまだ満足しう
るような方法が見いだされてりないのが実情である。
本発明者は、を記ガスの純度低下の原因をつきとめるた
め一連の研究を重ねた結果、その原因は、高度清浄化配
管の管体内の吸蔵ガス（金属に吸着１した０ｚｅＨｚ＊
Ｎｚ＋Ｒ素化合物、水分）によることを見いだした。す
なわち、上記精製超高純度ガス（気体）は、常温もしく
は加熱された状態で高度清浄化配管によって輸送される
ため、輸送配管の管体内部の吸蔵ガスの分子運動（吸蔵
ガスがイオン化して存在する場合のイオンの振動運動も
含む）はその輸送によシ何ら阻害されない。そのため、
吸蔵ガスは、それ自身の分子運動によって徐々に管体の
内部から配管内面に移行し、そこから精製超高純度ガス
に混じり込むのである。そして、この配管内部の吸蔵ガ
スは配管の清浄化作業（酸洗い、真空吸引）では除去で
きず、また分子運動によって輸送中の高純度ガスに混じ
り込んでも、第２図に示すように、配管６の外面６１１
に接触している大気中より、混じり込んだ分の一部のガ
ス分の補給が矢印のようになされるため、吸蔵ガスによ
る汚染は配管６の清浄化にかかわらず生じそれが継続さ
れると考えられるのである。７は金属粒子である。′そ
こで本発明者は、さらに研究を重ねた結果、精製超高純
度ガスは、気体状態において、常温もしくは加熱状態で
輸送されるものというこれまでの技術常識を打破し、精
製超高純度ガスを超低温状（−５０℃以下）で輸送する
ようにすると、配管の吸蔵ガスによる汚染が殆どなくな
ることを見いだし、この発明に到達した。
め一連の研究を重ねた結果、その原因は、高度清浄化配
管の管体内の吸蔵ガス（金属に吸着１した０ｚｅＨｚ＊
Ｎｚ＋Ｒ素化合物、水分）によることを見いだした。す
なわち、上記精製超高純度ガス（気体）は、常温もしく
は加熱された状態で高度清浄化配管によって輸送される
ため、輸送配管の管体内部の吸蔵ガスの分子運動（吸蔵
ガスがイオン化して存在する場合のイオンの振動運動も
含む）はその輸送によシ何ら阻害されない。そのため、
吸蔵ガスは、それ自身の分子運動によって徐々に管体の
内部から配管内面に移行し、そこから精製超高純度ガス
に混じり込むのである。そして、この配管内部の吸蔵ガ
スは配管の清浄化作業（酸洗い、真空吸引）では除去で
きず、また分子運動によって輸送中の高純度ガスに混じ
り込んでも、第２図に示すように、配管６の外面６１１
に接触している大気中より、混じり込んだ分の一部のガ
ス分の補給が矢印のようになされるため、吸蔵ガスによ
る汚染は配管６の清浄化にかかわらず生じそれが継続さ
れると考えられるのである。７は金属粒子である。′そ
こで本発明者は、さらに研究を重ねた結果、精製超高純
度ガスは、気体状態において、常温もしくは加熱状態で
輸送されるものというこれまでの技術常識を打破し、精
製超高純度ガスを超低温状（−５０℃以下）で輸送する
ようにすると、配管の吸蔵ガスによる汚染が殆どなくな
ることを見いだし、この発明に到達した。
すなわち、この発明は、超高純度ガスを高度に清浄化さ
れた配管によって輸送する超高純度ガス輸送方法であっ
て、超高純度ガスを超低温状で輸送することをその要旨
とするものである。
れた配管によって輸送する超高純度ガス輸送方法であっ
て、超高純度ガスを超低温状で輸送することをその要旨
とするものである。
つぎに、この発明をその一例にもとづいて説明する。
第３図はこの発明の一例の概略図である。すなわち、こ
の例は、容器、ｌ／１から液化窒素ガス（超低ｉｌ）を
精製器１２に送）込んで液状の１まで精製し、得られる
超高純度液化窒素ガス（超高純度液体窒素）を高度＄こ
清浄化された配管Ｂで輸送し、半導体製造設備１３の手
前に設けられている蒸発器１４で蒸発させて超高純度液
化窒素ガスを気化させ、半導体製造設備１３＆ｃ窒素を
ガス状で供給するようにしている。ここで液化窒素ガス
の精製は、活性炭、モレキュラーシープス勢を用いる吸
着式精製器１２内に液化窒素ガスを通すことによって行
われる。また、精製後の超高純度液化窒素ガスの輸送は
、酸洗い、真空吸引によ〕高度に清浄化された二重管Ｂ
を用いて行われ、外管内を真空にし、内管内に超高純度
