JPS5898933A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5898933A JPS5898933A JP56197868A JP19786881A JPS5898933A JP S5898933 A JPS5898933 A JP S5898933A JP 56197868 A JP56197868 A JP 56197868A JP 19786881 A JP19786881 A JP 19786881A JP S5898933 A JPS5898933 A JP S5898933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- vapor deposition
- deposition method
- semiconductor substrate
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、８１半導体基＊＊面に直接接する誘電体８１ｏ３
や８１５Ｍ４膜等の形Ｗ、は熱酸化あるいは熱窒化法に
よるのが通例とされている。その理由は、熱酸化あるい
は熱窒化処理が高量で行なわれ、形成された誘電体膜と
半導体基板との界面準位密度が非常に小さくなるからで
ある。
や８１５Ｍ４膜等の形Ｗ、は熱酸化あるいは熱窒化法に
よるのが通例とされている。その理由は、熱酸化あるい
は熱窒化処理が高量で行なわれ、形成された誘電体膜と
半導体基板との界面準位密度が非常に小さくなるからで
ある。
しかし、上記熱酸化法等による従来技術では、半導体基
板が長時間高ｉＩに晒され九り、８１以外の半導体基板
上に熱酸化膜を形成するのが困難になる等の欠点があっ
た。
板が長時間高ｉＩに晒され九り、８１以外の半導体基板
上に熱酸化膜を形成するのが困難になる等の欠点があっ
た。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、化学蒸着（
０’ＶＤ）法あるいは真空蒸着法で半導体基板上に堆積
した誘電体膜の界面準位密［會小さくする方法を提供す
ることｔ目的とする。
０’ＶＤ）法あるいは真空蒸着法で半導体基板上に堆積
した誘電体膜の界面準位密［會小さくする方法を提供す
ることｔ目的とする。
上記目的１−＊成するための本発明の基本的な榔ＷＬは
、半導体基１＃ｌまたは半導体膜の上面または下面ある
いは両面には、化学蒸着法（ＣＶＤ）あるいは真空蒸着
法等で堆積され次誘電体談のいずれかの表面から光線を
照射することをｌＦＩｗｌとする。
、半導体基１＃ｌまたは半導体膜の上面または下面ある
いは両面には、化学蒸着法（ＣＶＤ）あるいは真空蒸着
法等で堆積され次誘電体談のいずれかの表面から光線を
照射することをｌＦＩｗｌとする。
以下、本発明を実施例にそって詳細に説明する。
いま、日１ウェーハ上にモノ７ランの熱分解により４０
℃で１１７１％ｏＢ１０１膜を形成し、酸素ガス雰囲気
の石英管中に該試料を設置し、ａ１Ｏ＠ｍＨ面から波長
１０μ溝程度の光線を出すランプで光照射１ｉ１０秒程
度行ない、８１０１とｓｌの界面を少なくとも１２００
膜程度に瞬時加熱すると、当初８１とａ１ｏｍ界面の界
面単位密度がＩ Ｘ １０”／−以上あったものが、５
Ｘ １０Ｓ＠／ｊに低減することができる。
℃で１１７１％ｏＢ１０１膜を形成し、酸素ガス雰囲気
の石英管中に該試料を設置し、ａ１Ｏ＠ｍＨ面から波長
１０μ溝程度の光線を出すランプで光照射１ｉ１０秒程
度行ない、８１０１とｓｌの界面を少なくとも１２００
膜程度に瞬時加熱すると、当初８１とａ１ｏｍ界面の界
面単位密度がＩ Ｘ １０”／−以上あったものが、５
Ｘ １０Ｓ＠／ｊに低減することができる。
第１図は、前記光照射法の概略を示し穴もので、１Ｆｉ
石英管、２は試料台、Ｓは８１ウエーハ、４はＯＶＤ・
８１０３膜、５はランプ、６はガス導入口である。
石英管、２は試料台、Ｓは８１ウエーハ、４はＯＶＤ・
８１０３膜、５はランプ、６はガス導入口である。
さらに、Ｂ１ウェーハの両面ＫＯＶＤ＠８１０諺膜管形
成した場合には、Ｂ１基重そのものは赤外線に対し透明
なため、上面８１０．と８１および下面８１０ｓと８１
の界面は共°に加熱され、界面単位密［１下げることが
できる。
成した場合には、Ｂ１基重そのものは赤外線に対し透明
なため、上面８１０．と８１および下面８１０ｓと８１
の界面は共°に加熱され、界面単位密［１下げることが
できる。
さらに、照射光の波長が短かい場合には、８１のごく表
面を光加熱することとなり、やはり界面準位密ＩＩは低
減できる。
面を光加熱することとなり、やはり界面準位密ＩＩは低
減できる。
さらに、光源として炭酸ガス拳レーザーやカーボンΦに
一グーによる赤外線放射光を用いることもできる。
一グーによる赤外線放射光を用いることもできる。
さらに１光照射にパルス状で、且つ＋１秒程区の短時間
照射でも同等の効果がある。
照射でも同等の効果がある。
以上の如く、光照射アニールにより堆積誘電体膜の界面
準位密度が小さくできることにより、半導体装置製造が
簡便になったり、ｅｌや化合物等の低融点半導体基板上
への誘電体膜パッジブイ７シヨンが、安定にかつ容易に
、可能となる効果がある。
準位密度が小さくできることにより、半導体装置製造が
簡便になったり、ｅｌや化合物等の低融点半導体基板上
への誘電体膜パッジブイ７シヨンが、安定にかつ容易に
、可能となる効果がある。
第１図は、本発明による光子ニール処理法の一実施例を
簡単に示しｋものである。 １・・・石英管 ２・・・支持台Ｓ・・・
８１ウエーハ ４・・・誘電体膜５・・・光 源
６・・・ガス導入口以上
簡単に示しｋものである。 １・・・石英管 ２・・・支持台Ｓ・・・
８１ウエーハ ４・・・誘電体膜５・・・光 源
６・・・ガス導入口以上
Claims (1)
- 半導体基板ま九は半導体膜の上面または下面、あるいは
両面には、化学蒸着法あるいは真空蒸着法等で堆積され
７’ｊＳ ｉ Ｏｓ膜あるいは８１１１ｉ４膜等の誘電
体膜等が形成され、該誘電体膜のいずれかの！ＩＩ向か
ら紫外線、可視光線あるいは赤外線等の光線ｔ−１０秒
以内の瞬時照射を行なうことを％黴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197868A JPS5898933A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197868A JPS5898933A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898933A true JPS5898933A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16381662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197868A Pending JPS5898933A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898933A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142146A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ウエハ処理法 |
| US5387546A (en) * | 1992-06-22 | 1995-02-07 | Canon Sales Co., Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JPH07321061A (ja) * | 1994-10-03 | 1995-12-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6168980B1 (en) | 1992-08-27 | 2001-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123133A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56197868A patent/JPS5898933A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123133A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142146A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ウエハ処理法 |
| US5387546A (en) * | 1992-06-22 | 1995-02-07 | Canon Sales Co., Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US6168980B1 (en) | 1992-08-27 | 2001-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| JPH07321061A (ja) * | 1994-10-03 | 1995-12-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
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