液化窒素ガスを流すことにより行われる。このようζζ
、高度に清浄化された真空二重管を用いて超高純度液化
窒素ガスを輸送すると、かりに大気が外管を透過して内
部に侵入しても真空部に設けられている吸着剤の存在に
より透過ガスが吸着され、そのうえ内管が存在するため
、内管内まで到達しない。したがって、大気による超高
純度液化窒素ガスの汚染がｔｌぼ完全に阻止されるよう
になる。特に、真空二重管として、管の継合を第４図に
示すようなバイオネット継手方式で行っているものを用
いることが好ましい。すなわち、この継手方式は、一方
の真空二重管２１の端部を、外管２２を細径にすること
によりおす形部２３にし、その細径外管２２の根本部か
ら継手部２４を立上がらせるとともにおす形部２３の外
管２２の先端に段部２５を設け、その段部２５に断面コ
字状のリング状弾性パツキン（一体物で切れ目がない）
２６を、コ字状の開、放部を前方に向けて装着し、また
他方の真空二重管２７の端部を、内管２８を太径にする
ことによりめす形部２９にし、その太径内管２８の入口
部から継平部３０を立上がらせるとともに、めす形部２
９の内管２８の内奥部を先すげｔｒ状のテーパー面３１
にしている。そして、上記一方の真空二重管２１のおす
形部２３を他方の真空二重管２７のめす形部２９内に嵌
装し、継手部２４．３’０どうしをＯ−リング３２を介
して当接させるとともに、めす形部２９のテーパー面３
１でリング状弾性パツキン２６を押圧させ、おす形部２
！′ｃ外管２２とめす形部２９の内管２８との間の空隙
３３内を気密状態にし、その状態で継手部２４．３０を
締付具（図示せず）で締付秒、−万および他方の真空二
重管２１．２７を継合するようになっている。
の例は、容器、ｌ／１から液化窒素ガス（超低ｉｌ）を
精製器１２に送）込んで液状の１まで精製し、得られる
超高純度液化窒素ガス（超高純度液体窒素）を高度＄こ
清浄化された配管Ｂで輸送し、半導体製造設備１３の手
前に設けられている蒸発器１４で蒸発させて超高純度液
化窒素ガスを気化させ、半導体製造設備１３＆ｃ窒素を
ガス状で供給するようにしている。ここで液化窒素ガス
の精製は、活性炭、モレキュラーシープス勢を用いる吸
着式精製器１２内に液化窒素ガスを通すことによって行
われる。また、精製後の超高純度液化窒素ガスの輸送は
、酸洗い、真空吸引によ〕高度に清浄化された二重管Ｂ
を用いて行われ、外管内を真空にし、内管内に超高純度
液化窒素ガスを流すことにより行われる。このようζζ
、高度に清浄化された真空二重管を用いて超高純度液化
窒素ガスを輸送すると、かりに大気が外管を透過して内
部に侵入しても真空部に設けられている吸着剤の存在に
より透過ガスが吸着され、そのうえ内管が存在するため
、内管内まで到達しない。したがって、大気による超高
純度液化窒素ガスの汚染がｔｌぼ完全に阻止されるよう
になる。特に、真空二重管として、管の継合を第４図に
示すようなバイオネット継手方式で行っているものを用
いることが好ましい。すなわち、この継手方式は、一方
の真空二重管２１の端部を、外管２２を細径にすること
によりおす形部２３にし、その細径外管２２の根本部か
ら継手部２４を立上がらせるとともにおす形部２３の外
管２２の先端に段部２５を設け、その段部２５に断面コ
字状のリング状弾性パツキン（一体物で切れ目がない）
２６を、コ字状の開、放部を前方に向けて装着し、また
他方の真空二重管２７の端部を、内管２８を太径にする
ことによりめす形部２９にし、その太径内管２８の入口
部から継平部３０を立上がらせるとともに、めす形部２
９の内管２８の内奥部を先すげｔｒ状のテーパー面３１
にしている。そして、上記一方の真空二重管２１のおす
形部２３を他方の真空二重管２７のめす形部２９内に嵌
装し、継手部２４．３’０どうしをＯ−リング３２を介
して当接させるとともに、めす形部２９のテーパー面３
１でリング状弾性パツキン２６を押圧させ、おす形部２
！′ｃ外管２２とめす形部２９の内管２８との間の空隙
３３内を気密状態にし、その状態で継手部２４．３０を
締付具（図示せず）で締付秒、−万および他方の真空二
重管２１．２７を継合するようになっている。
３４はリング状弾性パツキン２６の固定ねじ、３５は一
方の真空二重管２１の内管、３６は他方の真空二重管２
７の外管である。
方の真空二重管２１の内管、３６は他方の真空二重管２
７の外管である。
この継手方式は、めす形部２９の内管２８の先すほまり
状のテーパー面３１″で１゛パおす形部２３の外管２２
の先端段部２５のリング状弾性パツキン２６を押圧して
上記空隙３３をシールするため、空隙３３の高さ勢の寸
法が正確ｋ・出ていなくても、リング状弾性パツキン２
６に対するテーパー１ｆｆｉｌｌの抑圧状態があまり影
響を受けずシール状態が変わらない。そのうえ、□リン
グ状弾性パツキン２６が一体物であり切れ目がないため
、高シール状態が実現される。したがって、この継手方
式は、施工精度にあまり影響されることなく、高シール
状態を保持しうるため、大気からの汚染を嫌う超高ｉ度
ガスの輸送に用いると最適である。
状のテーパー面３１″で１゛パおす形部２３の外管２２
の先端段部２５のリング状弾性パツキン２６を押圧して
上記空隙３３をシールするため、空隙３３の高さ勢の寸
法が正確ｋ・出ていなくても、リング状弾性パツキン２
６に対するテーパー１ｆｆｉｌｌの抑圧状態があまり影
響を受けずシール状態が変わらない。そのうえ、□リン
グ状弾性パツキン２６が一体物であり切れ目がないため
、高シール状態が実現される。したがって、この継手方
式は、施工精度にあまり影響されることなく、高シール
状態を保持しうるため、大気からの汚染を嫌う超高ｉ度
ガスの輸送に用いると最適である。
なお、超高純度液化窒素ガスの蒸発器１４による蒸発は
、熱交換式蒸発器を用いて行われる。この蒸発器として
は、■脱気処理され内部に金めつきが施されているもの
、もしくは、■二重殻になっており、内殻内を超高純度
低温磁化窒素ガスを通し、外殻にこの超高純度低温液化
窒素ガスと同種のガスであって気体状になっている窒素
ガスを封入し、このガスをヒータもしくは外気により加
熱して内殻を通る”超高純度低温液化窒素ガスを間接加
熱し熱交換させるようにしたものが用いられる。
、熱交換式蒸発器を用いて行われる。この蒸発器として
は、■脱気処理され内部に金めつきが施されているもの
、もしくは、■二重殻になっており、内殻内を超高純度
低温磁化窒素ガスを通し、外殻にこの超高純度低温液化
窒素ガスと同種のガスであって気体状になっている窒素
ガスを封入し、このガスをヒータもしくは外気により加
熱して内殻を通る”超高純度低温液化窒素ガスを間接加
熱し熱交換させるようにしたものが用いられる。
このようにして、超低温状態で輸送され、蒸発器１４で
蒸発されて気化された超高純度窒素ガスは、精製時とほ
ぼ同様の純度を保持しており、輸送中の純度低下が殆ど
みられない。これは、高純度窒素ガスを超低温状態で輸
送するため、輸送配管Ｂが冷されて配管Ｂ内部の吸蔵ガ
スの分子運動が常温時に比較して著しく小さくなり、常
温時のように、配管Ｂの管体内部より配管内面に移行し
て配管Ｂ内の超低温窒素ガスに混じり込むようなことが
なくなるためと考えられる。このように、配管Ｂ内部の
吸蔵ガスの移行が行われない結果、大気からの配管Ｂ内
部へのガス分の補給も当然なされない。したがって、輸
送を長期間に渡って行っても純度低下は全く生じなくな
るのである。
蒸発されて気化された超高純度窒素ガスは、精製時とほ
ぼ同様の純度を保持しており、輸送中の純度低下が殆ど
みられない。これは、高純度窒素ガスを超低温状態で輸
送するため、輸送配管Ｂが冷されて配管Ｂ内部の吸蔵ガ
スの分子運動が常温時に比較して著しく小さくなり、常
温時のように、配管Ｂの管体内部より配管内面に移行し
て配管Ｂ内の超低温窒素ガスに混じり込むようなことが
なくなるためと考えられる。このように、配管Ｂ内部の
吸蔵ガスの移行が行われない結果、大気からの配管Ｂ内
部へのガス分の補給も当然なされない。したがって、輸
送を長期間に渡って行っても純度低下は全く生じなくな
るのである。
このような効果は、輸送すべきガス体が超高純度のとき
に極めて有効である。すなわち、超高純度ガス体につい
ては、配管Ｂ内の微量の吸蔵ガスが入り込んでも純度が
大きく下がるのであるが、ガス体の純度が低い場合には
微量の吸蔵ガス番とよる純度低下が軽微になるからであ
る。そのため、輸送すべきガス体としては、水分以外の
各不純分の含有量がそれぞれＩ ＰＰ”以下であり、水
分の含有蓋が２ ＰＰ”以下の超高純度のものであるこ
とが、効果を充分発揮させるために好ましい。
に極めて有効である。すなわち、超高純度ガス体につい
ては、配管Ｂ内の微量の吸蔵ガスが入り込んでも純度が
大きく下がるのであるが、ガス体の純度が低い場合には
微量の吸蔵ガス番とよる純度低下が軽微になるからであ
る。そのため、輸送すべきガス体としては、水分以外の
各不純分の含有量がそれぞれＩ ＰＰ”以下であり、水
分の含有蓋が２ ＰＰ”以下の超高純度のものであるこ
とが、効果を充分発揮させるために好ましい。
なお、上記の説明では、ガスとして窒素ガスを用いてい
るが、ガスはこれに限定されるものではない。また、輸
送するガスは液状に限るものではなく、超低温状であれ
ば気体状であってもよい。
るが、ガスはこれに限定されるものではない。また、輸
送するガスは液状に限るものではなく、超低温状であれ
ば気体状であってもよい。
さらに、超低温液化ガスの輸送用の配管は、真空二重管
に限定されるものではない。また、上記の説明では、液
化窒素ガスを直接精製しているが、これを一旦気化させ
気化状態で精製器に掛け、それを冷却機で冷却して超低
温液体にして輸送配管で輸送するようにしてもよい。
に限定されるものではない。また、上記の説明では、液
化窒素ガスを直接精製しているが、これを一旦気化させ
気化状態で精製器に掛け、それを冷却機で冷却して超低
温液体にして輸送配管で輸送するようにしてもよい。
この発明は、以上のように、従来の概念を打破して超高
純度ガスを超低温状態で輸送するため、純度低下を殆ど
生じさせることなく輸送できる。
純度ガスを超低温状態で輸送するため、純度低下を殆ど
生じさせることなく輸送できる。
したがって、この発明を半導体の製造に応曵すると生産
効率の著しいと昇が期待できるのである。
効率の著しいと昇が期待できるのである。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
第３図に示すような装置を用い、液化窒素ガスを超低温
状態で高度清浄化配管を用いて輸送した。
状態で高度清浄化配管を用いて輸送した。
この場合、高度清浄化配管として、長さ８０ｍのステン
レス製真空二重管を用いた。この真空二重管は、外管の
内径が５６．５■、内管の内径が１８．４諷であり、外
管および内管に対して酸洗いを施したのちｂ １０−
２Ｔｏｒｒに真空排気し、内管については窒′素ガスで
真空破壊したものである。そして、液化窒素ガス容器の
液化窒素ガスを精製器で精製し、超高純度液化窒素ガス
化（不純分である０２をα１ ｐｐｍ （容欺基準、以
下閾じ）、水分をｌ、 Ｑｐｐｍ含有）シ、これを真空
二重管の内管内へ、流量１．３３１／ｓｅｃ 、 圧力
１．２〜１．５ Ｋｆ／ｓｊｔ’ 送り 込＋、真空二
重管に接続されている蒸発器で蒸発させた。
レス製真空二重管を用いた。この真空二重管は、外管の
内径が５６．５■、内管の内径が１８．４諷であり、外
管および内管に対して酸洗いを施したのちｂ １０−
２Ｔｏｒｒに真空排気し、内管については窒′素ガスで
真空破壊したものである。そして、液化窒素ガス容器の
液化窒素ガスを精製器で精製し、超高純度液化窒素ガス
化（不純分である０２をα１ ｐｐｍ （容欺基準、以
下閾じ）、水分をｌ、 Ｑｐｐｍ含有）シ、これを真空
二重管の内管内へ、流量１．３３１／ｓｅｃ 、 圧力
１．２〜１．５ Ｋｆ／ｓｊｔ’ 送り 込＋、真空二
重管に接続されている蒸発器で蒸発させた。
ついで、得られた窒素ガー、を１．分析（流体流し後１
００ｈ後）したところ、不純分である０２がＱ、 ｌ
ｐｐｍ 。
００ｈ後）したところ、不純分である０２がＱ、 ｌ
ｐｐｍ 。
水分が１．０Ｗｒｎであ夛、輸送前と全く純度が同じで
あった。
あった。
を気化して精製し、この精製窒素ガスを高度清浄化配管
で輸送した。この高度清浄化配管は、−重管であって内
径１８．４■のものを酸洗いしたのち、Ｉ Ｑ−２Ｔｏ
ｒｒ に真空排気し窒素ガスで真空破壊したものを用
いた。そして、この高度清浄化配管に、精製器で精製し
た気化状態の超高純度窒素ガス（不純分である０２が０
−２ ＰＰ” を水分が１．０ ｐｐｍ ）を、常温下
において流量１．３３ ／／ｓｅｃ を圧力１．２〜１
．５Ｋｆ／ｊで送り込み、出口から送り出された窒素ガ
スを分析（流体流し後１００ｈ後）したところ、不純分
である０２が０．６ ｐｐｆｆｊと３倍に増加しており
、水′分が３．４ ｐｐｍと３．４倍に増加していた。
で輸送した。この高度清浄化配管は、−重管であって内
径１８．４■のものを酸洗いしたのち、Ｉ Ｑ−２Ｔｏ
ｒｒ に真空排気し窒素ガスで真空破壊したものを用
いた。そして、この高度清浄化配管に、精製器で精製し
た気化状態の超高純度窒素ガス（不純分である０２が０
−２ ＰＰ” を水分が１．０ ｐｐｍ ）を、常温下
において流量１．３３ ／／ｓｅｃ を圧力１．２〜１
．５Ｋｆ／ｊで送り込み、出口から送り出された窒素ガ
スを分析（流体流し後１００ｈ後）したところ、不純分
である０２が０．６ ｐｐｆｆｊと３倍に増加しており
、水′分が３．４ ｐｐｍと３．４倍に増加していた。
第１図および第２図は従来例の説明図、第３図はこの発
明の詳細な説明図、第４図はその真空二重管の継手部の
縦断面図である。
明の詳細な説明図、第４図はその真空二重管の継手部の
縦断面図である。
Claims (2)
- （１）超高純度ガスを高度に清浄化された配管によって
輸送する超高純度ガス輸送方法であって、超高純度ガス
を超低温状で輸送することを特徴とする超高純度ガス輸
送方法。 - （２）超高純度ガスが、水分以外の各不純分の含有量が
それぞれ１ ｐｐｍ以下であり、水分の含有蓋が２ Ｐ
Ｐｍ以下のものである特許請求の範囲第１項記載の超高
純度ガス輸送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18006581A JPS5881300A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 超高純度ガス輸送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18006581A JPS5881300A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 超高純度ガス輸送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881300A true JPS5881300A (ja) | 1983-05-16 |
| JPH0371600B2 JPH0371600B2 (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=16076857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18006581A Granted JPS5881300A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 超高純度ガス輸送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881300A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1981
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| JP2023089737A (ja) * | 2021-12-16 | 2023-06-28 | 川崎重工業株式会社 | 配管システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0371600B2 (ja) | 1991-11-13 |
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